JPH0649783B2 - 感光性超薄膜，その製造方法及びそれを利用した光重合累積膜の製造方法 - Google Patents
感光性超薄膜，その製造方法及びそれを利用した光重合累積膜の製造方法Info
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- JPH0649783B2 JPH0649783B2 JP8878585A JP8878585A JPH0649783B2 JP H0649783 B2 JPH0649783 B2 JP H0649783B2 JP 8878585 A JP8878585 A JP 8878585A JP 8878585 A JP8878585 A JP 8878585A JP H0649783 B2 JPH0649783 B2 JP H0649783B2
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、新規な感光性超薄膜（単分子膜及び累積膜）
とその製造方法、さらに該感光性超薄膜の光による重合
方法に関する。
とその製造方法、さらに該感光性超薄膜の光による重合
方法に関する。
近年、超微細加工レジスト，光変調素子や電界発光素子
として、配向構造をとりやすい有機超薄膜であるラング
ミユアー・プロジエツト（Langmur Blodgett）膜が見直
され、アントラセン誘導体（特開昭５２−３５５７９号
及び同５２−３５５８７号各公報参照）および長鎖脂肪
族カルボン酸の金属塩（特開昭５２−１１７１４６号公
報参照）などを用いた薄膜素子が提案されている。しか
しながら、これらの単分子膜は、それを構成する化合物
が低分子化合物である為、充分な力学強度を有さない。
そこで、膜の強度を向上させる為に重合可能な単分子形
成性モノマーを、単分子膜状態のまま、または累積膜と
したのち、熱，紫外線又は電子線等により重合すること
が提案されている［特開昭５６−４２２９号，同５６−
４３２２０各号公報，ジヤーナル・オブ・ポリマー・サ
イエンス・ポリマー・ケミストリー・エデイシヨン（J.
Poly. Sci.,Poly. Chem.），１７，１６３１（１９７
９），ジヤーナル・オブ・コロイド・アンド・インター
フエイス・サイエンス（J. Colloid&Int. Sci.），２５
５，５２１（１９７７）及びシン・ソリツド・フイルム
ズ（Thin Solid Films）９９，No.１〜３（１９８３）
参照〕しかしながら、かかる重合反応も、１００％完結
させることは困難であり、しかして、未反応のモノマー
が生じやすいという問題点を残していた。
として、配向構造をとりやすい有機超薄膜であるラング
ミユアー・プロジエツト（Langmur Blodgett）膜が見直
され、アントラセン誘導体（特開昭５２−３５５７９号
及び同５２−３５５８７号各公報参照）および長鎖脂肪
族カルボン酸の金属塩（特開昭５２−１１７１４６号公
報参照）などを用いた薄膜素子が提案されている。しか
しながら、これらの単分子膜は、それを構成する化合物
が低分子化合物である為、充分な力学強度を有さない。
そこで、膜の強度を向上させる為に重合可能な単分子形
成性モノマーを、単分子膜状態のまま、または累積膜と
したのち、熱，紫外線又は電子線等により重合すること
が提案されている［特開昭５６−４２２９号，同５６−
４３２２０各号公報，ジヤーナル・オブ・ポリマー・サ
イエンス・ポリマー・ケミストリー・エデイシヨン（J.
