JPH06506501A - デンドライト高分子およびその製造 - Google Patents

デンドライト高分子およびその製造

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JPH06506501A JP5512348A JP51234893A JPH06506501A JP H06506501 A JPH06506501 A JP H06506501A JP 5512348 A JP5512348 A JP 5512348A JP 51234893 A JP51234893 A JP 51234893A JP H06506501 A JPH06506501 A JP H06506501A
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マイヤー, エクベルト ヴィレム
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デーエスエム ナムローゼ フェンノートシャップ
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
デンドライト高分子およびその製造 本発明は、心および心から出る枝からなるデンドライト高分子に関する。 デンドライト高分子(dendritic macromolecules)は 、極めて良好に定義された化学構造を有する、三次元の高次のオリゴマーおよび ポリマー分子である。かかる分子は公知であり、たとえばトマリア(D、 A、  T。 5alia)等により、アンゲバンテ・ヒエミー(Angeu。 Chew、 rnt、)英国板、第29巻(1990年)、第138頁〜第17 5頁に記載されている。この刊行物には、多数の異なるデンドライト高分子、た とえばポリアミドアミン(PAMAM)デンドリマ−(米国特許第450746 6号にも記載されている)およびポリエチレンイミン(PEI)デンドライト( 米国特許第4631337号にも記載されている)が記載されている。 デンドライト高分子に想定される用途は、多数であるだけ多種多様である。上述 した刊行物は、若干の可能な用途、たとえば電子的用途、ふるい、触媒(および 触媒担体)、選択膜および塗膜の校正に対する用途を挙げているが、若干のプラ スチックにおける耐衝撃性改良剤または架橋剤としての用途も挙げている。 しかし、上述したデンドライト高分子の欠点は、加水分解反応による分解に対し て非常に敏感であり、とくにPAMAMデンドリマーはさらに高めた温度におい て安定でなく、これは、これらの高分子が、高い温度にさらされると、著しく分 解することを意味する。 本発明の目的は、加水分解反応による分解に対して非常に鈍感であり、また非常 に良好な熱安定性を有するデンドライト高分子を提供することである。 本発明によるデンドライト高分子は、枝がシアン化ビニル単位からつくられてい ることを特徴とする。本発明によるデンドライト高分子は、非常に良好な熱安定 性を有すると共に、加水分解反応による分解に対して非常に鈍感であることが判 明した。さらに、本発明によるデンドライト高分子は非常にコンパクトな構造を 有する。 デンドリマ−(dendri■er)またはステラ−デンドライト(Stell ar dendrites)としても知られているデンドライト高分子は、良好 に定義された化学構造を有する三次元の高次のオリゴマーおよびポリマーの分子 である。これらの高分子は心または開始剤心から出発し、交互反応工程の助けを かりて形成される。通常、合成の間に起きる反応は、実質的に完全な選択的反応 であり、これは望ましくない副反応は全くまたは実質的に起きず、良好に定義さ れた化学構造を有するデンドライト高分子が得られることを意味する。第1図は 、デンドライト高分子の1例の二次元投影図を示す本発明による心として使用す ることのできる分子は、少なくとも1つの官能基を有する分子である。本発明の 枠内では、官能基は、場合により適当な触媒の存在で、シアン化ビニル単位と反 応しつる基である。有利な反応条件下でシアン化ビニル単位と反応しつる基は、 たとえばヒドロキシル基、第一級および第二級のアミン残基、チオール基、電気 陰性置換基を有する炭素化合物、たとえばエステル基、アミド基、ケトン基、ア ルデヒド基、カルボン酸基およびその塩である。 望ましくは心はヒドロキシル基を含有し、心として第一級および/または第二級 アミン残基を含有する。 官能基は種類により、1つ以上のシアン化ビニル単位と反応することができる。 官能基がFシアン化ビニル単位と反応しつる場合には、この官能基は官峰価Fを 有する。1個のヒドロキシル基は1個のシアン化ビニル単位と反応することがで き、従って1の官能価Fを有する。1個の第一級アミン残基は2個のシアン化ビ ニル単位と反応することができ、従って2の官能価Fを有する。一般に、官能価 Fは1.2または3の数値を有する。 分子は、それが少なくとも1個の官能基Gを含有する場合には適当な心である。 この分子は、望ましくは1〜10個の官能基Gを含有する。適当な心は、たとえ ばアンモニア、水、メタノール、ポリメチレンジアミン、ジエチレントリアミン 、ジエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、線状または枝分れポリエ チレンイミン、メチルアミン、ヒドロキシエチルアミン、オクタデシルアミン、 ポリアミノアルキルアレーン、たとえば1,3.5−トリス(アミノメチル)ベ ンゼン、トリス(アミノアルキル)アミン、たとえばトリス(アミノエチル)ア ミン、複素環式アミン、たとえばイミダシリンおよびピペリジン、ヒドロキシエ チルアミノエチルアミン、メルカプトエチルアミン、モルホリン、ピペラジン、 ペンタエリトリトール、ソルビトール、マンニトール、ズレイトール(dule itol)、イノシトール、ポリアルキレンポリオール、たとえばポリエチレン グリコールおよびポリプロピレングリコール、グリコール、たとえばエチレング リコール、1.2−ジメルカプトエタン、ポリアルキレンポリメルカプタン、ホ スフィン、ε−アミノカプロン酸、グリシン、チオフェノール、フェノール、メ ラミンおよびその誘導体、たとえばメラミントリス(ヘキサメチレンジアミン) からなる群から選択しつる。本発明による方法においては、望ましくは、ポリメ チレンジアミン、グリコール、およびトリス(1,3,5−アミノメチル605 0ンゼンからなる群から選択される心が使用される。より望ましくは心として使 用されるポリメチレンジアミンは、ヘキサメチレンジアミン、エチレンジアミン および1,4−ジアミノブタン(DAB)である。最も望ましくは1,4−ジア ミノブタンが心として使用される。 所望に応じ、デンドライト高分子の心として上記官能基を含有するコポリマーを 使用することも可能である。NH2基のような上記官能基1個以上で官能化され ているかかるコポリマーの例はスチレン・マレイミドコポリマー、スチレン・ア クリロニトリルコポリマー、ポリエチレンイミンおよびポリプロピンオキシド、 ポリスチレンのようなポリマーおよびエチレン・ポリプロピレン・ジエンコポリ マーである。 選択される心の形は、高分子の形を大いに決定する。心として小さい分子を使用 すれば、球状の形を得ることができる。