JPH0646497B2 - 磁気バブルメモリ検出器 - Google Patents
磁気バブルメモリ検出器Info
- Publication number
- JPH0646497B2 JPH0646497B2 JP59184679A JP18467984A JPH0646497B2 JP H0646497 B2 JPH0646497 B2 JP H0646497B2 JP 59184679 A JP59184679 A JP 59184679A JP 18467984 A JP18467984 A JP 18467984A JP H0646497 B2 JPH0646497 B2 JP H0646497B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- expander
- detector
- magnetic bubble
- magnetic
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ検出器、特に検出器の一部を
構成する拡大器の磁気バブル転送特性を向上させた磁気
バブルメモリ検出器に関するものである。
構成する拡大器の磁気バブル転送特性を向上させた磁気
バブルメモリ検出器に関するものである。
磁気バブルメモリ素子の検出器は、軟磁性体金属パター
ンからなる拡大器と検出器ラインとから構成されてお
り、その多くは拡大器，検出器ラインとも同一プロセス
で形成される厚膜型の検出器が用いられている。この検
出器は磁気バブル情報を検知する部分であり、拡大器で
数百倍の長さのひも状に引き延ばされた磁気バブルが検
出器ライン下を通過するときの磁気抵抗変化を電気信号
に変換して磁気バブルの有無を判定する。
ンからなる拡大器と検出器ラインとから構成されてお
り、その多くは拡大器，検出器ラインとも同一プロセス
で形成される厚膜型の検出器が用いられている。この検
出器は磁気バブル情報を検知する部分であり、拡大器で
数百倍の長さのひも状に引き延ばされた磁気バブルが検
出器ライン下を通過するときの磁気抵抗変化を電気信号
に変換して磁気バブルの有無を判定する。
最近、磁気バブルメモリ素子の大容量化にともない、デ
ータ読み出し速度の高速度化が要求されている。この要
求に応えて、従来は回転磁界が２回転すると、一回読み
出す検出方式であつたが、回転磁界の１回転で１回読み
出す方式（以下毎ビツト読み出しと称する）が採用され
ている。そして、この毎ビツト読み出しによると、同一
回転磁界周波数で２倍のデータ読み出し速度が得られ
る。
ータ読み出し速度の高速度化が要求されている。この要
求に応えて、従来は回転磁界が２回転すると、一回読み
出す検出方式であつたが、回転磁界の１回転で１回読み
出す方式（以下毎ビツト読み出しと称する）が採用され
ている。そして、この毎ビツト読み出しによると、同一
回転磁界周波数で２倍のデータ読み出し速度が得られ
る。
しかしながら、毎ビツト読み出しの場合には、検出器ラ
インの直前または直後の拡大器に磁気バブルが必ず存在
するための検出器ラインはこの直前，直後の磁気バブル
の影響を受けて検出出力にノイズ（以下近接バブルノイ
ズと称する）が発生することが知られている。そして、
この近接バブルノイズを抑制するためには検出器ライン
から磁気バブルを離す方法が考えられ、したがつて検出
器ラインの直前，直後の拡大器のセルパターン周期を長
くしている。
インの直前または直後の拡大器に磁気バブルが必ず存在
するための検出器ラインはこの直前，直後の磁気バブル
の影響を受けて検出出力にノイズ（以下近接バブルノイ
ズと称する）が発生することが知られている。そして、
この近接バブルノイズを抑制するためには検出器ライン
から磁気バブルを離す方法が考えられ、したがつて検出
器ラインの直前，直後の拡大器のセルパターン周期を長
くしている。
第１図(a)，(b)，(c)は拡大器セルパターン、同図(d)は
転送路パターンの一例を示す拡大平面図であり、同図
(a)，(b)は前述した毎ビツト読み出し用拡大器セルパタ
ーン、同図(c)は１ビツトおき読み出し用拡大器セルパ
ターン同図(d)は情報を記憶し大部分の面積を占めるマ
イナーループの基本セルパターンにそれぞれ用いられて
