JPH0646668B2 - 半導体レ−ザアレイ素子 - Google Patents
半導体レ−ザアレイ素子Info
- Publication number
- JPH0646668B2 JPH0646668B2 JP62188279A JP18827987A JPH0646668B2 JP H0646668 B2 JPH0646668 B2 JP H0646668B2 JP 62188279 A JP62188279 A JP 62188279A JP 18827987 A JP18827987 A JP 18827987A JP H0646668 B2 JPH0646668 B2 JP H0646668B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- groove
- type
- array
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は半導体レーザアレイ素子に関し、特に活性層
下部の半導体層の溝形状を利用して電流注入領域を制御
する半導体レーザアレイ素子に関するものである。
下部の半導体層の溝形状を利用して電流注入領域を制御
する半導体レーザアレイ素子に関するものである。
［従来の技術］ 半導体レーザの高出力化に伴ない、半導体レーザアレイ
素子が注目されているが、その製造工程における成長方
法としては主に分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長
法、有機金属気相エピタキシャル（ＭＯＣＶＤ）成長
法、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）成長法の３方法が用
いられている。
素子が注目されているが、その製造工程における成長方
法としては主に分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）成長
法、有機金属気相エピタキシャル（ＭＯＣＶＤ）成長
法、液相エピタキシャル（ＬＰＥ）成長法の３方法が用
いられている。
その中で、液相エピタキシャル成長法により製造された
半導体レーザアレイ素子の一例としては、松本らにより
Ｊournal of Ａpplied Ｐhysics,vol.５８（７），p.２
７８３−２７８５（１９８５）に報告された３フィラメ
ント素子が挙げられる。この素子は、ＶＳＩＳ（Ｖ−ch
anneled Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe）構造を応用し
たものである。
半導体レーザアレイ素子の一例としては、松本らにより
Ｊournal of Ａpplied Ｐhysics,vol.５８（７），p.２
７８３−２７８５（１９８５）に報告された３フィラメ
ント素子が挙げられる。この素子は、ＶＳＩＳ（Ｖ−ch
anneled Ｓubstrate Ｉnner Ｓtripe）構造を応用し
たものである。
第２図はその一例として示した５フィラメント素子の概
略断面図である。
略断面図である。
図において、液相エピタキシャル成長法により、p 型Ｇ
a Ａs 半導体基板１上にn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流
狭窄層６を０．７μｍ、さらにその上にn 型Ｇa Ａs 表
面保護層８を０．１μｍ成長させる。次に幅４μｍ、深
さ０．９μｍの溝９を周期５μｍで５本形成する。この
溝９はn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６とn 型Ｇ
a Ａs 表面保護層８とを貫通し、p 型Ｇa Ａs 半導体基
板１に到達している。溝９の形成方法としては、フォト
リソグラフィ技術とエッチング技術を適用している。次
に、n 型Ｇa Ａs 表面保護層８上にp 型Ａｌ0.4 Ｇa
0.6 Ａs クラッド層１０を溝９の存在しない部分で０．
３μｍ、その上にＡｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１を
０．０８μｍ、その上にn 型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラ
ッド層１２を１．２μｍ、さらにその上にn 型Ｇa Ａs
コンタクト層１３を１．５μｍ連続的に成長させる。
a Ａs 半導体基板１上にn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流
狭窄層６を０．７μｍ、さらにその上にn 型Ｇa Ａs 表
面保護層８を０．１μｍ成長させる。次に幅４μｍ、深
さ０．９μｍの溝９を周期５μｍで５本形成する。この
溝９はn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６とn 型Ｇ
a Ａs 表面保護層８とを貫通し、p 型Ｇa Ａs 半導体基
板１に到達している。溝９の形成方法としては、フォト
リソグラフィ技術とエッチング技術を適用している。次
に、n 型Ｇa Ａs 表面保護層８上にp 型Ａｌ0.4 Ｇa
0.6 Ａs クラッド層１０を溝９の存在しない部分で０．
３μｍ、その上にＡｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１を
０．０８μｍ、その上にn 型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラ
ッド層１２を１．２μｍ、さらにその上にn 型Ｇa Ａs
コンタクト層１３を１．５μｍ連続的に成長させる。
以上のように構成された半導体レーザアレイ素子は、溝
