JPH1048460A - 平面型光導波路 - Google Patents
平面型光導波路Info
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- JPH1048460A JPH1048460A JP8205055A JP20505596A JPH1048460A JP H1048460 A JPH1048460 A JP H1048460A JP 8205055 A JP8205055 A JP 8205055A JP 20505596 A JP20505596 A JP 20505596A JP H1048460 A JPH1048460 A JP H1048460A
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- optical waveguide
- substrate
- glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接続部でのクラック発生を防止し、他の光導
波路との信頼性の高い接続が可能な平面型光導波路を提
供すること。 【解決手段】 導波路を構成する下部クラッド層３２の
厚さをコア３１の周辺を除いて薄くすることにより、内
部応力を大幅に減少させ、これによって研磨に伴うクラ
ックの発生を防止する。
波路との信頼性の高い接続が可能な平面型光導波路を提
供すること。 【解決手段】 導波路を構成する下部クラッド層３２の
厚さをコア３１の周辺を除いて薄くすることにより、内
部応力を大幅に減少させ、これによって研磨に伴うクラ
ックの発生を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバもしく
は他の平面型光導波路と信頼性の高い接続を可能とする
平面型光導波路に関するものである。
は他の平面型光導波路と信頼性の高い接続を可能とする
平面型光導波路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｓｉや石英等の平面基板上に石英系ガラ
ス導波路を形成し、平面型光回路（ＰＬＣ）を構成する
研究開発が進んでいる。石英系ガラス導波路は屈折率の
高い矩形のコアと該コアを囲みかつ該コアよりも屈折率
がわずかに低いクラッドとからなり、石英系ガラス膜形
成技術及び反応性エッチング技術により作製される。Ｐ
ＬＣを実際にシステムで使用するには、光信号を入出力
するために光ファイバと接続する必要がある。そして、
ＰＬＣ−光ファイバ接続技術は低損失かつ高安定である
ことが要求される。
ス導波路を形成し、平面型光回路（ＰＬＣ）を構成する
研究開発が進んでいる。石英系ガラス導波路は屈折率の
高い矩形のコアと該コアを囲みかつ該コアよりも屈折率
がわずかに低いクラッドとからなり、石英系ガラス膜形
成技術及び反応性エッチング技術により作製される。Ｐ
ＬＣを実際にシステムで使用するには、光信号を入出力
するために光ファイバと接続する必要がある。そして、
ＰＬＣ−光ファイバ接続技術は低損失かつ高安定である
ことが要求される。
【０００３】通常、ＰＬＣは多数の入出力ポートを有す
るため、多芯の光ファイバが接続される。このため、ガ
ラスブロックに多芯ファイバをＵＶ接着剤で固定してフ
ァイバアレイを作製し、さらに該ファイバアレイをＵＶ
接着剤でＰＬＣと固定している。
るため、多芯の光ファイバが接続される。このため、ガ
ラスブロックに多芯ファイバをＵＶ接着剤で固定してフ
ァイバアレイを作製し、さらに該ファイバアレイをＵＶ
接着剤でＰＬＣと固定している。
【０００４】現在まで最も汎用性の高いＰＬＣ型スプリ
ッタの実用化では、ＰＬＣの両端を研磨し、同じく端面
を研磨した入出力ファイバ部品に接続していた。
ッタの実用化では、ＰＬＣの両端を研磨し、同じく端面
を研磨した入出力ファイバ部品に接続していた。
【０００５】図１は光ファイバを接続した従来のＰＬＣ
型スプリッタの構造を示す。図中、１１はスプリッタ回
路（ＰＬＣ）、１２は入力用１芯ファイバ、１３は出力
用８芯テープファイバ、１４，１５はファイバ固定用ガ
ラスブロック、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂは接続
補強用ガラス板である。ＰＬＣ本体のサイズは４×３０
ｍｍ程度で、全体の長さは８０ｍｍである。
型スプリッタの構造を示す。図中、１１はスプリッタ回
路（ＰＬＣ）、１２は入力用１芯ファイバ、１３は出力
用８芯テープファイバ、１４，１５はファイバ固定用ガ
ラスブロック、１６ａ，１６ｂ，１７ａ，１７ｂは接続
補強用ガラス板である。ＰＬＣ本体のサイズは４×３０
ｍｍ程度で、全体の長さは８０ｍｍである。
【０００６】具体的な接続は、前述した入力用１芯ファ
イバ１２をガラスブロック１４及びガラス板１６ａとと
もに、また、出力用８芯テープファイバ１３をガラスブ
ロック１５及びガラス板１７ａとともに、さらにまた、
ＰＬＣ１１をガラス板１６ｂ，１７ｂとともに、その端
面を８度に研磨し、ＵＶ接着剤にて接続した。
イバ１２をガラスブロック１４及びガラス板１６ａとと
もに、また、出力用８芯テープファイバ１３をガラスブ
ロック１５及びガラス板１７ａとともに、さらにまた、
ＰＬＣ１１をガラス板１６ｂ，１７ｂとともに、その端
面を８度に研磨し、ＵＶ接着剤にて接続した。
【０００７】前述した接続法による回路では、（１）基
板切断による表面の荒れを研磨により平坦化することに
よって低損失なファイバ接続が可能、（２）研磨面の角
度を任意に設定できるので、例えば８度にすると反射減
衰量を大幅に低減することが可能、（３）平坦化により
接着強度を増加させることができ、ＰＬＣ−光ファイバ
接続で高い信頼性を実現することが可能、という利点が
ある。
板切断による表面の荒れを研磨により平坦化することに
よって低損失なファイバ接続が可能、（２）研磨面の角
度を任意に設定できるので、例えば８度にすると反射減
衰量を大幅に低減することが可能、（３）平坦化により
接着強度を増加させることができ、ＰＬＣ−光ファイバ
接続で高い信頼性を実現することが可能、という利点が
ある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た回路では、ＰＬＣ端面を研磨する際に研磨面のクラッ
ド（ガラス）層にクラックを生じるという欠点があっ
た。
た回路では、ＰＬＣ端面を研磨する際に研磨面のクラッ
ド（ガラス）層にクラックを生じるという欠点があっ
た。
【０００９】図２は研磨後のＰＬＣ端面を模式的に示す
ものである。図中、２１はＳｉ基板、２２は下部クラッ
ド層、２３は上部クラッド層、２４はコアである。通
常、クラックはＳｉ基板２１に近い下部クラッド（ガラ
ス）層２２に生じる。このクラックは接着材層に不均一
を生じさせ、長期信頼性を劣化させるとともに反射減衰
量等の光学特性も劣化させるという問題がある。
ものである。図中、２１はＳｉ基板、２２は下部クラッ
ド層、２３は上部クラッド層、２４はコアである。通
常、クラックはＳｉ基板２１に近い下部クラッド（ガラ
ス）層２２に生じる。このクラックは接着材層に不均一
を生じさせ、長期信頼性を劣化させるとともに反射減衰
量等の光学特性も劣化させるという問題がある。
【００１０】以下、前述したクラックの原因と考えられ
るガラス層における内部応力について簡単に見積もる。
内部応力σは熱膨張係数の差で生じ、 σ∝（Ｔｇ−Ｔｒ）（αg −αSi） の関係がある。
るガラス層における内部応力について簡単に見積もる。
内部応力σは熱膨張係数の差で生じ、 σ∝（Ｔｇ−Ｔｒ）（αg −αSi） の関係がある。
【００１１】ここで、Ｔｇはクラッド（ガラス）層のガ
ラス化温度、Ｔｒは室温、αg 及びαSiはそれぞれクラ
ッド（ガラス）層及びＳｉ基板の熱膨張係数である。ま
た、図２に示すように、ＰＬＣ断面において平面基板と
平行及び垂直な方向をそれぞれｘ及びｙ方向とすると、
応力と屈折率の関係は Δｎx ＝Ｃ1 σx ＋Ｃ2 σy Δｎy ＝Ｃ1 σy ＋Ｃ2 σx で与えられる。
ラス化温度、Ｔｒは室温、αg 及びαSiはそれぞれクラ
ッド（ガラス）層及びＳｉ基板の熱膨張係数である。ま
た、図２に示すように、ＰＬＣ断面において平面基板と
平行及び垂直な方向をそれぞれｘ及びｙ方向とすると、
応力と屈折率の関係は Δｎx ＝Ｃ1 σx ＋Ｃ2 σy Δｎy ＝Ｃ1 σy ＋Ｃ2 σx で与えられる。
【００１２】ここで、σx ，σy はそれぞれの方向の応
力、Δｎx ，Δｎy はそれぞれの軸方向の応力による屈
折率変化、Ｃ1 及びＣ2 は光弾性係数であり、 Ｃ1 ＝−７．７×１０-13 （Ｐａ-1） Ｃ2 ＝−４．１×１０-12 （Ｐａ-1） の値を有する。
力、Δｎx ，Δｎy はそれぞれの軸方向の応力による屈
折率変化、Ｃ1 及びＣ2 は光弾性係数であり、 Ｃ1 ＝−７．７×１０-13 （Ｐａ-1） Ｃ2 ＝−４．１×１０-12 （Ｐａ-1） の値を有する。
【００１３】また、σx とσy は、 σy ＝−κσx の関係（ポアソンの関係）がある。ここで、κ（＝０．
１７）はポアソン係数である。
１７）はポアソン係数である。
【００１４】前述した関係より Δｎy −Δｎx ＝σx （−κＣ1 ＋Ｃ1 −Ｃ1 ＋κＣ2 ） ＝σx （１＋κ）（Ｃ2 −Ｃ1 ） ……(1) が得られる。
【００１５】一方、Ｓｉ基板上の石英系光導波路におい
て厚さ３０μｍ程度の下部クラッド層の場合、典型的な
複屈折率Ｂの値は、 Ｂ＝ｎTM−ｎTE＝ｎx −ｎy ＝４×１０-4 ……(2) となる。
て厚さ３０μｍ程度の下部クラッド層の場合、典型的な
複屈折率Ｂの値は、 Ｂ＝ｎTM−ｎTE＝ｎx −ｎy ＝４×１０-4 ……(2) となる。
【００１６】圧縮応力を一にとると、上記(1) ，(2) 式
より内部応力は、 σx ＝４×１０-4／１．１７１×３．３×１０-12 ＝１．０×１０8 Ｐａ ＝０．１ＧＰａ となる。
より内部応力は、 σx ＝４×１０-4／１．１７１×３．３×１０-12 ＝１．０×１０8 Ｐａ ＝０．１ＧＰａ となる。
【００１７】上式より、クラッド（ガラス）層には０．
１ＧＰａ程度の圧縮応力が作用していることがわかる。
この値はクラッド層の厚さ及び組成に依存する。基本的
にはこの内部応力によりクラックが生じ、特にクラック
の形成は厚いクラッド（ガラス）層の周辺部で起き易い
ことが明らかにされている。これは周辺部で応力集中が
起き易いためと考えられる。
１ＧＰａ程度の圧縮応力が作用していることがわかる。
この値はクラッド層の厚さ及び組成に依存する。基本的
にはこの内部応力によりクラックが生じ、特にクラック
の形成は厚いクラッド（ガラス）層の周辺部で起き易い
ことが明らかにされている。これは周辺部で応力集中が
起き易いためと考えられる。
【００１８】本発明の目的は、接続部でのクラック発生
を防止し、他の光導波路との信頼性の高い接続が可能な
平面型光導波路を提供することにある。
を防止し、他の光導波路との信頼性の高い接続が可能な
平面型光導波路を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明では、接続部におけるクラッド（ガラス）層
の厚さを不均一にする、具体的には、コア周辺を除いて
クラッドを薄くするか、コア周辺のみにクラッドを形成
することにより、導波構造を保ちつつコア周辺部の内部
応力を減少させる。
め、本発明では、接続部におけるクラッド（ガラス）層
の厚さを不均一にする、具体的には、コア周辺を除いて
クラッドを薄くするか、コア周辺のみにクラッドを形成
することにより、導波構造を保ちつつコア周辺部の内部
応力を減少させる。
【００２０】図３は本発明の平面型光導波路の基本的な
概念を示すもので、図中、３１はＳｉ基板、３２は下部
クラッド層、３３は上部クラッド層、３４はコアであ
る。
概念を示すもので、図中、３１はＳｉ基板、３２は下部
クラッド層、３３は上部クラッド層、３４はコアであ
る。
【００２１】ここでは下部クラッド層３２がコア３１の
周辺のみで厚くなっているのが特徴である。応力の観点
からすると、コア下部のクラッドをなくせば、ほとんど
応力もなくなるが、導波構造もなくなってしまうので損
失が大きくなる。従って、コア周辺のクラッドをなくす
ことはできない。
周辺のみで厚くなっているのが特徴である。応力の観点
からすると、コア下部のクラッドをなくせば、ほとんど
応力もなくなるが、導波構造もなくなってしまうので損
失が大きくなる。従って、コア周辺のクラッドをなくす
ことはできない。
【００２２】そこで、本発明ではコアの断面積がＰＬＣ
全体の断面積に占める割合が小さいことを生かして、コ
ア周辺にのみクラッドを残し、その他の部分では下部ク
ラッド層をなくすか、薄くすることを特徴とする。これ
により、内部応力を大幅に減少させることができ、従っ
てクラックの発生がなくなり、長期安定性に優れたＰＬ
Ｃ−ファイバ接続が可能になるとともに、その光学特性
も変化しない。
全体の断面積に占める割合が小さいことを生かして、コ
ア周辺にのみクラッドを残し、その他の部分では下部ク
ラッド層をなくすか、薄くすることを特徴とする。これ
により、内部応力を大幅に減少させることができ、従っ
てクラックの発生がなくなり、長期安定性に優れたＰＬ
Ｃ−ファイバ接続が可能になるとともに、その光学特性
も変化しない。
【００２３】
【発明の実施の形態】図４は本発明の第１の実施の形態
を示すもので、ここでは石英系ＰＬＣ１×８スプリッタ
回路の例を示す。図中、４１はスプリッタ回路（ＰＬ
Ｃ）、４２は導波路、４３は入力側接続部、４４は出力
側接続部である。
を示すもので、ここでは石英系ＰＬＣ１×８スプリッタ
回路の例を示す。図中、４１はスプリッタ回路（ＰＬ
Ｃ）、４２は導波路、４３は入力側接続部、４４は出力
側接続部である。
【００２４】また、図５は図４のａ−ａ´線に沿う研磨
後の出力側接続部４４の拡大端面図、図６は図４のｂ−
ｂ´線に沿う拡大断面図である。図中、４５はＳｉ基
板、４６は下部クラッド層、４７は上部クラッド層、４
８はコアである。
後の出力側接続部４４の拡大端面図、図６は図４のｂ−
ｂ´線に沿う拡大断面図である。図中、４５はＳｉ基
板、４６は下部クラッド層、４７は上部クラッド層、４
８はコアである。
【００２５】図４乃至６に示す構造を作製するには、ま
ず、Ｓｉ基板４５にフォトリソグラフィでクラッド形状
をパターニングし、ウェットエッチングによりコア４８
の下部に下部クラッド層を形成する部分を形成する。次
に、石英系ガラスからなる下部クラッド層４６をＦＨＤ
法で堆積し、透明ガラス化する。この後、表面形状に凹
凸が生じるので、研磨により平坦化する。コア層を堆積
した後、マーカを用いてコア４８のパターニング及びガ
ラスエッチングを行い、最後に上部クラッド層４７を堆
積した。
ず、Ｓｉ基板４５にフォトリソグラフィでクラッド形状
をパターニングし、ウェットエッチングによりコア４８
の下部に下部クラッド層を形成する部分を形成する。次
に、石英系ガラスからなる下部クラッド層４６をＦＨＤ
法で堆積し、透明ガラス化する。この後、表面形状に凹
凸が生じるので、研磨により平坦化する。コア層を堆積
した後、マーカを用いてコア４８のパターニング及びガ
ラスエッチングを行い、最後に上部クラッド層４７を堆
積した。
【００２６】作製した１×８スプリッタでは、出力側の
８ポートのピッチを０．２５ｍｍとし、入力側接続部４
３及び出力側接続部４４の変形クラッド領域の幅を５０
μｍ（コアを中心）、長さを２ｍｍ、コア直下のクラッ
ド層の厚さを１５μｍとした。作製したウェファを切断
し、研磨面には保護用にガラス板４９をＵＶ接着剤で固
定した。その後、図４のスプリッタ端面を通常の方法で
研磨した。研磨後の端面にはクラックは全く観測されな
かった。この結果より、本発明の有効性が確認された。
８ポートのピッチを０．２５ｍｍとし、入力側接続部４
３及び出力側接続部４４の変形クラッド領域の幅を５０
μｍ（コアを中心）、長さを２ｍｍ、コア直下のクラッ
ド層の厚さを１５μｍとした。作製したウェファを切断
し、研磨面には保護用にガラス板４９をＵＶ接着剤で固
定した。その後、図４のスプリッタ端面を通常の方法で
研磨した。研磨後の端面にはクラックは全く観測されな
かった。この結果より、本発明の有効性が確認された。
【００２７】また、本例ではスプリッタの光学特性も、
変形クラッド領域のない従来のスプリッタと同じであ
り、この点でも本発明の有効性が確認された。
変形クラッド領域のない従来のスプリッタと同じであ
り、この点でも本発明の有効性が確認された。
【００２８】図７は本発明の第２の実施の形態を示すも
ので、ここでは光トランシーバ用波長多重機能付きＰＬ
Ｃの例を示す。図中、５１はスプリッタ回路（ＰＬ
Ｃ）、５２は導波路、５３は波長多重用干渉膜フィル
タ、５４は入出力接続部、５５は光トランシーバ用Ｌ
Ｄ，ＰＤ搭載部である。また、図８は図７のｃ−ｃ´線
に沿う研磨後の入出力接続部５４の拡大端面図であり、
図中、５６はＳｉ基板、５７は下部クラッド層、５８は
上部クラッド層、５９はコアである。
ので、ここでは光トランシーバ用波長多重機能付きＰＬ
Ｃの例を示す。図中、５１はスプリッタ回路（ＰＬ
Ｃ）、５２は導波路、５３は波長多重用干渉膜フィル
タ、５４は入出力接続部、５５は光トランシーバ用Ｌ
Ｄ，ＰＤ搭載部である。また、図８は図７のｃ−ｃ´線
に沿う研磨後の入出力接続部５４の拡大端面図であり、
図中、５６はＳｉ基板、５７は下部クラッド層、５８は
上部クラッド層、５９はコアである。
【００２９】図７及び８に示す構造を作製するには、ま
ず、Ｓｉ基板５６にフォトリソグラフィでクラッド形状
をパターニングし、ウェットエッチングによりコア５９
の下部に石英系ガラス下部クラッド層を形成する部分を
形成する。本例では、Ｓｉ基板５６のエッチング量を１
０μｍと少なくしてクラッド形成後の凹凸が小さくなる
ようにした。次に、石英系ガラス下部クラッド層５７を
ＦＨＤ法で１０μｍ堆積し、透明ガラス化する。
ず、Ｓｉ基板５６にフォトリソグラフィでクラッド形状
