JPH0649632A - スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 - Google Patents
スパッタリング用ターゲット及びその製造方法Info
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- JPH0649632A JPH0649632A JP2029492A JP2029492A JPH0649632A JP H0649632 A JPH0649632 A JP H0649632A JP 2029492 A JP2029492 A JP 2029492A JP 2029492 A JP2029492 A JP 2029492A JP H0649632 A JPH0649632 A JP H0649632A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光学特性としては可視域で屈折率、吸収係数
が小さく、その上耐摩耗性、化学的安定性などにも優れ
た保護膜を、直流スパッタリング法で長時間継続して安
定的に形成可能なスパッタリング用ターゲットとその製
造方法を提供する。 【構成】 ＳｉＣと、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくと
も一種からなるＺｒ化合物とを主成分とした焼結体から
なるスパッタリング用ターゲット。製造方法は、ＳｉＣ
粉末と、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種のＺｒ
化合物粉末とを混合し、この混合粉末を加熱し焼結す
る。
が小さく、その上耐摩耗性、化学的安定性などにも優れ
た保護膜を、直流スパッタリング法で長時間継続して安
定的に形成可能なスパッタリング用ターゲットとその製
造方法を提供する。 【構成】 ＳｉＣと、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくと
も一種からなるＺｒ化合物とを主成分とした焼結体から
なるスパッタリング用ターゲット。製造方法は、ＳｉＣ
粉末と、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種のＺｒ
化合物粉末とを混合し、この混合粉末を加熱し焼結す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明のスパッタリング用ターゲ
ットは、特に、熱線遮蔽ガラスやサーマルヘッドなどの
高耐久性保護層として使用されるＳｉ−Ｚｒ−Ｃ系薄膜
をスパッタリングによって形成させる際に用いられるス
パッタリング用ターゲットとして有用である。
ットは、特に、熱線遮蔽ガラスやサーマルヘッドなどの
高耐久性保護層として使用されるＳｉ−Ｚｒ−Ｃ系薄膜
をスパッタリングによって形成させる際に用いられるス
パッタリング用ターゲットとして有用である。
【０００２】
【従来の技術】近年、光学、エレクトロニクス分野にお
いては、さまざまな機能を有した薄膜が数多く用いられ
ている。しかし、一般にこのような機能性薄膜はその単
体のみでは耐摩耗性や化学的安定性に劣るものが多く、
従って、該薄膜を形成する場合にはその単体の性質を補
い、使用環境からの保護を図るため、その表面に耐摩耗
性、耐酸化性、耐薬品性などに優れた被膜（保護膜）を
形成するのが普通である。例えば、熱線遮蔽ガラスは、
太陽放射熱を効率的に遮蔽し、空調負荷低減などの効果
があるため省エネルギー的見地から建築物や自動車用の
窓ガラスとして数多く使用されているが、これにはＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属または金属化合物の熱線遮蔽
機能を有する薄膜の表面に、高耐久性の保護膜が被覆さ
れたものが使用されている。また、ファクシミリ等に用
いられるサーマルヘッドには、耐酸化性、耐摩耗性に優
れた保護膜が発熱体の表面に形成されている。
いては、さまざまな機能を有した薄膜が数多く用いられ
ている。しかし、一般にこのような機能性薄膜はその単
体のみでは耐摩耗性や化学的安定性に劣るものが多く、
従って、該薄膜を形成する場合にはその単体の性質を補
い、使用環境からの保護を図るため、その表面に耐摩耗
性、耐酸化性、耐薬品性などに優れた被膜（保護膜）を
形成するのが普通である。例えば、熱線遮蔽ガラスは、
太陽放射熱を効率的に遮蔽し、空調負荷低減などの効果
があるため省エネルギー的見地から建築物や自動車用の
窓ガラスとして数多く使用されているが、これにはＴ
ｉ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属または金属化合物の熱線遮蔽
機能を有する薄膜の表面に、高耐久性の保護膜が被覆さ
れたものが使用されている。また、ファクシミリ等に用
いられるサーマルヘッドには、耐酸化性、耐摩耗性に優
れた保護膜が発熱体の表面に形成されている。
【０００３】ところで、このような保護膜の材料として
は、従来よりＳｉＯx、ＳｉＣ、ＳｉＮxなどが実用化さ
れている。また、保護膜の作製方法としては、主に真空
蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、スパッタリング
法などが広く採用されている。中でもスパッタリング
法、特に直流スパッタリング法は、他の方法に比較して
基体の選択性、量産性、製造コストなどの点で有利とさ
