JPH0647443A - クラッド材の加工方法 - Google Patents
クラッド材の加工方法Info
- Publication number
- JPH0647443A JPH0647443A JP20571392A JP20571392A JPH0647443A JP H0647443 A JPH0647443 A JP H0647443A JP 20571392 A JP20571392 A JP 20571392A JP 20571392 A JP20571392 A JP 20571392A JP H0647443 A JPH0647443 A JP H0647443A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- punched
- clad material
- punching
- punched piece
- warp
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Straightening Metal Sheet-Like Bodies (AREA)
- Punching Or Piercing (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 抜き落し法によってクラッド材１１を積層方
向に抜き落して所定形状に打ち抜いた後、抜き落された
打抜片１３を積層方向にプレスし、さらに加熱処理す
る。 【効果】 側面剥がれおよび反りがなく、かつ残留応力
の小さい打抜片を、歩留まり良く製造することができ
る。
向に抜き落して所定形状に打ち抜いた後、抜き落された
打抜片１３を積層方向にプレスし、さらに加熱処理す
る。 【効果】 側面剥がれおよび反りがなく、かつ残留応力
の小さい打抜片を、歩留まり良く製造することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、セラミック半導体等に
おけるセラミックパッケージのヒートシンク材として利
用されるクラッド材の加工方法に関する。
おけるセラミックパッケージのヒートシンク材として利
用されるクラッド材の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種のヒートシンク材として、従来よ
り一般にＣｕ、Ｍｏ、Ｃｕを順に積層してなるクラッド
材が利用されている。ヒートシンク材は、クラッド材を
所定形状に打ち抜いた後、その打抜片を加熱処理すると
いう加工方法によって形成され、Ａｇろう付けによって
セラミックパッケージに接合される。
り一般にＣｕ、Ｍｏ、Ｃｕを順に積層してなるクラッド
材が利用されている。ヒートシンク材は、クラッド材を
所定形状に打ち抜いた後、その打抜片を加熱処理すると
いう加工方法によって形成され、Ａｇろう付けによって
セラミックパッケージに接合される。
【０００３】ところで、前記クラッド材を打ち抜く方法
として、従来、プッシュバック法（あるいは半プッシュ
バック法）が採用されている。プッシュバック法（半プ
ッシュバック法）とは具体的に、図５に示すように、金
型２を用いてクラッド材１を積層方向に打ち抜いた後、
その打抜片３を押し上げて再び元のクラッド材１に形成
された穴の中に全部（あるいは半分程度）戻し、その後
改めて、この打抜片３を該穴より排出するという方法で
ある。この方法によれば、上下から拘束した状態で打抜
くので、反りの少ない打抜片３を得ることができる。
として、従来、プッシュバック法（あるいは半プッシュ
バック法）が採用されている。プッシュバック法（半プ
ッシュバック法）とは具体的に、図５に示すように、金
型２を用いてクラッド材１を積層方向に打ち抜いた後、
その打抜片３を押し上げて再び元のクラッド材１に形成
された穴の中に全部（あるいは半分程度）戻し、その後
改めて、この打抜片３を該穴より排出するという方法で
ある。この方法によれば、上下から拘束した状態で打抜
くので、反りの少ない打抜片３を得ることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、クラッド材
には、クラッド材形成時の圧延加工によって圧延方向に
配向が生じているため、この配向方向の側部においては
各金属層間の剥離が起こり易い状態となっている。とこ
ろが、前記プッシュバック法（半プッシュバック法）に
あっては、金型を用いてクラッド材を打ち抜く際に、金
型内壁面との間で摩擦が生じ、その後この打抜片を押し
上げる際には先と反対方向の摩擦が生じるので、打抜片
の側面部における剥離現象がより促進されるという問題
があった。そして、このような剥離を起こした打抜片を
ヒートシンク材として利用した場合には、この剥離が原
因で、セラミックパッケージから発する熱の放熱性が損
なわれるという問題が生じた。
には、クラッド材形成時の圧延加工によって圧延方向に
配向が生じているため、この配向方向の側部においては
各金属層間の剥離が起こり易い状態となっている。とこ
ろが、前記プッシュバック法（半プッシュバック法）に
あっては、金型を用いてクラッド材を打ち抜く際に、金
型内壁面との間で摩擦が生じ、その後この打抜片を押し
上げる際には先と反対方向の摩擦が生じるので、打抜片
