JPS58197790A - 注入型レ−ザ− - Google Patents

注入型レ−ザ−

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JPS58197790A
JPS58197790A JP58035214A JP3521483A JPS58197790A JP S58197790 A JPS58197790 A JP S58197790A JP 58035214 A JP58035214 A JP 58035214A JP 3521483 A JP3521483 A JP 3521483A JP S58197790 A JPS58197790 A JP S58197790A
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JP
Japan
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channel
plane
active layer
substrate
laser
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JP58035214A
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English (en)
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スチ−ブン・ア−ネスト・ヘンリ−・タ−レイ
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TDK Micronas GmbH
ITT Inc
Original Assignee
Deutsche ITT Industries GmbH
ITT Industries Inc
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Publication date
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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    • H01S5/223—Buried stripe structure
    • H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
    • H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は注入型レーザー製造に関ししかも特に、ときど
き逆リゾ（工ｎｖ＠ｒｔ＊６　Ｒｌｂ）導波（工ＲＷ　
）レーザーとして表わされる、およびまた平凸（Ｐ　１
ａｎｏ　−ｏｏｎｖｅｚ）導波（ＰＯＷ　）レーザーと
しても表わされる構造を有する（工ｎ　、　Ｇａ　）”
’（Ａｓ　、　Ｐ）レーデ−の製造に関する。工ｎＰ基
板上に成長した（Ｉｎ、Ｇａ）（ＡａｌＰ）レーザーの
場合、（工ｎ　、　Ｇａ　）　（Ａｓ、Ｐ）の屈折率に
対して工ｎＸ’の屈折率が低いので比較的単純な構造を
採用することが可能となり、そこでは中間層は基板の表
面上に直接成長しその結果そのリプは基板物質の中に拡
がることになる。
（Ｉｎ、Ｇａ）（Ａｓ、Ｐ）工ＲＷレーザーの製造はエ
ム・ウエノ（Ｍ　−Ｕｅｍｏ）らによりＩ］ＩｃＩｃＩ
ｃ　Ｊｏｕｒｎａｌｏｆ　Ｑｕａｎｔｕｍ　ｌ１ｅａｔ
ｒｏｎｉｏｓ　ＱＥ　−１７巻第９号１９６０〜４０ペ
ージ（１９８１年１１月）に、ケイ・サカイ（Ｋ　、　
８ａｋａｉ　）らにより同、ＴｏｕｒｎｉｌのＱＩＣ−
１７巻第７号１２４５〜５０ページ（１９８１年７月）
に、およびワイ・７ダ（Ｙ、　Ｎｏａｍ　）らにより］
ｌ：１ａｏｔｒｏｎｉｏｓ　１Ｌａｔｌ＠ｒｓ、　１７
巻第６号２２６〜７ページ（１９８１年３月）に記載さ