ポリマーを使用する場合には、得られる デンドライト高分子はより縦長の形を有する。 シアン化ビニル単位から形成される枝の数は、心から発出する。生起する反応が 完全な反応である場合には、所望の世代数Nの枝の総数は次のように計算するこ とができる。Gが、心が含有する官能基の数であり、Fが各個々の官能基の官能 価である場合、心の反応座(reactive 5ites)の数は官能基Gの 全部の官能価Fの和に等しい。N世代の枝の最大数は、2N−1を乗じた反応座 の数と記載することができる。生起する反応が不完全にとどまる場合、枝の数は より小さく、つまりRと(R・2N−’)の間にある。通常、デンドライト高分 子は、1〜10世代、望ましくは2〜10世代、とくに3〜9世代の枝を有する 。 本発明によるデンドライト高分子の分子量は100〜1000000、望ましく は700〜100000、とくに1600〜100000である。 本発明の範囲内で適当なシアン化ビニル単位は、1個の二重結合およびこの二重 結合に直接共役している電子吸引性基1個を含有し、これらシアン化ビニル単位 は式1の化合物群から選択することができる2式中 R1=−Hまたは−CHII : A =−CミN: R2=1〜5個のシアン化物基を含有する1〜18個の炭素原子を有する炭化水 素である。 使用することのできる非常に適当なシアン化ビニル単位は、アクリロニトリルお よびメタクリロニトリル(MA CN)である。 デンドライト高分子は上記に記載したような心および枝からなる。デンドライト 高分子の枝は、式2で示される少なくとも4個の単位を有する:式中 R1冨心または前世代の単位であり; R” =−Hまたは−CH,であり: R6=Hまたは次世代の単位であり: R6は同じかまたは相互に異なっていてもよい。 枝は通常、1000以下、望ましくは250以下の式2で示される単位を含有す る。枝は望ましくは6以下、と(に10以下の式2で示される単位を含有する。 場合により、デンドライト高分子の枝は、式2で示される異なる単位を含有する 。 また、本発明は、本発明によるデンドライト高分子を製造することのできる方法 に関する。 アンゲバンテ・ヒエミー(Angeu、 Chet Int、 )英国版29巻 (1990年)、1138頁〜第175頁には、デンドライト高分子を製造する ことのできる2つの合成法が記載されている。1つの合成法、いわゆる“保護基 法(protected group method)”の間、デンドライト高 分子の組成、つまりポリエチレンイミン(PEI)デンドリマーは、デンドライ ト高分子における好ましくない副反応および好ましくない欠点を防止する保護基 の戦略的使用により非常に正確に制御されている。他の合成法、たとえばポリア ミドアミン(PAMA)デンドリマーが製造されるいわゆる“過剰試薬法(ex cess reagent +*ethod) ”の間、統計的に好ましくない 反応および欠点のリスクを最小にする大過剰の試薬が使用される。 上述した゛保護基法“は保護されたアジリジン環の存在に基づく。アジリジン環 は、保護基の脱離を強酸を用いて行なった後、第一級アミンの助けをかりて開環 される。複雑な単離法、合成法の低い収率および高価な試薬の使用は、デンドラ イト高分子のこの製造法を大規模適用に対して不適当にする。 上述の“過剰試薬法2は、反応工程として、第一級アミン残基のメチルメタクリ レートへの錯マイクル縮合、これに続くエチレンジアミンを用いるアミド化を含 有する。しかし、こうして形成されるポリアミドアミンデンドリマーの合成は、 好ましくない副反応を防ぐために極めて大過剰の試薬を必要とする。この欠点も トマロア(D、 A、 Tomaloa) l二よりアンゲバンテ・ヒエミー( Angeu、 Chesie Int、)英国版第29巻(1990年)、第1 48頁に記載されている。過剰量の試薬の大部分は、たとえば回転蒸発器中での 蒸発によって除去され、その後試薬の最後の残分は沈殿工程における粘稠な反応 生成物から除去される。しかし、種々の合成の間の中間生成物は完全に純粋でな ければならず、これは沈殿工程を数回繰返さねばならないことを意味する。これ らの複雑なファクタがこのデンドライト高分子の合成法を大規模適用に不適当に する。 上記各合成法の欠点は大きく、これら方法の大規模(従って商業的に魅力のある )の使用は、既にアルパー(J、^1per)によりサイエンス(5cienc e)第251号(1991年3月)、第1562頁〜第1564頁に: “これ らの用途の多くに対する主たるつまづきは大規模合成法が開発途上である”と註 解されているように、打勝ち難い問題を包含する。 本発明は上記の欠点の存在しないデンドライト高分子の製造方法を提供する。 本発明によるデンドライト高分子の製造方法は、次の工程a)〜C): a) 心の実質的にすべての官能基を、シアン化ビニル単位と反応させ: b) 実質的にすべての縮合されたニトリル単位をアミン残基に還元し; C) 実質的にすべてのアミン残基をシアン化ビニル単位と反応させる工程を包 含し、その工程b)およびC)を所望の世代数Nの高分子を得るために交互に( N−1)回実施することを特徴とする。Nの数値は通常1〜10に変化し、望ま しくはNは3〜10の数値を有する。反応工程b)の後、製造方法を停止するこ とも可能である。これは、世代数 1 ’/z、21/2またはより高いデンド ライト高分子を生じる。本発明の範囲内で、実質的に通例というのは少なくとも 80%を意味する。望ましくは、これは少なくとも90%、より望ましくは少な くとも95%、最も望ましくは少な(とも99%である。 本発明によるデンドライト高分子の合成法は上述した欠点が存在せず、このこと は、この方法が大規模での使用に極めて適当であることを意味する。さらに、本 発明方法では、個々の中間工程で得られる生成物を毎回単離し精製することは必 要でない。従って、本発明によるデンドライト高分子は、簡単に大規模に得るこ とができる。 本発明による方法の工程a)においては、官能価Fを有する心の実質的にすべて の官能基は、F臭化ビニルと反応させられる。後続の反応、たとえば第一級アミ ン残基のシアン化ビニル単位へのマイクル縮合は通常溶液中で行なわれる。この 目的のために使用される溶媒は、通常、後続反応の経過も好ましくない副反応の 発生も不利に影響を受けるように選択される。従って、使用される溶媒は使用さ れる反応条件下で心の官能基と反応しないことが重要である。かかる溶媒はたと えば、水、テトラヒドロフラン、メタノール、エタノール、イソプロパツール等 のような種々のアルコール、種々のエーテル、およびこれら溶媒の混合物よりな る群から選択することができる。最後に選択される溶媒は、心の官能基の種類に 大きく依存する。望ましくは水、メタノールまたはこれら両者の混合物が溶媒と して使用される。 心のすべての反応座Rをこの反応工程の間シアン化ビニル単位と反応させること が所望である場合には、シアン化ビニル単位の数対反応座の数の比として記載す ることのできる試薬の比は、少な(とも1でなければならない。通常この比は1 〜5の間、より望ましくは1〜3の間である。この比が1よりも小さい場合には 、すべての反応座Rが、シアン化ビニル単位と反応しない。 工程a)の間の温度は、通常O〜100℃、望まし(は5〜70℃である。 場合により、官能基とシアン化ビニル巣位の反応が十分に進行するのを確保する ために、工程a)の間反応混合物に触媒が添加される。適当な触媒の例は、弱酸 、たとえば酢酸である。通常、反応混合物に添加される触媒の量は、反応座Rの 数に対して0〜5モル%である。 本発明による方法の工程b)において、実質的にすべての導入されたシアン化ビ ニル単位はアミン残基、望ましくは第一級アミン残基に還元される。導入された シアン化ビニル単位がアクリロニトリルである場合、こうしてプロピルアミン( PA)単位が形成される。後続する還元反応は、通常溶液中で行なわれる。この 目的のために使用される溶媒は通常、ジアミン(たとえばエチレンジアミンのよ うなアルカンジアミン)、水、アンモニア、メタノール、エタノール、イソプロ パツール等のような種々のアルコール、テトラヒドロフランおよびジオキサンの ような種々のエーテル、およびこれら溶媒の混合物からなる群から選択される。 望ましくは、水、メタノール、エチレンジアミン、1.3−アミノプロパンまた はこれら溶媒の混合物が溶媒として使用される。 還元反応はたとえば、導入されたシアン化ビニル単位をH2ガスと反応させるこ とによって行なうことができる。完全な反応が所望の場合には、H2対ニトリル 基のモル比は少な(とも2でなければならない。モル比が2よりも小さい場合に は完全な還元は起きない。通常、還元工程は適当な触媒の存在で実施される。 一般に、還元触媒、望ましくは不均一系還元触媒が使用される。 本発明により使用される触媒は、ハンドブック・オブ・ケミストリイ・アンド・ フィツクス(Handbook ofChemistry and Physi cs)第58版、CRCブレス、第1977頁〜第1978頁に示されているよ うな、元素周期律第■族からの金属を包含する触媒である。 第1族の金属がニトリルの水素化において活性であることは公知である(たとえ ばヨーロッパ特許第77911号参照)。ニッケル、コバルト、白金、パラジウ ムおよびロジウムが非常に安定である。十分な触媒活性を有するためには、金属 は大きい接触面を有しなければならない。金属はそのものとして使用することも できるし、または適当な担体に適用することもできる本発明により触媒として使 用するのにとくに適当なのは、ラニーニッケルまたはラニーコバルトである。 これらラニー触媒およびその製造の記載については米国特許(US−A)第16 28190号を照。 ラニーニッケルは実質的にニッケルおよびアルミニウムからなり、後者は金属ア ルミニウム、酸化アルミニウムまたは水酸化アルミニウムの形である。鉄および /またはクロムのような少量の他の金属は、金属または結合した形で、特別な化 合物群の水素化においてその活性および選択性を増加するために、ラニーニッケ ルに加えることができる。鉄および/またはクロムで促進されたラニーニッケル は、ニトリル基の還元に極めて適当である(たとえばS、 R,Ilontgo mery、 Catalysis of Cerganic Reaction s、第5巻、第383頁〜第409頁(1981年)参照)。 ラニーコバルトもアルミニウムを含有し、助触媒を備えることができる。たとえ ば、クロムで促進されたラニーコバルトは、ニトリルの水素化に非常に適当であ る。 使用前に、ラニーニッケルまたはコバルト触媒は、しばしば還元反応の選択性に 有利な影響を与えるため、アルカリ溶液、たとえばKOHまたはNaOHで前処 理される。この目的のために使用される水酸化物の量は、触媒の量に依存する。 通常、触媒1tあたり水酸化物0.01〜0.2g(乾燥重量)が使用される。 望ましくは、触媒1gあたり水酸化物0.03〜0.18g、最も望ましくは触 媒IIあたり水酸化物0.05〜0.15gが使用される。前処理は、所望量の 水酸化物をできるだけ少量の適当な溶媒、たとえば水に溶かし、その後得られる 溶液を、あらかじめ水で水洗した触媒に加えることによって実施される。こうし て得た混合物を激しく撹拌する。 反応混合物の全重量に対する触媒の濃度は、通′f1〜35重量%、望ましくは 5〜20重量%、最も望ましくは6〜12重量%である。 還元反応(工程b)は、たとえば密封反応器中、H2雰囲気中で実施することが できる。この密封反応器中の水素圧は、通常1〜500バール、望ましくは10 〜200バール、最も望ましくは10〜100バールである。反応温度は臨界的 ではなく、通常0〜200℃、望ましくは10〜100℃である。 本発明による方法のC)工程においては、実質的にすべての官能基がシアン化ビ ニル単位と反応させられる(マイクル縮合反応)。官能基が第一級アミン残基で ある場合には、該基は2個のシアン化ビニル単位と反応することができる。この 反応工程の間の反応条件は、反応工程a)の間と同じであるように選択すること ができる。 反応工程a)〜C)を一度に実施する場合には、第2世代(N=2)のデンドラ イト高分子が得られる。 より高世代のデンドライト高分子は、反応工程b)およびC)を交互に繰返すこ とによって得ることができる。反応工程b)およびC)を交互にN回実施すると 、(N+1)世代のデンドライト高分子が得られる。 所望の場合には反応生成物を、1.5.2.5またはより高世代のデンドライト 高分子を得るために、反応工程b)後に単離することもできる。得られた反応生 成物は、任意の選択された反応工程後に単離することができる。 得られたデンドライト高分子は、場合によりあらゆる種類の官能基で全部または 部分的に変性することができる。これはたとえば、場合により適当な触媒の存在 で、存在するアミン残基またはニトリル基を適当な試薬と完全にまたは部分的に 反応させることによって行なうことができる。かかる試薬の例は、HCIのよう な無機酸、アクリルエステル、メタクリルエステル、クロチルエステルおよびア クリルアミドのような不飽和脂肪族エステルおよびアミド、酸塩化物、アクロイ ルクロリドのような酸ハロゲン化物、エチルブロモアセテートおよび臭化アリル のようなハロゲン化アルキル、塩化ベンジル、ヒドロキシエチルメタクリレート のようなハロゲン化アリール、塩化トシルのようなハロゲン化トシル、無水マレ イン酸、無水フタル酸のような無水物、テレフタル酸およびアジピン酸のような ジカルボン酸、エチレンオキシドおよびエピクロルヒドリンのようなオキシラン 、ホルムアルデヒド、エタナールおよびヘキサナール、p−ホルミルフェニル酢 酸および1.4,5.8−ナフタレンテトラアセトアルデヒドのような(非)環 状アルデヒドである。 得られるデンドライト高分子は、完全または部分的に官能基で変性された連鎖末 端を有する。これらの官能基は、たとえば、アミン、ニトリル、ヒドロキシド、 エステル、酸、塩、アミド、イミド、トシレートおよびチオール基の群から選択 される。若干の異なる官能基の混合物を、必要に応じ、使用することができる本 発明によるデンドライト高分子は、その良好な熱安定性および非常に限られた加 水分解に対する敏感性の点で部分的に、熱可塑性ポリマーまたはポリマー組成物 と極めて良好に混合することができる。 