の側面部における剥離現象がより促進されるという問題
があった。そして、このような剥離を起こした打抜片を
ヒートシンク材として利用した場合には、この剥離が原
因で、セラミックパッケージから発する熱の放熱性が損
なわれるという問題が生じた。
【０００５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たもので、側面部における剥離を防止し、かつ反りの小
さな打抜片を得ることのできるクラッド材の加工方法を
提供することを目的としている。
たもので、側面部における剥離を防止し、かつ反りの小
さな打抜片を得ることのできるクラッド材の加工方法を
提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めに、本発明では、抜き落し法によってクラッド材を積
層方向に抜き落して所定形状に打ち抜いた後、抜き落さ
れた打抜片を積層方向にプレスし、さらに加熱処理する
こととした。
めに、本発明では、抜き落し法によってクラッド材を積
層方向に抜き落して所定形状に打ち抜いた後、抜き落さ
れた打抜片を積層方向にプレスし、さらに加熱処理する
こととした。
【０００７】
【作用】本発明に係るクラッド材の加工方法によれば、
従来のプッシュバック法に代えて抜き落し法を採用する
ので、一旦打ち抜かれた打抜片が再び金型内を押し上げ
られることがない。そのため、金型との間に生じる摩擦
を一方向のみに受けるので、打抜片の側面部における各
金属層間の剥離を防止できる。また、打抜片にはプレス
処理を施すので、抜き落し時に生じた反りがこのプレス
によって矯正される。さらに、その後の加熱処理によっ
て、プレス時に生じた内部応力が緩和される。
従来のプッシュバック法に代えて抜き落し法を採用する
ので、一旦打ち抜かれた打抜片が再び金型内を押し上げ
られることがない。そのため、金型との間に生じる摩擦
を一方向のみに受けるので、打抜片の側面部における各
金属層間の剥離を防止できる。また、打抜片にはプレス
処理を施すので、抜き落し時に生じた反りがこのプレス
によって矯正される。さらに、その後の加熱処理によっ
て、プレス時に生じた内部応力が緩和される。
【０００８】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明に係るクラッ
ド材の加工方法の一実施例について、工程順に説明す
る。クラッド材１１には、図１に示すように、Ｃｕ、Ｍ
ｏ、Ｃｕを順に積層してなる３層構造のクラッド材を用
いる。
ド材の加工方法の一実施例について、工程順に説明す
る。クラッド材１１には、図１に示すように、Ｃｕ、Ｍ
ｏ、Ｃｕを順に積層してなる３層構造のクラッド材を用
いる。
【０００９】［工程１；クラッド材の打ち抜き］図２に
示すように、一対のダイ１２ａとポンチ１２ｂを備えた
金型１２を用い、ダイ１２ａとポンチ１２ｂの間にクラ
ッド材１１を置いた状態で上方よりポンチ１２ｂを下降
せしめて、クラッド材１１を積層方向に打ち抜く。打ち
抜きには抜き落し法を採用し、打ち抜かれた打抜片１３
はそのまま排出する。得られた打抜片１３は、打ち抜き
時にダイ１２ａ内壁面との間で生じた摩擦によって、図
３に示すように、側面部が反り上がった状態である。
示すように、一対のダイ１２ａとポンチ１２ｂを備えた
金型１２を用い、ダイ１２ａとポンチ１２ｂの間にクラ
ッド材１１を置いた状態で上方よりポンチ１２ｂを下降
せしめて、クラッド材１１を積層方向に打ち抜く。打ち
抜きには抜き落し法を採用し、打ち抜かれた打抜片１３
はそのまま排出する。得られた打抜片１３は、打ち抜き
時にダイ１２ａ内壁面との間で生じた摩擦によって、図
３に示すように、側面部が反り上がった状態である。
【００１０】［工程２；矯正プレス］工程１において打
ち抜かれた打抜片１３に、積層方向より加圧力を加えて
プレス加工する。このプレス加工によって、前記工程で
発生した打抜片１３の反りを矯正する。プレス時の圧力
は、１.５〜５ｋｇ／ｃｍ2とする。圧力が１.５ｋｇ／
ｃｍ2までであると、反りの矯正効果が十分得られず、
また５ｇ／ｃｍ2を越えると、打抜片１３が圧縮変形し
て寸法が大きくなってしまうためである。
ち抜かれた打抜片１３に、積層方向より加圧力を加えて
プレス加工する。このプレス加工によって、前記工程で
発生した打抜片１３の反りを矯正する。プレス時の圧力
は、１.５〜５ｋｇ／ｃｍ2とする。圧力が１.５ｋｇ／
ｃｍ2までであると、反りの矯正効果が十分得られず、
また５ｇ／ｃｍ2を越えると、打抜片１３が圧縮変形し
て寸法が大きくなってしまうためである。
【００１１】［工程３；加熱処理］次いで、この打抜片
１３に加熱処理を施す。加熱処理を施すことによって、
工程２で生じた打抜片１３内部の残留応力の緩和を図
る。加熱温度は５００〜９５０℃、好ましくは８００℃
程度、加熱時間は１０分程度とする。加熱温度が５００
℃未満であると、残留応力軽減の効果が得られず、また
９５０℃を越えると、打抜片１３のＣｕ層における結晶
粒の粗大化が起こって打抜片１３の強度が低下するため
である。
１３に加熱処理を施す。加熱処理を施すことによって、
工程２で生じた打抜片１３内部の残留応力の緩和を図
る。加熱温度は５００〜９５０℃、好ましくは８００℃