れている。しかしながら、直流スパッタリング法では形
成する薄膜の特性、成膜速度、操業性などが使用するタ
ーゲットの性状に大きく依存するため、上記保護膜の作
製においても、スパッタリング用ターゲットの特性向上
が強く要求されているのである。
は、従来よりＳｉＯx、ＳｉＣ、ＳｉＮxなどが実用化さ
れている。また、保護膜の作製方法としては、主に真空
蒸着法、ＣＶＤ法（化学気相蒸着法）、スパッタリング
法などが広く採用されている。中でもスパッタリング
法、特に直流スパッタリング法は、他の方法に比較して
基体の選択性、量産性、製造コストなどの点で有利とさ
れている。しかしながら、直流スパッタリング法では形
成する薄膜の特性、成膜速度、操業性などが使用するタ
ーゲットの性状に大きく依存するため、上記保護膜の作
製においても、スパッタリング用ターゲットの特性向上
が強く要求されているのである。
【０００４】このような要求に応えるべく従来では、Ｓ
ｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＣなどの薄膜作製に使用される直
流スパッタリング用ターゲットとして、例えばホウ素な
どを添加することにより導電性を付与したＳｉ多結晶体
が知られている。すなわちこのＳｉ多結晶体からなるタ
ーゲットは、スパッタ時に雰囲気ガスとして酸素や窒素
を導入するような反応性スパッタリング法に用いられる
ことにより、目的の薄膜を作製するものである。また、
ＳｉＣ薄膜作製用の直流スパッタリング用ターゲットと
しては、遊離Ｓｉを含有したＳｉＣ反応焼結体が知られ
ている。
ｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＣなどの薄膜作製に使用される直
流スパッタリング用ターゲットとして、例えばホウ素な
どを添加することにより導電性を付与したＳｉ多結晶体
が知られている。すなわちこのＳｉ多結晶体からなるタ
ーゲットは、スパッタ時に雰囲気ガスとして酸素や窒素
を導入するような反応性スパッタリング法に用いられる
ことにより、目的の薄膜を作製するものである。また、
ＳｉＣ薄膜作製用の直流スパッタリング用ターゲットと
しては、遊離Ｓｉを含有したＳｉＣ反応焼結体が知られ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
Ｓｉ多結晶体やＳｉＣ反応焼結体にあっては、直流スパ
ッタリング用ターゲットとして使用するにあたって以下
に述べる不都合がある。Ｓｉ多結晶体では、スパッタリ
ング用ターゲットとして使用し、酸素や窒素の雰囲気で
反応性スパッタリングを行う場合に、Ｓｉターゲットの
表面に酸化反応あるいは窒化反応により、電気絶縁性物
質であるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などが形成されてしまい、
ターゲットの電気伝導性が悪化してアーク放電が発生し
やすくなり、薄膜作製プロセスが不安定になってしま
う。また、ＳｉＣ反応焼結体では、遊離Ｓｉを多量に含
有するため高純度のＳｉＣ薄膜を作製することが困難で
あり、また酸素や窒素雰囲気での反応性スパッタリング
に用いる場合には、Ｓｉターゲットと同様に表面にＳｉ
Ｏ2が生成してしまうため、短時間で安定的な直流スパ
ッタリングを維持することが困難になる。
Ｓｉ多結晶体やＳｉＣ反応焼結体にあっては、直流スパ
ッタリング用ターゲットとして使用するにあたって以下
に述べる不都合がある。Ｓｉ多結晶体では、スパッタリ
ング用ターゲットとして使用し、酸素や窒素の雰囲気で
反応性スパッタリングを行う場合に、Ｓｉターゲットの
表面に酸化反応あるいは窒化反応により、電気絶縁性物
質であるＳｉＯ2やＳｉ3Ｎ4などが形成されてしまい、
ターゲットの電気伝導性が悪化してアーク放電が発生し
やすくなり、薄膜作製プロセスが不安定になってしま
う。また、ＳｉＣ反応焼結体では、遊離Ｓｉを多量に含
有するため高純度のＳｉＣ薄膜を作製することが困難で
あり、また酸素や窒素雰囲気での反応性スパッタリング
に用いる場合には、Ｓｉターゲットと同様に表面にＳｉ
Ｏ2が生成してしまうため、短時間で安定的な直流スパ
ッタリングを維持することが困難になる。
【０００６】一方、前述したようなターゲットから得ら
れる従来のＳｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＣなどの保護膜につ
いても、製品の高機能化に伴って使用環境が厳しくなっ
てきたために、その特性上の問題点が指摘されるように
なってきている。例えば、ＳｉＯx薄膜では耐摩耗性、
ＳｉＮx薄膜では耐薬品性および基板との密着性、Ｓｉ
Ｃ薄膜では靭性などにそれぞれ欠点のあることが明かに
なってきているのである。
れる従来のＳｉＯx、ＳｉＮx、ＳｉＣなどの保護膜につ
いても、製品の高機能化に伴って使用環境が厳しくなっ
てきたために、その特性上の問題点が指摘されるように
なってきている。例えば、ＳｉＯx薄膜では耐摩耗性、
ＳｉＮx薄膜では耐薬品性および基板との密着性、Ｓｉ
Ｃ薄膜では靭性などにそれぞれ欠点のあることが明かに
なってきているのである。
【０００７】本発明はこのような技術背景に鑑みてなさ
れたもので、その目的とするところは、光学特性として
は可視域で屈折率、吸収係数が小さく、その上耐摩耗
性、化学的安定性などにも優れた保護膜を、直流スパッ
タリング法で長時間継続して安定的に形成可能なスパッ
タリング用ターゲットとその製造方法を提供することに