Poly. Sci.,Poly. Chem.），１７，１６３１（１９７
９），ジヤーナル・オブ・コロイド・アンド・インター
フエイス・サイエンス（J. Colloid&Int. Sci.），２５
５，５２１（１９７７）及びシン・ソリツド・フイルム
ズ（Thin Solid Films）９９，No.１〜３（１９８３）
参照〕しかしながら、かかる重合反応も、１００％完結
させることは困難であり、しかして、未反応のモノマー
が生じやすいという問題点を残していた。
本発明者らは、かかる状況に鑑みて、重合反応が１００
％進行しうる単分子膜及び累積膜を鋭意研究した結果、
次式で表わされる、ｍ−及びｐ−フエニレンジアクリル
酸の長鎖アルキルエステル が、水面上にて、高度に配向した単分子膜を形成し、固
体基板上にも配向状態を保持したまま、累積可能なこ
と、さらに該単分子膜及び累積膜が活性光線により容易
に重合しうることを見いだし、本発明を完成するに致つ
た。すなわち、本発明は、 1. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフエニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜， 2. 下記式 で表わされる化合物から主としてなる単分子膜形成性物
質を単分子層として展開し、かくして形成された展開膜
を圧縮して固体状単分子凝集膜とし、固体基板上に単分
子膜として或いはその累積膜として積層することを特徴
とする感光性超薄膜の製造方法， 3. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜からなる感光性超薄膜に活
性光線を照射して光重合反応させた後、固体基板上に積
層せしめることを特徴とする光重合累積膜の製造方法，
及び 4. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜を固体基板上に形成し、しかる後それに活性
光線を照射して重合せしめることを特徴とする光重合累
積膜の製造方法である。
％進行しうる単分子膜及び累積膜を鋭意研究した結果、
次式で表わされる、ｍ−及びｐ−フエニレンジアクリル
酸の長鎖アルキルエステル が、水面上にて、高度に配向した単分子膜を形成し、固
体基板上にも配向状態を保持したまま、累積可能なこ
と、さらに該単分子膜及び累積膜が活性光線により容易
に重合しうることを見いだし、本発明を完成するに致つ
た。すなわち、本発明は、 1. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフエニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜， 2. 下記式 で表わされる化合物から主としてなる単分子膜形成性物
質を単分子層として展開し、かくして形成された展開膜
を圧縮して固体状単分子凝集膜とし、固体基板上に単分
子膜として或いはその累積膜として積層することを特徴
とする感光性超薄膜の製造方法， 3. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜からなる感光性超薄膜に活
性光線を照射して光重合反応させた後、固体基板上に積
層せしめることを特徴とする光重合累積膜の製造方法，
及び 4. 下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜を固体基板上に形成し、しかる後それに活性
光線を照射して重合せしめることを特徴とする光重合累
積膜の製造方法である。
本発明に用いられる、ｍ−及びｐ−フエニレンビスアク
リル酸エステルは下記の公知の方法｛アール・クーン，
ヘミツシエ・ベリヒテ（R.Kuhn,Chem.Ber、），９３，３
０４８（１９６０）｝ により、合成可能である。上記フエニレンビスアクリル
酸エステルは炭素原子数７〜３０の炭化水素基を有し、