程度、加熱時間は１０分程度とする。加熱温度が５００
℃未満であると、残留応力軽減の効果が得られず、また
９５０℃を越えると、打抜片１３のＣｕ層における結晶
粒の粗大化が起こって打抜片１３の強度が低下するため
である。
【００１２】このように、本実施例のクラッド材の加工
方法によれば、打ち抜き工程（工程１）において抜き落
し法を採用するので、打抜片１３は金型１２内壁面との
間で一方向の摩擦を受けるだけで下方へ抜き落される。
したがって、側面部における各金属層間の剥離が防止さ
れる。また、打ち抜き時に生じる打抜片１３の反りは、
次のプレス工程（工程２）において矯正されるので、支
障ない。また、プレス時に生じる打抜片１３内部の残留
応力は、次の加熱処理工程（工程３）において緩和され
るので、支障ない。
方法によれば、打ち抜き工程（工程１）において抜き落
し法を採用するので、打抜片１３は金型１２内壁面との
間で一方向の摩擦を受けるだけで下方へ抜き落される。
したがって、側面部における各金属層間の剥離が防止さ
れる。また、打ち抜き時に生じる打抜片１３の反りは、
次のプレス工程（工程２）において矯正されるので、支
障ない。また、プレス時に生じる打抜片１３内部の残留
応力は、次の加熱処理工程（工程３）において緩和され
るので、支障ない。
【００１３】したがって、本実施例の方法を採用するこ
とによって、側面剥がれおよび反りがなく、かつ残留応
力の小さい打抜片１３を、歩留まり良く製造することが
できる。このため、この打抜片１３をセラミック半導体
等におけるセラミックパッケージのヒートシンク材とし
て利用した場合には、該セラミックパッケージの放熱性
を確保して、品質の向上を図るとともに、コスト削減を
図ることができる。
とによって、側面剥がれおよび反りがなく、かつ残留応
力の小さい打抜片１３を、歩留まり良く製造することが
できる。このため、この打抜片１３をセラミック半導体
等におけるセラミックパッケージのヒートシンク材とし
て利用した場合には、該セラミックパッケージの放熱性
を確保して、品質の向上を図るとともに、コスト削減を
図ることができる。
【００１４】次に、実験例を示して、本発明の効果につ
いて明らかにする。
いて明らかにする。
【００１５】［実験例１］抜き落し法を採用してＣｕ／
Ｍｏ／Ｃｕクラッド材を打ち抜き、側面剥がれの状況を
調べた。また比較として、半プッシュバック法を採用し
て同様の実験を行った。結果を、表１に示す。
Ｍｏ／Ｃｕクラッド材を打ち抜き、側面剥がれの状況を
調べた。また比較として、半プッシュバック法を採用し
て同様の実験を行った。結果を、表１に示す。
【００１６】［実験例２］実験例１において側面剥がれ
の起きなかった実施例の打抜片（Ｌｏｔ.Ｎｏ.２、１０
例）を使用して、矯正プレスを行った。プレス時の圧力
は、２.７ｋｇ／ｃｍ2とした。矯正プレス後の打抜片の
反りを測定した。結果を、表２に示す。
の起きなかった実施例の打抜片（Ｌｏｔ.Ｎｏ.２、１０
例）を使用して、矯正プレスを行った。プレス時の圧力
は、２.７ｋｇ／ｃｍ2とした。矯正プレス後の打抜片の
反りを測定した。結果を、表２に示す。
【００１７】［実験例３］実験例２において矯正プレス
した後の打抜片を、引き続き加熱処理した。加熱処理
は、Ｈ2＋Ｎ2の雰囲気下で、温度８００℃、時間１０分
の条件にて実施し、２回繰り返して加熱処理を行った。
１回目および２回目の加熱処理後のクラッド材の反りを
それぞれ測定した。結果を、表２に示す。
した後の打抜片を、引き続き加熱処理した。加熱処理
は、Ｈ2＋Ｎ2の雰囲気下で、温度８００℃、時間１０分
の条件にて実施し、２回繰り返して加熱処理を行った。
１回目および２回目の加熱処理後のクラッド材の反りを
それぞれ測定した。結果を、表２に示す。
【００１８】［実験例４］実験例１で使用したのと同じ
Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕクラッド材を用いて、加熱回数と反り
の関係を調べた。加熱処理は、Ｈ2＋Ｎ2の雰囲気下で、
温度８００℃、時間１０分の条件にて行った。結果を、
図４に示す。
Ｃｕ／Ｍｏ／Ｃｕクラッド材を用いて、加熱回数と反り
の関係を調べた。加熱処理は、Ｈ2＋Ｎ2の雰囲気下で、
温度８００℃、時間１０分の条件にて行った。結果を、
図４に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１の結果より、抜き落し法を採用するこ
とによって、半プッシュバック法を採用した場合に比べ
て、打抜片の側面剥がれが改善され、歩留まりが向上す
ることが確認された。
とによって、半プッシュバック法を採用した場合に比べ
て、打抜片の側面剥がれが改善され、歩留まりが向上す
ることが確認された。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２の結果より、抜き落し時に生じた打抜
片の反りは、矯正プレスにより改善されることが明らか
となった。なお、加熱処理によって打抜片の反りが幾分
増大したが、実使用上は、支障ないことが確認された。
片の反りは、矯正プレスにより改善されることが明らか
となった。なお、加熱処理によって打抜片の反りが幾分
増大したが、実使用上は、支障ないことが確認された。
