JPH0649207A - ポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【構成】テトラカルボン酸二無水物とアルコールとのハ
ーフエステルとジアミンとを反応させて得られるポリア
ミック酸エステルと極性溶媒とからなるワニスの粘度
（樹脂分濃度が４０重量％とき）が３０Ｐａ．ｓ以下
（但し、樹脂分濃度４０重量％）のポリイミド前駆体ワ
ニスを電子装置の絶縁層として塗布し、加熱硬化するこ
とにより熱膨張係数が（１.６〜２.２）×１０~⁵／Ｋで
あるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とする電子
装置の製法。 【効果】本発明で用いたポリアミック酸エステルは分子
間相互作用が小さいエステル基を有するため溶剤に対す
る溶解性が優れ、かつ、高濃度低粘度のワニスが得られ
る。従って、平坦性に優れた絶縁層が形成できる。ま
た、加熱硬化後、その化学構造が直線構造のポリイミド
となるため低熱膨張性を示し、これを絶縁層とする電子
装置は製造時間を短縮でき、高信頼性のものが得られ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマルチチップモジュー
ル、半導体装置等で代表される電子装置の絶縁層にポリ
アミック酸エステルを用いた電子装置の製法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】ポリイミドは優れた耐熱性、耐薬品性を
有する樹脂として広く知られている。一般にその合成法
は、テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体とジア
ミンを溶媒中で反応させてポリアミック酸を生成し、次
いで、加熱縮合するか、テトラカルボン酸二無水物とジ
イソシアネートを反応させる等の方法が周知である。そ
して得られたポリイミドは優れた耐熱性を有し、各種用
途に用いられている。

【０００３】その中でも特に、電子装置への適用例とし
ては、薄膜磁気ヘッド、磁気バブル素子等の絶縁層、半
導体素子のα線遮蔽膜およびパッシベーション膜、フレ
キシブルプリント板の基板材料等に用いられている。こ
れら絶縁膜の形成に用いられるワニスは、その濃度が十
数％程度のものが一般的である。

【０００４】しかし、電子装置は年々高性能化、小型化
の要求に伴い配線の微細化、高アスペクト比化、高密度
化されてきている。例えば、ＬＳＩは多層配線となり上
下両層の配線間を十分絶縁できる絶縁特性を有し、か
つ、熱膨張係数が小さく、また製造プロセスにおいて多
層配線の形成時に段差や切断等の発生が少なく、生産
性、信頼性に優れたものが要求されている。

【０００５】こうした絶縁材料としては、有機材料、無
機材料の両面から検討されているが、低誘電性や生産性
等の点からは有機材料が優利である。従って、これまで
のポリイミドの特徴である耐熱性や機械的強度に加えて
低熱膨張性、段差被覆性能（以下、平坦性と称す）等が
両立したポリイミドの開発が重要となってきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】前記低熱膨張性は、多
層配線が無機材料，金属材料及びポリイミドを積層して
用いられるため、これらの材料の熱膨張係数の差に基づ
く熱応力の低減が必要である。熱応力が大きいとこれら
の材料の層間剥離が生じたり、無機材料やポリイミド層
にクラックが生じたり、金属配線を切断してしまう場合
もある。

【０００７】また、上記平坦性は、ＬＳＩ等の多層配線
において層間絶縁層の微細化、高アスペクト比化、配線
の高密度化等には不可欠であり、こうした点で有機物は
無機物に比べて有利である。通常は厚めにポリイミドを
形成してテープ研磨等を行い、必要な厚さに調節するこ
とが行われるが、テープ研磨では２０μｍ研磨するのに
約１０〜１５時間を要する。これに対してエッチバック
は短時間でできるがポリイミド層以外の部分も傷むので
好ましくない。

【０００８】従来の低熱膨張性ポリイミドは、テトラカ
ルボン酸二無水物とジアミンとの直線状の化学構造を有
するものが優れた低熱膨張係数を示すことが知られてい
る（特開昭６０−２５００３１号公報）。

