JPH06501570A - 自己整列ｖ形溝および導波体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 自己整列Ｖ形溝および導波体 本発明は、シリコン基板上の自己整列Ｖ形溝および平坦な導波体の形成方法に関 する。

平坦なシリコン導波体は、シリコン基板上に形成された３つの酸化物層（バッフ ァ層、コア層および被覆）を具備する。

典型的に、バッファ層は６乃至１０μｍの厚さであり、蒸気中で熱成長され、プ ラズマで強化された化学的付着（ＰＥＣＶＤ）を使用して付着される。この場合 、コア層は２μｍ（７）厚さのケイ酸砒素ガラス（ＡｓＧ）、あるいはゲルマニ ウムあるいは燐でドープされた３乃至６μｍのフレーム加水分解層（ＦＨＤ）の ような高い屈折率のドープされたフィルムである。コア層がエツチングされ、表 面の粗さを除去するために再溶融／焼鈍ステップを受けた後に付着される被覆は 、通常４乃至１０μｍの厚さのＰＥＣＶＤ酸化物フィルムである。

Ｖ形溝は、エチレンジアミンピロカテコールおよび水（ＥＤＰ）あるいは別の異 方性エツチング液にウェーハ（適当にマスクされた）を位置することによってシ リコンウェーハにおいて形成される。シリコンのエツチング速度は方向依存性で あり、最も遅いエツチング結晶面はＶ形溝の側面および端部壁を形成する。溝の 寸法は、対応しているマスク窓、結晶軸とそれらの整列の正確さ、マスクの縁部 の侵食率および結晶面の相対的なエツチング速度によって制御される。典型的に 、Ｖ形溝の完成された幅は０．５乃至１μｍ以内に制御され、このような制御は 窒化珪素マスクおよびエツチング液としてＥＤＰを使用して達成される。

並列する平坦な導波体の１次元のアレイは、別の光学部品（並列する光ファイバ あるいは並列する平坦な導波体の別のアレイ）の１次元のアレイとの正確な整列 を必要とする。整列は、Ｖ形溝の対によって構成された整列手段が両方のアレイ を設けられることによって通常達成される。複数の要因がＶ形溝および平坦な導 波体の整列の正確さに影響する。特に、Ｖ形溝は、溝のあるウェーハ上のパター ンを露出するのが難しいため、処理過程の終り近くにエツチングされなければな らない。残念ながら、Ｖ形溝エツチング液が二酸化珪素を侵蝕する程度が変化す るので、Ｖ形溝の遅れたエツチングは露出された導波体コアを粗面にし、それら の導波体特性に悪影響を与える。これらの相いれない要因は、Ｖ形溝が既知の導 波体形成工程の付属物として容易に形成されないことを示す。

本発明は、シリコン基板上の少なくとも１つの平坦な導波体と整列して少なくと も１つのＶ形溝で形成する方法を提供し、その方法は各導波体に対する各コアお よび各Ｖ形溝に対する多窓を同時に形成し、保護層で各コアを被覆し、多窓を通 ってＶ形溝を形成するステップを具備する。

本発明はまた、平坦な導波体のアレイと整列して１対のＶ形溝を形成する方法を さらに提供し、その方法は導波体に対するコアおよびＶ形溝に対する窓を同時に 形成し、保護層でコアを被覆し、窓を通ってＶ形溝を形成するステップを具備し 、■形溝が導波体のアレイの各側面上に１つを形成するように行われる。

各導波体コアおよび多窓はエツチング処理によって形成されることか都合が良い 。その方法が各導波体コアおよび多窓を形成するステップの前にシリコン基板上 にバッファ酸化物層を形成するステップをさらに具備することが好ましく、それ における各導波体コアはバッファ酸化物層上に形成される。

通常、バッファ酸化物層はシリコン基板における凹部に形成され、被覆酸化物層 か保１層を構成する。

各Ｖ形溝が多窓を通ってエツチングによって形成され、各導波体コアがドープさ れた酸化物の層から形成されることが好ましい。

好ましい実施例において、シリコン基板上にパッド酸化物層を形成し、そのパッ ド酸化物層上に窒化珪素層を形成するステップをさらに具備し、窒化珪素層はシ リコン基板中の凹部か続いて形成されるマスクを形成している。パッド酸化物層 かＴｏｏ人の厚さまで熱成長され、窒化珪素層が３００ＯＡの厚さにＬＰＧＶＤ によって付着されると都合が良い。通常、凹部はＨＯＨ，ＥＤＰあるいはＨＦ、 ＨＮＯ３およびＣＨ３ＣＯ０Ｈのような任意のシリコンエツチング液を使用して エツチングすることによって形成される。異方性エツチング液か窒化物をアンダ ーカットするのを防ぐために使用されることが１効である。