９を介してp 型Ｇa Ａs 半導体基板１とp 型Ａｌ0.4 Ｇ
a 0.6 Ａs クラッド層１０とが導通するので、発振領域
１４としてその上方のＡｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１
が機能する。
９を介してp 型Ｇa Ａs 半導体基板１とp 型Ａｌ0.4 Ｇ
a 0.6 Ａs クラッド層１０とが導通するので、発振領域
１４としてその上方のＡｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１
が機能する。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来の半導体レーザアレイ素子において
は、p 型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０が溝９を
平坦に埋めきれないためにＡｌＧa Ａs 活性層１１が溝
側に湾曲してしまう現象が観測される。
は、p 型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０が溝９を
平坦に埋めきれないためにＡｌＧa Ａs 活性層１１が溝
側に湾曲してしまう現象が観測される。
第３図はこの状態を示した概略断面図である。活性層が
湾曲した素子では、各フィラメント間の結合が弱くな
り、個々のフィラメントが個別に発振したり１個のフィ
ラメントのみが発振したりする現象が起こり、すべての
フィラメントが結合した状態で均一に発振させることが
できない。
湾曲した素子では、各フィラメント間の結合が弱くな
り、個々のフィラメントが個別に発振したり１個のフィ
ラメントのみが発振したりする現象が起こり、すべての
フィラメントが結合した状態で均一に発振させることが
できない。
これらの問題を解決する方法として、基板全面に上述の
溝を周期的に形成することで平坦で均一な活性層を得る
方法が提案されている。
溝を周期的に形成することで平坦で均一な活性層を得る
方法が提案されている。
第４図はその電流閉込め構造としてリッジ・ガイド構造
を適用した場合の概略断面図である。
を適用した場合の概略断面図である。
図に示すようにこの構造ではp 型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs
クラッド層１０は溝９が全面に存在するために均一に埋
めることができる。しかしこの構造ではリッジの形成を
精度良く行なわないとp 型Ｇa Ａs 半導体基板１とp 型
Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０とはすべての溝９
で導通であるため、電流の横への漏れによる所望のフィ
ラメント以外の左右のフィラメントからの発振が起こ
り、また発振には至らなくても所望のモードへ何らかの
影響を与えることになる。
クラッド層１０は溝９が全面に存在するために均一に埋
めることができる。しかしこの構造ではリッジの形成を
精度良く行なわないとp 型Ｇa Ａs 半導体基板１とp 型
Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０とはすべての溝９
で導通であるため、電流の横への漏れによる所望のフィ
ラメント以外の左右のフィラメントからの発振が起こ
り、また発振には至らなくても所望のモードへ何らかの
影響を与えることになる。
第５図は第４図の基板部を改良した概略断面図である。
図において、p 型Ｇa Ａs 半導体基板１を発振に寄与す
る範囲にのみ高さ１μｍのメサ状に形成し、この上にそ
の表面が平坦になるようにn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電
流狭窄層６を形成する。さらにその上にn 型Ａｌ0.1 Ｇ
a 0.9 Ａs エッチバック防止層７およびn 型Ｇa Ａs 表
面保護層８を形成した後、その表面全体に溝９を形成す
るとp 型Ｇa Ａs 半導体基板１のメサ部のみに溝９は到
達し導通部となる。この場合、溝９は全面に設けられて
いるので以後の工程で形成される活性層に湾曲部を生じ
させず、安定した発振動作が期待できる。
る範囲にのみ高さ１μｍのメサ状に形成し、この上にそ
の表面が平坦になるようにn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電
流狭窄層６を形成する。さらにその上にn 型Ａｌ0.1 Ｇ
a 0.9 Ａs エッチバック防止層７およびn 型Ｇa Ａs 表
面保護層８を形成した後、その表面全体に溝９を形成す
るとp 型Ｇa Ａs 半導体基板１のメサ部のみに溝９は到
達し導通部となる。この場合、溝９は全面に設けられて
いるので以後の工程で形成される活性層に湾曲部を生じ
させず、安定した発振動作が期待できる。
ところが、実際問題として第５図に示すようにn 型Ａｌ
0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６をメサ部上において０．
５μｍの厚さで平坦に成長させ、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9
Ａs エッチバック防止層７を０．２μｍの厚さで、さら
にその上にn 型Ｇa Ａs 表面保護層８を０．１μｍの厚
さで成長させることは非常に困難である。特にフィラメ
ントの数が多くなった場合はメサ部の幅が広くなるの
で、その影響が大きくメサ部の端部で段差を生じる。
0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６をメサ部上において０．