れた。しかしながらこれらの論文に記載の試みはいくぶ
ん不都合な点がありそれらはあとで詳しく議論するが本
発明により克服されるものである。
従って、従来技術の欠点を除くことが本発明の一般的目
的である。
ざらに詳しくは、逆リゾ導波レーザーであってこのタイ
プの既知のレーザーの欠点を有しないレーザーを提供す
ることが本発明の目的である。
本発明のさらにもう一つの目的は活性層とレーザーの基
板との間、それゆえある程度の横方向の導波効果を得る
中間層のリプと活性層との間にある中間層の厚みを最小
に保つことができるように、ここで検討中のタイプのレ
ーザーを作成することである。
上のタイプのレーザーを製造する方法を発展させること
が本発明のさらにもう一つの目的であるが、それによれ
ば特に基板のチャンネル内でリプの形成中に中間層物質
の比較的迅速でしかもすぐれた液相エピタキシー成長が
得られ、しかも中間層上に活性層を形成するための基板
から離れて面する中間層の平坦な面が形成される。
本発明の付随する目的は、完成が容易で、実施が安価で
、既存の装置で完成でき、しかもそれにもかかわらず信
頼ある結果が得られる上のタイプの方法を考案すること
である。
あとで明らかになるこれらの目的およびその他の遂行に
あたって、本発明の一つの特徴は（１００）面を持つ工
ｎＰ基板および（Ｉｎ、Ｇａ）（Ａｓ　、Ｐ）活性層を
含む逆リプ導波レーザーを製造する方法にあり、この方
法！ま、基板の（１００）面で［０１１］方位に伸びる
チャンネルをＡ面からずれたチャンネルの側壁をつくる
エツチング工程により形成し；チャンネル内でしかも基
板の（１００）面上で活性層のバンドギャップより大き
いパンｒギャップ材料の（Ｉｎ、Ｇａ）（ムｍ　、Ｐ　
）中間層をエピタキシャルに成長させてそれによってチ
ャンネルを満たししかもレーザーに横方向にある程度の
誘電導波効果を与えるリプを形成し；および中間層上に
活性層を与える諸工程を含む。
本発明のもう一つの観点に従うと、（１００）面を有す
る工ｎＰ基板および（工ｎ　、　Ｇａ　）　（ＡａｌＰ
）活性層を含む逆リプ導波レーザーにおいて、基板の（
１００）面で［０１１）方位に伸び、Ａ面からずれた側
壁を含む千′ヤンネルの境界づけをする手段；および基
板の（１００）面上でしかもチャネル内で活性層のバン
ドギャップより大きいバンドギャップの（工ｎ、Ｇａ　
）　（Ａａ　ＨＦ　）中間層でチャンネルを満たすリゾ
を形成ししかもレーザーに横方向にある程度の誘電導波
効果を与える中間層であり、活性層は中間層の上につく
ることから成る組合わせが与えられる。
上述の論文には、リゾが（１００）面に沿って［０１１
）方位か［０１１］方位のいづれに伸びるのかについて
明記されていない。ｃｏ　１１］方位を用いることは［
０１１］方位よりも明らかな利点があることをわれわれ
は発見した。［０１１］方位に伸びるチャンネルは容易
にエツチングされてＡ面側壁を持つ再現性ある形になる
が、いつはう［０１１）方位に伸びるチャンネルをエツ
チングすると側壁はエツチング剤の性質およびチャンネ
ルを描画するのに用いるマスキング材の性質に依存して
Ａ面、１面（０１１）および（０１１）面、あるいはこ
れらのいくつかの混合となることがある。（１１１）面
および（１１１）１面の間の相違は成長特性に影響する
。工ｎＰおよび関連する合金の液相エピタキシーは通常
は液体Ｉｎ金属中の溶剤に基づいており、その結果系内
のＩｎ濃度はＰの濃度よりずっと高い。両方のタイプの
（１１１）面への新しい原子の付着は比較的弱い、なぜ
ならそれは単一骨格（ａｓｉｎｇｌθｂｏｎｅ）から成
るからである。液体中の高いＩｎ濃度はＩｎ原子の（１
１１）１面への付着確率を増大すると期待されるが、い
っぽう（１１１）Ａ面上で核形成を生ずるＰ原子の付着
確率はずっと低い。この理由で（１１１）入面上の成長
は容易には起こらない。
（０１１）面上の成長はｂあるいはＰ原子のいずれかの
付着によって開始できそれゆえ成長は容易に起こる。
入面上の物質の遅い成長は、Ａ面の側面を持つチャンネ
ルが次の液相工ぎタキシャル成長によって側面がＡ面か
らずれた面により形成される際と同じように迅速には満
たされないことを意味する。
このことは順序として、その上に活性層が成長できる実
質的に平坦な表面を生ずるのに適当にチャンネルを満た
すに盲マチヤンネルを異なる方位の側面で満たすよりも
チャンネルをＡ面の側面で満たす際に比較的厚い中間層
を用いる必要があることを意味する。十分な物質を成長
させてその上に活性層が成長できる平坦な表面を与える
というこの問題はそれに対して前の参考文献が書かれた
ウエノ（Ｕ＠ｎｏ）らの論文にはっきりと言及されてお
り、しかもその論文の著者は、チャンネルの制限を越え
てその厚みが基板に形成されたチャンネルの深さより大
きい層を成長させるのが必要であることを発見したと述
べている。この制限はＡＵＭＪの側面を持たないチャン
ネルを用いることにより避けられることをわれわれは見
出した。光の場がリプが必要な横方向の導波効果を持つ
のに十分に深く伸びるようにレーザーを設計しなければ
ならないことを思い出すと、比較的薄い中間層を用いる
ことができるという結果はリゾが活性層に比較的近接で
き、それにより光の場が活性層からあまり離れて拡がる
必要がないという設計ができることにより設計が強制か
ら多少解放される。
上述のならびに他の特徴および本発明の目的は、本発明
に従うレーザーの図式断面図である添付の唯一の図面と
関連してなされる以下の表現を参照することによりもつ
と明白になろう。
ここで図面に詳細に言及すると、参照数字１はそこで基
板を見分けるのに用いられたものである。
工ｍＰのｎ＋型ウェーハの（１００）面は、それはレー
ザーの基板を形成することになるが、研摩し次に臭素−
メタノールエツチング剤中でエツチングして研摩損傷を
受けたかもしれない約１０ミクロンの材料を除去する。
シリカのマスキング層（図示せず）をそれから典型的に
は４００〜４５０℃の温度で窒素中で酸素とシランの混
合物から基板上に熱分解的に析出させる。［０１１］方
位に伸びる窓を緩衝化したフッ化水素酸を用いてマスク
をエツチングして開ける。典型的にはこれらの窓は２．
７５ミクロン幅である。それからエツチング剤を１＝１
臭化水素酸ニリン酸エツチング剤（それぞれ５０％およ
び８０％濃度）に変えて基板１に［０１１］方位に伸び
るチャンネル２を形成する。このエツチング剤はマスク
の下をわずかにくり抜いて（１１１）Ｂチャンネル壁３
を残す。
〔それぞれのレーザーはただ１つのチャンネルを必要と
するが、従来の半導体デバイス製造工程に従うと多くの
デバイスは結果的には分割して個々のデバイスを与える
単一ウェーハ上で同時に作られる。）マスクをくり抜く
このエツチング剤の能力は（１１１）Ｂ側面の製造を遂
行するのに重要であるようにみえる、というのは液相エ
ピタキシーにより析出した（Ｉｎ、　Ｇａ　）　（Ａｓ
、　Ｐ）をもしマスキング剤として用いるなら、もし何
らかのくり抜きが起るなら小さく、シかも（１１１）Ａ
の酸が（１１１）Ｂ壁の代りに生成するからである。
転位においてエッチピットを生ずるエツチング剤の性質
の観点から低転位密度の基板を選ぶことが望ましい。こ
れは通常高濃度にイオウをドープした基板を用いること
により得られる。エツチング時間は通常非常に短くて（
典型的には５〜１０秒間）典型的には約０．５ミク胃ン
深ざのチャンネルを生ずる。この後でシリカのマスクを
緩衝化した７ツ化水素裳で除去して次に基板１をメタノ
ール中０．１容量襲の臭素中で短時間（典型的には２０
秒間）エツチングしてマスクの析出中に発生したかもし
れない損傷を除去する。この最終的エツチングはまた成
長品質を改善すると考えられる。それはチャンネル２の
側面でのＬＰＩＣ成長を容易にするかもしれないチャン
ネル肩部のゎずがな丸みづけを生じる。
この段階でチャンネルをもつ基板ウェーハ１はそのエピ
タキシャル層の成長の用麓ができておりにある組成を有
する格子整合ｎ型（Ｉｎ、Ｇａ）（Ａｓ、Ｐ）材料の中
間層あるいは案内層４である。
この層４はチャンネル２から離れた領域では典型的には
約０．２５ミクロンの深さに成長し、しがちチャンネル
Ｊ１１３はＡ面壁ではないという事実によってこの深さ
はこの厚さがチャンネル２の深さほど大きくはないとい
う事実にもかかわらず層４に対して実質的に平坦な上平
面を与えるのに十分である。成長すべき次の層は活性層
５でその螢光ピークの中心が約１．６處り胃ンである組
成を典型的に有する格子整合（Ｉｎ　、　Ｇａ　）　（
Ａｓ、Ｐ）材料の典型的には約０．２４ミクロンの層で
ある。この活性層５は順にｐ型の不皺態層および被積層
（０＆ｐｐｉｎｇ　１ａｙｅｒ　）　５および７で置う
。不曽Ｓ層６は典型的には１．５ミクｐン厚であるリン
化インジウムから作られた低屈折率層であり、いっぽう
被覆層Ｔはその螢光ピークの中心が１．２ミクロンであ
る組成を典型的に有する格子整合（Ｉｎ　、　Ｇａ　）
（Ａｓ、Ｐ）材料から、あるいは（Ｉｎ　、　Ｇａ　）
　Ａｍ材料から作る。いずれの例でも被覆層は典型的に
０．３ミクｐン厚さである。
製造の次の段階は電気的に絶縁するシリカマスク層８を
析出しおよびその層８に窓９を開けてチャンネル２と位
置合わせをすることを含む。マスク層８のシリ・力材料
はプラズマ析出プロセスにより析出する。窓９は従来の
フォトリトグラフィを用いて緩衝化フッ化水素酸で開け
る。たとえば溶融物を入れたすべりポー）　（ｓｌｉ４
１ｎｇ　ｂｏａｔ）の壁の下屹ミリメートルに拡がるよ
うにウェーハを準備することによりエピタキシャル７１
４，５．６および７がウェーハ１の端に正しく拡がって
成長しなかったなら、その時はウェーハ１の縁でチャン
ネルが見えるようになっている基板ウェーハ１のチャン
ネル２に−して単に視覚的にマスクを整列させることに
より凹部２に対する窓９の必要な位置合わせが得られる
。
しかしながら、もしエピタキシーがウェーハ１の端に生
じるようにさせておいたなら、チャンネル２の位置を露
出するようにウェーハ１の縁で層４〜７の一部分を除去
する予備の処理工程が必要である。このことはヨウ化カ
リウム／胃つ素エツチング剤でｐ型被覆層７をエツチン
グし、塩酸／リン酸エツチング剤でｐ型不働態層６をエ
ツチングし、硝酸エツチング剤で活性層５をエツチング
し、しかも最後に中間あるいは案内の層４の必要な位置
をそれを臭素メタノールおよび塩酸／リン酸エツチング
剤で交互にエツチングすることによって除去することに
より行なうことができる。案内層４のエツチングは案内
層組成がリン化インジウムにあまり近くて曹つ化カリウ
ム／Ｗつ素エツチング剤で選択的にエツチングできない
ので、被覆層７の対応するエツチングよりもつと複雑な
処理を行なう。臭素メタノールエツチング剤は非選択的
エツチング剤であり案内層４の材料および下部にある基
板１の材料の両方をエツチングする。
いっぽう塩酸／リン酸エツチング剤は基板材料をエツチ
ングするだけである。それゆえこのエツチング剤は前の
エツチング、すなわち臭素メタノールエツチングが十分
深くなされて何らかの基板材料を露出するか否かを試験
するのに用いる。案内層４がいったん破れると、塩ＩＩ
／リン酸エツチング剤はチャンネル２を逆の起伏で露出
させることになる。
いったん窓９がシリカマスク層８に開くと、短い亜鉛の
拡散を行なって窓９のすぐ下にｐ＋領領域生じ被覆層７
と良好な電気的接合を作るのを容易にする。それぞれ蒸
着し合金化した接点である金属接触層１０および１１を
付ける前にデバイスは次に薄くして基板の厚みを約８０
ミクロンに減らす。
上述の製造方法の改変において、リン化インジウム基板
１にチャンネル２をエツチングする際４：１リン酸：塩
酸エツチング剤を１：１リン酸：臭化水素酸エツチング
剤で置換える。このことは３面壁の代りにチャネル２に
（０１１）および（０１１）側壁を生ずるＯ ９個基板を用いることができるように構造を設計し直す