いる。同図において、前述した近接バブルノイズを抑止
するためには同図(a)，(b)に示す拡大器セルパターン１
a，１bの各周期λsa，λsbは同図(d)に示す転送路パタ
ーン２の周期λの４倍長、すなわち周期λsa，λsb＝４
λで形成され、一方、同図(c)に示す拡大器セルパター
ン１ｃの周期λscは約２λ（λsc２λ）で形成されて
いる。
転送路パターンの一例を示す拡大平面図であり、同図
(a)，(b)は前述した毎ビツト読み出し用拡大器セルパタ
ーン、同図(c)は１ビツトおき読み出し用拡大器セルパ
ターン同図(d)は情報を記憶し大部分の面積を占めるマ
イナーループの基本セルパターンにそれぞれ用いられて
いる。同図において、前述した近接バブルノイズを抑止
するためには同図(a)，(b)に示す拡大器セルパターン１
a，１bの各周期λsa，λsbは同図(d)に示す転送路パタ
ーン２の周期λの４倍長、すなわち周期λsa，λsb＝４
λで形成され、一方、同図(c)に示す拡大器セルパター
ン１ｃの周期λscは約２λ（λsc２λ）で形成されて
いる。
第２図および第３図は前述した毎ビツト読み出し用４倍
長周期の拡大器セルパターンを用いた磁気バブル検出器
の一例を示す要部拡大平面図である。これらの図におい
て、３，４は第１図(a)，(b)に示す各拡大器セルパター
ン１a，１bからなる拡大器、５は検出器ライン、６a，
６b，６cは毎ビツト読み出しの場合の連続バブルであ
る。なお、Idは検出器ライン５に矢印方向に流す磁気バ
ブル検出用電流、ＨBは紙面の裏から表方向に加えられ
るバイアス磁界、ＨRはこの紙面に反時計回り方向に加
えられる回転磁界、Ｐは連続バブル６a，６b，６cの転
送方向である。
長周期の拡大器セルパターンを用いた磁気バブル検出器
の一例を示す要部拡大平面図である。これらの図におい
て、３，４は第１図(a)，(b)に示す各拡大器セルパター
ン１a，１bからなる拡大器、５は検出器ライン、６a，
６b，６cは毎ビツト読み出しの場合の連続バブルであ
る。なお、Idは検出器ライン５に矢印方向に流す磁気バ
ブル検出用電流、ＨBは紙面の裏から表方向に加えられ
るバイアス磁界、ＨRはこの紙面に反時計回り方向に加
えられる回転磁界、Ｐは連続バブル６a，６b，６cの転
送方向である。
しかしながら、このように構成される磁気バブル検出器
において、第２図に示す拡大器３は、第１図に示すよう
にセルパターン１aの幅taが太くかつパターン周期λsa
が４倍長周期と長いことから、連続バブル６a，６b，６
cのギヤツプＧ相互間の転送特性は良好であるが、該パ
ターン１a の中央部分での磁気バブルの引き伸ばしおよ
びその転送特性が比較的悪いという問題があつた。一
方、第３図に示す拡大器４はセルパターン１ｂの曲率が
大きく形成されているので、該パターン 1b の中央部分
での磁気バブルの引き伸ばしおよびその転送特性は良好
であるが、連続バブル６a，６b，６cのギヤツプＧ相互
間の転送特性が前述した第２図の拡大器３に比べて劣る
という問題があつた。
において、第２図に示す拡大器３は、第１図に示すよう
にセルパターン１aの幅taが太くかつパターン周期λsa
が４倍長周期と長いことから、連続バブル６a，６b，６
cのギヤツプＧ相互間の転送特性は良好であるが、該パ
ターン１a の中央部分での磁気バブルの引き伸ばしおよ
びその転送特性が比較的悪いという問題があつた。一
方、第３図に示す拡大器４はセルパターン１ｂの曲率が
大きく形成されているので、該パターン 1b の中央部分
での磁気バブルの引き伸ばしおよびその転送特性は良好
であるが、連続バブル６a，６b，６cのギヤツプＧ相互
間の転送特性が前述した第２図の拡大器３に比べて劣る
という問題があつた。
このように転送特性の良好な毎ビツト読み出し用の４倍
長周期拡大器を、単一セルパターンで構成することは、
それぞれのセルパターンで転送特性に特徴があるので、
極めて困難であるという欠点があつた。
長周期拡大器を、単一セルパターンで構成することは、
それぞれのセルパターンで転送特性に特徴があるので、
極めて困難であるという欠点があつた。
したがつて本発明は前述した従来の欠点に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、磁気バブル転