熱可塑性ポリマーは、たとえばポリエチレンおよびポリプロピレンのようなポリ オレフィン、ポリアルキレンテレフタレート(たとえばポリエチレンテレフタレ ートおよびポリブチレンテレフタレート)およびポリカーボネートのようなポリ エステル、ナイロン6、ナイロン4.6、ナイロン8、ナイロン6.10等のよ うなポリアミド、ポリスチレン、ポリオキシメチレン、アクリロニトリル・ブタ ジェン・スチレンコポリマー、スチレン・アクリロニトリルコポリマー、スチレ ン・マレイミドコポリマー、ポリスルホン酸、ポリイミド、スチレン・無水マレ イン酸コポリマー、ポリ(メチルメタクリレート)、ポリ(ビニルアルコール) 、またはこれらポリマーの若干のポリマー組成物からなる群から選択することが できる。しかし、このリストは決して限定的ではない。 場合により、本発明によるデンドライト高分子と熱可塑性ポリマーまたはポリマ ー組成物の混合物に添加剤を加えることができる。かかる添加剤の例は、耐衝撃 性改良剤、安定剤、酸化防止剤、滑剤、充填剤、難燃剤、着色剤、顔料、補強繊 維および伝導性繊維である。 本発明を、次の実施例に関してさらに説明するが、これに制限するものではない 。 例 エ メタノール1200m1’および1.4−ジアミノブタン(DAB、基体)15 09 (1,7モル)を、撹拌機、冷却器、温度計および滴下漏斗を備えた21 の三つロフラスコに導入した。この混合物が10℃の温度に冷却した後、メタノ ール100 m l中のアクリロニトリル(ACN)400g(7,6モル)の 溶液を2時間で滴下した。次いで、こうして得られた反応混合物を16時間加熱 した(温度40℃)。 混合物が室温に実質的に冷却した後、メタノールおよび過剰のアクリロニトリル の双方を減圧下に蒸発させた。こうして得られた残留物を50℃の温度でメタノ ールに溶かし、その後、結晶化および単離後に、所望の生成物、つまり所望のテ トラニトリルが純粋な形で白色針状晶として得られた;生成物は52.8 ℃の 融点を有することが判明した。収率は92%であった単離した生成物の、IHお よび18CNMR分光および買置分光測光による分析は、得られた生成物がDA B (ACN)4であることを示した。 二ニーとと且」」]口り工し工」ユ立工:119ppm、CN ; 53.lp pm、 N旦J」(CH2) s ; 49.4pp+a、 N 、(L−上L −2CH2CN : 2 4 .9 ppm、 N、≦Ic H2c N: 1 6 、9 ppm、 LLCN 。 1)(止MR工lユOMHユニ匹DC辷、工:2.85ppm、t 、2 H, NLLCH2CN : 2.55ppHSm、IH,N立Jヨ(CH2) 3  : 2 、48 pl)■、t、2H、CH2CN : 1.55ppm、m、 IH,C上、CH2N例 ■ ラニーニッケル触媒(Degussa社製品BLM112W(登録商標):供給 業者により指定された組成はNi85重量%、Fe 2.0重量%、Cr2.5 重量%およびAZ 9,7重量%である)8.09を、脱イオン水10mfに溶 解したKOHO,8yで前処理した。 次いで、触媒を、エチレンジアミン(EDA)50m/を用いて3回洗浄した。 この前処理間の温度は20℃であった。 次いで、触媒およびEDA 100m/を160 m fの容積を有するオート クレーブに導入した。オートクレーブを閉じ、H2ガスで数回フラッジし、次に 60at園のH2圧で40℃の温度に加熱し、その間反応器内容物を撹拌した。 次に、DAB (ACN) 449をEDA 10gに溶解して、Hgガスで数 回フラッジし、7Qat膳の圧力にしたいわゆる分配容器を用いてオートクレー ブ中へ圧入した。還元反応は70atmの圧力で行なった。 完全な還元は120分かかった。18CNMR分先による単離した生成物の分析 は、得られた生成物が1゜4−ジアミノブタン−n、n’ −テトラ−1−プロ ピルアミンDAB (PA)aであることを示した。 18CT1口り工」」L1旦」ニー2!飢と:53.4ppm。 N立ji3cHgcHzcHz (2X); 51.1pp■、N且、LL−2 CH2C82NH2(4X) ; 3 9.5pp鳳、 S立上’jNHz(4 X) : 28.8Qp層、 、(≧−ノヨ[−こCH2NHgC4X):23 .9pp醜、 NCH,(≧−ノコニー1’≧−」ヲLllCH2N (2X  ) 。 例 ■ 例Iを繰返したが、ただ1,4−ジアミノブタンの代りにDAB (PA) 4 5.09を基体として使用した。 18CNMR分光による単離した生成物の分析は、得られた生成物がDAB ( PA)a (ACN)sであることを示した。収率は91%であった。 ”CNM及(51MHzエゴと囚且1 ):118.9ppm、 CN (8X ) ; 5 3.9ppmS N二S−上LユCH2CH2CH(2X):51 .5および51.4pp曹、NlCH2肩ムN (8X) : 49.6ppm 、 N立HCH,CN (8X); 25.0および24.9pp層、N立上ユ 立旦、CH2およびN CHz立上」CH2N (6X) ; 16.9pp転 立上ヨCN (8X)。 例 ■ fllffll返したが、タタD A B (P A)4 (A CN)82. 09を120(l還元シテ、13CNMR分光1.:ヨる単離した生成物の分析 から判明したように、DAB(PA)4 (PA)sを得た。 巳しユ侵(R口日し4Hz、Iム旦工: 53.6ppmSNLLCH2CH2 LLC2X): 51.7ppm、NCHzCHg、(L−11−2N (8X ) ; 5 1.2ppm、 N ICH2CH2NH2(8X); 39.6 1)l)l−立JヨNHg(8X): 28.9ppm1CHCHgNHg(8 X); 24.lppm、 NCH2C二上L□≦LlL□CH2N (2X) ; 2 2.3ppta、NCR2C旦□CHzN (4X ) 。 例 V 例■を繰返したが、ただDAB (PA)4の代りに、DAB (PA) 4( PA)s 2.Oyを基体として使用した。 単離した生成物は”CNMR分光により分析し、:れがDAB(PA)4(PA )s(ACN)hat’あルコとを示した。 ”CNMR(50MHz、CDCl ):119.Oppm、 CN (16X ) ; 54.lppm、 NC上」cH2cH2CH2(2X): 52.2 ppH,NLLCH2且J」(8X):51.5およヒ51.4ppm、NCH CH。 CH(16X);49.5ppm、N LLCH2CN (16X);25.0 および24.9ppmSNCH2幻ムl CHgおよびNCH2立上」−CH2 N (10X ); 24.3ppm、NCR2二上」CHzN (4X) ;  16゜9 ppm、 、≦ニー」jニー、CN(16X)。 例 ■ 例■を繰返すが、ただDAB (FA4 )(PA)s(ACN)162.09 を40℃で4200分還元して、得られた生成物の 13CNMR分光による分 析から判明したように、DAB (PA)4(PA)s (FA)16を得た。 ”CNMR(50MHz、D O) : 53.6 ppH、N見上ヨCH2C H2CH2(2X); 51.7pDll、N以上zcHgNH2(16X);  39.61)I)11%見HN H2(16X): 28.9pp+s、CH 2CH2NH2(16X); 24.lppm、NCH2立上」旦J」CHgN  (2X);22.3ppts、NCH2立上ヨCH,N (12X)。 例 ■ 例Vを繰返したが、ただDAB (PA)4(、PA)sの代りに、DAB ( PA)4(PA)s(PA)ts 3゜0gを基体として使用した。 