こともまた可能である。これはｎ型基板に用いるのと反
対の導電タイプの材料中にエピタキシャル層のおのおの
を成長させることを必然的に伴なう。
発明者は本発明の原理を特定のレーデ−構成に結びつけ
て上述したが、この記載は例によってのみなされており
しかも本発明に関する目的および前記特許請求の範囲に
示したように本発明の範囲に対する制限とはならないと
いうことは明らかに理解されるべきである。
【図面の簡単な説明】
１・・・基板（ｎ＋型１ｎＰ　）　、２・・・チャンネ
ル、３・・・側壁、４・・・中間層または案内層（Ｉｎ
Ｇ＆ムｓＰ。 λ＝　１．０５　ｐｍ）、５・・・活性層（工ｎＧａＡ
ｓＰ　＊λ＝１．３ｐｍ）、６・・・不働態層（工ｎＰ
　）、７　・・・ｐ型被覆層（ＩｎＧａ　ＡｓＰ　＊λ
＝１．２声ｍ）、８・・・５１０２絶縁層（マスク）、
９・・・窓、１０・・・ｐ型接触層、１１・・・ｎ型接
触層。 代理人浅村　皓 外４名 手続補正書 昭和５８年４月２乙日 特許庁長官殿 ■、事件の表示 昭和５８　年特許願第３５２１４　　　＋；２、発明の
名称 注入型レーザー ３、補ＩＦをする者 事件との関係　特許出願人 住　　所 氏　名　　　　　アイ　ティ　ティ　インダストリーズ
（名　称）　　　　　インコーホレーテッド４、代理人 昭和　　年　　月　　口 ６、補１１″により増加する発明の数 回時に審査請求書を提出してあります。 ２、特許請求の範囲 ＋１１（１００）面および（Ｉｎ　、　Ｇａ　）　（Ａ
ｓ　ｔＰ　）活性層を有する工ｎＰ基板【含む逆すゾ導
波し−ず−を製造する方法において、 基板の（１００）面でエツチング処理により（０１１）
方向に伸びるチャンネルを形成してＡ面からずれたチャ
ンネルの側壁を形成し；チャンネル内でしかも基板の（
１００）面上で活性層の？々ンドイヤツゾより大きいバ
ンドギャップ材料の（Ｉｎ　、　Ｇａ　）　（Ａｓ　、
　Ｐ　）中間層をエピタキシャル成長させてそれによっ
てリゾを形成してチャンネルを満たししかもレーザーに
横方向にある程度の誘電導波効果を与え；しかも 中間層の上に活性層を供給する諸工程を％徽とする、上
記方法。 （２）該エピタキシャル成長工程が液相エビタキシ一工
程である特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （３）該供給工程がエピタキシーにより活性層を成長さ
せることを含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 （４）　　該供給工程が液相エピタキシーにより活性層
を成長させることを含む特許請求の範囲第１項に記載の
方法。 （５）　　該形成工程が実質的に（１１１）Ｂ面にある
チャンネル配向の側壁を与えるエツチング剤を使うこと
を含む特許請求の範囲第１項に記載の方渦（６）該形成
工程が実質的に（０１１）面にあるチャンネル配向の側
Ｗｉｌｆ与えるエツチング剤を使うことを含む特許請求
の範囲第１項に記載の方法。 （７１（１００）面ご持つ工ｎＰ基板および（Ｉｎ　、
　Ｇａ）（Ａｓ　、　Ｐ　）　　活性層を含む逆リプ導
波レーザーにおいて、 基板の（１ｏＯ）面でＡ面からすれた側壁ヲ含み、（０
１１）方位に伸びるチャンネルの境界づけをする（　ｂ
ｏｕｎ４ｉｎｇ　）　　手段；および基板の（１００）
面上でおよびチャンネル内で活性層のノ々ンドギャップ
より大きいバンドギャップ材料の（Ｉｎ　、　Ｇａ　）
　（Ａｓ　、　Ｐ　）中間層でチャンネルを満たすリゾ
な形成ししかもレーず−に横方向にある程度の誘電導波
効果を与える中間層であり、活性層は中間層の上につく
ること から成る組合わせ′ｆｒ：ｔ￥ｆ黴とするレーず−０（
３）　　チャンネルの側壁が実質的に（１１１）面の方
位を持つ特ＩＦＦ請求の範Ｓ第７項に記載のレーデ−〇 （９）　　チャンネルの側壁が実質的に（（）１１）血
の方位を持つ特許請求の範囲第７項に記載のレーす−〇 手続補正書（方式） ％式％ １、事件の表示 昭和　５８年特許願第　３５２１４　　　　号３、補正