【００２３】図４より、１回の加熱において反りが大幅
に改善され、その後の加熱によっては顕著な改善が見ら
れないことから、１回の加熱でクラッド材の内部応力が
緩和される効果が発現することが明らかとなった。
に改善され、その後の加熱によっては顕著な改善が見ら
れないことから、１回の加熱でクラッド材の内部応力が
緩和される効果が発現することが明らかとなった。
【００２４】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、例えばクラッド材を構成する金属の種類が
前記実施例に限らないこと、またそれに応じてプレス条
件や加熱条件を変更してよいことなど、本発明の範囲を
逸脱しない範囲内において、種々の変更を加え得ること
はもちろんである。
のではなく、例えばクラッド材を構成する金属の種類が
前記実施例に限らないこと、またそれに応じてプレス条
件や加熱条件を変更してよいことなど、本発明の範囲を
逸脱しない範囲内において、種々の変更を加え得ること
はもちろんである。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るクラ
ッド材の加工方法によれば、側面剥がれおよび反りがな
く、かつ残留応力の小さい打抜片を、歩留まり良く製造
することができる。このため、この打抜片をセラミック
半導体等におけるセラミックパッケージのヒートシンク
材として利用した場合には、該セラミックパッケージの
放熱性を確保して、品質の向上を図るとともに、コスト
削減を図ることができる。
ッド材の加工方法によれば、側面剥がれおよび反りがな
く、かつ残留応力の小さい打抜片を、歩留まり良く製造
することができる。このため、この打抜片をセラミック
半導体等におけるセラミックパッケージのヒートシンク
材として利用した場合には、該セラミックパッケージの
放熱性を確保して、品質の向上を図るとともに、コスト
削減を図ることができる。
【図１】本発明に係るクラッド材の加工方法において使
用されるクラッド材の一例を示す断面図である。
用されるクラッド材の一例を示す断面図である。
【図２】本発明において採用される抜き落し法を示す断
面図である。
面図である。
【図３】抜き落し法によって得られた打抜片を示す断面
図である。
図である。
【図４】加熱回数とクラッド材の反りとの関係を調べた
図である。
図である。
【図５】クラッド材の打ち抜き時に従来採用されている
半プッシュバック法の一例を示す断面図である。
半プッシュバック法の一例を示す断面図である。
１１ クラッド材 １３ 打抜片
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/373
Claims (1)
- 【請求項１】 抜き落し法によってクラッド材を積層方
向に抜き落して所定形状に打ち抜いた後、抜き落された
打抜片を積層方向にプレスし、さらに加熱処理すること
を特徴とするクラッド材の加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20571392A JPH0647443A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | クラッド材の加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20571392A JPH0647443A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | クラッド材の加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0647443A true JPH0647443A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=16511469
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20571392A Withdrawn JPH0647443A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | クラッド材の加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0647443A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007046164A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Eiki Tsushima | クラッド材およびその製造方法、クラッド材の成型方法、クラッド材を用いた放熱基板 |
| JP2008311294A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP2008311295A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP2011151411A (ja) * | 2006-07-28 | 2011-08-04 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP20571392A patent/JPH0647443A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007046164A1 (ja) * | 2005-10-18 | 2007-04-26 | Eiki Tsushima | クラッド材およびその製造方法、クラッド材の成型方法、クラッド材を用いた放熱基板 |