ある。
れたもので、その目的とするところは、光学特性として
は可視域で屈折率、吸収係数が小さく、その上耐摩耗
性、化学的安定性などにも優れた保護膜を、直流スパッ
タリング法で長時間継続して安定的に形成可能なスパッ
タリング用ターゲットとその製造方法を提供することに
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明における請求項１
記載の発明のスパッタリング用ターゲットでは、ＳｉＣ
と、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種からなるＺ
ｒ化合物とを主成分とした焼結体からなることを前記課
題の解決手段とした。また、請求項３記載のスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法では、ＳｉＣ粉末と、Ｚｒ
ＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種のＺｒ化合物粉末と
を混合し、この混合粉末を加熱し焼結することによって
ＳｉＣとＺｒ化合物を主成分とした焼結体を得ることを
前記課題の解決手段とした。
記載の発明のスパッタリング用ターゲットでは、ＳｉＣ
と、ＺｒＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種からなるＺ
ｒ化合物とを主成分とした焼結体からなることを前記課
題の解決手段とした。また、請求項３記載のスパッタリ
ング用ターゲットの製造方法では、ＳｉＣ粉末と、Ｚｒ
ＣもしくはＺｒＮの少なくとも一種のＺｒ化合物粉末と
を混合し、この混合粉末を加熱し焼結することによって
ＳｉＣとＺｒ化合物を主成分とした焼結体を得ることを
前記課題の解決手段とした。
【０００９】以下、本発明を、請求項３、４記載の製造
方法に基づいて詳しく説明する。まず、ＳｉＣ粉末とＺ
ｒ化合物の粉末とを用意する。ＳｉＣ粉末としては、特
に限定されるものではなく、一般に使用されているもの
が用いられ、例えばシリカ還元法、アチソン法等の方法
によって製造されたものが使用可能である。ＳｉＣの結
晶相としては、非晶質、α型、β型あるいはこれらの混
合相のいずれでもよい。また、ＳｉＣ粉末の平均粒子径
については、焼結性がよくなることから１μｍ以下であ
ることが望ましい。
方法に基づいて詳しく説明する。まず、ＳｉＣ粉末とＺ
ｒ化合物の粉末とを用意する。ＳｉＣ粉末としては、特
に限定されるものではなく、一般に使用されているもの
が用いられ、例えばシリカ還元法、アチソン法等の方法
によって製造されたものが使用可能である。ＳｉＣの結
晶相としては、非晶質、α型、β型あるいはこれらの混
合相のいずれでもよい。また、ＳｉＣ粉末の平均粒子径
については、焼結性がよくなることから１μｍ以下であ
ることが望ましい。
【００１０】Ｚｒ化合物としては、ＺｒＣおよびＺｒＮ
が適用される。すなわち、その他のＺｒ化合物では、例
えばＺｒＢ2やＺｒＳｉ2、ＺｒＯ2で得られた焼結体を
スパッタリング用ターゲットとして使用した場合、作製
した薄膜の耐摩耗性や耐薬品性が悪くなって保護膜とし
ての機能が不十分なものとなるからである。Ｚｒ化合物
粉末としては、ＺｒＣ粉末を単独であるいはＺｒＮ粉末
を単独で用いてもよく、さらには両者を用いあるいはこ
れらの混合粉末を用いてもよい。また、Ｚｒ化合物粉末
の平均粒子径については、１０μｍを越えるとＳｉＣ粉
末との混合が不均一になり、焼結体密度の低下や比抵抗
値の増大などを招くおそれがあることから、１０μｍ以
下とするのが望ましい。
が適用される。すなわち、その他のＺｒ化合物では、例
えばＺｒＢ2やＺｒＳｉ2、ＺｒＯ2で得られた焼結体を
スパッタリング用ターゲットとして使用した場合、作製
した薄膜の耐摩耗性や耐薬品性が悪くなって保護膜とし
ての機能が不十分なものとなるからである。Ｚｒ化合物
粉末としては、ＺｒＣ粉末を単独であるいはＺｒＮ粉末
を単独で用いてもよく、さらには両者を用いあるいはこ
れらの混合粉末を用いてもよい。また、Ｚｒ化合物粉末
の平均粒子径については、１０μｍを越えるとＳｉＣ粉
末との混合が不均一になり、焼結体密度の低下や比抵抗
値の増大などを招くおそれがあることから、１０μｍ以
下とするのが望ましい。
【００１１】次に、前記ＳｉＣ粉末とＺｒ化合物粉末と
を混合して混合粉末とする。混合方法については特に限
定されるものではなく、一般に行われている湿式および
乾式の混合方法を用いることができるが、例えば湿式法
では粉末をメタノールに分散させ、ボールミル等により
混合する方法などが好適に採用される。ここで、ＳｉＣ
粉末とＺｒ化合物粉末とを混合するにあたっては、Ｓｉ
Ｃ粉末とＺｒ化合物粉末との合計体積量に対し、Ｚｒ化
合物粉末の配合量が１０〜８０体積％の範囲となるよう
にするのが好ましい。なぜなら、Ｚｒ化合物粉末の配合
量を１０体積％未満とすると、このＺｒ化合物粉末を配
合した効果が十分に発揮されず、得られた焼結体をスパ
ッタリング用ターゲットとして使用した場合に、形成さ
れた薄膜の耐アルカリ性が悪くなるからである。さらに
は、焼結体中のＺｒ化合物量が過小であると、焼結体の
室温時における比抵抗値が高くなり過ぎて直流スパッタ
リングが困難となり、また酸素、窒素などとの反応性ス
パッタリングを行った場合にも高抵抗値を持つＳｉＯ2
の生成量が多くなってアーク放電が起こり易くなり、薄
膜作製プロセスが不安定となるからである。一方、Ｚｒ