【０００９】平坦性ポリイミドとしては、有機溶媒に可
溶なヘキサフルオロプロパン基を用いたイミドオリゴマ
ーを用いる方法（特開昭６３−２０７８６７号公報）
や、高濃度化が可能なポリアミック酸エステルワニスを
用いる方法〔工業化学雑誌，７３巻，第８号 １８７３
頁（１９７０年）〕が知られているが、いずれも熱膨張
係数が大きかった。平坦性ポリイミドを得るには、Ｌ，
Ｂ，Ｌｏｔｈｍａｎ：Ｊ，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ，Ｓ
ｏｃ.，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉ.，１２７，２
２１６（１９８０）に記載されているように、溶解性の
高いポリイミド前駆体、即ち、高濃度で低粘度のポリイ
ミド前駆体ワニスが不可欠である。

【００１０】本発明の目的は低熱膨張性と平坦性が両立
したポリアミック酸エステルを用いて信頼性に優れた電
子装置を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、まず低熱
膨張性と平坦性を両立させるため、ポリイミド前駆体の
高濃度低粘度化と、加熱縮合により直線構造のポリイミ
ドが得られるポリイミド前駆体の低分子量化並びに分子
間相互作用を小さくする方法について検討を重ねた結
果、低分子量化することによりワニスの高濃度低粘度化
は達成できるが、加熱縮合時に高分子量のポリイミドに
変換できるものは限られており、低熱膨張性との両立が
困難であることが分かった。

【００１２】一方、分子間相互作用を小さくするには分
子間、内で強固な水素結合を形成しない、即ち、カルボ
ン酸のような極性基が存在しないポリアミック酸エステ
ルが最適である。そこで加熱縮合後、直線構造のポリイ
ミドが得られるポリアミック酸エステルについて鋭意検
討した。例えば、３,３’,４,４’−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物とｐ−フェニレンジアミンからなる
ポリアミック酸エステルは、その化学構造から低熱膨張
性と平坦性を両立すると予想した。

【００１３】本発明はこうした低熱膨張性と平坦性とを
両立できるポリアミック酸エステルを絶縁層として用い
た多層配線基板，半導体装置等の電子装置の製法にあ
り、その要旨は次のとおりである。

【００１４】テトラカルボン酸二無水物とアルコールと
のハーフエステルとジアミンとを反応させて得られるポ
リアミック酸エステルと極性溶媒とからなるワニスの粘
度（樹脂分濃度が４０重量％とき）が３０Ｐａ．ｓ以下
（但し、樹脂分濃度４０重量％）のポリイミド前駆体ワ
ニスを電子装置の絶縁層として塗布し、加熱硬化するこ
とにより熱膨張係数が（１.６〜２.２）×１０~⁵／Ｋで
あるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とするポリ
アミック酸エステルを用いた電子装置の製法。

【００１５】ポリアミック酸エステルの合成法は、例え
ば、特開昭６０−１００１４３号公報に記載されている
ように、カルボジイミドによりテトラカルボン酸のジエ
ステル化合物とジアミンを縮合させる方法、特開昭５６
−３８０３８号公報に記載のイソシアン酸エステルとポ
リアミック酸を反応させる方法等がある。

【００１６】用いた合成経路は、テトラカルボン酸二無
水物をアルコールと反応させ、ジエステルジカルボン酸
のハーフエステルとし、該ハーフエステルのカルボン酸
のみを塩素化して酸塩化物とし、ジアミンと反応させポ
リアミック酸エステルを得るものである。

【００１７】上記のポリアミック酸エステルの極性溶媒
溶液からなるポリイミド前駆体ワニスを、多層配線基板
または半導体装置等の電子装置の絶縁層等に形成し、こ
れを加熱縮合してポリイミドとするものである。

【００１８】ポリイミドの原料としてのテトラカルボン
酸二無水物やジアミンは数多く知られているが、本発明
において用いられる代表的なものとして次のものが挙げ
られる。テトラカルボン酸二無水物としては、３,３’,
４,４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（ｓ-Ｂ
ＰＤＡ）が、また、ジアミンとしてはｐ−フェニレンジ
アミン（ｐ−ＰＤＡ）がある。

【００１９】そして、テトラカルボン酸二無水物からハ
ーフエステルにするのに必要なアルコールとしてはメチ
ルアルコール、エチルアルコール、ｎ−プロピルアルコ
ール、ｉ−プロピルアルコール、ｔ−ブチルアルコー
ル、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、
ｎ−ヘキシルアルコール等がある。