をパターニングし、ウェットエッチングによりコア５９
の下部に石英系ガラス下部クラッド層を形成する部分を
形成する。本例では、Ｓｉ基板５６のエッチング量を１
０μｍと少なくしてクラッド形成後の凹凸が小さくなる
ようにした。次に、石英系ガラス下部クラッド層５７を
ＦＨＤ法で１０μｍ堆積し、透明ガラス化する。
【００３０】この後、研磨による平坦化を行わず、Ｓｉ
基板５６をエッチングした部分以外の不要なクラッド層
をフォトリソグラフィによるパターニング及びガラスエ
ッチングで除去する。さらに、コア層を堆積し、コア５
９をパターニングする。コア５９のパターニングでは、
凹凸が小さいので研磨による平坦化を行わずとも精密な
パターニングができた。その後、ガラスエッチングを行
い、最後に上部クラッド層５８を堆積した。
基板５６をエッチングした部分以外の不要なクラッド層
をフォトリソグラフィによるパターニング及びガラスエ
ッチングで除去する。さらに、コア層を堆積し、コア５
９をパターニングする。コア５９のパターニングでは、
凹凸が小さいので研磨による平坦化を行わずとも精密な
パターニングができた。その後、ガラスエッチングを行
い、最後に上部クラッド層５８を堆積した。
【００３１】作製した光トランシーバ用波長多重機能付
きＰＬＣでは、入出力接続部５４の変形クラッド領域の
幅を５０μｍ（コアを中心）、長さを２ｍｍとした。作
製したウェファを切断し、研磨面には保護用にガラス板
（図示せず）をＵＶ接着剤で固定した。その後、図７の
ＰＬＣ端面を通常の方法で研磨した。研磨後の端面には
クラックは全く観測されなかつた。この結果より、本発
明の有効性が確認された。
きＰＬＣでは、入出力接続部５４の変形クラッド領域の
幅を５０μｍ（コアを中心）、長さを２ｍｍとした。作
製したウェファを切断し、研磨面には保護用にガラス板
（図示せず）をＵＶ接着剤で固定した。その後、図７の
ＰＬＣ端面を通常の方法で研磨した。研磨後の端面には
クラックは全く観測されなかつた。この結果より、本発
明の有効性が確認された。
【００３２】また、本例ではスプリッタの光学特性も、
変形クラッド領域のない従来のスプリッタと同じであ
り。この点でも本発明の有効性が確認された。
変形クラッド領域のない従来のスプリッタと同じであ
り。この点でも本発明の有効性が確認された。
【００３３】図９は本発明の第３の実施の形態を示すＰ
ＬＣスプリッタの出力側接続部の端面図である。図中、
６１はＳｉ基板、６２は下部クラッド層、６３は上部ク
ラッド層、６４はコアである。
ＬＣスプリッタの出力側接続部の端面図である。図中、
６１はＳｉ基板、６２は下部クラッド層、６３は上部ク
ラッド層、６４はコアである。
【００３４】図９に示す構造を作製するには、まず、下
部クラッド層をＦＨＤ法で堆積し、透明ガラス化する。
次に、フォトリソグラフィでクラッド形状をパターニン
グし、ドライエッチングによりコア近傍に相当する下部
クラッド層６２の部分のみを残す。コア層の形成後、マ
ーカを用いてコア６４のパターング及びガラスエッチン
グを行い、矩形のコアを形成し、最後に上部クラッド層
６３を堆積した。
部クラッド層をＦＨＤ法で堆積し、透明ガラス化する。
次に、フォトリソグラフィでクラッド形状をパターニン
グし、ドライエッチングによりコア近傍に相当する下部
クラッド層６２の部分のみを残す。コア層の形成後、マ
ーカを用いてコア６４のパターング及びガラスエッチン
グを行い、矩形のコアを形成し、最後に上部クラッド層
６３を堆積した。
【００３５】なお、接続部以外の部分では下部クラッド
層が基板上の全面にあることはいうまでもない。
層が基板上の全面にあることはいうまでもない。
【００３６】作製したウェファを切断し、研磨面には保
護用にガラス板（図示せず）をＵＶ接着剤で固定した。
その後、図９のスプリッタ端面を通常の方法で研磨し
た。研磨後の端面にはクラックは全く観測されなかっ
た。本例によれば、Ｓｉ基板のエッチング及び研磨が必
要ないので、簡便に変形クラッド領域を形成できる。
護用にガラス板（図示せず）をＵＶ接着剤で固定した。
その後、図９のスプリッタ端面を通常の方法で研磨し
た。研磨後の端面にはクラックは全く観測されなかっ
た。本例によれば、Ｓｉ基板のエッチング及び研磨が必
要ないので、簡便に変形クラッド領域を形成できる。
【００３７】また、本例ではスプリッタの光学特性も、
変形クラッドのない従来のスプリッタと同じであり、こ
の点でも本発明の有効性が確認された。
変形クラッドのない従来のスプリッタと同じであり、こ
の点でも本発明の有効性が確認された。