５μｍの厚さで平坦に成長させ、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9
Ａs エッチバック防止層７を０．２μｍの厚さで、さら
にその上にn 型Ｇa Ａs 表面保護層８を０．１μｍの厚
さで成長させることは非常に困難である。特にフィラメ
ントの数が多くなった場合はメサ部の幅が広くなるの
で、その影響が大きくメサ部の端部で段差を生じる。
第６図はこの状態を示した概略断面図である。
この発明は以上のような問題点を解決するためになされ
たもので、半導体基板の表面全体に溝を設けてもフィラ
メント数にかかわらず、活性層を平坦化でき所望の範囲
の活性層のみ確実に発振できる特性の優れた内部電流狭
窄構造を有する半導体レーザアレイ素子を提供すること
を目的とする。
たもので、半導体基板の表面全体に溝を設けてもフィラ
メント数にかかわらず、活性層を平坦化でき所望の範囲
の活性層のみ確実に発振できる特性の優れた内部電流狭
窄構造を有する半導体レーザアレイ素子を提供すること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る半導体レーザアレイ素子は、表面全体に
複数の第１の溝を有する第１導電型式の半導体基板上
に、表面全体に複数の第２の溝を有する第２導電型式の
半導体層を形成して、第２の溝のうち活性層の発光領域
に対応する溝のみが半導体基板に達するようにしたもの
である。
複数の第１の溝を有する第１導電型式の半導体基板上
に、表面全体に複数の第２の溝を有する第２導電型式の
半導体層を形成して、第２の溝のうち活性層の発光領域
に対応する溝のみが半導体基板に達するようにしたもの
である。
結晶成長に際して平坦な活性層を得るために、溝の形成
された下地層が活性層の発光領域と非発光領域とで同一
の下地面条件を提供し、かつ発光領域のみで電流通路が
開通していることが本発明の特徴である。これは上下の
溝の相対配列ピッチを変えることにより達成している。
された下地層が活性層の発光領域と非発光領域とで同一
の下地面条件を提供し、かつ発光領域のみで電流通路が
開通していることが本発明の特徴である。これは上下の
溝の相対配列ピッチを変えることにより達成している。
［作用］ この発明においては、半導体基板および半導体層のいず
れにもその表面全体に複数の溝を形成したので、後の成
長に際し成長面全域で均一条件のエピタキシャル成長を
行なうことができ活性層の平坦化が容易となり、また活
性層の発光領域に対応する溝のみ半導体基板に達するよ
うにしたので、発光領域のみで電流通路となるストライ
プ（狭窄）構造が形成される。
れにもその表面全体に複数の溝を形成したので、後の成
長に際し成長面全域で均一条件のエピタキシャル成長を
行なうことができ活性層の平坦化が容易となり、また活
性層の発光領域に対応する溝のみ半導体基板に達するよ
うにしたので、発光領域のみで電流通路となるストライ
プ（狭窄）構造が形成される。
［実施例］ 第１図はこの発明の一実施例における製造工程を示す断
面斜視図である。
面斜視図である。
以下、図を参照して製造方法について説明する。
p 型Ｇa Ａs 半導体基板１にフォトリソグラフィ技術と
エッチング技術とで発振させるフィラメント数と同じ数
の高さ１μｍ、メサ上部での幅１μｍ、周期５μｍのメ
サＡ２と、それ以外の部分にメサＡ２に対してその境界
部５で半周期ずらせた同じ形状のかつ同じ周期のメサＢ
３およびメサＣ４とを形成する（第１図（a ）参照）。
エッチング技術とで発振させるフィラメント数と同じ数
の高さ１μｍ、メサ上部での幅１μｍ、周期５μｍのメ
サＡ２と、それ以外の部分にメサＡ２に対してその境界
部５で半周期ずらせた同じ形状のかつ同じ周期のメサＢ
３およびメサＣ４とを形成する（第１図（a ）参照）。
この後、液相エピタキシャル成長法により、この基板上
に逆導電型となるn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層
６、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs エッチバック防止層７お
よびn 型Ｇa Ａs 表面保護層８をメサ上でそれぞれ０．
５μｍ、０．２μｍおよび０．１μｍの厚さに成長させ
る。この成長において、メサ間の窪みでは成長速度が速
く、一方メサの上では成長速度が抑えられることによ
り、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６がメサ上で
０．５μｍの厚さとなったときには、既にその表面は全
面にわたり平坦となっている（第１図（b ）参照）。
に逆導電型となるn 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層
６、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs エッチバック防止層７お
よびn 型Ｇa Ａs 表面保護層８をメサ上でそれぞれ０．
５μｍ、０．２μｍおよび０．１μｍの厚さに成長させ
る。この成長において、メサ間の窪みでは成長速度が速
く、一方メサの上では成長速度が抑えられることによ
り、n 型Ａｌ0.1 Ｇa 0.9 Ａs 電流狭窄層６がメサ上で
０．５μｍの厚さとなったときには、既にその表面は全
面にわたり平坦となっている（第１図（b ）参照）。
この基板上に全面にわたり、周期５μｍ、幅４μｍ、深
さ０．９μｍの溝９をフォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術とを適用して形成する。この際、発振部１４に
対応する溝９は先の工程で形成したメサＡ２の平坦部に