| EP1944116A4 (en) * | 2005-10-18 | 2009-05-13 | Eiki Tsushima | FAIRING MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD, METHOD FOR PRODUCING COVERING MATERIAL AND COORDINATING MATERIAL THEREFOR |
| US7951467B2 (en) | 2005-10-18 | 2011-05-31 | Eiki Tsushima | Cladding material and its manufacturing method, press-forming method, and heat sink using cladding material |
| JP2011151411A (ja) * | 2006-07-28 | 2011-08-04 | Kyocera Corp | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 |
| JP2008311294A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
| JP2008311295A (ja) * | 2007-06-12 | 2008-12-25 | Mitsubishi Materials Corp | パワーモジュール用基板の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1388889A3 (en) | Method to form a gate insulator layer comprised with multiple dielectric constants and multiple thicknesses | |
| US4954386A (en) | Joined ceramic-metal composite substrate and method for production thereof | |
| JPH0647443A (ja) | クラッド材の加工方法 | |
| WO2021111508A1 (ja) | 接合基板及び接合基板の製造方法 | |
| JP2005311199A5 (ja) | ||
| CN108517476A (zh) | 铜铝冷轧复合板的热处理方法 | |
| US4123293A (en) | Method of providing semiconductor pellet with heat sink | |
| JP4368789B2 (ja) | セラミック−銅複合基板の製造方法 | |
| JP2000323632A (ja) | 放熱基板およびその製造方法 | |
| JPH11307701A (ja) | 放熱基板及びその製造方法 | |
| JP2541367B2 (ja) | 型打ちによる絞り成形方法 | |
| JPS58100993A (ja) | 金一錫共晶型合金ろう材の製造方法 | |
| JP3526614B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH1157873A (ja) | 型絞り加工方法並びに型絞り用ダイス、型絞り用ポンチ及び型絞りプレス機 | |
| WO1990005600A1 (en) | Die set for the formation of cavities for metal packages to house electronic devices | |
| JPH0878578A (ja) | 放熱基板用材料及びその製造方法 | |
| KR100575584B1 (ko) | 압착 기구 및 이를 이용한 티비지에이 반도체 패키지용기판의 적층 방법 | |
| JPH104160A (ja) | 半導体基板用放熱材及びその製造方法 | |
| JPH0396262A (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH08316381A (ja) | 半導体パッケージ用放熱板の製造方法 | |
| JPS6156745A (ja) | ひずみ防止の穴明け加工方法 | |
| KR20240141368A (ko) | 방열판 및 이의 제조 방법 | |
| JPS62119946A (ja) | ヒ−トシンクの製造方法 | |
| JPH05115985A (ja) | 貴金属複合薄板の製造方法 | |
| JP2001267476A (ja) | 半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |