JPH1088332A - スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法Info
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- JPH1088332A JPH1088332A JP24081696A JP24081696A JPH1088332A JP H1088332 A JPH1088332 A JP H1088332A JP 24081696 A JP24081696 A JP 24081696A JP 24081696 A JP24081696 A JP 24081696A JP H1088332 A JPH1088332 A JP H1088332A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】生産性に優れ、比較的高い１０-1〜１０10Ωｃ
ｍの比抵抗が容易に得られる透明導電膜とその製造方法
および該透明導電膜の製造のためのスパッタリングター
ゲットの提供。 【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、ＧａとＹとを含む透
明導電膜とその製造方法および該透明導電膜の製造のた
めのスパッタリングターゲット。
ｍの比抵抗が容易に得られる透明導電膜とその製造方法
および該透明導電膜の製造のためのスパッタリングター
ゲットの提供。 【解決手段】ＺｎＯを主成分とし、ＧａとＹとを含む透
明導電膜とその製造方法および該透明導電膜の製造のた
めのスパッタリングターゲット。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングタ
ーゲットおよび透明導電膜とその製造方法に関する。
ーゲットおよび透明導電膜とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、比抵抗が比較的高い１０-1〜１０
10Ωｃｍである酸化物系の透明導電膜をスパッタリング
法で形成する場合、ターゲット自体の比抵抗が１０-1〜
１０10Ωｃｍの導電性を有するターゲットを用いて、た
とえば雰囲気ガス中の酸素が３体積％以下のような、低
酸素濃度でスパッタリングすることが知られている。
10Ωｃｍである酸化物系の透明導電膜をスパッタリング
法で形成する場合、ターゲット自体の比抵抗が１０-1〜
１０10Ωｃｍの導電性を有するターゲットを用いて、た
とえば雰囲気ガス中の酸素が３体積％以下のような、低
酸素濃度でスパッタリングすることが知られている。
【０００３】しかし、この方法では、ターゲットの導電
性が乏しいため、高周波スパッタリング法に限られ、装
置構造が単純で操作性が良く、成膜速度が速いなどの工
業的な生産性に優れた直流スパッタリング法は用いられ
ないという問題を有していた。
性が乏しいため、高周波スパッタリング法に限られ、装
置構造が単純で操作性が良く、成膜速度が速いなどの工
業的な生産性に優れた直流スパッタリング法は用いられ
ないという問題を有していた。
【０００４】直流スパッタリング法を用いるには、１０
-2Ωｃｍ以下の低抵抗の導電性の高いターゲットを用い
ることが安定な放電が得られる点で望ましい。
-2Ωｃｍ以下の低抵抗の導電性の高いターゲットを用い
ることが安定な放電が得られる点で望ましい。
【０００５】しかし、１０-3〜１０-1Ωｃｍの低抵抗の
ＺｎＯ系ターゲットを用いて、アルゴンガスのみを導入
した低酸素雰囲気中で直流スパッタリング成膜した場
合、形成した膜の比抵抗は１０-4Ωｃｍ台の低抵抗の膜
しか得られていない（特開平２−１４９４５９）。
ＺｎＯ系ターゲットを用いて、アルゴンガスのみを導入
した低酸素雰囲気中で直流スパッタリング成膜した場
合、形成した膜の比抵抗は１０-4Ωｃｍ台の低抵抗の膜
しか得られていない（特開平２−１４９４５９）。
【０００６】１０-2Ωｃｍ以下の低抵抗のターゲットを
用いた場合、１０-1〜１０10Ωｃｍを有する膜を得るに
は、雰囲気ガス中に酸素ガスなどの酸化性ガスを導入し
て、高い酸素濃度でのスパッタリングが必要である。
用いた場合、１０-1〜１０10Ωｃｍを有する膜を得るに
は、雰囲気ガス中に酸素ガスなどの酸化性ガスを導入し
て、高い酸素濃度でのスパッタリングが必要である。
【０００７】しかし、この酸素は形成した膜にも作用し
て、膜にダメージを与えるという問題を有していた。
て、膜にダメージを与えるという問題を有していた。
【０００８】したがって、生産性に優れた直流スパッタ
リング法を用い、膜へのダメージの少ない低酸素濃度の
雰囲気下で、比抵抗が１０-1〜１０10Ωｃｍである透明
導電膜の製造方法が望まれていた。
リング法を用い、膜へのダメージの少ない低酸素濃度の
雰囲気下で、比抵抗が１０-1〜１０10Ωｃｍである透明
導電膜の製造方法が望まれていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、直流スパッ
タリング法に用いることができ、比抵抗が比較的高い１
０-1〜１０10Ωｃｍである透明導電膜を安定して製造で
きるスパッタリングターゲットの提供を目的とする。
タリング法に用いることができ、比抵抗が比較的高い１
０-1〜１０10Ωｃｍである透明導電膜を安定して製造で
きるスパッタリングターゲットの提供を目的とする。
【００１０】本発明は、また、生産性に優れ、比較的高
い１０-1〜１０10Ωｃｍの比抵抗が容易に得られる透明
導電膜とその製造方法の提供を目的とする。
い１０-1〜１０10Ωｃｍの比抵抗が容易に得られる透明
導電膜とその製造方法の提供を目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＺｎＯを主成
分とし、ＧａとＹとを含むスパッタリングターゲットを
提供する。
分とし、ＧａとＹとを含むスパッタリングターゲットを
提供する。
【００１２】スパッタリングターゲットの比抵抗は、１
０-2Ωｃｍ以下であることが好ましい。１０-2Ωｃｍよ
り高いと、直流スパッタリングの際の放電が不安定にな
りやすくなる。特に、１０-3Ωｃｍ以下であることが好
ましい。
０-2Ωｃｍ以下であることが好ましい。１０-2Ωｃｍよ
り高いと、直流スパッタリングの際の放電が不安定にな
りやすくなる。特に、１０-3Ωｃｍ以下であることが好
ましい。
【００１３】本発明のスパッタリングターゲットを用い
ることにより、比抵抗が比較的高い１０-1〜１０10Ωｃ
ｍである透明導電膜が安定して得られる。
ることにより、比抵抗が比較的高い１０-1〜１０10Ωｃ
ｍである透明導電膜が安定して得られる。
【００１４】前述した比抵抗がより安定して得られると
いう理由から、Ｇａの含有割合はＧａ2 Ｏ3 換算で０．
２〜８．０モル％で、Ｙの含有割合はＹ2 Ｏ3 換算で
０．２〜６０．０モル％であることが好ましい。
いう理由から、Ｇａの含有割合はＧａ2 Ｏ3 換算で０．
２〜８．０モル％で、Ｙの含有割合はＹ2 Ｏ3 換算で
０．２〜６０．０モル％であることが好ましい。
【００１５】ターゲットの製造方法は、特に限定される
ものではないが、常圧焼結法、ホットプレス法などの通
常のセラミックスを焼結する方法が用いることができ
る。ホットプレス法が、緻密で低抵抗の焼結体（ターゲ
ット）を作製できる点で好ましい。
ものではないが、常圧焼結法、ホットプレス法などの通
常のセラミックスを焼結する方法が用いることができ
る。ホットプレス法が、緻密で低抵抗の焼結体（ターゲ
ット）を作製できる点で好ましい。
【００１６】本発明は、また、スパッタリングターゲッ
トを、酸化性ガスの含有割合が３体積％以下の雰囲気中
でスパッタリングして透明導電膜を製造する方法におい
て、スパッタリングターゲットとして前記のスパッタリ
ングターゲットを用いることを特徴とする透明導電膜の
製造方法を提供する。
トを、酸化性ガスの含有割合が３体積％以下の雰囲気中
でスパッタリングして透明導電膜を製造する方法におい
て、スパッタリングターゲットとして前記のスパッタリ
ングターゲットを用いることを特徴とする透明導電膜の
製造方法を提供する。
【００１７】雰囲気ガスは、酸化性ガスの含有割合が３
体積％以下で用いられ、アルゴンガスのような不活性ガ
スのみで用いることもできる。
体積％以下で用いられ、アルゴンガスのような不活性ガ
スのみで用いることもできる。
【００１８】雰囲気中の酸化性ガスの含有割合が３体積
％を超えると、雰囲気中の酸化性ガスが、成膜した膜を
再スパッタリングして膜にダメージを多く与える。
％を超えると、雰囲気中の酸化性ガスが、成膜した膜を
再スパッタリングして膜にダメージを多く与える。
【００１９】本発明において用い得る酸素含有ガスとし
ては、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、Ｃ０2などのガス分子に酸
素原子を有するガスなどが挙げられる。
ては、Ｏ2 、Ｈ2 Ｏ、ＣＯ、Ｃ０2などのガス分子に酸
素原子を有するガスなどが挙げられる。
【００２０】スパッタリング方法としては、直流方式、
高周波方式など、あらゆる放電方式で行うことができる
が、装置構造が単純で操作性が良く、成膜速度が速いな
どの工業的な生産性の優れた直流スパッタリング法が好
ましい。
高周波方式など、あらゆる放電方式で行うことができる
が、装置構造が単純で操作性が良く、成膜速度が速いな
どの工業的な生産性の優れた直流スパッタリング法が好
ましい。
【００２１】成膜される基体としては、ガラス、セラミ
ックス、プラスチック、金属などが挙げられる。成膜中
の基体の温度は、特に制約されない。また、成膜後、基
体を、後加熱（熱処理）することもできる。
ックス、プラスチック、金属などが挙げられる。成膜中
の基体の温度は、特に制約されない。また、成膜後、基
体を、後加熱（熱処理）することもできる。
【００２２】本発明は、また、ＺｎＯを主成分とし、Ｇ
ａとＹとを含む透明導電膜を提供する。
ａとＹとを含む透明導電膜を提供する。
【００２３】本発明の透明導電膜は、比抵抗が比較的高
い１０-1〜１０10Ωｃｍを容易に達成できることから、
このような比抵抗が比較的高い透明導電膜として好適で
ある。
い１０-1〜１０10Ωｃｍを容易に達成できることから、
このような比抵抗が比較的高い透明導電膜として好適で
ある。
【００２４】特に、１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□の高
いシート抵抗値が必要な場合、例えば、様々な所望の発
熱量を得るための透明発熱体に最適である。さらに、例
えば、他の透明導電膜と組み合わせて（積層して）用い
る場合、電極部近傍での導電性が実用上非常に重要であ
るが、１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□の抵抗を有してい
れば、電極近傍での導電性は十分であり、安定して膜に
通電（使用）することができる。このとき、他の透明導
電膜の下地膜として用いた場合、上に積層される膜の結
晶性を調整したり、真空中に残留する水分からのコンタ
ミネーションを抑制したり、上に積層される膜の導電性
や耐久性などの特性を良くすることができる。また、他
の透明導電膜のオーバーコート膜として保護膜として用
いることができる。また、積層により、積層膜の内部応
力を低減させ、膜破断を低減することができる。
いシート抵抗値が必要な場合、例えば、様々な所望の発
熱量を得るための透明発熱体に最適である。さらに、例
えば、他の透明導電膜と組み合わせて（積層して）用い
る場合、電極部近傍での導電性が実用上非常に重要であ
るが、１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□の抵抗を有してい
れば、電極近傍での導電性は十分であり、安定して膜に
通電（使用）することができる。このとき、他の透明導
電膜の下地膜として用いた場合、上に積層される膜の結
晶性を調整したり、真空中に残留する水分からのコンタ
ミネーションを抑制したり、上に積層される膜の導電性
や耐久性などの特性を良くすることができる。また、他
の透明導電膜のオーバーコート膜として保護膜として用
いることができる。また、積層により、積層膜の内部応
力を低減させ、膜破断を低減することができる。
【００２５】膜の比抵抗が、１０-1Ωｃｍより低いと、
所望（１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□）のシート抵抗値
を得るには、膜厚を薄くする必要があり、膜の断線など
の問題が生じやすくなるため好ましくない。
所望（１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□）のシート抵抗値
を得るには、膜厚を薄くする必要があり、膜の断線など
の問題が生じやすくなるため好ましくない。
【００２６】また、膜の比抵抗が、１０10Ωｃｍより高
いと、所望（１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□）のシート
抵抗値を得るには、膜厚を厚くする必要があり、コスト
高になるので好ましくない。
いと、所望（１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□）のシート
抵抗値を得るには、膜厚を厚くする必要があり、コスト
高になるので好ましくない。
【００２７】前述した比抵抗がより安定して得られると
いう理由から、Ｇａの含有割合はＧａ2 Ｏ3 換算で０．
２〜８．０モル％であり、Ｙの含有割合はＹ2 Ｏ3 換算
で０．２〜６０．０モル％であることが好ましい。
いう理由から、Ｇａの含有割合はＧａ2 Ｏ3 換算で０．
２〜８．０モル％であり、Ｙの含有割合はＹ2 Ｏ3 換算
で０．２〜６０．０モル％であることが好ましい。
【００２８】本発明においては、本発明の膜やターゲッ
トに含まれるＹの一部を他の元素で置換、あるいはＹに
他の元素を添加できる。他の元素としては、Ｌａ、Ｃｅ
などのランタノイドやＳｃなどが挙げられる。
トに含まれるＹの一部を他の元素で置換、あるいはＹに
他の元素を添加できる。他の元素としては、Ｌａ、Ｃｅ
などのランタノイドやＳｃなどが挙げられる。
【００２９】
【作用】膜中およびターゲット中のＧａは、ＺｎＯに一
部あるいは全部固溶してドーパントとして働き、導電性
を発現する電子を生成するように働く。
部あるいは全部固溶してドーパントとして働き、導電性
を発現する電子を生成するように働く。
【００３０】膜中のＹは、キャリア濃度を減少させ、不
純物散乱源として易動度を減少させるように働く。この
作用により、低酸素濃度でのスパッタリングでも比抵抗
が１０-1〜１０10Ωｃｍの比較的高い抵抗を実現でき
る。
純物散乱源として易動度を減少させるように働く。この
作用により、低酸素濃度でのスパッタリングでも比抵抗
が１０-1〜１０10Ωｃｍの比較的高い抵抗を実現でき
る。
【００３１】膜中のＹは、膜中に均一に分散しており、
ＺｎＯに固溶した状態で存在する。一方、ターゲット中
のＹは偏析して存在するため、前記のＹの高抵抗化の作
用が狭い範囲にしか及ばないので、ターゲット全体とし
ては１０-4Ωｃｍ台の低抵抗を有する。ターゲット中の
Ｙは、Ｙ2 Ｏ3 あるいはＺｎＯに固溶した状態で存在す
る。
ＺｎＯに固溶した状態で存在する。一方、ターゲット中
のＹは偏析して存在するため、前記のＹの高抵抗化の作
用が狭い範囲にしか及ばないので、ターゲット全体とし
ては１０-4Ωｃｍ台の低抵抗を有する。ターゲット中の
Ｙは、Ｙ2 Ｏ3 あるいはＺｎＯに固溶した状態で存在す
る。
【００３２】
（例１〜１１）ＺｎＯ粉末、Ｇａ2 Ｏ3 粉末およびＹ2
Ｏ3 粉末を用意し、これらの粉末を表１に示す各種割合
でボールミルで混合した。
Ｏ3 粉末を用意し、これらの粉末を表１に示す各種割合
でボールミルで混合した。
【００３３】この混合粉末をカーボン製のホットプレス
用型に充填し、アルゴン雰囲気中で１１００℃で１時間
の条件でホットプレスを行い焼結体を作製した。このと
きのホットプレス圧力は１００ｋｇ／ｃｍ2 とした。
用型に充填し、アルゴン雰囲気中で１１００℃で１時間
の条件でホットプレスを行い焼結体を作製した。このと
きのホットプレス圧力は１００ｋｇ／ｃｍ2 とした。
【００３４】次に、それぞれの焼結体から３×３×３０
ｍｍの角柱状に切り出し、４端子法で比抵抗を測定し
た。その結果を、表１に示す。すべて１０-4Ωｃｍ台の
低抵抗であった。
ｍｍの角柱状に切り出し、４端子法で比抵抗を測定し
た。その結果を、表１に示す。すべて１０-4Ωｃｍ台の
低抵抗であった。
【００３５】次に、それぞれの焼結体から直径６イン
チ、厚さ５ｍｍの寸法に切り出し、ＺｎＯ−Ｇａ2 Ｏ3
−Ｙ2 Ｏ3 系のターゲットを作製した（以下、ＺＧＹタ
ーゲットと呼ぶ。）。
チ、厚さ５ｍｍの寸法に切り出し、ＺｎＯ−Ｇａ2 Ｏ3
−Ｙ2 Ｏ3 系のターゲットを作製した（以下、ＺＧＹタ
ーゲットと呼ぶ。）。
【００３６】これらＺＧＹターゲットを用いて、マグネ
トロン直流（ＤＣ）スパッタリング装置を使用して、Ｚ
ｎＯ−Ｇａ2 Ｏ3 −Ｙ2 Ｏ3 系膜（以下、ＺＧＹ膜と呼
ぶ。）の成膜を、投入電力：８００Ｗ、導入ガス：アル
ゴンガス、圧力：４×１０−３Ｔｏｒｒ、基体温度：無
加熱、の条件で行った。基体には、ソーダライムガラス
を用いた。膜厚はおよそ４０ｎｍとなるように行った。
トロン直流（ＤＣ）スパッタリング装置を使用して、Ｚ
ｎＯ−Ｇａ2 Ｏ3 −Ｙ2 Ｏ3 系膜（以下、ＺＧＹ膜と呼
ぶ。）の成膜を、投入電力：８００Ｗ、導入ガス：アル
ゴンガス、圧力：４×１０−３Ｔｏｒｒ、基体温度：無
加熱、の条件で行った。基体には、ソーダライムガラス
を用いた。膜厚はおよそ４０ｎｍとなるように行った。
【００３７】成膜中、放電は安定しており、問題はなか
った。成膜後、膜厚を測定した結果、およそ４０ｎｍで
あった。シート抵抗を２端針法で測定した。測定したシ
ート抵抗と膜厚から比抵抗を算出した。その結果を表１
に示す。
った。成膜後、膜厚を測定した結果、およそ４０ｎｍで
あった。シート抵抗を２端針法で測定した。測定したシ
ート抵抗と膜厚から比抵抗を算出した。その結果を表１
に示す。
【００３８】表１に示すされるようにＺＧＹ膜の抵抗は
Ｙ添加量の増加に伴い増加し、１０-1〜１０10Ωｃｍま
で増加した。一方、該ＺＧＹ膜の組成をＩＣＰ分析し
た。その結果を表１に示す。ＺＧＹ膜中のＹの含有量
（Ｙ2 Ｏ3 換算）は、ターゲットの含有量の約２倍程度
となっていた。
Ｙ添加量の増加に伴い増加し、１０-1〜１０10Ωｃｍま
で増加した。一方、該ＺＧＹ膜の組成をＩＣＰ分析し
た。その結果を表１に示す。ＺＧＹ膜中のＹの含有量
（Ｙ2 Ｏ3 換算）は、ターゲットの含有量の約２倍程度
となっていた。
【００３９】このターゲット中のＹ含有量と膜中のＹ含
有量とのずれは、Ｙ2 Ｏ3 の蒸気圧がＺｎＯやＧａ2 Ｏ
3 と比べて低いためと考えられる。
有量とのずれは、Ｙ2 Ｏ3 の蒸気圧がＺｎＯやＧａ2 Ｏ
3 と比べて低いためと考えられる。
【００４０】（例１２）例５と同様に、ＺｎＯ粉末、Ｇ
ａ2 Ｏ3 粉末およびＹ2 Ｏ3 粉末を用意し、これらの粉
末を表１に示すような割合でボールミルで混合した。こ
の混合粉末をラバープレス法で成形後、空気中で１５０
０℃で３時間の条件で常圧焼成を行い焼結体を作製し
た。
ａ2 Ｏ3 粉末およびＹ2 Ｏ3 粉末を用意し、これらの粉
末を表１に示すような割合でボールミルで混合した。こ
の混合粉末をラバープレス法で成形後、空気中で１５０
０℃で３時間の条件で常圧焼成を行い焼結体を作製し
た。
【００４１】次に、例５と同様に切り出した後、４端子
法で比抵抗を測定した。その結果、比抵抗は５×１０-3
Ωｃｍであった。
法で比抵抗を測定した。その結果、比抵抗は５×１０-3
Ωｃｍであった。
【００４２】次に、例５と同様に、直径６インチ、厚さ
５ｍｍの寸法に切り出し、ＺＧＹターゲットを作製し、
例５と同様の条件で成膜した。成膜中、放電は安定して
おり、問題はなかった。成膜後、膜厚を測定した結果、
およそ４０ｎｍであり、比抵抗は１０5 Ωｃｍであっ
た。膜中のＧａ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の含有量はそれぞ
れ２．７モル％および１８．３モル％であった。
５ｍｍの寸法に切り出し、ＺＧＹターゲットを作製し、
例５と同様の条件で成膜した。成膜中、放電は安定して
おり、問題はなかった。成膜後、膜厚を測定した結果、
およそ４０ｎｍであり、比抵抗は１０5 Ωｃｍであっ
た。膜中のＧａ2 Ｏ3 およびＹ2 Ｏ3 の含有量はそれぞ
れ２．７モル％および１８．３モル％であった。
【００４３】なお、例１〜１２の膜（基板を含む）の可
視光透過率は、すべて８５％以上であった。
視光透過率は、すべて８５％以上であった。
【００４４】（例１３〜１６）例１と同様にして、表１
に示す割合で混合した粉末を、例１と同様にホットプレ
スして焼結体を作製した。
に示す割合で混合した粉末を、例１と同様にホットプレ
スして焼結体を作製した。
【００４５】例１と同様にして測定した比抵抗を表１に
示す。Ｇａを含まない例１５においては、ターゲットの
比抵抗は１０5 Ωｃｍと高かった。
示す。Ｇａを含まない例１５においては、ターゲットの
比抵抗は１０5 Ωｃｍと高かった。
【００４６】次に、これら燒結体から例１と同様にして
ターゲットを作製した。これらターゲットを用いて、マ
グネトロンＤＣスパッタリング装置を使用して、例１と
同様の条件で成膜した。
ターゲットを作製した。これらターゲットを用いて、マ
グネトロンＤＣスパッタリング装置を使用して、例１と
同様の条件で成膜した。
【００４７】Ｇａを含まない例１５においては、ターゲ
ットの抵抗が高く、放電しなかったためＤＣスパッタリ
ングでは成膜できなかった。
ットの抵抗が高く、放電しなかったためＤＣスパッタリ
ングでは成膜できなかった。
【００４８】例１３、１４および１６では、成膜中、放
電は安定しており、問題はなかった。成膜後、膜厚を測
定した結果、およそ４０ｎｍであった。例１と同様に比
抵抗を算出した結果を表１に示す。例１３、１４および
１６では、所望の１０-1〜１０10Ωｃｍの透明導電膜は
得られなかった。
電は安定しており、問題はなかった。成膜後、膜厚を測
定した結果、およそ４０ｎｍであった。例１と同様に比
抵抗を算出した結果を表１に示す。例１３、１４および
１６では、所望の１０-1〜１０10Ωｃｍの透明導電膜は
得られなかった。
【００４９】例１３、１４および１６の膜（基板を含
む）の可視光透過率は、すべて８５％以上であった。
む）の可視光透過率は、すべて８５％以上であった。
【００５０】
【表１】
【００５１】
【発明の効果】本発明のターゲットは直流スパッタリン
グ法に用いることができ、また、本発明のターゲットを
用いれば、比抵抗が比較的高い１０-1〜１０10Ωｃｍで
ある透明導電膜を安定して製造できる。
グ法に用いることができ、また、本発明のターゲットを
用いれば、比抵抗が比較的高い１０-1〜１０10Ωｃｍで
ある透明導電膜を安定して製造できる。
【００５２】本発明の透明導電膜は、比較的高い１０-1
〜１０10Ωｃｍの比抵抗を容易に達成でき、生産性にも
優れる。
〜１０10Ωｃｍの比抵抗を容易に達成でき、生産性にも
優れる。
【００５３】本発明の透明導電膜は、単独に用いられる
ほか、他の透明導電膜と組み合わせて用いることによ
り、次のような効果を持つ。
ほか、他の透明導電膜と組み合わせて用いることによ
り、次のような効果を持つ。
【００５４】たとえば、本発明の透明導電膜を下地層に
用いた場合、バリアー層として働き、基板からの蒸発あ