合わせて形成する。この結果、発振領域１４に対応する
溝９の底部はp 型Ｇa Ａs 半導体基板１に到達し電流通
路が形成される。一方、溝９の他の溝の底部はp 型Ｇa
Ａs 半導体基板１に到達せず電流通路は形成されない。
この結果、内部電流狭窄構造が実現される（第１図（c
）参照）。
さ０．９μｍの溝９をフォトリソグラフィ技術とエッチ
ング技術とを適用して形成する。この際、発振部１４に
対応する溝９は先の工程で形成したメサＡ２の平坦部に
合わせて形成する。この結果、発振領域１４に対応する
溝９の底部はp 型Ｇa Ａs 半導体基板１に到達し電流通
路が形成される。一方、溝９の他の溝の底部はp 型Ｇa
Ａs 半導体基板１に到達せず電流通路は形成されない。
この結果、内部電流狭窄構造が実現される（第１図（c
）参照）。
次に、溝９内部を含みn 型Ｇa Ａs 表面保護層８上にp
型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０を溝の存在しな
い部分で０．３μｍの厚さに成長させる。このp 型クラ
ッド層１０の成長表面は平坦面となり、この上にＡｌ
0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１を０．０８μｍに、n 型Ａ
ｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１２を１．２μｍに、成
長させてダブルヘテロ接合型のレーザ発振動作用多層結
晶構造を積層する。さらにおよびn 型Ｇa Ａs コンタク
ト層１３を１．５μｍに、液相エピタキシャル成長法に
より連続的に成長させることによって、内部電流狭窄構
造を持つ安定な特性の半導体レーザアレイ素子が歩留り
良く製造される（第１図（d ）参照）。
型Ａｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１０を溝の存在しな
い部分で０．３μｍの厚さに成長させる。このp 型クラ
ッド層１０の成長表面は平坦面となり、この上にＡｌ
0.1 Ｇa 0.9 Ａs 活性層１１を０．０８μｍに、n 型Ａ
ｌ0.4 Ｇa 0.6 Ａs クラッド層１２を１．２μｍに、成
長させてダブルヘテロ接合型のレーザ発振動作用多層結
晶構造を積層する。さらにおよびn 型Ｇa Ａs コンタク
ト層１３を１．５μｍに、液相エピタキシャル成長法に
より連続的に成長させることによって、内部電流狭窄構
造を持つ安定な特性の半導体レーザアレイ素子が歩留り
良く製造される（第１図（d ）参照）。
なお、上記実施例では、p 型Ｇa Ａs 半導体基板１に設
けられた溝を発振領域以外で半周期位相をずらせている
が、基板の位相はずらさずn 型Ｇa Ａs 表面保護層８に
設けられた溝をやはり発振部以外で半周期位相をずらせ
ても同様の効果を奏する。
けられた溝を発振領域以外で半周期位相をずらせている
が、基板の位相はずらさずn 型Ｇa Ａs 表面保護層８に
設けられた溝をやはり発振部以外で半周期位相をずらせ
ても同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、レーザ発振のアレイ領域が素子
について１箇所のみであったが、p 型Ｇa Ａs 半導体基
板１またはn 型Ｇa Ａs 表面保護層８に設けられた溝の
いずれか、または双方の形成周期の位相を適当にずらす
ことによって、同様に２箇所以上のレーザ発振のアレイ
領域を形成することができる。
について１箇所のみであったが、p 型Ｇa Ａs 半導体基
板１またはn 型Ｇa Ａs 表面保護層８に設けられた溝の
いずれか、または双方の形成周期の位相を適当にずらす
ことによって、同様に２箇所以上のレーザ発振のアレイ
領域を形成することができる。
また、上記実施例では、各構成層や基板の導電型式を特
定しているがその導電型式をすべて反転しても同様の効
果を奏することは言うまでもない。
定しているがその導電型式をすべて反転しても同様の効
果を奏することは言うまでもない。
さらに、上記実施例では、各構成層はすべて液相エピタ
キシャル成長法により成長させたが、溝を埋め込んで平
坦にする層の形成以外は他の成長法を用いることも可能
である。
キシャル成長法により成長させたが、溝を埋め込んで平
坦にする層の形成以外は他の成長法を用いることも可能
である。
［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、半導体基板およびその
上に形成される半導体層のいずれにもその表面全体に複
数の溝を形成したのでエピタキシャル成長条件が成長面
全域で均一となり、活性層の平坦化が容易となる。また
電流注入領域は電流狭窄層の溝列がレーザ発振領域のみ
で電流狭窄層を貫通し、半導体基板に達するようにして
形成されるので活性層の形状に制約を与えず、安定した
発振動作が保証される半導体レーザアレイ素子となる効
果がある。
上に形成される半導体層のいずれにもその表面全体に複
数の溝を形成したのでエピタキシャル成長条件が成長面
全域で均一となり、活性層の平坦化が容易となる。また
電流注入領域は電流狭窄層の溝列がレーザ発振領域のみ
で電流狭窄層を貫通し、半導体基板に達するようにして
形成されるので活性層の形状に制約を与えず、安定した
発振動作が保証される半導体レーザアレイ素子となる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例における製造工程を示す断
面斜視図、第２図，第３図は従来のフィラメント素子の
概略断面図、第４図は従来のリッジ・ガイド構造を有し
たフィラメント素子の概略断面図、第５図は第４図の基
板部を改良した概略断面図、第６図は第５図の不具合状
態を示した概略断面図である。 図において、１はp 型Ｇa Ａs 半導体基板、２はメサ
Ａ、３はメサＢ、４はメサＣ、５は境界部、６はn 型Ａ
ｌＧa Ａs 電流狭窄層、７はn 型ＡｌＧa Ａs エッチバ
ック防止層、９は溝、１０はp 型ＡｌＧa Ａs クラッド
層、１１はＡｌＧa Ａs 活性層、１３はn 型Ｇa Ａs コ
ンタクト層、１４は発振領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
面斜視図、第２図，第３図は従来のフィラメント素子の
概略断面図、第４図は従来のリッジ・ガイド構造を有し
たフィラメント素子の概略断面図、第５図は第４図の基
板部を改良した概略断面図、第６図は第５図の不具合状
態を示した概略断面図である。 図において、１はp 型Ｇa Ａs 半導体基板、２はメサ
Ａ、３はメサＢ、４はメサＣ、５は境界部、６はn 型Ａ
ｌＧa Ａs 電流狭窄層、７はn 型ＡｌＧa Ａs エッチバ
ック防止層、９は溝、１０はp 型ＡｌＧa Ａs クラッド
層、１１はＡｌＧa Ａs 活性層、１３はn 型Ｇa Ａs コ
ンタクト層、１４は発振領域である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 種谷 元隆 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 松井 完益 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】基板の結晶成長面に周期性を有する第１の
溝列が配列され、かつ該結晶成長面に周期性を有する第
２の溝列が配列された逆導電型の電流狭窄層が重畳さ
れ、該電流狭窄層上にヘテロ接合界面で挾設されたレー
ザ発振用活性層を有する多層結晶構造が積層されてなる
半導体レーザアレイ素子において、 前記第１の溝列と前記第２の溝列は前記活性層内に形成
されるレーザ発振のアレイ領域と該アレイ領域側方の非
発振領域とで配列の周期性が互いに異なり、前記アレイ
領域では前記第２の溝列が前記電流狭窄層を貫通して電
流通路を開通させ、前記非発振領域では前記第２の溝列
が前記第１の溝列に重畳されていることを特徴とする、
半導体レーザアレイ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188279A JPH0646668B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 半導体レ−ザアレイ素子 |
| US07/224,558 US4878223A (en) | 1987-07-28 | 1988-07-26 | Semiconductor laser array device |
| DE88306896T DE3885180T2 (de) | 1987-07-28 | 1988-07-27 | Halbleiterlaser-Vielfachanordnung. |
| EP88306896A EP0301818B1 (en) | 1987-07-28 | 1988-07-27 | Semiconductor laser array device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62188279A JPH0646668B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 半導体レ−ザアレイ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6431491A JPS6431491A (en) | 1989-02-01 |
| JPH0646668B2 true JPH0646668B2 (ja) | 1994-06-15 |
Family
ID=16220870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62188279A Expired - Lifetime JPH0646668B2 (ja) | 1987-07-28 | 1987-07-28 | 半導体レ−ザアレイ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4878223A (ja) |
| EP (1) | EP0301818B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0646668B2 (ja) |
| DE (1) | DE3885180T2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5206185A (en) * | 1988-12-29 | 1993-04-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
| EP0395436B1 (en) * | 1989-04-28 | 1997-09-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | A semiconductor laser device, a semiconductor wafer, and a method for the production of the same |
| US5208823A (en) * | 1991-09-03 | 1993-05-04 | Applied Solar Energy Corporation | Optically isolated laser diode array |