化合物粉末の配合量が８０体積％を越えると、得られた
焼結体をスパッタリング用ターゲットとして作製された
薄膜の耐摩耗性が不足し、保護膜としての使用に耐えら
れなくなるからである。
を混合して混合粉末とする。混合方法については特に限
定されるものではなく、一般に行われている湿式および
乾式の混合方法を用いることができるが、例えば湿式法
では粉末をメタノールに分散させ、ボールミル等により
混合する方法などが好適に採用される。ここで、ＳｉＣ
粉末とＺｒ化合物粉末とを混合するにあたっては、Ｓｉ
Ｃ粉末とＺｒ化合物粉末との合計体積量に対し、Ｚｒ化
合物粉末の配合量が１０〜８０体積％の範囲となるよう
にするのが好ましい。なぜなら、Ｚｒ化合物粉末の配合
量を１０体積％未満とすると、このＺｒ化合物粉末を配
合した効果が十分に発揮されず、得られた焼結体をスパ
ッタリング用ターゲットとして使用した場合に、形成さ
れた薄膜の耐アルカリ性が悪くなるからである。さらに
は、焼結体中のＺｒ化合物量が過小であると、焼結体の
室温時における比抵抗値が高くなり過ぎて直流スパッタ
リングが困難となり、また酸素、窒素などとの反応性ス
パッタリングを行った場合にも高抵抗値を持つＳｉＯ2
の生成量が多くなってアーク放電が起こり易くなり、薄
膜作製プロセスが不安定となるからである。一方、Ｚｒ
化合物粉末の配合量が８０体積％を越えると、得られた
焼結体をスパッタリング用ターゲットとして作製された
薄膜の耐摩耗性が不足し、保護膜としての使用に耐えら
れなくなるからである。
【００１２】なお、必要に応じて前記ＳｉＣ粉末とＺｒ
化合物粉末とに焼結助剤を添加してもよい。この焼結助
剤としては、炭素とホウ素、または炭素とホウ素化合物
（例えばＢ4Ｃ、ＢＮ、Ｂ2Ｏ3など）の中から選ばれた
一種以上が好適とされる。焼結助剤の添加量について
は、ＳｉＣ粉末とＺｒ化合物粉末の合計量１００重量部
に対して、炭素が１〜５重量部、ホウ素及びホウ素化合
物の中から選ばれた一種以上が０.５〜５重量部である
ことが好ましい。炭素が１重量部未満では添加量が少な
過ぎて緻密化の効果が小さく、一方５重量部を越えて添
加すると、かえって焼結を阻害するからである。また、
ホウ素およびホウ素化合物の添加量も０.５重量部未満
では添加の効果が十分に認められず、一方５重量部を越
えて添加しても、焼結体密度がほぼ横這いになって添加
量に見合う十分な効果が得られないからである。
化合物粉末とに焼結助剤を添加してもよい。この焼結助
剤としては、炭素とホウ素、または炭素とホウ素化合物
（例えばＢ4Ｃ、ＢＮ、Ｂ2Ｏ3など）の中から選ばれた
一種以上が好適とされる。焼結助剤の添加量について
は、ＳｉＣ粉末とＺｒ化合物粉末の合計量１００重量部
に対して、炭素が１〜５重量部、ホウ素及びホウ素化合
物の中から選ばれた一種以上が０.５〜５重量部である
ことが好ましい。炭素が１重量部未満では添加量が少な
過ぎて緻密化の効果が小さく、一方５重量部を越えて添
加すると、かえって焼結を阻害するからである。また、
ホウ素およびホウ素化合物の添加量も０.５重量部未満
では添加の効果が十分に認められず、一方５重量部を越
えて添加しても、焼結体密度がほぼ横這いになって添加
量に見合う十分な効果が得られないからである。
【００１３】次いで、得られた混合粉末をスパッタリン
グ用ターゲットとしての所望する形状に成形する。混合
粉末の成形法としては、プレス成形法、押し出し成形
法、射出成形法などの従来公知の方法を採用することが
できる。また、成形に際しては成形バインダーを添加使
用することが好ましく、かかるバインダーとしてはポリ
ビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどが好適と
され、必要に応じてステアリン酸塩などの分解剤も添加
使用可能である。
グ用ターゲットとしての所望する形状に成形する。混合
粉末の成形法としては、プレス成形法、押し出し成形
法、射出成形法などの従来公知の方法を採用することが
できる。また、成形に際しては成形バインダーを添加使
用することが好ましく、かかるバインダーとしてはポリ
ビニルアルコールやポリビニルピロリドンなどが好適と
され、必要に応じてステアリン酸塩などの分解剤も添加
使用可能である。
【００１４】その後、得られた成形体を１９００℃〜２
４００℃の温度範囲で加熱し、さらに焼結してスパッタ
リング用ターゲットを得る。この焼結にあたっては、常
圧焼結、雰囲気加圧焼結、ホットプレス焼結、あるいは
熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）などの従来公知の方法が採用
可能である。焼結温度についても特に限定されるもので
はないが、１９００℃より低い加熱温度では焼結不足を
生じ、また２３００℃より高い加熱温度ではＳｉＣやＺ
ｒ化合物の蒸発が起り易くなり、粒子の成長によって焼
結体の強度や靭性が低下する恐れがあることから、１９
００℃〜２３００℃の温度範囲で焼結するのが好まし
い。また、焼結時の雰囲気としては、真空雰囲気、不活
性雰囲気、還元ガス雰囲気のいずれも採用可能である。
４００℃の温度範囲で加熱し、さらに焼結してスパッタ
リング用ターゲットを得る。この焼結にあたっては、常
圧焼結、雰囲気加圧焼結、ホットプレス焼結、あるいは
熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）などの従来公知の方法が採用
可能である。焼結温度についても特に限定されるもので