【００２０】塩素化剤としては三塩化リン、五塩化リ
ン、塩化水素、ホスゲン等である。

【００２１】極性溶媒としてはｎ−メチル−２−ピロリ
ドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド、ジメチルホル
ムアミド、ジグライム、トルエン等がある。

【００２２】ポリイミド前駆体の樹脂分濃度は、要求さ
れる平坦化率や膜厚から決定されるが３５〜５０重量％
が好ましい。５０重量％を超えるとワニスが高粘度にな
り過ぎて作業性が悪くなり、硬化後ポリイミド層に気泡
が残存し易いなどの問題がある。また３５重量％未満で
は平坦性が不十分である。

【００２３】

【作用】本発明のポリイミド前駆体ワニスが平坦性が優
れているのは、ポリアミック酸エステルの溶解性が大き
いためである。また、低熱膨張性を有するのはｓ−ＢＰ
ＤＡとｐ−ＰＤＡを用いているため直線構造のポリイミ
ドが得られるためである。従って、該ポリアミック酸エ
ステルを用いて絶縁層を形成することにより生産性が優
れ、かつ、高信頼性の電子装置が得られるのである。

【００２４】

【実施例】本発明を実施例に基づき説明する。なお、表
１に本発明の実施例で用いたポリアミック酸エステルの
特性を示す。

【００２５】

【表１】

【００２６】〔実施例１〕本実施例に用いたポリアミッ
ク酸エステルは次のようにして合成した。３,３’,４,
４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物５０ｇに乾
燥したメチルアルコール約２５０ｇを加えて１０時間還
流する。その後、過剰のメチルアルコールを除き、乳白
色の結晶のビフェニルテトラカルボン酸ジエチルエステ
ルのハーフエステルを得た。

【００２７】次に、撹拌装置、温度計、ガス導入管、塩
化カルシウム管付き冷却管を備えた４つ口フラスコを乾
燥させた後、上記ハーフエステル４０ｇとＮＭＰ４００
ｇを加え，ホスゲンガス（流量＝５０ｍｌ／分）を吹き
込みながら５０℃，５〜１０時間撹拌する。

【００２８】次いで、撹拌装置、温度計、窒素ガス導入
管、塩化カルシウム管の付いた冷却管を備えた４つ口フ
ラスコに上記酸塩化物のＮＭＰ溶液４５０ｇとｐ−ＰＤ
Ａの１０.９ｇ、ピリジン１８.０ｇを加え、室温で１２
時間撹拌を続ける。その後、反応液を水沈させ十分水洗
した後、析出物を濾過，乾燥し、ポリアミック酸エステ
ルを得た。該ポリアミック酸エステル４０ｇにＮＭＰ６
０ｇを加えて溶解し、孔径５μｍのフィルターを通して
ポリイミド前駆体ワニスを得た。

【００２９】上記ワニスをシリコンウエハにスピンコー
トし、空気中で１００℃／６０分、１００〜３５０℃ま
で９０分で昇温させ、３５０℃３０分保持して加熱縮合
し、厚さ１０μｍのポリイミドフィルムを形成した。該
フィルムをシリコンウエハから剥離し、試片とした。該
試片の特性を測定した結果を表１に示す。なお、各測定
法は次のとおりである。

【００３０】（１）ワニス粘度：Ｅ型回転粘度計（東京
精密社製）ＶＩＳＣＯＮＩＣ型を用い、２５℃の粘度を
測定した。

【００３１】（２）平坦化率：ライン幅とラインスペー
スが２０μｍ、高さ２０μｍのガラス製模擬配線パター
ンにワニスを塗布し、実施例１の方法で加熱縮合した。
そしてこの断面のポリイミドの厚さを測定し、式〔１〕
によりポリイミドの厚さ２３±２μｍにおける平坦化率
を求めた。平坦化率が１に近いものほど平坦性に優れて
いる。