【００３８】なお、これまでの説明では基板としてＳｉ
を用いたが、サファイア等の基板にも本発明は適用可能
である。また、各種の基板の加工にはウェットエッチン
グ以外にドライエッチングまたは機械加工が適用可能で
ある。また、変形クラッド領域のコアに沿う方向の長さ
についての制限はなく、全てのコアの下部クラッド層を
変形クラッド領域としても良いが、作製の容易さの点で
は端部のみが好ましい。また、幅については光学特性が
劣化しないところまで狭くすることが可能であり、数１
０μｍのオーダになる。
を用いたが、サファイア等の基板にも本発明は適用可能
である。また、各種の基板の加工にはウェットエッチン
グ以外にドライエッチングまたは機械加工が適用可能で
ある。また、変形クラッド領域のコアに沿う方向の長さ
についての制限はなく、全てのコアの下部クラッド層を
変形クラッド領域としても良いが、作製の容易さの点で
は端部のみが好ましい。また、幅については光学特性が
劣化しないところまで狭くすることが可能であり、数１
０μｍのオーダになる。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
研磨に伴う接続部でのクラック発生を防止でき、クラッ
クのない研磨面を形成できるので、信頼性の高いＰＬＣ
−ファイバ接続を実現できる。
研磨に伴う接続部でのクラック発生を防止でき、クラッ
クのない研磨面を形成できるので、信頼性の高いＰＬＣ
−ファイバ接続を実現できる。
【図１】従来のＰＬＣ型スプリッタの構造を示す断面図
【図２】研磨後のＰＬＣ端面を示す端面図
【図３】本発明の平面型光導波路の基本的な概念を示す
端面図
端面図
【図４】本発明の平面型光導波路の第１の実施の形態を
示す平面図
示す平面図
【図５】図４のａ−ａ´線に沿う研磨後の出力側接続部
の拡大端面図
の拡大端面図
【図６】図４のｂ−ｂ´線に沿う拡大断面図
【図７】本発明の平面型光導波路の第２の実施の形態を
示す平面図
示す平面図
【図８】図７のｃ−ｃ´線に沿う研磨後の入出力接続部
の拡大端面図
の拡大端面図
【図９】本発明の平面型光導波路の第３の実施の形態を
示す出力側接続部の端面図
示す出力側接続部の端面図
３１，４５，５６，６１…Ｓｉ基板、３２，４６，５
７，６２…下部クラッド層、３３，４７，５８，６３…
上部クラッド層、３４，４８，５９，６４…コア、４
１，５１…スプリッタ回路、４２，５２…導波路、４３
…入力側接続部、４４…出力側接続部、４９…ガラス
板、５３…波長多重用干渉膜フィルタ、５４…入出力接
続部、５５…光トランシーバ用ＬＤ，ＰＤ搭載部。
７，６２…下部クラッド層、３３，４７，５８，６３…
上部クラッド層、３４，４８，５９，６４…コア、４
１，５１…スプリッタ回路、４２，５２…導波路、４３
…入力側接続部、４４…出力側接続部、４９…ガラス
板、５３…波長多重用干渉膜フィルタ、５４…入出力接
続部、５５…光トランシーバ用ＬＤ，ＰＤ搭載部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 泰文 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 石井 元速 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 柳沢 雅弘 東京都新宿区西新宿３丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 光を導波伝搬するコアと該コアを囲みか
つ該コアよりも屈折率がわずかに低いクラッドとからな
る光導波路を基板上に形成するとともに、該基板の少な
くとも一端に前記基板上の光導波路と他の光導波路との
接続を行う接続部を設けてなる平面型光導波路におい
て、 前記接続部付近におけるクラッドの厚さをコア周辺を除
いて薄くしたことを特徴とする平面型光導波路。 - 【請求項２】 光を導波伝搬するコアと該コアを囲みか
つ該コアよりも屈折率がわずかに低いクラッドとからな
る光導波路を基板上に形成するとともに、該基板の少な
くとも一端に前記基板上の光導波路と他の光導波路との
接続を行う接続部を設けてなる平面型光導波路におい
て、 前記接続部付近におけるクラッドをコア周辺のみに形成
したことを特徴とする平面型光導波路。 - 【請求項３】 接続部の上面に補強用のガラス板を取り
付けたことを特徴とする請求項１または２記載の平面型