はないが、１９００℃より低い加熱温度では焼結不足を
生じ、また２３００℃より高い加熱温度ではＳｉＣやＺ
ｒ化合物の蒸発が起り易くなり、粒子の成長によって焼
結体の強度や靭性が低下する恐れがあることから、１９
００℃〜２３００℃の温度範囲で焼結するのが好まし
い。また、焼結時の雰囲気としては、真空雰囲気、不活
性雰囲気、還元ガス雰囲気のいずれも採用可能である。
【００１５】
【作用】本発明における請求項１記載のスパッタリング
用ターゲットは、ＳｉＣとＺｒ化合物とを主成分として
いることにより、耐摩耗性、耐酸性、耐アルカリ性など
にすぐれたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ系の保護膜を形成し得るもの
となる。また、このターゲットを用いて酸素および窒素
雰囲気での反応性スパッタリングを行うことにより、可
視域で低屈折率、低吸収係数などの光学的特性を付加し
た保護膜の形成が可能になる。さらに、導電性のＺｒ化
合物が含有されていることから、室温時の比抵抗値１Ω
・cm以下となり、構造が簡略な直流スパッタリング装置
への使用が可能となる。 また、酸素や窒素を用いて反
応性スパッタリングを行った場合、該ターゲットの表面
が酸化または窒化されても異常なアーク放電などが起り
難く、安定的な直流スパッタリングが可能となる。なお
これは、ターゲットに導電性を付与させているＺｒ元素
の酸化物（ＺｒＯ2）が生成され難く、また窒化物（Ｚ
ｒＮ）が良好な導電性を有するので、ターゲット自体の
比抵抗値が使用前とほとんど変化しないためと考えられ
る。請求項３記載の製造方法によれば、ＳｉＣ粉末とＺ
ｒ化合物粉末を混合焼結するので、Ｚｒ元素が均一に含
有される請求項１記載のターゲットが作製可能になる。
用ターゲットは、ＳｉＣとＺｒ化合物とを主成分として
いることにより、耐摩耗性、耐酸性、耐アルカリ性など
にすぐれたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ系の保護膜を形成し得るもの
となる。また、このターゲットを用いて酸素および窒素
雰囲気での反応性スパッタリングを行うことにより、可
視域で低屈折率、低吸収係数などの光学的特性を付加し
た保護膜の形成が可能になる。さらに、導電性のＺｒ化
合物が含有されていることから、室温時の比抵抗値１Ω
・cm以下となり、構造が簡略な直流スパッタリング装置
への使用が可能となる。 また、酸素や窒素を用いて反
応性スパッタリングを行った場合、該ターゲットの表面
が酸化または窒化されても異常なアーク放電などが起り
難く、安定的な直流スパッタリングが可能となる。なお
これは、ターゲットに導電性を付与させているＺｒ元素
の酸化物（ＺｒＯ2）が生成され難く、また窒化物（Ｚ
ｒＮ）が良好な導電性を有するので、ターゲット自体の
比抵抗値が使用前とほとんど変化しないためと考えられ
る。請求項３記載の製造方法によれば、ＳｉＣ粉末とＺ
ｒ化合物粉末を混合焼結するので、Ｚｒ元素が均一に含
有される請求項１記載のターゲットが作製可能になる。
【００１６】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに具体的に
説明する。 （実施例１）ＳｉＣ粉末として平均粒子径が０.３μ
ｍ、ＢＥＴ比表面積が１８m2／ｇのβ型ＳｉＣ粉末と、
Ｚｒ化合物粉末として平均粒子径が２.１１μｍのＺｒ
Ｃ粉末をそれぞれ用意し、ＺｒＣ粉末がこれら粉末の合
計体積量に対し３０体積％となるように両者を配合し
た。さらに、これらＳｉＣ粉末とＺｒＣ粉末とを合計し
た配合粉末１００重量部に対し、成形バインダーとして
ポリビニルアルコールを３重量部添加して原料粉末とし
た。
説明する。 （実施例１）ＳｉＣ粉末として平均粒子径が０.３μ
ｍ、ＢＥＴ比表面積が１８m2／ｇのβ型ＳｉＣ粉末と、
Ｚｒ化合物粉末として平均粒子径が２.１１μｍのＺｒ
Ｃ粉末をそれぞれ用意し、ＺｒＣ粉末がこれら粉末の合
計体積量に対し３０体積％となるように両者を配合し
た。さらに、これらＳｉＣ粉末とＺｒＣ粉末とを合計し
た配合粉末１００重量部に対し、成形バインダーとして
ポリビニルアルコールを３重量部添加して原料粉末とし
た。
【００１７】次に、得られた原料粉末をメタノール中に
て分散せしめ、さらにボールミルにて２４時間混合し
た。次いで、これらの混合物を乾燥して縦横が１６０ｍ
ｍ、厚さが１０ｍｍの正方形板に成形し、得られた成形
板をアルゴン雰囲気下、焼結温度２１５０℃、焼結時間
９０分の条件で常圧焼結を行った。得られた焼結体の靱
性および強度を調べたところ、十分な靱性および強度を
有していることが確認された。また、その焼結体密度と
室温時の比抵抗値とを測定し、その結果を表１に示す。
なお、比抵抗値の測定法については四端子法を採用し
た。次に、得られた焼結体の上下両側を研削して銅製の
バッキングプレートにインジウムを用いて接合し、スパ
ッタリング用ターゲットを作製した。
て分散せしめ、さらにボールミルにて２４時間混合し
た。次いで、これらの混合物を乾燥して縦横が１６０ｍ
ｍ、厚さが１０ｍｍの正方形板に成形し、得られた成形
板をアルゴン雰囲気下、焼結温度２１５０℃、焼結時間
９０分の条件で常圧焼結を行った。得られた焼結体の靱
性および強度を調べたところ、十分な靱性および強度を
有していることが確認された。また、その焼結体密度と
室温時の比抵抗値とを測定し、その結果を表１に示す。
なお、比抵抗値の測定法については四端子法を採用し