をする者 ・１１件との関係　持。′１出願人 ４、代理人 ５、袖ｉ「命ａの［１付 昭和５８　　年　５月　３１日 ６、袖Ｉ−１により増加する発明の数 ＝： 明細書第１６頁１６行と１７行との間にぺを押入する。 「図面は本発明によるレーザーのＩｍ＋山１の模式図で
ある。」

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（１００）面および（Ｉｎ　、　Ｇａ　）（ムロ
    、Ｐ）活性層を有するＩｎＰ基板を含む逆リプ導波レー
    ザーを製造する方法において。 基板の（１００）面でエツチング処理により（０１１］
    方向に伸びるチャンネルを形成してＡ面からずれたチャ
    ンネルの側壁を形成し；チャンネル内でしかも基板の（
    １００）面上で活性層のパンＩＰヤヤツデより大きいバ
    ンドギャップ材料の（Ｉｎ　、　Ｇａ　）　（Ａｓ　、
    　Ｐ　）中間層をエピタキシャル成長させてそれによっ
    てリプを形成してチャンネルを満たししかもレーザーに
    横方同にある程度の誘・電導波効果を与え；しかも中間
    層の上に活性層を供給する諸工程を特徴とする、上記方
    法。
  2. （２）該エピタキシャル成長工程が液相エビタキシ一工
    程である特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  3. （３）　　該供給工程がエピタキシーにより活性層を成
    長させることを含む特許請求の範囲第１項に記載の方法
    。
  4. （４）該供給工程が液相工ｔタキシーにより活性層を成
    長させることを含む特許請求の範囲１１１１項に記載の
    方法。
  5. （５）該形成工程が実質的に（１１１）Ｂ面にあるチャ
    ンネル配向の側壁を与えるエツチング剤を使うことを含
    む特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  6. （６）　　該形成工程が実質的にｔｏｉｉ）面にあるチ
    ャンネル配向の側壁を与えるエツチング剤を使うことを
    含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  7. （７）（１００）面を持つＩｎＰ基板および（工ｎ、Ｇ
    ａ）（ム８．Ｐ）活性層を含む逆リプ導波レーザーにお
    いて。 基板の（１００３面で人血からずれた側壁を含み、（０
    １１）方位に伸びるチャンネルの境界づけをする（　ｂ
    ｏｕｎｄｉｍｇ）手段；および基板の（１００）面上で
    およびチャンネル内で活性層のパンドヤヤツゾより大き
    いパンドギャツプ材料の（Ｉｎ　、　Ｇａ　）　（Ａａ
    　、　Ｐ　）中間層でチャンネルを満たすリゾを形成し
    しかもレーザーに横方向にある程度の誘電導波効果を与
    える中間層であり、活性層は中間層の上につくることか
    ら成る組合わせ。
  8. （８）チャンネルの側壁が実質的に（１１１）面の方位
    を持つ特許請求の範囲第７項に記載のレーザー　〇
  9. （９）　　チャンネルの側壁が実質的に（０１１）面の
    方位を持つ特許請求の範Ｈ第７項に記載のレーデ−〇
JP58035214A 1982-03-04 1983-03-03 注入型レ−ザ− Pending JPS58197790A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB08206375A GB2115975B (en) 1982-03-04 1982-03-04 Injection laser manufacture
GB8206375 1982-03-04

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