光導波路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20505596A JP3214544B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 平面型光導波路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20505596A JP3214544B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 平面型光導波路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1048460A true JPH1048460A (ja) | 1998-02-20 |
| JP3214544B2 JP3214544B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=16500703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20505596A Expired - Lifetime JP3214544B2 (ja) | 1996-08-02 | 1996-08-02 | 平面型光導波路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3214544B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6847772B2 (en) | 2002-02-14 | 2005-01-25 | Fujitsu Limited | Planar optical waveguide device |
| US7269309B2 (en) | 2004-03-17 | 2007-09-11 | Omron Corporation | Optical waveguide device, manufacturing method for optical waveguide device and intermediate of optical waveguide device |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06501570A (ja) * | 1990-10-09 | 1994-02-17 | ブリテイッシュ・テレコミュニケーションズ・パブリック・リミテッド・カンパニー | 自己整列ｖ形溝および導波体 |
| JPH0727933A (ja) * | 1993-07-14 | 1995-01-31 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 平面導波路チップ |
| JPH0843654A (ja) * | 1994-08-02 | 1996-02-16 | Hitachi Cable Ltd | 石英系ガラス導波路及びその製造方法 |
| JPH09166724A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路モジュールの作製方法 |
| JPH09166723A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光導波路モジュール |
-
1996
- 1996-08-02 JP JP20505596A patent/JP3214544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US7269309B2 (en) | 2004-03-17 | 2007-09-11 | Omron Corporation | Optical waveguide device, manufacturing method for optical waveguide device and intermediate of optical waveguide device |
| CN100356215C (zh) * | 2004-03-17 | 2007-12-19 | 欧姆龙株式会社 | 光波导装置和光波导装置的制造方法以及光波导装置的中间体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3214544B2 (ja) | 2001-10-02 |
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