送特性の良好な拡大器を備えた磁気バブルメモリ素子を
提供することにある。
たものであり、その目的とするところは、磁気バブル転
送特性の良好な拡大器を備えた磁気バブルメモリ素子を
提供することにある。
このような目的を達成するため本発明は、検出器直前の
拡大器では曲率が大きく幅の小さい「く」の字状のパタ
ーンを使用して磁気バブルの拡大を充分とし、検出器直
後の拡大器では曲率が小さく幅の大きい「く」の字状の
パターンを使用して磁気バブルが検出器を通り過ぎると
きの転送を改善したものであり、本発明によれば下記構
成の磁気バブルメモリ検出器が提供される。
拡大器では曲率が大きく幅の小さい「く」の字状のパタ
ーンを使用して磁気バブルの拡大を充分とし、検出器直
後の拡大器では曲率が小さく幅の大きい「く」の字状の
パターンを使用して磁気バブルが検出器を通り過ぎると
きの転送を改善したものであり、本発明によれば下記構
成の磁気バブルメモリ検出器が提供される。
磁気バブルの有無を検出する検出器ライン（５）を有
し、「く」の字状のパターンを複数個磁気バブル転送方
向（Ｐ）と直角方向に並べた磁気バブル拡大器を、複数
段上記検出器ラインの前後に設け、上記検出ラインの手
前で遠い位置には基本周期の２倍長の第１の拡大器（１
ｃ）を、直前には上記基本周期の４倍長の第３の拡大器
（１ｂ）を、上記第１から第３の拡大器にかけては上記
基本周期の２倍より大きく４倍より小さくかつ徐々に大
きくなる周期の複数段の第２の拡大器（１ｂ′，１
ｂ″）を、上記検出器のラインの直後には上記基本周期
の４倍長の第４の拡大器（１ａ）を配置し、上記「く」
の字状のパターンの曲率は上記第３の拡大器の法が上記
第４の拡大器よりも大きく、上記「く」の字状のパター
ンの幅は上記第４の拡大器の方が上記第３の拡大器より
も大きい磁気バブルメモリ検出器。
し、「く」の字状のパターンを複数個磁気バブル転送方
向（Ｐ）と直角方向に並べた磁気バブル拡大器を、複数
段上記検出器ラインの前後に設け、上記検出ラインの手
前で遠い位置には基本周期の２倍長の第１の拡大器（１
ｃ）を、直前には上記基本周期の４倍長の第３の拡大器
（１ｂ）を、上記第１から第３の拡大器にかけては上記
基本周期の２倍より大きく４倍より小さくかつ徐々に大
きくなる周期の複数段の第２の拡大器（１ｂ′，１
ｂ″）を、上記検出器のラインの直後には上記基本周期
の４倍長の第４の拡大器（１ａ）を配置し、上記「く」
の字状のパターンの曲率は上記第３の拡大器の法が上記
第４の拡大器よりも大きく、上記「く」の字状のパター
ンの幅は上記第４の拡大器の方が上記第３の拡大器より
も大きい磁気バブルメモリ検出器。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第４図は本発明による磁気バブルメモリ検出器の一例を
示す要部平面図であり、前述の図と同記号は同一要素と
なるのでその説明は省略する。同図において、検出器ラ
イン５の直前、すなわち、磁気バブル転送方向Ｐに沿つ
て検出器ライン５に達するまでの間には、パターン周期
を２倍長から４倍長までパターン周期を徐々に拡大させ
た各セルパターン１c，１b″，１b′，１bからなる拡大
器７，４″，４′，４が配列されている。この場合、拡
大器4″，４′を構成する各セルパターン１b″，１b′
はパターン中央部で磁気バブル転送特性の良好なセルパ
ターン 1b と同等の曲率を有しか周期のみを縮小して形
成されている。つまり各拡大器７，４″，４′， 4はそ
のパターン周期が磁気バブル転送方向Ｐに沿つてλsc＜
λsb″＜λsb″＜λsbの大きさの順序でパターン周期を
異ならせて配列されている。一方、検出器ライン５の直
後、すなわち、検出器ライン５の磁気バブル転送方向Ｐ
に沿つてパターン周期４倍長から２倍長まで縮小させた
各セルパターン１ａ，１ｃからなる拡大器３，７が配設
されている。
示す要部平面図であり、前述の図と同記号は同一要素と
なるのでその説明は省略する。同図において、検出器ラ
イン５の直前、すなわち、磁気バブル転送方向Ｐに沿つ
て検出器ライン５に達するまでの間には、パターン周期
を２倍長から４倍長までパターン周期を徐々に拡大させ
た各セルパターン１c，１b″，１b′，１bからなる拡大