【００３２】

【数２】 平坦化率＝１−（Ｈ／ｈ₀） ……〔１〕 〔但し、Ｈ＝ポリイミドの段差、ｈ₀＝配線高さ（２０
μｍ）〕 （３）熱膨張係数（α）：熱物理試験機（ＴＭＡ−３０
００型、真空理工社製）を用いて測定した。厚さ１０μ
ｍ×幅６ｍｍの試片を熱物理試験機にセットして、膜厚
１μｍ当たり０.３ｇの荷重を加え、昇温速度５℃／分
でフィルムの伸びを測定し、伸びの温度曲線において１
００〜２５０℃の伸び率より熱膨張係数を算出した。

【００３３】（４）引っ張り強さ：上記厚さ１０μｍの
ポリイミドフィルムを剃刀を用い幅１ｃｍに整形したも
のをオートグラフ（島津社製ＤＳＳ−６０００型）で測
定した。引張り速度は５ｍｍ／分で、測定距離は５０ｍ
ｍである。

【００３４】表１の結果から、分子量が大きいにもかか
わらず、ワニス濃度４０重量％で粘度も１６Ｐａ.ｓと
低い値を示し、平坦化率は０.７であった。また、αは
１.６×１０~⁵／Ｋで銅と同じ熱膨張率を示した。引張
り強さも優れた値を示す。

【００３５】次に、本実施例のポリアミック酸エステル
を電子装置に用いる場合について具体例を挙げて説明す
る。

【００３６】図１は、本実施例の応用例の一つである薄
膜−厚膜多層配線基板の模式断面図である。既に、配線
層が形成されている厚膜多層配線基板（ムライト製、５
０〜２００ｍｍ角）上に、めっき下地膜用の銅をスパッ
タ（蒸着でもよい）して成膜（膜厚０.５μｍ）した。
該銅膜上にめっき用レジストを成膜し、露光及び現像
し、次いで配線回路用の銅を電気めっき（厚さ２０μ
ｍ）した。さらに、その上に再びめっき用レジストを成
膜し、露光及び現像後、スルーホール用の銅の電気めっ
き（２０μｍ）を行った。めっきレジスト膜を除去後、
めっき下地膜用の銅をエッチアウトした（エッチング液
として過硫酸アンモニウム−塩化アンモニウを用い
た）。

【００３７】次に、絶縁膜として硬化後の膜厚が４５μ
ｍになるよう前記ポリアミック酸ワニスを塗布し、熱硬
化した。基板表面の平坦化及びスルーホールの頭出しの
ため、スルーホール用の銅が現れるまでテープ研磨を行
い、その上にめっき下地膜用の銅をスパッタにより成膜
（膜厚０.５μｍ）した。該銅膜上にめっき用レジスト
を成膜し、露光及び現像後、配線回路用の銅の電気めっ
き（厚さ２０μｍ）を行った。さらに、その上に再びめ
っき用レジストを成膜し、露光及び現像後、スルーホー
ル用の銅の電気めっき（２０μｍ）を行った。

【００３８】めっき用レジスト膜を除去後、めっき下地
膜用の銅をエッチングした。次いで、絶縁膜の硬化後の
膜厚が４５μｍになるように前記ポリアミック酸ワニス
を塗布し熱硬化した。基板表面の平坦化及びスルーホー
ルの頭出しのため、スルーホール用の銅が現れるまでテ
ープ研磨を行った。

【００３９】上記を繰返し、厚膜多層配線基板上に、１
０層の薄膜を積層した。更に、薄膜の最上層にはＬＳＩ
と接続するためのパッドを半田ボールにより設けた。こ
うして薄膜−厚膜多層配線基板を作製した。

【００４０】１００ｍｍ角の上記薄膜−厚膜多層配線基
板を用い、−６５〜＋１５０℃のヒートサイクル試験を
１００サイクル行なった時の層間剥離発生の割合を表１
に示した。なお、各試験片数は５個である。表１からは
実施例１のポリイミドを用いた薄膜−厚膜多層配線基板
の層間剥離には問題のないことが分った。また、平坦性
に優れているためテープ研磨時間は従来のポリアミック
酸タイプのものに比べ半分以下であった。