た。次に、得られた焼結体の上下両側を研削して銅製の
バッキングプレートにインジウムを用いて接合し、スパ
ッタリング用ターゲットを作製した。
【００１８】このスパッタリング用ターゲットを用い、
図１に示す直流二極スパッタリング装置にて、反応性ス
パッタリングを行った。この直流二極スパッタリング装
置は、真空容器１内の上部に負高電圧電極２を上方より
垂下した状態で設置したもので、シールド板３、シャッ
ター５、ガス導入口７、真空排気口８をそれぞれ備えた
ものである。そして、この直流二極スパッタリング装置
の、負高電圧電極２の下端に本実施例品であるスパッタ
リング用ターゲット４を取り付け、該ターゲット４の下
方に配設された台９上に被処理物となるガラス製基板６
を載置して反応性スパッタリングを行い、ガラス製基板
６上にＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜を形成した。なお、こ
の反応性スパッタリングは、酸素２０体積％、窒素８０
体積％の雰囲気ガス中で該酸素と窒素との合計流量が１
００cc／min、圧力が０.０３ｔｏｒｒ、電源出力が３ｋ
Ｗの条件下で行った。また、この反応性スパッタリング
は８時間連続で行ったが、異常アーク放電が発生するこ
となく安定した運転を持続することができ、膜の形成速
度についてもほぼ一定であった。
図１に示す直流二極スパッタリング装置にて、反応性ス
パッタリングを行った。この直流二極スパッタリング装
置は、真空容器１内の上部に負高電圧電極２を上方より
垂下した状態で設置したもので、シールド板３、シャッ
ター５、ガス導入口７、真空排気口８をそれぞれ備えた
ものである。そして、この直流二極スパッタリング装置
の、負高電圧電極２の下端に本実施例品であるスパッタ
リング用ターゲット４を取り付け、該ターゲット４の下
方に配設された台９上に被処理物となるガラス製基板６
を載置して反応性スパッタリングを行い、ガラス製基板
６上にＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜を形成した。なお、こ
の反応性スパッタリングは、酸素２０体積％、窒素８０
体積％の雰囲気ガス中で該酸素と窒素との合計流量が１
００cc／min、圧力が０.０３ｔｏｒｒ、電源出力が３ｋ
Ｗの条件下で行った。また、この反応性スパッタリング
は８時間連続で行ったが、異常アーク放電が発生するこ
となく安定した運転を持続することができ、膜の形成速
度についてもほぼ一定であった。
【００１９】このようなスパッタリングにより基板６上
に形成されたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜を調べたとこ
ろ、ピンホールがほとんどなく均質であった。また、こ
の薄膜を遊離砥粒による摩耗試験によって耐摩耗性を調
べたところ、良好であることが確認された。また、該膜
が形成されたガラス製基板６の屈折率、吸収係数を調べ
たところ、低屈折率、低吸収係数であることが確認され
た。
に形成されたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜を調べたとこ
ろ、ピンホールがほとんどなく均質であった。また、こ
の薄膜を遊離砥粒による摩耗試験によって耐摩耗性を調
べたところ、良好であることが確認された。また、該膜
が形成されたガラス製基板６の屈折率、吸収係数を調べ
たところ、低屈折率、低吸収係数であることが確認され
た。
【００２０】さらに、該ガラス製基板６を１規定の硫酸
溶液中に２４時間浸せきし、その後屈折率、吸収係数を
調べたところ、浸せき前とほぼ同一となり、したがって
膜に対する酸の影響がほとんど認められず、作製された
膜が耐酸性に優れていることが判明した。また、同様に
して１規定の水酸化ナトリウムに浸せきし、光学特性
（屈折率、吸収係数）の変化を調べたところ、耐アルカ
リ性についても、優れていることが判明した。
溶液中に２４時間浸せきし、その後屈折率、吸収係数を
調べたところ、浸せき前とほぼ同一となり、したがって
膜に対する酸の影響がほとんど認められず、作製された
膜が耐酸性に優れていることが判明した。また、同様に
して１規定の水酸化ナトリウムに浸せきし、光学特性
（屈折率、吸収係数）の変化を調べたところ、耐アルカ
リ性についても、優れていることが判明した。
【００２１】また、比較のため市販されているＳｉＣ反
応焼結体によるスパッタリング用ターゲットを用い、前
述した条件と同一にして直流スパッタリングを行ったと
ころ、運転を開始して３０分で異常アーク放電が発生
し、膜の形成が困難となった。また、得られたＳｉ−Ｚ
ｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜の各特性を調べたとこと、耐アルカリ
性に劣っていることが判明した。
応焼結体によるスパッタリング用ターゲットを用い、前
述した条件と同一にして直流スパッタリングを行ったと
ころ、運転を開始して３０分で異常アーク放電が発生
し、膜の形成が困難となった。また、得られたＳｉ−Ｚ
ｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ膜の各特性を調べたとこと、耐アルカリ
性に劣っていることが判明した。
【００２２】（実施例２〜８）実施例１と同一のＳｉＣ
粉末を用意し、これにＺｒＣ粉末およびＺｒＮ粉末のい
ずれか一方あるいは両方を表１に示す配合割合で添加し