器７，４″，４′，４が配列されている。この場合、拡
大器4″，４′を構成する各セルパターン１b″，１b′
はパターン中央部で磁気バブル転送特性の良好なセルパ
ターン 1b と同等の曲率を有しか周期のみを縮小して形
成されている。つまり各拡大器７，４″，４′， 4はそ
のパターン周期が磁気バブル転送方向Ｐに沿つてλsc＜
λsb″＜λsb″＜λsbの大きさの順序でパターン周期を
異ならせて配列されている。一方、検出器ライン５の直
後、すなわち、検出器ライン５の磁気バブル転送方向Ｐ
に沿つてパターン周期４倍長から２倍長まで縮小させた
各セルパターン１ａ，１ｃからなる拡大器３，７が配設
されている。
このように構成された磁気バブル検出器において、検出
器ライン５以前の拡大器７に転送されてきた磁気バブル
は、転送特性の良好な２倍長周期λscのセルパターン１
ｃからなる拡大器７で充分に引き伸ばされた後、検出器
ライン５の直前の近接バブルノイズ抑止用４倍周期λsb
のセルパターン１ｂからなる拡大器４まで順次良好に転
送され、さらに検出器ライン５に転送されると、検出器
ライン５で磁気バブルが検出され、検出ライン５の出口
においては、４倍長周期λsaのセルパターン１ａからな
る拡大器３に吸引されて矢印Ｐ方向に転送される。すな
わち、検出器ライン５の出口においては、第５図で示す
ように検出器ライン５のシエブロンパターン間を接続す
る電流通路部５a の影響で磁気バブル反撥磁界が弱ま
り、転送特性が最も低下する部分であり、今後の磁気バ
ブルメモリ素子の高密度化のために磁気バブル径が微小
化し、飽和磁化４πMSが大きくなるのと逆比例してこの
検出器ライン５の出口のギヤツプ転送特性が著しく低下
することが予想される。そこで、第４図の一部を拡大し
た第６図に示すようにパターン幅 ta が太く、４倍長周
期の拡大器セルパターン 1a により、磁気バブルの吸引
磁極が強化され、したがつてギヤツプ間転送が良好とな
る。
器ライン５以前の拡大器７に転送されてきた磁気バブル
は、転送特性の良好な２倍長周期λscのセルパターン１
ｃからなる拡大器７で充分に引き伸ばされた後、検出器
ライン５の直前の近接バブルノイズ抑止用４倍周期λsb
のセルパターン１ｂからなる拡大器４まで順次良好に転
送され、さらに検出器ライン５に転送されると、検出器
ライン５で磁気バブルが検出され、検出ライン５の出口
においては、４倍長周期λsaのセルパターン１ａからな
る拡大器３に吸引されて矢印Ｐ方向に転送される。すな
わち、検出器ライン５の出口においては、第５図で示す
ように検出器ライン５のシエブロンパターン間を接続す
る電流通路部５a の影響で磁気バブル反撥磁界が弱ま
り、転送特性が最も低下する部分であり、今後の磁気バ
ブルメモリ素子の高密度化のために磁気バブル径が微小
化し、飽和磁化４πMSが大きくなるのと逆比例してこの
検出器ライン５の出口のギヤツプ転送特性が著しく低下
することが予想される。そこで、第４図の一部を拡大し
た第６図に示すようにパターン幅 ta が太く、４倍長周
期の拡大器セルパターン 1a により、磁気バブルの吸引
磁極が強化され、したがつてギヤツプ間転送が良好とな
る。
以上説明したように本発明によれば、従来転送特性の悪
かつた４倍長周期拡大器セルパターン間のギヤツプ転送
および検出器ライン出口のギヤツプ転送が良好となるの
で、磁気バブル転送特性が良好でかつ近接バブルノイズ
のない毎ビツト読み出し用検出器が実現可能となるとい
う極めて優れた効果が得られる。
かつた４倍長周期拡大器セルパターン間のギヤツプ転送
および検出器ライン出口のギヤツプ転送が良好となるの
で、磁気バブル転送特性が良好でかつ近接バブルノイズ
のない毎ビツト読み出し用検出器が実現可能となるとい
う極めて優れた効果が得られる。
第１図ないし第３図は従来の磁気バブル検出器の一例を
説明するための図、第４図は本発明による磁気バブル検
出器の一例を示す要部平面図、第５図，第６図は本発明
による磁気バブルメモリ検出器の動作を説明するための
要部拡大平面図である。 １a，１b，１c……拡大器セルパターン、２……転送路
パターン、３，４……拡大器、５……検出器ライン、６
a，６b，６c……磁気バブル、７……拡大器。
説明するための図、第４図は本発明による磁気バブル検