【００４１】図２にＬＳＩの多層配線の模式断面図を示
す。

【００４２】シリコンウエハ４の熱酸化膜５上には、ア
ルミニウム配線６が形成されており、該アルミニウム配
線６の層間絶縁層７として前記ポリアミック酸エステル
からなるポリイミドの絶縁薄膜が形成されている。該絶
縁薄膜はポリアミック酸エステルの高濃度ワニスワニス
をスピンコートすることによりアルミニウム配線の段差
を緩和して平坦化することができるので、高信頼性の配
線構造を得ることができる。

【００４３】また、該ワニスによって得られるポリイミ
ドは低熱膨脹性なのでＬＳＩ素子への熱応力を小さくで
きるので、ヒートサイクルによる素子のクラック発生を
抑制することができる。

【００４４】図３に薄膜磁気ヘッドの模式断面図を示
す。

【００４５】下部アルミナ８の上には下部磁性体９およ
びギヤップアルミナ１０が形成されている。第一導体コ
イル１１および第二導体コイル１３は前記ポリアミック
酸エステルからなるポリイミドの層間絶縁膜１２によっ
て絶縁されている。そして最外層には上部磁性体１４が
設けられている。ポリイミドの層間絶縁膜１２はポリア
ミック酸エステルをスピンコートすることにより、第一
導体コイル１１、第二導体コイル１３により形成される
層間絶縁膜１２の段差を緩和して平坦化される。従来
は、厚塗りした後、エッチバックを行って平坦化してい
たが、前記実施例のポリアミック酸エステルの高濃度ワ
ニスを使用することにより、膜厚精度が向上すると共
に、エッチバック量を従来の約半分にすることができ、
製造工程を短縮できる。またポリイミド層間絶縁膜１２
は低熱膨脹性なので熱応力が小さくでき、ヒートサイク
ルによるクラックの発生を抑制することができる。

【００４６】図４にマルチチップモジュールの模式断面
図を示す。

【００４７】シリコンウエハ４の熱酸化膜５上には銅配
線１５が形成され、その上にポリイミドの層間絶縁層１
２が形成されている。銅配線１５にはＢＬＭ(Ball Limi
tingMetallization)１６及びＰｂ／Ｓｎ電極１７が設け
られている。ポリアミック酸エステルワニスを用いて前
記層間絶縁層１２を形成することにより、銅配線１５の
段差を大幅に緩和し平坦化することができるので、高信
頼性の配線構造を得ることができる。また、該ワニスに
よって得られるポリイミドは低熱膨脹性なので熱応力が
小さくでき、ヒートサイクルによる素子のクラックの発
生を抑制することができ、従来のポリイミドでは得られ
ない高信頼性の電子装置が得られる。

【００４８】〔実施例２〜７〕酸二無水物としてｓーＢ
ＰＤＡ、ジアミンとしてｐーＰＤＡを用い、アルコール
のみを変えて実施例１の合成法に準じて６種類のポリア
ミック酸エステル及びポリイミドを得た。

【００４９】実施例２はエチルアルコール、実施例３は
ｎ−プロピルアルコール、実施例４はｉ−プロピルアル
コール、実施例５はｎ−ブチルアルコール、実施例６は
ｔ−ブチルアルコール、実施例７はｎ−アミルアルコー
ルをそれぞれ用いた。これらの特性を測定した結果を表
１に示した。

【００５０】ワニス濃度はいずれ４０重量％が可能で、
その粘度は１８〜２９Ｐａ．ｓ、平坦化率は０．７であ
る。しかし、αは１．８×１０~⁵〜２．２×１０~⁵／Ｋ
と実施例１に比べると若干大きいが、層間剥離の発生割
合では問題がない。

【００５１】〔比較例１〕撹拌装置を付けた四つ口フラ
スコにＮＭＰ２２７ｇにｐ−ＰＤＡ（１０．８ｇ）を加
え窒素雰囲気下で完全に溶解する。その後ｓ−ＢＰＤＡ
（２９．４ｇ）を加え室温で８時間撹拌し、ポリアミッ
ク酸ワニスを得た。該ワニスおよびポリイミドの特性の
測定結果を表１に示した。