メタ位又はパラ位にアクリルエステル基を有する。これ
らはクロロホルム，トルエン，アセトン，メチルエチル
ケトン又はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に、１〜２
０mg／１００ml溶解させたのち、清浄な水面上に展開す
ることにより、単分子膜となしうる。この水面上に展開
された単分子膜は、そのまま水面上で活性光線を照射し
て重合させるか、一旦、固体基板上に累積したのち、活
性光線を照射して重合させることにより、溶媒不溶性と
することができる。水面上にて光重合させる為には、ま
ず、該単分子膜の凝縮状態を重合に適したものにするた
め、膜を圧縮する必要がある。一例として、メタフエニ
レンビスアクリル酸エステルの場合、１５〜２０℃にて
３〜１０mN/m の圧力にて圧縮した場合に、水面上での
光重合が進行する。この時照射する活性光線としては、
紫外線，可視光線，γ線，電子線などが使用できる。水
面上で光重合した本発明の単分子膜は、表面を疎水化し
た固体基板上に累積して使用される。その累積に際して
は、水面上の光重合単分子膜は１０〜４０mN/m の圧力
好ましくは２０〜３０mN/m の圧力で圧縮しながら累積
することにより、高い累積比で累積できる。
リル酸エステルは下記の公知の方法｛アール・クーン，
ヘミツシエ・ベリヒテ（R.Kuhn,Chem.Ber、），９３，３
０４８（１９６０）｝ により、合成可能である。上記フエニレンビスアクリル
酸エステルは炭素原子数７〜３０の炭化水素基を有し、
メタ位又はパラ位にアクリルエステル基を有する。これ
らはクロロホルム，トルエン，アセトン，メチルエチル
ケトン又はテトラヒドロフラン等の有機溶媒に、１〜２
０mg／１００ml溶解させたのち、清浄な水面上に展開す
ることにより、単分子膜となしうる。この水面上に展開
された単分子膜は、そのまま水面上で活性光線を照射し
て重合させるか、一旦、固体基板上に累積したのち、活
性光線を照射して重合させることにより、溶媒不溶性と
することができる。水面上にて光重合させる為には、ま
ず、該単分子膜の凝縮状態を重合に適したものにするた
め、膜を圧縮する必要がある。一例として、メタフエニ
レンビスアクリル酸エステルの場合、１５〜２０℃にて
３〜１０mN/m の圧力にて圧縮した場合に、水面上での
光重合が進行する。この時照射する活性光線としては、
紫外線，可視光線，γ線，電子線などが使用できる。水
面上で光重合した本発明の単分子膜は、表面を疎水化し
た固体基板上に累積して使用される。その累積に際して
は、水面上の光重合単分子膜は１０〜４０mN/m の圧力
好ましくは２０〜３０mN/m の圧力で圧縮しながら累積
することにより、高い累積比で累積できる。
また一旦、本発明の単分子膜を固体基板上に累積したの
ち、活性光線を照射することにより、上記単分子膜の重
合を行なうことも可能である。該累積膜の重合は、累積
膜作成時の膜圧縮力に依存して進行する。
ち、活性光線を照射することにより、上記単分子膜の重
合を行なうことも可能である。該累積膜の重合は、累積
膜作成時の膜圧縮力に依存して進行する。
本発明のフエニレンビスアクリル酸エステルの場合に
は、水面上に展開した単分子膜を、２〜４０mN/m ，好
ましくは５〜３０mN/m の圧力で圧縮しながら累積した
場合に、その累積した場合に、その累積膜の光重合が容
易に進行する。上記累積膜中での光重合反応は、一般に
は下記の如く進行するものと考えられる。
は、水面上に展開した単分子膜を、２〜４０mN/m ，好
ましくは５〜３０mN/m の圧力で圧縮しながら累積した
場合に、その累積した場合に、その累積膜の光重合が容
易に進行する。上記累積膜中での光重合反応は、一般に
は下記の如く進行するものと考えられる。
かく重合することにより、その膜の溶解性は変化し、重
合度が充分に高い場合には、該光重合膜は不溶化する。