出器の一例を示す要部平面図、第５図，第６図は本発明
による磁気バブルメモリ検出器の動作を説明するための
要部拡大平面図である。 １a，１b，１c……拡大器セルパターン、２……転送路
パターン、３，４……拡大器、５……検出器ライン、６
a，６b，６c……磁気バブル、７……拡大器。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 信三 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所茂原工場内 (72)発明者 山口 中彦 東京都武蔵野市緑町３丁目９番11号 日本 電信電話公社武蔵野電気通信研究所内 (72)発明者 都築 信頼 東京都武蔵野市緑町３丁目９番11号 日本 電信電話公社武蔵野電気通信研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−52490（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】磁気バブルの有無を検出する検出器ライン
（５）を有し、「く」の字状のパターンを複数個磁気バ
ブル転送方向（Ｐ）と直角方向に並べた磁気バブル拡大
器を、複数段上記検出器ラインの前後に設け、上記検出
器ラインの手前で遠い位置には基本周期の２倍長の第１
の拡大器（１ｃ）を、直前には上記基本周期の４倍長の
第３の拡大器（１ｂ）を、上記第１から第３の拡大器に
かけては上記基本周期の２倍より大きく４倍より小さく
かつ徐々に大きくなる周期の複数段の第２の拡大器（１
ｂ′、１ｂ″）を、 上記検出器のラインの直後には上記基本周期の４倍長の
第４の拡大器（１ａ）を配置し、上記「く」の字状のパ
ターンの曲率は上記第３の拡大器の方が上記第４の拡大
器よりも大きく、上記「く」の字状のパターンの幅は上
記第４の拡大器の方が上記第３の拡大器よりも大きいこ
とを特徴とする磁気バブルメモリ検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184679A JPH0646497B2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁気バブルメモリ検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59184679A JPH0646497B2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁気バブルメモリ検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6163993A JPS6163993A (ja) | 1986-04-02 |
| JPH0646497B2 true JPH0646497B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=16157465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59184679A Expired - Lifetime JPH0646497B2 (ja) | 1984-09-05 | 1984-09-05 | 磁気バブルメモリ検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0646497B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5952490A (ja) * | 1982-09-20 | 1984-03-27 | Fujitsu Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
-
1984
- 1984-09-05 JP JP59184679A patent/JPH0646497B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6163993A (ja) | 1986-04-02 |
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