単離した生成物を1”CNMR分先により分析し、得られた生成物はDAB ( PA)4(PA)s (ACN)82であることが判明した。 二CNMR(50MHz、CDCl ):119.0ppm、CN (32X)  ; 54.2ppm、N 立JjCH2CH2CH2(2X): 52.2p pm、N立上ヨCH2立上ユ(24X) ; 5 1.4ppm、 N、−二− 上!JCH2C−11,(32X) ; 49.4ppm、N旦HCH2CN  (32X): 24.9ppm1NCHgCH■ロムCH2およびNCH2且、 Li−2CHxN (18X) ; 24.4pp鳳、 NCH2,≦≧−」コ ニ−2CHzN (12X); 16,8ppms 旦J」cN ca 2X) 例 ■ 例■を繰返したが、ただDAB (PA)a(PA)a(PA)□6(ACN) 82 2.Oqを温度60℃で4200分間還元し、得られた生成物の18CN MR分光による分析から判明したように、DAB (PA)a(PA)a (P A)16(PA)stを得た。 ”CNMR(50MHz、 D O) : 51.7ppm、 NCHCH2N H2(56X):51.2ppm%NCHCH2CH2NH2(32X); 3 9.6ppm、立上JiNH2(32X): 28.8pI)l、 LLCH2 NHz(32X);22.3pp■、NCH2立上」CH2N(28X)。 例 ■ 例■を繰返したが、ただDAB (PA)4(PA)s(PA)xsの代りに、 DAB (PA)4(PA)s(PA) 1e(PA)s22.Oqを基体とし て使用した。 得られた生成物を18CNMR分光により分析し、これがDAB (PA)4( PA)8 (PA)16(PA)5t(ACN)eaであることが判明した。 2S−上MRΔ」」とMH二LしCD免±11119.Opp曽、 CN (6 4X) ; 5 4.2ppm、N、≦pcH2CH2CH2(2X): 52 .2ppm1N立上jcH2立Jヨ(56X) ; 51.4pp■、NリムC H2立上l (64X):49.5pl)塩、N立上」CH,CN (64X) : 25 、 Oppm、NCH2CHパ」ムCH2およびNCH,旦HiCH 2N (34X): 24.2pp■、NCH2立上ヨCH2N (28X)  : 16.9pp■、リムCN (64X)。 例 X 例■を繰返したが、ただDAB (PA)4(PA)s(PA)16(PA)3 2(ACN)64 2.Oyを80℃の温度で4200分間還元し、18CNM R分光による生成物の分析から明らかなように、DAB(PA)4(P A )  s (P A ) gz (P A ) s4が得られた。 P5エ1コ(凡(51Hユ(z工mΩ−: 51.7ppm、 NLLCH2L hN (120X) ; 51 、2 ppts、 N旦LCH2CH2NH2 (64X) : 39.6pp量、以LNH2(64X) : 28.8ppm 、リムCH2NH2(64X); 22.3pl)II、NCH2リムCH2N (60X)。 例 ℃ アクリロニトリル20gをメタノールlQmlに溶かした。次に、10℃の温度 でこの溶液を、メタノール中のエタノールアミン(ETAM)5.Oqの溶液に 潤油した。次いで、反応混合物を16時間(40”Cの温度で)加熱した。溶媒 を蒸発し、残留物をエーテルで洗浄した後、IHおよびl”CNMR分光による 生成物の分析は、得られる反応生成物がジニトリルエタノール(ETAM (A CN)2)であることを示した。 HICH,OH; 49.7 ppm、N 立上ヨCH2CN ; 17 。 4pp■、立上」CN。 」−ΣMR工l立立笠旦エエ工旦エユエエ:3.66pp厘、 t、 IH,C H,OH;2.91pp■、 t、 2H。 LLCH2CN ; 2 、72 ppm、IH,t、NCHCH20H; 2 .5 3ppm、 2H,t、CH2CN。 例 罵 例■を繰返したが、タタE T A M (A CN ) 22 。 0gを、メタノールに溶かして、基体として使用した。温度40℃で60分後、 完全かつ選択的な還元がメタノール中で行なわれたと思われ、18CNMR分先 による得られた生成物の分析は、所望のETAM (PA)gが得られたことを 示した。 2立」超VR工l立y上J工J一旦工:59.fpp謹、旦HXOH; 5 5  、Oppm、 NS二立上しCH20H; 5 1.8pp馬、 NC二立上 しCHgCHgNHg (2X) : 3 9.Spp腸1、(ニー上i−2, N H2(2X ) : 2 8 .9 ppm、、≦≧−」jニー&CHgN  H2(2X)。 例 X■ 5℃の温度で、アクリロニトリル10 y (189mモル)を、陰イオン交換 体(Levatit M P 500 M B(登録商標)、3%NaOH溶液 を用いてヒドロキシ配置にし、次いで水で水洗して中性pHにした)0゜5gお よびポリエチレングリコール2.09 (PEG、数平均分子量=455.4. 4mモル)に潤油した。得られた混合物を、20℃の温度で12時間撹拌した。 得られた生成物を濾過し、ジクロロメタンで洗浄した。ジクロロメタンおよび過 剰のアクリロニトリルの蒸発後、生成物をジエチルエーテル(3回)で洗浄した 。18CNMR分光による得られた生成物の分析は、単離した油状物がPEG  (ACN)zであること、 0CH2−CH20: 6 5.9pp履、 op 二lニー CH2CN : 18.8pp+5SLLCN : 118.2pp ■、CN例 XIV 例■を繰返したが、ただP E G (ACN) 22.Oqを基体として使用 し、反応媒体としてメタノールを使用した。37℃の温度で300分後、完全か つ選択的還元が行なわれたと思われ、18CNMR分光による得られた生成物の 分析は、所望のPEG (PA)2が得られたことを示した。 旦立」ソVR工立旦ヱ上」よ」ム旦工:70.Opp■、OCH2−CH2O:  69.3ppm、OIc H、c H2NH2; 38.2ppms LLN H2; 32.0pI)IIS幻ムCH,NH2゜ 例 XV ε−アミノカプロン酸1.09 (ε−AC,8,0mモル)を水10 m l  i:溶かし、K 2 COs 0 、5 当量テ脱プロトン化した。次に、0 ℃の温度で、過剰量のアクリロニトリルを加えた(4モル当量)。次いで、混合 物を12時間(40’Cの温度で)加熱した。18CNMR分光による生成物の 分析は、溶媒および過剰のアクリロニトリルの蒸発後に得られた無色の油状物が ε−AC(ACN)2であることを示した。 旦」CH2CH2CH2; 48 、8 ppm1N 立」jCH2CN ;  38.lppm、 CH2C0; 27.Oppm、 NCH2CLCH2;  26.2/26.lppm、CH,CHCHCH,Co : 15.6ppm、 CHCN。 例 XVI 例■を繰返したが、ただe−AC(ACN)$12゜0gを水に溶かし、基体と して使用した。40’Cの温度で120分後に完全かつ選択的還元が行なわれた ものと思われ、18CNMR分先による得られた生成物の分析は、所望のε−A C(PA)2が得られたことppI、Co ; 53.9ppm、N LLCH zc Hzc H2;51.6pp諺、 NpL上LユしH2CH2NH2(2 X) ; 40 、Oppm、 S1上しユN Hg (2X) ; 3 8  .8 1)l)l、 S見上L】Co;29.5pp菖、 、≦≧−」]ニーこ CH2NH2(2X):27゜8pp寓、 NCH2CH−ヱ;26.5pp園 /25.8ppm、NCHg立上、C比■ユムCH2゜ 例 X■ 例2を繰返したが、ただ触媒の洗浄剤および基体の溶媒および反応溶媒としてn −ブタノールを使用した。