別の好まし１）実施例において、シリコン基板上にパッド酸化物層を形成し、パ ッド酸化物層上に窒化珪素層を形成し、窒化珪素層上にさらに別の酸化物層を形 成するステップを具備し、この別の酸化物層は基体中の四部が続いて形成される までＬＰＧＶＤによって付着され、さらに酸化物層か２００ＯＡの厚さまでＰＥ ＣＶＤによって形成されることが好ましい。凹部は、酸化物および窒化物層をエ ツチングするためにＣ２Ｆ６とＣＨＦ３の混合物を使用して、またシリコン基板 をエツチングするためにＣ１２あるいはＣＣｌ４の混合物を使用するドライエツ チング工程によって垂直側壁を形成されることが好ましい。この場合、凹部の垂 直側壁上に窒化物スペーサを形成するステップをさらに具備し、窒化物スペーサ はＣＨＦ３および酸素のような異方性エツチング液を使用する窒化物フィルムの 異方性ドライエツチングによって後続されるＬＰＧＶＤを使用する窒化珪素の共 形の付着によって形成される。

これらの好ましい実施例において、バッファ酸化物は凹部に熱成長される。第１ の好ましい実施例において、バッファ酸化物はドープされた酸化物が付着された 後に平面化ステップを受けることができる。この場合、ドープされた酸化物層は 各Ｖ形溝が形成される領域において除去される。ウェットｉ釈ＨＦエツチング処 理は、前記領域それぞれにおいてドープされた酸化物層を除去するために使用さ れることが好ましい。

別の実施例において、バッファ酸化物は基板の全表面にわたって形成され、それ に続いて凹部の主要部分を占める領域内を除いて全て除去される。この場合、バ ッファ酸化物は熱成長され、バッファ酸化物はバッファ酸化物の上部に付着され たフォトレジストマスクを通ってエツチング液として稀釈ＨＦを使用してエツチ ングすることによって除去される。

さらに実施例におけるバッファ酸化物は、シリコン基板の多孔性陽極酸化によっ て形成される。多孔性陽極酸化処理は次のステップを具備することか好ましい。

（ｉ）　ｎ型シリコン基板上に窒化珪素を付着し、（１１）　窒化珪素層に窓を 形成し、 （ｉｉｉ　）　ｐ　シリコン領域を形成するために窓を通って高濃度のホウ素を 拡散し、 （ｉｖ）　ＨＦにおける陽極酸化によって多孔性シリコンにｐ　シリコン領域を 変換し、 （Ｖ）　基板が、多孔性シリコンが実質的に容積の変化をしない十分に高密度の 酸化物に変換される熱酸化ステップを受ける。

本発明は、添付図面を参照にして実施例によって詳細に説明する。

図１は、本発明による自己整列Ｖ形溝および平坦な導波体を形成する様式化され た工程における様々な段階を示す。

図２は、本発明による自己整列Ｖ形溝および平坦な導波体を形成する実際的な工 程の予備段階を示す。

図３および４は、図２の残りの段階を示す。

図５，６および７は、上記参照した予備段階を実行する３つの別の方法を示す。

図面を参照すると、図１ａは自己整列Ｖ形溝および平坦な導波体を形成する様式 化された工程における最初の段階を示す。示された構造はシリコンウェーハ１の 凹部領域１ａに形成されたバッファ酸化物２およびコア（ドープされた）酸化フ ィルム４で被覆される。全特徴のパターン（すなわち、導波体およびＶ形溝）は 限定され、導波体コア５はプラズマエツチングされる。さらにこのエツチングス テップは窒化珪素フィルム４におけるＶ形溝の窓６を開き、シリコン表面（図１ ｂ参照）で止める。

導波体コア５の任意の表面の粗さは、８７５℃の過度の温度の再溶融／焼鈍ステ ップによって除去される。被覆（ドープされない）酸化物層７はＰＥＣＶＤを使 用して付着される。