た。なお、ＺｒＣ粉末については実施例１と同一のもの
を用い、またＺｒＮ粉末については平均粒子径が４．３
５μｍのものを用いた。さらに、必要に応じてＣとＢ、
ＣとＢ4Ｃなどの焼結助剤を表１に示す配合割合で添加
し、実施例１と同一の条件で混合、成形、焼結した。
粉末を用意し、これにＺｒＣ粉末およびＺｒＮ粉末のい
ずれか一方あるいは両方を表１に示す配合割合で添加し
た。なお、ＺｒＣ粉末については実施例１と同一のもの
を用い、またＺｒＮ粉末については平均粒子径が４．３
５μｍのものを用いた。さらに、必要に応じてＣとＢ、
ＣとＢ4Ｃなどの焼結助剤を表１に示す配合割合で添加
し、実施例１と同一の条件で混合、成形、焼結した。
【００２３】得られた焼結体について、その焼結体密度
と室温時の比抵抗値とを実施例１と同様にして調べ、そ
の結果を表１に示す。また、得られた焼結体を実施例１
と同様にしてスパッタリング用ターゲットとして用い、
形成した膜についてそれぞれ耐摩耗性、耐酸性、耐アル
カリ性を調べ、得られた結果を実施例１の結果とともに
表１に示す。なお、表１においてＳｉＣ粉末およびＺｒ
化合物粉末の量は、両者の合計体積量に対する体積％で
あり、また焼結助剤の量はＳｉＣ粉末およびＺｒ化合物
粉末の合計量１００重量部に対する重量部である。
と室温時の比抵抗値とを実施例１と同様にして調べ、そ
の結果を表１に示す。また、得られた焼結体を実施例１
と同様にしてスパッタリング用ターゲットとして用い、
形成した膜についてそれぞれ耐摩耗性、耐酸性、耐アル
カリ性を調べ、得られた結果を実施例１の結果とともに
表１に示す。なお、表１においてＳｉＣ粉末およびＺｒ
化合物粉末の量は、両者の合計体積量に対する体積％で
あり、また焼結助剤の量はＳｉＣ粉末およびＺｒ化合物
粉末の合計量１００重量部に対する重量部である。
【００２４】（比較例１〜４）実施例１と同一のＳｉＣ
粉末と、平均粒子径が１.７８μｍのＺｒＢ2粉末、もし
くは平均粒子径が０．４μｍのＺｒＯ2粉末、もしくは
平均粒子径が２．３０μｍのＺｒＳｉ2粉末を表１に示
す割合で配合し、さらに比較例２〜４については焼結助
剤を表１に示す割合配合した。その後、実施例１と同様
にしてポリビニルアルコールを成形バインダーとして３
重量部添加し、混合、乾燥、成形、焼結した。
粉末と、平均粒子径が１.７８μｍのＺｒＢ2粉末、もし
くは平均粒子径が０．４μｍのＺｒＯ2粉末、もしくは
平均粒子径が２．３０μｍのＺｒＳｉ2粉末を表１に示
す割合で配合し、さらに比較例２〜４については焼結助
剤を表１に示す割合配合した。その後、実施例１と同様
にしてポリビニルアルコールを成形バインダーとして３
重量部添加し、混合、乾燥、成形、焼結した。
【００２５】得られた焼結体の密度および比抵抗値を測
定し、得られた結果を表１に示す。また、得られた焼結
体を実施例１と同様にしてスパッタリング用ターゲット
として用い、形成した膜についてそれぞれ耐摩耗性、耐
酸性、耐アルカリ性を調べ、得られた結果を表１に示
す。
定し、得られた結果を表１に示す。また、得られた焼結
体を実施例１と同様にしてスパッタリング用ターゲット
として用い、形成した膜についてそれぞれ耐摩耗性、耐
酸性、耐アルカリ性を調べ、得られた結果を表１に示
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１より、実施例１〜８のターゲットは、
いずれも比抵抗値が低く導電性に優れていることが確認
され、したがってＺｒ化合物の種類、配合割合、焼結助
剤の有無に影響されることなく本発明の効果が十分発揮
されることが明かになった。また、実施例２〜８のガラ
ス製基板上に形成されたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ薄膜も
ピンホールなどがなく均質であり、光学特性については
低屈折率、低吸収係数であり、さらに表１に示すように
耐摩耗性、耐酸性、耐アルカリ性に優れたものであるこ
とが確認された。一方、比較例１〜２の膜は硫酸溶液に
より変質してしまい、耐酸性に劣ることが判明し、比較
例３〜４の膜は水酸化ナトリウム溶液により変質してし
まい、耐アルカリ性に劣ることが判明した。さらにＺｒ
Ｏ2を用いた比較例３の膜は、遊離砥粒により短時間で
破壊され、耐摩耗性に劣ることが判明した。
いずれも比抵抗値が低く導電性に優れていることが確認
され、したがってＺｒ化合物の種類、配合割合、焼結助
剤の有無に影響されることなく本発明の効果が十分発揮
されることが明かになった。また、実施例２〜８のガラ
ス製基板上に形成されたＳｉ−Ｚｒ−Ｃ−Ｎ−Ｏ薄膜も
ピンホールなどがなく均質であり、光学特性については
低屈折率、低吸収係数であり、さらに表１に示すように
耐摩耗性、耐酸性、耐アルカリ性に優れたものであるこ
とが確認された。一方、比較例１〜２の膜は硫酸溶液に
より変質してしまい、耐酸性に劣ることが判明し、比較
例３〜４の膜は水酸化ナトリウム溶液により変質してし
まい、耐アルカリ性に劣ることが判明した。さらにＺｒ
Ｏ2を用いた比較例３の膜は、遊離砥粒により短時間で
破壊され、耐摩耗性に劣ることが判明した。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における請
求項１記載のスパッタリング用ターゲットは、耐摩耗
性、耐酸性、耐アルカリ性などに優れた薄膜を形成する
ことができるので、光ディスク、サーマルヘッドなどの
高耐久性保護膜を形成することができる。また、得られ
た膜は可視域で低屈折率、低吸収係数などの光学特性も
有しているので、高耐久性の熱線遮蔽ガラスを形成し得
るものとなる。また、このスパッタリング用ターゲット
は優れた導電性を有するので、直流スパッタリングでの
使用が可能となり、したがって装置の簡略化、成膜速度
の向上などを達成し、量産性の向上、製造コストの低減
を図ることができる。さらに、このスパッタリング用タ
ーゲットは、反応性スパッタリング用ターゲットとして
使用した場合にも、従来のＳｉやＳｉＣターゲットと比
較して異常アーク放電の発生がほとんどなく、しかもス
パッタリングを続けても比抵抗値が変わらないため、長
時間連続して安定的にスパッタリングを行うことがで
き、よって操業性に極めて優れたものとなる。請求項３
記載の製造方法は、請求項１記載のターゲット作製する
のに極めて有効な方法となる。
求項１記載のスパッタリング用ターゲットは、耐摩耗
性、耐酸性、耐アルカリ性などに優れた薄膜を形成する
ことができるので、光ディスク、サーマルヘッドなどの
高耐久性保護膜を形成することができる。また、得られ
た膜は可視域で低屈折率、低吸収係数などの光学特性も
有しているので、高耐久性の熱線遮蔽ガラスを形成し得
るものとなる。また、このスパッタリング用ターゲット
は優れた導電性を有するので、直流スパッタリングでの
使用が可能となり、したがって装置の簡略化、成膜速度
の向上などを達成し、量産性の向上、製造コストの低減
を図ることができる。さらに、このスパッタリング用タ
ーゲットは、反応性スパッタリング用ターゲットとして
使用した場合にも、従来のＳｉやＳｉＣターゲットと比
較して異常アーク放電の発生がほとんどなく、しかもス
パッタリングを続けても比抵抗値が変わらないため、長
時間連続して安定的にスパッタリングを行うことがで
き、よって操業性に極めて優れたものとなる。請求項３
記載の製造方法は、請求項１記載のターゲット作製する
のに極めて有効な方法となる。
【図１】スパッタリング装置の概略構成図である。
４ スパッタリング用ターゲット ６ ガラス製基版
Claims (4)
- 【請求項１】 ＳｉＣと、ＺｒＣもしくはＺｒＮのうち
の少なくとも一種からなるＺｒ化合物とを主成分とした
焼結体からなるスパッタリング用ターゲット。 - 【請求項２】 請求項１記載のスパッタリング用ターゲ
ットにおいて、前記Ｚｒ化合物の量が、ＳｉＣとＺｒ化
合物との合計体積量に対し１０〜８０体積％であるスパ
ッタリング用ターゲット。 - 【請求項３】 ＳｉＣ粉末と、ＺｒＣもしくはＺｒＮの
少なくとも一種のＺｒ化合物粉末とを混合し、この混合
粉末を加熱し焼結することによってＳｉＣとＺｒ化合物
を主成分とした焼結体を得ることを特徴とするスパッタ
リング用ターゲットの製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載のスパッタリング用ターゲ
ットにおいて、前記Ｚｒ化合物粉末の配合量がＳｉＣ粉
末とＺｒ化合物粉末との合計体積量に対し１０〜８０体
積％であるスパッタリング用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029492A JPH0649632A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2029492A JPH0649632A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0649632A true JPH0649632A (ja) | 1994-02-22 |
Family
ID=12023147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2029492A Pending JPH0649632A (ja) | 1992-02-05 | 1992-02-05 | スパッタリング用ターゲット及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649632A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217969B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-04-17 | Bridgestone Corporation | Sputtering target disk |
| JP2019119920A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
-
1992
- 1992-02-05 JP JP2029492A patent/JPH0649632A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217969B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-04-17 | Bridgestone Corporation | Sputtering target disk |
| JP2019119920A (ja) * | 2018-01-10 | 2019-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット |
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