40℃の温度で180分の反応後、所望のDAB ( PA)4への完全かつ選択的還元が行なわれたと思われた。 111(二JMR(50M上ユニ」ム旦工: 53.4ppm、 N立JjCH 2CH2CHg (2X ) ; 51 、1 ppl、N以上zcHzcH2 NHz (4X); 39.5ppm、立上jNH2(4X) ;28.8pp m、 、≦≧−」プL−2CH2N H2(4X ) ;23.9pp■、NC H2立上」旦J」c H2N (2X ) 。 例 X■ 例■を繰返したが、ただ触媒はテトラヒドロフラン(THF)で洗浄した。次い で、DAB(ACN)42.0gをTHFに溶かし、反応溶媒としてTHFを使 用した。30気圧のHg圧および80℃の温度を使用した。120分の反応後、 所望のDAB (PA) 4への完全かつ選択的還元が行なわれたと思われた。 18CNMRユ」」しに旦」ニ一旦工工) : 53.4ppm、N立上ユCH 2CH2CH2(2X); 51.1pp11.N見上」CH,CH2NH,( 4X); 39.5pp■、立上jNH2(4X);28.8pp■、LLCH 2N H2(4X ) :23.9ppm、NCH,立上」旦HCH2N (2 X)。 例 XX 例X■を繰返したが、ただ40℃の反応温度を使用した。240分の反応後、所 望のDAB (PA)4への完全かつ選択的還元が行なわれたと思われた。 ”CNMR(50MHz、D O) : 53−3−4pp N立JヨCH2C H2CH2(2X); 51.1pp■、N見上」CH2CH2NH2(4X)  ; 39.5ppm、 、≦pN H2(4X); 28.8pp+*SLL CHgNHz(4X);23.9pp膳、 N CH2,≦≧−」」−」
【3= −二LICH,N (2X) 。 例 XX ラニーニッケル触媒(Degussa社からのBLMII2(登録商標);組成 物はNi 85重量%、Fe 2゜0重量%、Cr2.5重量%およびAl 9 .7重量%を含有する)8.0gを、例■におけると同様にKOHで前処理した 。この前処理後、触媒を脱イオン水50m1で1回洗浄した。次いで、触媒を脱 イオン水100m1と共にオートクレーブに移し、その後オートクレーブをHg ガスでフラッシュし、60℃の温度に加熱した。次いで、DAB (ACN)4 4.09をメタノール5.Q m 1に溶かし、オートクレーブに移した。 70atmのHg圧で90分に、DAB (PA)4 への完全かつ選択的還元 が行なわれた。 2立」仁[L工1立ヱ上」工」−立上:53.4ppm%N立上ヨCH2CH2 CH2(2X): 51.1+)I)ffi、N立上」CH2CH2NH2(4 X): 39.5ppm%立J」N H2(4X): 28.8ppm、至上ユ C82NH2(4X):23.9ppm、NCH2CH己ユムCH,N (2X )。 例 XX[ 例XXを繰返したが、ただラニーコバルト(Grace2724 (登録商標) 型、Crで促進)を触媒として使用した。15分の反応後、所望のD’AB(P A)4への完全かつ選択的還元が行なわれた。 2旦−Σに盈」」」口vlHz工」ユ立工:53.4pp墓、NLLCH2CH 2CH2(2X): 51.1p1)11N立上」CH2CH2NH2(4X)  + 3 9.5pp鳳、 C−1LINH2(4X); 28.8pp■、立 上」CHtN H2(4X ) ;23.9pp菖、NCH2立上」旦JjCH 2N (2X ) 。 例 XXI メラミン(1,3,5−トリスヘキサメチレンアミン)10g(23,6mモル  MEL (HMA)s)をメタノール150m1に溶かした。得られた溶液を 、0℃の温度でアクリロニトリル15g(283mモル)に加えた。こうして得 られた混合物を20℃の温度で1時間、次に45℃の温度で12時間撹拌した。 溶媒および過剰のアクリロニトリルを、回転蒸発器の助けをかりて40℃の温度 で減圧で除去した。13CNMR分光分析の結果は、ジエチルエーテル中での沈 殿および単離後得られた生成物は粘稠な油状物で、純粋なMEL (HMA)a (ACN)aであった。 只且−と2盈」」」ロ髭辻王工匹」ULLL工:165.8ppm%NCN ( 3X); 118.7pp■、CN (6X); 53.4ppm、 N見上」 CH2CH2CHg (3X) ; 49.6ppm、NCH2CH2CN ( 6X); 40.5pp+*。 NH以ヱ」(3X) ; 29.7pp菖、NHCH2夏uJ(3X) ; 2  7.3ppm、2 6.8pp諷、 26.7ppm、NCH2以且バロL6 」シCH2CH2NH(9X) ; 17 。 Opp園、 、≦L−」に一、CN(6X)。 例 XXI 例XXを繰返したが、ただME L (HMA)s (A CN)s2.3gを 基体として溶かした。還元反応は60℃の温度で実施した。13CおよびIHN MRスペクトルは、所望のメラミン(HM A ) s (P A ) eへの 完全かつ選択的還元が1020分の反応後に行なわれたことを示した。 18CNMR工(5旦MHz工旦1店工:165.7ppm、NCN (3X) ; 53.7ppH,N免HCH2CH2cH2(3X ) ; 51 、31 )9m、、N旦jj、ICHgNHg(6X):40.8ppg+、NH立」」 (3X) ; 39.7p1)11゜リムNHg (6X) : 29.8p9 11、N HCH2p (3X) ; 29.lppm、 SユlL】CH*N  H2(6X ) ; 27 、6 ppm、25.6ppm、NCHCH(≧ 9 CHg CH2NH(9X)。 例 xxrv シェフアミン(Jeffasine)D −2000(登録商標)(変性ポリプ ロピレンオキシド、重量平均分子量=2000 、Texaco Chemic al Company) 251を、メタノール59 m lに溶かした。得ら れた溶液を、0℃の温度でアクリロニトリル 6.091=加えた。得られた混 合物を20℃の温度で1時間、40℃の温度で12時間撹拌した。次いで、得ら れた生成物を、ペンタン100 m lおよびジエチJレエーテlし5 、 Q  m l の混合物に溶かした。13CNMR分光分析の結果1よ、単離後に得 られた生成物はJeff (ACN) 4 (無色の液体:収率94%)である ことを示した。 出ヒ達」工到目1ニニュ立ム):118.7ppm、 CN ; 75.1〜7 5.7ppm、QCし、73.0〜73.6ppm、NCH;52.2〜52. 5ppmSNC例 xxv ラニーニッケル触媒(Degussa社力1らのBLMII2(登録商標):組 成物1tNi85重量%、Fe 2゜0重量%、Cr2.5重量%およびAI  9.7重量%を含有する)8.0=gを、脱イオン水I Q m 1に溶かした KOHO,8gで前処理した。こうして得た触媒の沈殿後、水層を捨て、次いで エチレンジアミン5Qwlを加え、その間混合物を撹拌した。次いで、こうして 洗浄した触媒を濾別し、160 m lのオートクレーブ中のエチレンジアミン 100m1に加えた。