るいは拡散を防ぐ。また、続けて上層に成膜される透明
導電膜の真空中に残留する水分からのコンタミネーショ
ンを抑制したり、結晶成長をコントロールし、所望の結
晶性を有する膜を作製できる。
用いた場合、バリアー層として働き、基板からの蒸発あ
るいは拡散を防ぐ。また、続けて上層に成膜される透明
導電膜の真空中に残留する水分からのコンタミネーショ
ンを抑制したり、結晶成長をコントロールし、所望の結
晶性を有する膜を作製できる。
【００５５】オーバーコートとして場合には、水分や酸
素など外気からの保護層として働く。
素など外気からの保護層として働く。
【００５６】他の透明導電膜と組み合わせて（積層し
て）用いる場合、電極部近傍での導電性が実用上非常に
重要であるが、１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□の抵抗を
有していれば、電極近傍での導電性は十分であり、安定
して膜に通電（使用）することができ、電極近傍での異
常な発熱を防ぐことができる。また、積層により、積層
膜の内部応力を低減させ、膜破断を低減することができ
る。
て）用いる場合、電極部近傍での導電性が実用上非常に
重要であるが、１０ｋΩ／□〜１００ＧΩ／□の抵抗を
有していれば、電極近傍での導電性は十分であり、安定
して膜に通電（使用）することができ、電極近傍での異
常な発熱を防ぐことができる。また、積層により、積層
膜の内部応力を低減させ、膜破断を低減することができ
る。
Claims (5)
- 【請求項１】ＺｎＯを主成分とし、ＧａとＹとを含むス
パッタリングターゲット。 - 【請求項２】ＧａをＧａ2 Ｏ3 換算で０．２〜８．０モ
ル％含み、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜６０．０モル％
含む請求項１のスパッタリングターゲット。 - 【請求項３】スパッタリングターゲットを、酸化性ガス
の含有割合が３体積％以下の雰囲気中で直流スパッタリ
ングして透明導電膜を製造する方法において、スパッタ
リングターゲットとして請求項１または２のスパッタリ
ングターゲットを用いることを特徴とする透明導電膜の
製造方法。 - 【請求項４】ＺｎＯを主成分とし、ＧａとＹとを含む透
明導電膜。 - 【請求項５】ＧａをＧａ2 Ｏ3 換算で０．２〜８．０モ
ル％含み、ＹをＹ2 Ｏ3 換算で０．２〜６０．０モル％
含む請求項４の透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24081696A JPH1088332A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24081696A JPH1088332A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1088332A true JPH1088332A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17065126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24081696A Pending JPH1088332A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | スパッタリングターゲットおよび透明導電膜とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1088332A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1996
- 1996-09-11 JP JP24081696A patent/JPH1088332A/ja active Pending
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