| US5877766A (en) * | 1997-08-15 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporation | Multi-node user interface component and method thereof for use in accessing a plurality of linked records |
| US20040252738A1 (en) * | 2003-01-22 | 2004-12-16 | Hill Steven E. | Light emitting diodes and planar optical lasers using IV semiconductor nanocrystals |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235689A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
| JPS62115795A (ja) * | 1985-11-14 | 1987-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1987
- 1987-07-28 JP JP62188279A patent/JPH0646668B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-07-26 US US07/224,558 patent/US4878223A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-27 EP EP88306896A patent/EP0301818B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-27 DE DE88306896T patent/DE3885180T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0301818A2 (en) | 1989-02-01 |
| JPS6431491A (en) | 1989-02-01 |
| EP0301818B1 (en) | 1993-10-27 |
| DE3885180D1 (de) | 1993-12-02 |
| US4878223A (en) | 1989-10-31 |
| DE3885180T2 (de) | 1994-02-24 |
| EP0301818A3 (en) | 1990-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4907239A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPH0278280A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0646668B2 (ja) | 半導体レ−ザアレイ素子 | |
| JP3154198B2 (ja) | 半導体レーザとその製法 | |
| US5179040A (en) | Method of making a semiconductor laser device | |
| US5111471A (en) | Semiconductor laser device | |
| JP2940158B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2566955B2 (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPS6325517B2 (ja) | ||
| JPS6318874B2 (ja) | ||
| JP2002314200A (ja) | 半導体レーザ素子及びその作製方法 | |
| JPH0634429B2 (ja) | 半導体レーザの形成のためにＧａＡｓを選択的に成長させる方法及び半導体レーザ | |
| KR100284763B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| JP2525617B2 (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| KR100261240B1 (ko) | 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제작 방법 | |
| JPH0349282A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH0579194B2 (ja) | ||
| JPH08316584A (ja) | 半導体光素子およびその製造方法 | |
| JPS6356982A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH02103989A (ja) | 半導体レーザアレイ及びその製造方法 | |
| JPS61113294A (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH069275B2 (ja) | 半導体レ−ザアレイ装置 | |
| JPH07120832B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH03208389A (ja) | 半導体レーザアレイ素子およびその作製方法 | |
| JPS6336591A (ja) | 半導体レ−ザ |