オートクレーブを閉じ、H2ガスで数回フラッジした。次 に、70バールのH2ガスをオートクレーブに38℃の温度で導入し、内容物を 激しく撹拌した。 次いでJeff(ACN)a 2.Orをエチレンジアミン10gに溶かして、 オートクレーブ中へ導入した。 3時間後、完全な還元が行なわれたことが認められた。”CNMR分光は、得ら れた生成物が純粋なJeff(PA)4であることを示した。 13CNMR(50MHz、D20): 74.8〜75゜9pp■、0見上」 ;72.4〜73.3pp@、NCH: 53.0〜52.7pp腸、N立H2 CH2NHz: 39.1pp厘、見上、NH2+ 32.3ppm、C上」C H2N H2; 16 。 5〜17.3pp飄、 CCHs。 例 XXVI 水900m1および1.4−ジアミノブタン(基体)75g(0,85モル)を 、撹拌機、冷却器、温度計および潤油漏斗を備えた21の容積を有する三つロフ ラスコ中へ導入した。この混合物を10℃の温度に冷却した後、アクリロニトリ ル2009(3,8モル)の溶液を2時間に潤油した。次いで、こうして得た反 応混合物を9時間加熱した(温度65℃)。 次に、混合物を室温に冷却した後、水および過剰のアクリロニトリルを共沸によ り蒸発させた。こうして得た、DAB(ACN)4および水を含有する残留物を 、前処理しなかったラニーニ・yケル触媒で還元した。1時間後に反応は停止し 、その後所望の生成物は無色の油状物として得られた。13CNMR分光による 生成物の分析は、純粋なりAB (PA)4が形成したことを示した。収率は9 8%であった。 ”CNMR(50MHz、 D20) : 53.4ppm、 N以H2CH2 CH2CH2(2X): 51,1ppH,NリムCH2CH2NH2(4X) : 39.5pp■、見上JNH2(4X);28.8ppm、CH2CH2N H2(4X);23.9ppm、 N C)12旦上」旦」」CH2N (2X ) 。 例 XX■ 例工〜■で得られたデンドライト高分子の熱安定性を、サーモグラフィー分析( TGA)により測定した。これは、当該生成物的2.5 m 9を、/<−キン エルシマー社(7−シリーズ)の助けをかりてネオン雰囲気中で30℃から90 0℃に20℃/■inの速度で加熱することにより行なった。第1表は、生成物 の最大分解が起きる温度を示す。 第1表 例I〜■で得られた生成物のTGAの結果生成物 温度c℃] DAB(ACN)a 3 3 0.I DAB(PA)4 330.0 DAB(PA)a(ACN)a 33 1.8DAB(PA)a(PA)s 3 78.0DAB(PA)4(PA)a(ACN)□8 332.0DAB(PA )4(PA)8(PA)16 424.0DAB(PA)4(FA)s(FA) ts(ACN)a□331.5 例 XX■ 水900m1およびジアミノブタン75譬(0,85モル)を、撹拌機、冷却器 、温度計および滴下漏斗を備えた21の三つロフラスコ中へ導入した。混合物を 10℃の温度に冷却した後、メタノール50 m l中のアクリロニトリル20 0gの溶液を、反応混合物の温度が15℃以下に維持されるような速度で滴下し た。 全量を加えた後、反応混合物を室温で2時間保ち、その後9時間65℃の温度に 加熱した。次いで、反応混合物を室温に冷却し、得られた生成物を単離した。 IHおよび13CNMR分光および質量分光測定の結果は、単離した生成物がD AB (ACN)aであることを示した。 ”CNMR二(50MJ(z、旦1エム: 119 ppm、 CN ; 53 .lppm、N見ヱヨ(CH2) 3 ; 49.4ppm。 N≦二立上、CH2CN ; 2 4.9pp腸、 NCH2C−上(遣CN  :16.9ppm、見上」CN。 13CNMR(200NHz、CDCIs ) : 2.85ppm、t、2H ,N旦H2CH2CN : 2.55ppm、m。 IH,NC上j、H(CHg) a ; 2.4g 22層、t、 2H。 CH,CN ; 1.55ppm、m、IH,旦H,CH2N。 例 XXX 水30m1およびジアミノブタン5.0v(58mモル)を、撹拌機、冷却器、 温度計および滴下漏斗を備エタ、250m1の容積を有する三つロフラスコ中へ 導入した。混合物が10℃の温度に冷却した後、アクリロニトリル159 (2 80mモル)の溶液を、温度が15℃以下に維持されるような速度で潤油した。 全溶液を加えた後、混合物を2時間室温に保ち、その後反応混合物を16時間6 5℃の温度に加熱した。 反応混合物が室温に冷却した後、過剰のアクリロニトリルを蒸発させた。得られ た生成物D A B (A CN )42.5ツをメタノール4mlに溶かした 。この溶液を、ラニーコバルト触媒(Grace 2724 (登録商標)型、 Crで促進した)8.0+と共に160m1のオートクレーブ中に導入し、H2 ガスで数回フラッシュし、反応内容物を撹拌しながら、30atIlのH2圧下 に80℃の温度に加熱した。これらの反応条件を1時間維持した。 濾過により触媒を除去し、水を蒸発した後、残留物(DAB (PA)4)2. 09を水20i1に溶かし、これに10℃の温度でアクリロニトリル5.41の 溶液を潤油した。混合物を2時間室温に保ち、その後40℃の温度で16時間加 熱した。冷却した後、水および過剰のアクリロニトリルを減圧下に蒸発した。次 いで、こうして得た無色の残留物(純粋なりAB (PA)4(ACN)a ) を、本例に記載したようなりAB (ACN)、と同じようにして還元した。9 0分以内に、完全かつ選択的還元が行なわれた。 こうして形成したDAB (PA)4(PA)sを水30 m lに溶かした。 次に、アクリロニトリル5、Ogを、10℃の温度で潤油した。次いで、反応混 合物を2時間室温に保ち、その後16時間40℃に加熱した。冷却した後、水お よび過剰のアクリロニトリルを減圧下に蒸発し、その後無色の残留物、即ちDA B (PA)4 (PA)a(ACN)tsを、2時間で、本例にDAB (A CN)4の還元につき記載したようにして、DAB (PA) 4(PA)s( ACN)1Mに完全かつ選択的に還元した。 例 XXX エチルアクリレート(EAC,6,3+; 63mモル)をメタノール20m1 に溶かした。得られた溶液を水浴中で冷却し、撹拌しながらDAB (PA)4 0.59を加えた。得られる混合物を室温で20時間撹拌し、その後生成物(淡 黄色の液体)を単離した。生成物の18CNMR分光分析は、純粋なり A B  (P A ) a (EAC)sが生成していることを示した。 13CNMR(50NHz、CDCIs ) : 1 72.5ppI Co  (8X): 60.2+)l)l COOCH2(8X): 54.lppm5  N見上」CH2CHzCH2(2X);51.9ppm、NCH,CH2旦上 見上 (8X): 49.lppm、NCH2CH2C0(8X): 32.6 +)I)m、立上」CO(8X) : 25.OpDa、N CHg以旦ユ且j 」CH2(2X); 24.7ppm、NCH2立JjCHzN (4X);1 4.2ppコ、CHa(8X)。 例 XXXI DAB (PA)a(EAC)s (0,5+、0.45mモル)をメタノール 3 、 Q m 1に溶かした。得られた溶液を水浴の助けをかりて0℃の温度 に冷却し、大過剰のエタノールアミン(EA)を潤油した。