被覆酸化物は、窓６（図１０参照）の領域における窒化マスク４から選択的に除 去される（７ａ）。最後に、Ｖ形溝８は窓６（図１ｄ参照）を通りエツチングに よって形成される。

上記略述した工程は、導波体あるいはＶ形溝のどちらか一方をそれぞれ含んでい る分離した領域中に基板を分割することによって基板上のＶ形溝および平坦な導 波体の自己整列を可能にする。基板は、導波体コア５の表面がＶ形溝窓６を限定 する薄いマスク層４と実質上共面であるように処理される。

図２乃至４は、自己整列Ｖ形溝および平坦な導波体を形成する実際的な処理工程 の様々な段階を示す。この処理工程はシリコンの局部的な酸化（ＬＯＧＯ３）の 良く知られている技術を利用し、二酸化珪素はシリコン基板の選択された領域で のみ熱成長され、基板の他の部分は保護される。厚い酸化物フィルムが要求され る時、シリコンは酸化中に生じる太きな容積膨張を克服するために酸化の前に通 常凹部を設けられる。

図２は、凹部を設けたＬＯＣＯ５を利用している基板処理段階を示す。熱成長さ れた７００Ａの厚さのパッド酸化物層１２がシリコン基板ｌｌ上に形成される。

窒化珪素層１３は低圧の化学的付着（ＬＰＧＶＤ）によってパッド酸化物層１２ の上部に形成される。窒化物層１３は基板１１の非酸化領域を保護するために使 用され、さらに基板における凹部１１ａをエツチングするマスクとして作用する 。このエツチングステップは、窒化物層１３のアンダーカットを防ぐようにＥＤ ＰあるいはＫＯＨのような異方性エツチング液を使用する。代りに、ＨＦ。

ＨＮＯおよびＣＨ３ＣＯ０Ｈの混合物のような等方性のエツチング液か使用され ることができる。この場合における窒化物のオーバーハングか存在すれば、例え ば超音波で除去されなければならない。この処理段階は図２ａに示されている。

バッファ酸化物の所望な厚さを得るため、窒化物層１３は比較的薄＜　（３００ ０Ａ）なければならず、パッド酸化物１２は窒化物層における応力を軽減するの に最も重要である。

バッファ酸化物の６μｍの層１４は、１０００℃の蒸気中で１３０時間基板を加 熱することによって四部１１ａ中に熱成長される。層１４は側壁の酸化物および 局部的応力によって影響され、バードヘッド１４ａとして知られている結果的な 形状が限定される（図２ｂ蓼照）。また酸化物処理工程は、窒化物層１３の上部 に酸化した窒化物層１５を形成する。また窒化珪素はシリコンよりもさらにゆっ くりであるが酸化し、この工程は約１０００Ａまで層１３の厚さを減少する。バ ードヘッド１４ａは、ヘッド（図２ｃ参照）の周囲にフォトレジストマスク１６ を形成し、プラズマエツチングあるいは他の異方性エツチング液を使用して窒化 物層１３の外部およびバッファ酸化物１４の部分をエツチングすることを含む平 面化工程によって除去される。フォトレジストマスク１６は、ＨＮＯ３のような フォトレジストストリッパを使用して除去される。図２ｄは工程のこの段階の基 板を示し、この段階は図１ａに示された段階と等しい。

コア（ドープされた）酸化物層１７は、大気圧ＣＶＤおよび１０％までの砒素を 含んでいる二酸化珪素を使用して付着される。プロセスのこの段階は図３ａに示 されている。ドープされた酸化物層１７はＶ形溝が形成される領域ではウェット 稀釈されたＨＦエツチングによって除去される。さらに、このエツチングステッ プは酸化した窒化珪素層１５（図３参照）を除去する。全特徴のパターン（すな わち、導波体コアおよびＶ形溝）は、フォトレジスト１８を使用してパターン化 され、導波体コア１９はＨＧＦ３とＣ２Ｆ　６の混合物を使用してドライエツチ ングされる。このエツチングステップは、Ｖ形溝（図３Ｃづ照）のための窓２０ をさらに開ける。プロセスのこの段階は、図１ｂに示された段階と等しい。フォ トレジスト１８のストリップ後、導波体コア１９は２０分間９５０℃で酸素中で 加熱することによって再溶融され、焼鈍される。酸化物の４μｍの被覆層２１は ＰＥＣＶＤ　（図３のｄ参照）を使用して付着される。これは、導波体コア１９ の構造を完成する。

被覆層２１は粗くパターン化され、稀釈されたＨＦエツチング液はＶ形溝窓２０ の領域におけるこの層のこれらの部分を除去するために使用される。プロセスの この段階は図ＩＣに示された段階に等しく、図４に示されている。最後に、Ｖ形 溝２２は窓２０を通ってエツチング（ＦＤＰのような異方性エツチング液を使用 する）によって形成される。

図３および４を参照して上記に説明された工程の変化において、バードヘッドは バッファ酸化物が成長される凹部の側壁の酸化を防ぐことによって除去されるこ とができる。図５は変化したプロセスの最初の段階を示し、これらの段階は図２ に示された段階に等しい。熱成長された７００Ａの厚さのパッド酸化物層３２は シリコン基板３１上に形成される。１００はＰＥＣＶＤによって形成され、垂直 壁を有する凹部３１ａはドライエツチング工程によって形成される。この工程は 酸化物および窒化物層３２．３３および３４をエツチングするためにＣＨＦ３を 使用し、シリコン基板３１をエツチングするために０１２を使用する。プロセス のこの段階は図５ａに示されている。酸化物層３４は、側壁スペーサエツチング ステップ中に窒化物層３３か薄くなるのを防ぐ。

窒化珪素スペーサ３５は、四部３１ａの垂直側壁上に形成される。スペーサ３５ はＬＰＧＶＤを使用する窒化物のフィルム３５ａの共形の付着によって形成され 、ＣＨＦ３および酸素のような異方性エツチング液を使用する窒化物フィルムの ドライエツチングバックによって後続される。プロセスのこの段階は図５ｂに示 されている。バッファ酸化物３６の６μｍの厚さの層は１０００℃の蒸気中で１ ３０時間基板を加熱することによって凹部３１ａにおいて熱成長される。プロセ スのこの段階は図５Ｃに示されている。次の処理は、図３および４を参照して上 記に説明されたステップが後続する。

図６は、図２あるいは図５のＬＯＧＯ５工程までの別の処理を示す。この別の処 理は凹部の全体的な酸化を示す。まず、凹部４１ａは基板４１においてエツチン グされ、凹部は図２の実施例の凹部１１ａと同じ方法で形成される。それから凹 部４１ａがエツチングされるマスク（窒化物）４２は正燐酸を使用して剥がされ る（図６ａ参照）。バッファ酸化物層４３は基板４１の全表面にわたるＰＥＣＶ Ｄによって付着される。代りに、酸化物層４３は熱成長される。酸化物層４３は 、それからフォトレジスト層４４（図６ｂ参照）を使用して粗くパターン化され る。

酸化物層４３はパターン化されていない領域でエツチング液として稀釈されたＨ Ｆを使用して除去され、それによって次の導波体コア構造のためのバッファ酸化 物の島４３ａを残す。機部４５は凹部４１ａ内の島４３ａを囲み、機部は整列エ ラーのために形成される。代りに、狭いリッジは平面化およびエツチングバック 工程によって除去される前に四部４１ａを囲んで残される。この場合、バッファ 酸化物４３ａは凹部４１ａを完全に満たし、機部４５は存在しない。

窒化物の１０００人の厚い層４７は、ＬＰＣＶＤによって全表面にわたって付着 される。フォトレジストマスク４７（Ｖ形溝の粗い整列のための）は、窒化物層 ４６（図６ｄづ照）上に形成される。エツチング液としてＣＨＦ３および酸素を 使用する次のエツチングステップは、Ｖ形溝が最後に形成される（図３ｄ参照） マスクを限定するために実行される。次の処理は、図３および４を参照して上記 に説明されたステ・ツブが後続する。

図７は、図２あるいは図５のＬＯＧＯ３工程までのさらに別の処理を示す。この 処理は、シリコンの多孔性陽極酸化に基つく。すなわち、シリコン基板がＨＦ電 解質を含んでいる電気化学セルにおいて陽極にバイアスされると、シリコンは多 孔性マトリックスに変換され、マトリ・ソクスの多孔性は基板を通って流れる電 流およびそのドーピングレベルに関連し、ｐ＋シリコンは優先的に陽極酸化され る。多孔性マド１ルツクスを通る酸素の次の迅速な拡散は、厚い酸素フィルムの 迅速の厚い窒化珪素フィルム５２はｎ型のシリコンウェーハ５１上にＬＰＣＶＤ によって付着される。それからエツチング液として正燐酸を使用して酸素が要求 される部分の窓５３か開かれる。

ホウ素の高い濃度は、ｐ　シリコン領域５４（図７ａ参照）を形成するために窓 ５３を通って拡散される。この領域５４は多孔性に陽極酸化され、続いて短い熱 酸化ステ・ノブ中に十分な化学墓論的酸化物５５に変換される。図７ｂはプロセ スのこの段階のシリコンウェーハ５１を示し、次の処理ステップは図３および４ を参照して上記に説明されている。

図面を参照して上記に説明された任意の基本的な処理は変化あるいは拡張される ということは明らかとなるであろう。

基本的な導波体処理への複数の可能な拡張の２つは特に重要である。すなわち、 レーザのような付加成分のスロットの供給およびドープされた酸化物導波体コア の下の（酸化）窒化珪素の第２の導波体層の付加である。

スロットが部品挿入のため基板中にカットされる場合、マスクパターンはＶ形溝 形成の前に定められなければならないが、スロットはその後にエツチングされる 。これは、導波体コアあるいはＶ形溝エツチングステップ中にエツチングしない マスク層を要求する。ポリシリコンおよび窒化物より構成されている２重層マス クは適切であり、または適当な金属が使用される。

酸化物および窒化物の分離した導波体フィルムを含んでいる基板のための多くの 使用法が存在する。さらに窒化珪素は、レンズ、回折格子あるいは別のホログラ ムのような特にフーリエ素子のためのストリップ負荷として示唆されている。ド ープされた酸化物の下の薄い窒化物層はこれらの機能の片方あるいは両方を行い 、この窒化物はＶ形溝マスクとしても作用する。これは適用によって変化するの で、臨界的な整列に注意しなければならない。ストリップ負荷された導波体が使 用される時、臨界的な整列はストリップ負荷層（すなわち、窒化物であり酸化物 ではない）と溝の間にある。２つの導波体層が使用される時、ファイバに使用さ れたＶ形溝は酸化物導波体ストリップに整列すべきであり、ドロップイン型レー ザのようなその他の場合には窒化物導波体ストリップに整列すべきである。

ドープされた酸化物層に対する上記参照文献は、これらの層の屈折率を増加する ドーパントに関連することに注意すべきである。ドープされない酸化物層が、バ ッファおよび被覆層がそれらの屈折率を減らすようにドープされる場合に導波体 コア構造に使用されることができるということは明らかであろう。さらに、コア 層は窒化珪素、二酸化チタンあるいは二酸化ゲルマニウムのような任意の別の適 当な材料から形成されることができる。

ＦＨＤのような非常に高温の処理ステップを要求する導波体コアを使用する時、 コア層を付着する前に保護窒化物層を除去することが適当である。この場合、置 換窒化物層は付着されなければならず、特徴の臨界的なパターン化の前に導波体 領域から切り離される。

ｈ々、７ｃ　被覆付加、窓開口 による基体処理 １７′、・ Ｆｉｇ、　５ｂ　一致した窒化物中のスペーサエツチング凹部上の全体的酸化に よる基体処理 補正書の翻訳文提出書（特許法第１８４条の８）平成５年４月９日

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. １．各導波体に対する各コアを、および各Ｖ形溝に対する各窓を同時に形成し、 保護層で各コアを被覆し、各窓を通って各Ｖ形溝を形成するステップを具備する ことを特徴とするシリコン基板上の少なくとも１つの平坦な導波体と整列して少 なくとも１つのＶ形溝を形成する方法。
2. ２．導波体に対するコアを、およびＶ形溝に対する窓を同時に形成し、保護層で コアを被覆し、窓を通ってＶ形溝を形成するステップを具備し、Ｖ形溝が導波体 のアレイの各側面上に１つ形成されるように行われる平坦な導波体のアレイと整 列して１対のＶ形溝を形成する方法。
3. ３．各導波体コアおよび各窓がエッチング処理によって形成される請求項１また は２記載の方法。
4. ４．各導波体コアおよび各窓を形成するステップの前にシリコン基板上にバッフ ァ酸化物層を形成するステップをさらに具備し、各導波体コアがバッファ酸化物 層上に形成される請求項１乃至３のいずれか１項記載の方法。
5. ５．バッファ酸化物層がシリコン基板における凹部に形成される請求項４記載の 方法。
6. ６．被覆酸化物層が保護層を構成する請求項１乃至５のいずれか１項記載の方法 。
7. ７．各Ｖ形溝が各窓を通ってエッチングすることによって形成される請求項１乃 至６のいずれか１項記載の方法。
8. ８．各導波体コアがドープされた酸化物の層から形成される請求項１乃至７のい ずれか１項記載の方法。
9. ９．シリコン基板上にパッド酸化物層を形成し、パッド酸化物層上に窒化珪素層 を形成するステップをさらに具備し、窒化珪素層がシリコン基板中の凹部が続い て形成されるマスクを形成している請求項５あるいは請求項５に従属する請求項 ６乃至８のいずれか１項記載の方法。
10. １０．パッド酸化物層が７００Åの厚さまで熱成長され、窒化珪素層が３０００ Åの厚さにＬＰＣＶＤによって付着される請求項９記載の方法。
11. １１．凹部がウエットエッチング処理によって形成される請求項９あるいは１０ 記載の方法。
12. １２．シリコン基板上にパッド酸化物層を形成し、パッド酸化物層上に窒化珪素 層を形成し、窒化珪素層上に別の酸化物層をさらに形成するステップをさらに具 備し、この別の酸化物層がシリコン基体中に凹部が続いて形成されるマスクを形 成している請求項５あるいは請求項５に従属する請求項６乃至８のいずれか１項 記載の方法。
13. １３．パッド酸化物層が７００Åの厚さまで熱成長され、窒化珪素層が１０００ Åの厚さまでＬＰＣＶＤによって付着され、さらに別の酸化物層が２０００Åの 厚さまでＰＥＣＶＤによって形成される請求項１２記載の方法。
14. １４．凹部がドライエッチング工程によって垂直側壁を有して形成される請求項 １２あるいは１３記載の方法。
15. １５．凹部の垂直側壁に窒化物スペーサを形成するステップをさらに具備し、窒 化物スペーサが窒化物フィルムの異方性ドライエッチングによって後続されるＬ ＰＣＶＤを使用する窒化珪素の共形の付着によって形成される請求項１４記載の 方法。
16. １６．バッファ酸化物が凹部において熱成長される請求項９乃至１５のいずれか １項記載の方法。
17. １７．バッファ酸化物が平面化ステップを受ける請求項９乃至１１のいずれか１ 項に従属する請求項１６記載の方法。
18. １８．ドープされた酸化物の層が平面ステップの後に付着される請求項８に付随 する請求項１７記載の方法。
19. １９．ドープされた酸化物層が、各Ｖ形溝が形成される領域で除去される請求項 １８記載の方法。
20. ２０．ウエット稀釈ＨＦエッチング工程が前記領域それぞれのドープされた酸化 物層を除去するために使用される請求項１９記載の方法。
21. ２１．バッファ酸化物が基板の全表面にわたって形成され、続いて凹部の主要部 分を占める領域内を除いて全て除去される請求項９乃至１１のいずれか１項記載 の方法。
22. ２２．バッファ酸化物が熱成長される請求項２１記載の方法。
23. ２３．バッファ酸化物がバッファ酸化物の上部に付着されたフォトレジストマス クを通ってエッチングすることによって除去される請求項２１あるいは２２記載 の方法。
24. ２４．バッファ酸化物がシリコン基板の多孔性陽極酸化によって形成される請求 項４記載の方法。
25. ２５．多孔性陽極酸化処理が、 （ｉ）ｎ型シリコン基板上に窒化珪素を付着し、（ｉｉ）窒化珪素層に窓を形成 し、 （ｉｉｉ）ｐ＋シリコン領域を形成するために窓を通って高濃度のホウ素を拡散 し、 （ｉｖ）ＨＦ中における陽極酸化によって多孔性シリコンにｐ＋シリコン領域を 変換し、 （ｖ）多孔性シリコンが実質的に容積の変化をしない十分に高密度の酸化物に変 換される熱酸化に基板をさらすステップを具備する請求項２４記載の方法。
26. ２６．添付図面を参照して実質的に記載されたようなシリコン基板上に少なくと も１つの平坦な導波体と整列して少なくとも１つのＶ形溝を形成する方法。