【００５２】実施例１〜７のものに比べαや引張り強さ
は優れている。しかし、分子間相互作用が大きいために
ワニス濃度が前記実施例のものに比べて約半分で塗膜の
平坦性が劣る。従って、平坦化するために行うテープ研
磨時間が前記実施例のものに比べて倍以上かかる。ま
た、ヒートサイクルによる薄膜−厚膜多層配線基板の層
間剥離の発生割合が高い。これはポリアミック酸のため
文献（Y.H.KIM,et al.,J.Adhesion Sic.Technol．2，N
o．2，pp95ー105（１９８８））にも記載されているよう
に、加熱硬化時にポリイミド中に銅が溶解してポリイミ
ドが劣化したためである。

【００５３】〔比較例２〜３〕酸二無水物としてピロメ
リット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、ジアミンとしてｐ,
ｐ’−ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ）を用い、
アルコールのみを変えて工業化学雑誌 ７３巻８号 １
８７３頁（１９７０年）記載の合成法に準拠して酸塩化
物を結晶により得、ポリアミック酸エステル及びポリイ
ミドを得た。比較例２はメチルアルコール、比較例３は
ｎ−プロピルアルコールを用いた。その結果を表１に併
記した。

【００５４】比較例２〜３のものは前記実施例のものに
比べ、ワニス濃度や平坦性は同等であるが、ポリイミド
が非直線構造なのでαが大きく、ヒートサイクルによる
薄膜−厚膜多層配線基板の層間剥離の発生割合が高い。

【００５５】以上から本実施例のポリアミック酸エステ
ルワニスは、銅の表面に直接塗布しても影響がほとんど
なく、また、従来のものに比べて量産性に優れた高信頼
性の電子装置を得ることができる。

【００５６】

【発明の効果】本発明によれば平坦性と低熱膨張性を両
立したポリイミド絶縁膜を形成することができるので、
高信頼性の電子装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の薄膜−厚膜多層配線基板の
模式断面図である。

【図２】本発明の一実施例のＬＳＩ多層配線の模式断面
図である。

【図３】本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの模式断面
図である。

【図４】本発明の一実施例のマルチチップモジュールの
模式断面図である。

【符号の説明】

１…絶縁層、２…銅配線、３…接続パッド、４…シリコ
ンウエハ、５…熱酸化膜、６…アルミニウム配線、７…
絶縁薄膜、８…下部アルミナ、９…下部磁性体、１０…
ギャップアルミナ、１１…第一導体コイル、１２…層間
絶縁膜、１３…第二導体コイル、１４…上部磁性体、１
５…銅配線、１６…ＢＬＭ、１７…Ｐｂ／Ｓｎ電極、１
８…厚膜（ムライト）多層配線基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 テトラカルボン酸二無水物とアルコール
   とのハーフエステルとジアミンとを反応させて得られる
   ポリアミック酸エステルと極性溶媒とからなるワニスの
   粘度（樹脂分濃度が４０重量％とき）が３０Ｐａ．ｓ以
   下（但し、樹脂分濃度４０重量％）のポリイミド前駆体
   ワニスを電子装置の絶縁層として塗布し、加熱硬化する
   ことにより熱膨張係数が（１.６〜２.２）×１０~⁵／Ｋ
   であるポリイミド絶縁層を形成することを特徴とするポ
   リアミック酸エステルを用いた電子装置の製法。
2. 【請求項２】 テトラカルボン酸二無水物が３,３’,
   ４,４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ジア
   ミンがｐ−フェニレンジアミンである請求項１に記載の
   ポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製法。
3. 【請求項３】 アルコールがメチルアルコール、エチル
   アルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｉ−プロピルア
   ルコール、ｔ−ブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコー
   ル、ｎ−ペンチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール
   から選ばれる請求項１に記載のポリアミック酸エステル
   を用いた電子装置の製法。
4. 【請求項４】 前記ポリアミック酸エステルと極性溶媒
   とからなるワニスが、ガラス製模擬配線パターンに塗布
   し硬化後のポリイミド膜から式〔１〕により求めた平坦
   化率が、少なくとも０.７であるワニスである請求項１
   に記載のポリアミック酸エステルを用いた電子装置の製
   法。 【数１】 平坦化率＝１−(Ｈ／ｈ₀) ……〔１〕 （但し、Ｈはポリイミド膜の段差、ｈ₀は配線層の高さ
   ＝２０μｍ）