次いで、生成物を単 離した。生成物(黄色油状物)のL8CNMR分光分析は、純粋なりAB (P A)4 (EA)sが生成していることを示した。 ”CNMR(50NHZ、D20) : 175.6ppm。 C0NH(8X); 60.3ppm、CH20H(8X):53.app腸、 旦HjCH2CH2旦、H(2X): 51゜5pp■および51.2ppm、 N旦JヨCH,見上1N(8X):49.lppm、N見上、CH,CO(8X ): 41゜8ppmS C0NHC二上7 (8X) : 3 2.9pp纏 、 S工よLICo (8X); 24.Opp腸、N CH2旦■ユ立HCH 2(2X)。 実施例は、本発明による異なる世代のデンドライト高分子を合成することができ ることを示す。本発明による合成された高分子は、加水分解反応による分解に対 して敏感ではない。合成は、種々の溶媒中で、異なる触媒および異なる反応条件 を使用して実施することができる。また、種々の反応工程を、各個々の工程後得 られた(中間)生成物を単離する必要なしに引き続いて実施することも可能であ ることも示されており、これは方法を拡張するのが非常に簡単であることを意味 する。最も遠い世代のデンドライト高分子は、若干の官能基で変性することがで きる。最後に、本発明によるデンドライト高分子は非常に良好な熱安定性を有す ることが判明している。 国際調査報告 フロントページの続き (81)指定国 EP(AT、BE、CH,DE。 DK、ES、FR,GB、GR,IE、IT、LU、MC,NL、PT、SE) 、0A(BF、BJ、CF、CG、 CI、 CM、 GA、 GN、 ML、  MR,SN、 TD。 TG)、 AU、 BB、 BG、 BR,CA、 CZ、 FI。 HU、JP、KP、KR,LK、MG、MN、MW、No、NZ、PL、RO, RU、SD、SK、UA、US(72)発明者 ファンデンボーレン、 フラン シスクスへノリクス アントニウス マリア ヨーゼフ オランダ国 6213 ジェイ アール マースト リヒト フォイレナーバン ク 31(72)発明者 ボスマン、 フベルトゥス ヨハネス メヒティルダ オランダ国 6135 イー エヌ シラタルト ヴイーレヴアールストラート  13

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.心と心から出る枝を含有するデンドライト高分子において、枝がシアン化ビ ニル単位から形成されていることを特徴とするデンドライト高分子。 2.心が、1〜10個の官能基を有する分子であり、該官能基はそれぞれ、互い に独立に、1,2または3の官能価を有することを特徴とする請求項1記載のデ ンドライト高分子。 3.心が、それぞれ互いに独立に1,2または3の官能価を有する官能基を有す ることを特徴とする請求項1記載のデンドライト高分子。 4.心が官能基としてヒドロキシル基、第一級アミン残基および/または第二級 アミン残基を有することを特徴とする請求項1から3までのいずれか1項記載の デンドライト高分子。 5.心が、ポリメチレンジアミン、グリコールおよびトリス(1,3,5−アミ ノエチル)ベンゼンからなる群から選択されていることを特徴とする請求項1ま たは3記載のデンドライト高分子。 6.多数の世代の枝が存在し、N世代の枝の数が心の反応座Rの数より大きいか または同じく、2N−1を乗じた心の反応座Rの数よりも小さいかまたは同じで あることを特徴とする請求項1から5までのいずれか1項記載のデンドライト高 分子。 7.世代数Nが3〜10であることを特徴とするデンドライト高分子。 8.モノマーのシアン化ビニル単位がアクリロニトリルまたはメタクリロニトリ ルであることを特徴とする請求項1から7までのいずれか1項記載のデンドライ ト高分子。 9.枝が式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中R1=心または前世代の単位であり;R2=−Hまたは−CH3であり; ▲数式、化学式、表等があります▼であり;▲数式、化学式、表等があります▼ 基を有する炭素原子数1〜8の炭化水素化合物であり;R5=Hまたは次世代の 単位であり; R6=Hまたは次世代の単位であり; ここですべての▲数式、化学式、表等があります▼基中の基R5及びR6は同じ かまたは相互に異ってもよい]で示される単位を含有するデンドライト高分子。 10.官能基で完全にまたは部分的に変性されていることを特徴とする請求項1 から9までのいずれか1項記載のデンドライト高分子。 11.官能基が、不飽和脂肪族エステル、およびアミド、酸ハロゲン化物、ハロ ゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、ハロゲン化トシル、無水物、ジカルボン 酸および(非)環状アルデヒドからなる群から選択されることを特徴とする請求 項10記載のデンドライト高分子。 12.官能基エチルアクリレートであることを特徴とする請求項10又は11項 記載のデンドライト高分子。13.分子量が100〜1000000であること を特徴とする請求項1から12までのいずれか1項記載のデンドライト高分子。 14.請求項1から13までのいずれか1項記載のデンドライト高分子の製造方 法において、方法が工程a)〜c)を包含し、 a)心の実質的にすべての官能基をモノマーのシアンビニル単位と反応させ; b)実質的にすべての導入されたニトリル単位をアミノ基に還元し; c)実質的にすべてのアミノ基をモノマーのシアン化ビニル単位と反応させ;工 程b)およびc)は所望の世代数Nの高分子を得るために、交互に(N−1)回 実施することを特徴とするデンドライト高分子の製造方法。 15.工程a)および/またはc)の間、モノマーのシアン化ビニルの数対反応 座の数の比が少なくとも1であることを特徴とする請求項14記載の方法。 16.工程a)およびc)の少なくとも1つを、弱酸の存在で実施することを特 徴とする請求項14または15記載の方法。 17.工程a)を0〜100℃の温度で実施することを特徴とする請求項14か ら16までのいずれか1項記載の方法。 18.工程b)を、元素周期律の第VIII族からの少なくとも1つの金属を包 含する還元触媒の存在で実施することを特徴とする請求項14から17までのい ずれか1項記載の方法。 19.触媒がラニーニッケルおよびラニーコバルトからなる群から選択されるこ とを特徴とする請求項18記載の方法。 20.反応混合物の全重量に対して触媒1〜35重量%を使用することを特徴と する請求項19記載の方法。21.工程b)を1〜500バールの水素圧および 20〜200℃の温度でH2雰囲気中で実施することを特徴とする請求項14か ら20までのいずれか1項記載の方法。 22.反応工程を水、メタノールまたは2つの混合物中で実施することを特徴と する請求項14から21までのいずれか1項記載の方法。 23.反応工程を、それぞれの反応生成物の中間単離なしに実施することを特徴 とする請求項14から22までのいずれか1項記載の方法。 24.請求項1から13までのいずらか1項記載のデンドライト高分子と熱可塑 性ポリマーからなるポリマー組成物。
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