従つて、本発明の単分子膜及び累積膜は、その分子レベ
ルでの配向構造と光重合性の特徴を活かして、超微細加
工レジスト，超微細にパターン化された絶縁膜等に応用
することが可能であり、従来知られていたレジスト材料
よりも、その微細加工度（解像度）は大幅に改善される
ものである。以下に本発明を更に詳しく説明する為に実
施例を挙げる。
合度が充分に高い場合には、該光重合膜は不溶化する。
従つて、本発明の単分子膜及び累積膜は、その分子レベ
ルでの配向構造と光重合性の特徴を活かして、超微細加
工レジスト，超微細にパターン化された絶縁膜等に応用
することが可能であり、従来知られていたレジスト材料
よりも、その微細加工度（解像度）は大幅に改善される
ものである。以下に本発明を更に詳しく説明する為に実
施例を挙げる。
実施例１ 撹拌機，温度計，還流器を備えた４つ口丸底フラスコ
（３００ml）中に、イソフタルアルデヒド６．７０ｇ
（０．０５モル），マロン酸１１．４４ｇ（０．１１モ
ル），ピペリジン４．３ｇ（０．１１モル）及びピリジ
ン１００mlを入れ、窒素雰囲気中にて７０〜８０℃で、
６時間撹拌した。反応後の混合物を１の１／１０NHCl
水中に投入し、系を中和した処、結晶が析出した。該結
晶を別，水洗後、５０℃にて真空乾燥して、次式で表
わされる、1,4−フエニレンビス（２−アクリル酸） を７．６ｇ得た。引き続き、この化合物を塩化チオニル
１００ml中に加え、触媒量のジメチルホルムアミドを共
存させて６時間加熱，還流することにより、上記カルボ
ン酸を酸クロライドに変換した。該酸クロライドは、ト
ルエンとｎ−ヘキサンの１：１（容積比）混合溶媒から
再結晶後、真空乾燥することにより精製した。かく精製
して得られた酸クロライド５．３ｇをクロロホルム１０
０mlに溶解後、３．２ｇのピリジン共存下、２５０ｇの
エイコサノール−１(C20H41OH)と還流下、８時間撹拌し
た。反応後系よりクロロホルムを蒸発により除去したの
ち、析出した固体生成物の水洗，過をくり返した。
（３００ml）中に、イソフタルアルデヒド６．７０ｇ
（０．０５モル），マロン酸１１．４４ｇ（０．１１モ
ル），ピペリジン４．３ｇ（０．１１モル）及びピリジ
ン１００mlを入れ、窒素雰囲気中にて７０〜８０℃で、
６時間撹拌した。反応後の混合物を１の１／１０NHCl
水中に投入し、系を中和した処、結晶が析出した。該結
晶を別，水洗後、５０℃にて真空乾燥して、次式で表
わされる、1,4−フエニレンビス（２−アクリル酸） を７．６ｇ得た。引き続き、この化合物を塩化チオニル
１００ml中に加え、触媒量のジメチルホルムアミドを共
存させて６時間加熱，還流することにより、上記カルボ
ン酸を酸クロライドに変換した。該酸クロライドは、ト
ルエンとｎ−ヘキサンの１：１（容積比）混合溶媒から
再結晶後、真空乾燥することにより精製した。かく精製
して得られた酸クロライド５．３ｇをクロロホルム１０
０mlに溶解後、３．２ｇのピリジン共存下、２５０ｇの
エイコサノール−１(C20H41OH)と還流下、８時間撹拌し
た。反応後系よりクロロホルムを蒸発により除去したの
ち、析出した固体生成物の水洗，過をくり返した。
上記の後処理により、得れらて粗反応生成物をエタノー
ルから３回再結晶した。かくして得られた結晶のＩＲス
ペクトル，ＮＭＲスペクトル及び元素分析より、このも
のは、ｍ−フエニレンビス（エイコシル−２−アクリレ
ート）〔以下、ｍ−ＰＢＥＡと略す〕： と同定できた。次に、このものの単分子膜を作成するた
めに、ｍ−ＰＢＥＡ１０mgを２５ml２回蒸留クロロホル
ムに溶解したのち、５６２cm2の水相表面積を有するLan
gmuir型の表面圧一面積曲線測定用水槽上にウルトラマ
イクロピペツトを用いて、上記溶液１００μｌを２０μ
ｌずつ、徐々に滴下した。滴下終了後、水面展開膜を５
分間静置してから、仕切板の移動を開始し、該膜の表面
圧−面積曲線（以下、π−Ａ曲線と略す）を測定した。
その結果、水面上に展開したｍ−ＰＢＥＡは、２５〜５
５mN ／ｍの表面圧力下１７℃に於て、凝縮膜を与え、その分
子極限占有面積は３８．０Å2であつた。
ルから３回再結晶した。かくして得られた結晶のＩＲス
ペクトル，ＮＭＲスペクトル及び元素分析より、このも
のは、ｍ−フエニレンビス（エイコシル−２−アクリレ
ート）〔以下、ｍ−ＰＢＥＡと略す〕： と同定できた。次に、このものの単分子膜を作成するた
めに、ｍ−ＰＢＥＡ１０mgを２５ml２回蒸留クロロホル
ムに溶解したのち、５６２cm2の水相表面積を有するLan
gmuir型の表面圧一面積曲線測定用水槽上にウルトラマ
イクロピペツトを用いて、上記溶液１００μｌを２０μ
ｌずつ、徐々に滴下した。滴下終了後、水面展開膜を５
分間静置してから、仕切板の移動を開始し、該膜の表面
圧−面積曲線（以下、π−Ａ曲線と略す）を測定した。
その結果、水面上に展開したｍ−ＰＢＥＡは、２５〜５
５mN ／ｍの表面圧力下１７℃に於て、凝縮膜を与え、その分
子極限占有面積は３８．０Å2であつた。
実施例２ 実施例１で得た、水面上のｍ−ＰＢＥＡ単分子膜を、表
面圧５mN／ｍに保ちながら、１０Ｗの低圧水銀灯２本を
水面上５cmの位置から８分間照射した。光照射を開始し
て、２分後に、水面上の単分子膜は膨張し始め、６分後
に膜の膨張は、初期膜面積の１．８倍に及んだ。その時
点で光照射を停止し、かく光照射した膜を、再び３０mN
／ｍで圧縮しながら、表面疎水処理したフツ化カルシウ
ム板を水面に垂直に浸漬及び引上げる（以後、ＬＢ法と
略す）操作を３０回くり返し、累積膜を得た。このもの
の、ＦＴ−ＩＲスペクトルを測定した結果、νＣ＝Ｃ
（１６３５cm-1）は大幅に消滅し、νＣ＝０（１７０５
cm-1）は１７２５〜１７３０cm-1にシフトしており、ｍ
−ＰＢＥＡの光重合を示唆した。
面圧５mN／ｍに保ちながら、１０Ｗの低圧水銀灯２本を
水面上５cmの位置から８分間照射した。光照射を開始し
て、２分後に、水面上の単分子膜は膨張し始め、６分後
に膜の膨張は、初期膜面積の１．８倍に及んだ。その時
点で光照射を停止し、かく光照射した膜を、再び３０mN
／ｍで圧縮しながら、表面疎水処理したフツ化カルシウ
ム板を水面に垂直に浸漬及び引上げる（以後、ＬＢ法と
略す）操作を３０回くり返し、累積膜を得た。このもの
の、ＦＴ−ＩＲスペクトルを測定した結果、νＣ＝Ｃ
（１６３５cm-1）は大幅に消滅し、νＣ＝０（１７０５
cm-1）は１７２５〜１７３０cm-1にシフトしており、ｍ
−ＰＢＥＡの光重合を示唆した。
実施例３ 実施例１で得た、ｍ−ＰＢＥＡの水面展開膜を３０mN／
ｍに圧縮しながら、予め表面疎水処理したフツ化カルシ
ウム板上に３０層ＬＢ法により累積した。その平均累積
比は０．９４であつた。かくして得られた累積膜に、２
０Ｗ低圧水銀灯を照射して一定時間毎に、ＩＲスペクト
ルに於るνＣ＝Ｃの吸収強度変化を追跡した処、光照射
１分後及び５分後には、νＣ＝Ｃの吸収強度は初期値の
角々３２％，及び１０％にまで低下し、６０分後にはほ
ゞ完全に消滅した。νＣ＝０は、νＣ＝Ｃの減少に伴な
い、１７０５cm-1から１７２５〜１７３０cm-1へ長波数
シフトした。
ｍに圧縮しながら、予め表面疎水処理したフツ化カルシ
ウム板上に３０層ＬＢ法により累積した。その平均累積
比は０．９４であつた。かくして得られた累積膜に、２
０Ｗ低圧水銀灯を照射して一定時間毎に、ＩＲスペクト
ルに於るνＣ＝Ｃの吸収強度変化を追跡した処、光照射
１分後及び５分後には、νＣ＝Ｃの吸収強度は初期値の
角々３２％，及び１０％にまで低下し、６０分後にはほ
ゞ完全に消滅した。νＣ＝０は、νＣ＝Ｃの減少に伴な
い、１７０５cm-1から１７２５〜１７３０cm-1へ長波数
シフトした。
以上の結果より、固体基板上に累積したｍ−ＰＢＥＡ単
分子累積膜は、光重合したことが示唆された。
分子累積膜は、光重合したことが示唆された。
実施例４ 実施例１のｍ−ＰＢＥＡの合成に於て、イソフタルアル
デヒドの代りに、テレフタルアルデヒドを用い、同様の
反応経路により、パラ−フエニレンビス（エイコシル−
２−アクリル酸）〔Ｐ−ＰＢＥＡと略す〕を得た。この
ものを１０mg、２回蒸留クロロホルム２５mlに溶解し
て、実施例１と同様にして、水面上に単分子膜を形成さ
せた処、このものは、３５〜６mN/mに於て、凝縮膜を形
成し、その分子極限占有面積は５５Å2であつた。
デヒドの代りに、テレフタルアルデヒドを用い、同様の
反応経路により、パラ−フエニレンビス（エイコシル−
２−アクリル酸）〔Ｐ−ＰＢＥＡと略す〕を得た。この
ものを１０mg、２回蒸留クロロホルム２５mlに溶解し
て、実施例１と同様にして、水面上に単分子膜を形成さ
せた処、このものは、３５〜６mN/mに於て、凝縮膜を形
成し、その分子極限占有面積は５５Å2であつた。
実施例５ 実施例４で得られたＰ−ＰＢＥＡの水面展開膜に、５mN
／ｍの一定圧力をかけたまま、実施例２と同様に光照射
した処、光照射時間と共に膜の膨張が起り、６分後には
膜面積は初期値の１．８５倍に及んだ。この時点で光照
射を停止し、該膜を３０mN／ｍに圧縮しながら、ＬＢ法
により、CaF2上に累積膜を得た（３０層累積）。このも
のの、ＦＴ−ＩＲスペクトルを測定した結果、νＣ＝Ｃ
（１６３７cm-1）の吸収強度は大幅に減少し、νＣ＝０
（１７１０cm-1）が１７３０〜１７３５cm-1にシフトし
た。以上の結果より、水面上に展開したＰ−ＰＢＥＡの
単分子膜は、光照射により重合することが示唆された。
／ｍの一定圧力をかけたまま、実施例２と同様に光照射
した処、光照射時間と共に膜の膨張が起り、６分後には
膜面積は初期値の１．８５倍に及んだ。この時点で光照
射を停止し、該膜を３０mN／ｍに圧縮しながら、ＬＢ法
により、CaF2上に累積膜を得た（３０層累積）。このも
のの、ＦＴ−ＩＲスペクトルを測定した結果、νＣ＝Ｃ
（１６３７cm-1）の吸収強度は大幅に減少し、νＣ＝０
（１７１０cm-1）が１７３０〜１７３５cm-1にシフトし
た。以上の結果より、水面上に展開したＰ−ＰＢＥＡの
単分子膜は、光照射により重合することが示唆された。
実施例６ 実施例４で得た、Ｐ−ＰＥＢＡの水面展開膜を３０mN／
ｍの圧力下にて圧縮しながら、表面疎水処理を施したCa
F2板上に３０層累積した。（平均累積比：０．８３） この累積膜を、実施例３と同様に光照射しＩＲスペクト
ルを測定した処、νＣ＝Ｃ（１６３７cm-1）の吸収強度
は１分間及び５分間光照射後に、各々初期値の４４％，
及び１６％にまで減少した。また、νＣ＝Ｃの吸収強度
の減少に伴ない、νＣ＝０（１７１０cm-1）が１７３５
cm-1へシフトした。以上の結果より、Ｐ−ＰＢＥＡの単
分子累積膜は、光照射により、重合することが示唆され
た。
ｍの圧力下にて圧縮しながら、表面疎水処理を施したCa
F2板上に３０層累積した。（平均累積比：０．８３） この累積膜を、実施例３と同様に光照射しＩＲスペクト
ルを測定した処、νＣ＝Ｃ（１６３７cm-1）の吸収強度
は１分間及び５分間光照射後に、各々初期値の４４％，
及び１６％にまで減少した。また、νＣ＝Ｃの吸収強度
の減少に伴ない、νＣ＝０（１７１０cm-1）が１７３５
cm-1へシフトした。以上の結果より、Ｐ−ＰＢＥＡの単
分子累積膜は、光照射により、重合することが示唆され
た。
比較例１ ｍ−ＰＢＥＡ累積膜を水面展開膜からＬＢ法で形成する
代りに、同一のCaF2板上にスピンコート法により、ｍ−
ＰＢＥＡフイルムを形成する以外は実施例３と同様にし
て、積層を作成し光照射した処、νＣ＝Ｃの吸収強度
は、光照射１分及び５分後には、各々、初期値の８０
％，及び５０％残存しており、累積膜中よりも反応が極
めて遅いことが明らかになつた。
代りに、同一のCaF2板上にスピンコート法により、ｍ−
ＰＢＥＡフイルムを形成する以外は実施例３と同様にし
て、積層を作成し光照射した処、νＣ＝Ｃの吸収強度
は、光照射１分及び５分後には、各々、初期値の８０
％，及び５０％残存しており、累積膜中よりも反応が極
めて遅いことが明らかになつた。
比較例２ 実施例６に於けるＰ−ＰＢＥＡ累積膜の代りに、同一の
CaF2板上にスピンコート法により、Ｐ−ＰＢＥＡフイル
ムを形成し、以下、実施例６と同様にして、光照射した
処、νＣ＝Ｃの吸収強度は、光照射１分及び５分後に
は、各々初期値の８６％，及び７３％残存しており、累
積膜中よりも反応が極めて遅いことが明らかになつた。
CaF2板上にスピンコート法により、Ｐ−ＰＢＥＡフイル
ムを形成し、以下、実施例６と同様にして、光照射した
処、νＣ＝Ｃの吸収強度は、光照射１分及び５分後に
は、各々初期値の８６％，及び７３％残存しており、累
積膜中よりも反応が極めて遅いことが明らかになつた。
Claims (4)
- 【請求項１】下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜。 - 【請求項２】下記式 で表わされる化合物から主としてなる単分子膜形成性物
質を、単分子層として展開し、かくして形成された展開
膜を圧縮して固体状単分子凝集膜とし、固体基板上に単
分子膜として或いはその累積膜として積層することを特
徴とする感光性超薄膜の製造方法。 - 【請求項３】下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜からなる感光性超薄膜に活
性光線を照射して光重合反応させた後、固体基板上に積
層せしめることを特徴とする光重合累積膜の製造方法。 - 【請求項４】下記式 で表わされる化合物から主としてなるフェニレンビスア
クリル酸エステル系単分子膜又はその累積膜からなる感
光性超薄膜を固体基板上に形成し、しかる後それに活性
光線を照射して重合せしめることを特徴とする光重合累
積膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8878585A JPH0649783B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 感光性超薄膜，その製造方法及びそれを利用した光重合累積膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8878585A JPH0649783B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 感光性超薄膜，その製造方法及びそれを利用した光重合累積膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247739A JPS61247739A (ja) | 1986-11-05 |
| JPH0649783B2 true JPH0649783B2 (ja) | 1994-06-29 |
Family
ID=13952499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8878585A Expired - Lifetime JPH0649783B2 (ja) | 1985-04-26 | 1985-04-26 | 感光性超薄膜，その製造方法及びそれを利用した光重合累積膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0649783B2 (ja) |
-
1985
- 1985-04-26 JP JP8878585A patent/JPH0649783B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61247739A (ja) | 1986-11-05 |
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