JPH06507603A - メチレンシクロブタン誘導体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 メチレンシクロブタン誘導体 本発明は式Ｉのメチレンシクロブタン誘導体に関係し、 この式においては Ｒ１はハロゲン、ＣＮ、ｃＦｓ　、−０ＣＦ、、　−ＣＦ、Ｈあるいは１５個ま での炭素原子を有する置換されてないか、あるいはＣＮ、ハロゲン、あるいはＣ Ｆ。

で−置換されているアルキルあるいはアルケニルあるいはパーフルオロアルキル 基であって、しかもこれらの基のなかの１個またはそれ以上のＣＨ，グループが おたがいに独立であって、それぞれ−Ｓ−５−Ｏ−ＣＯ−，あるいは−ｏ−ｃｏ −ｏ−で置換されていてもよく、ただしその場合にＳおよび／またはＯがおたが いに直接結合してなく、 ＡＩおよびＡ２はおたがいに独立であり、それぞれ（ａ）　トランス−１，４− シクロヘキシレン基であり、そのなかでは更に、１個またはそれ以上の非Ｍ接Ｃ Ｈ，グループが−０−および／または−Ｓ−で置換されていてもよく、 （ｂ）　１．４−フェニレン基であり、そのなかで更に、ｌあるいは２個のＣＨ グループがＮで置換されていてもよく、 （ｃ）　１．３−シクロブチレン、１．３−ビシクロ（１，１，１）−ペンチレ ン、１．４−シクロヘキセニレン、１．４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン 、ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフ タレン−２，６−ジイルおよび１．２．３．４−テトラヒドロネフタレン−２゜ ６−ジイルからなるグループからの基であり、ここで基（ａ）および（ｂ）はＣ Ｎあるいはハロゲンで一置換あるいは多置換されていてもよく、Ｌ’およびＬ２ は各々Ｈ，ＦあるいはＣ１であり、Ｚ′およびＺ２はおたがいに独立であり、そ れぞれ−ＣＨ２ＣＨ２−１−Ｃ＝Ｃ−１−ｃＨｚ　ｏ−１−ＯＣＨ２、−ＣＯ− ０−１−Ｏ−ＣＯ−１−ＣＨ＝Ｎ−１−Ｎ＝ＣＨ−１−ＣＨ２５−１−Ｓ　ＣＨ ｘ−１単結合あるいは３ないし６個の炭素原子を有するアルキレングループであ り、このなかでは更に１個のＣＨｚグループ＋；１−０−１−ＣＯ−Ｏ−１−Ｏ −ＣＯ−５−ＣＨハロゲン−あるいは−ＣＨＣＮ−で置換されていてもよく、 ＸおよびＹはおたがいに独立であって、それぞれＦ、Ｃ１、Ｂｒ、ＣＦａ　、Ｃ Ｎ、１ないし６個の炭素原子を有するＣ　Ｏ２アルキルあるいはアルキルであり 、基ＸおよびＹの−の何れかがＨであり、 ｍは０．１．２あるいは３であり、 ただしｍ＝ｏの場合には、Ａ２は１，４−フェニレンでありおよびＺ２は単結合 であり、ＸおよびＹは同時にはＦではないという条件付きである。

本発明はさらに液晶性媒体の成分としてのこれらの化合物の使用に関係し、更に 本発明による液晶性の媒体を含む液晶および電気光学ディスプレイ素子に関係す る。

式１の化合物は液晶性の媒体の成分として使用することが可能であって、特に例 えばＳＴＮあるいはＳＢＥ、ゲスト−ホスト効果、配同相の変形の効果あるいは ダイナミックスキャッタリング効果のようなこれらの高度にねじれた変法を含む ねじれたセルの原理に基゛　くディスプレイ用に使用することが可能である。

液晶性の媒体の成分として妥当であって、しかも特に比較的低い粘性を有し、適 度の正の誘電異方性を有する新規な安定な液晶性のあるいはメソーゲン性の化合 物を発見することを本発明は目的としている。

式Ｉの化合物が液晶性相の成分として楊めて妥当であることが見出された。特に 、これらの化合物は比較的低い粘性を有している。広範囲なメゾ相を有ししかも 光学および誘電異方性には有利な値をもつ安定した液晶性の相を得るためにこれ らは使用することが可能であって、これらは同時に極めて好ましい比抵抗値故に 傑出している。これらのことによって、特にアクチブマトリックスディスプレイ あるいはスーパーツイストディスプレイ用の媒体には極めて有利に達成すること ができる。

二置換のメチレンシクロブタングループを含有する類似の化合物は既に公知であ る。しかしながら、これらは液晶性特性を持ってない。

Ｗ、Ｒ，ドルビアー（Ｄｏｌｂｉｅｒ）等はテトラヘドロンレターズ　２８　（ １４）、１４９１−２　（１９８７）の中で例えば３−フェニル−１−（ジフル オロメチレン）シクロブタンおよび３−フェニル−２゜２−ジフルオロ−１−メ チレンシクロブタンの合成およびジフルオロアルケンのスチレンとの付加環化を 記載している。

更に加えて、式Ｉの化合物の提供は極めて一般的には液晶性混合物製造のための 種々の応用の視点から見ると極めて妥当な液晶性の物質の範囲を拡大しているの である。

式■の化合物は広い応用範囲を持っている０選択した置換基によって変動するが 、これらの化合物は液晶性の相が優先的に構成されるような基礎素材として使用 することが可能である。しかしながら、式■の化合物を他のクラスの化合物から の液晶性の基礎素材に添加することも可能であり、その目的は例えば、このタイ プの誘電体の誘電異方性および／または光学異方性を改良するためおよび／また はその間値電圧および／または粘性を最適化するためである。

下記の式のキラルグループを含有する本発明による式■の化合物は強誘電特性を 持つ傾斜したキラルスメクチック相用のドープとして特に妥当である。

この式においてＸおよびＹはたがいに異なっており、しかもＭＧはメソーゲン性 の基であ。

純粋状態では、式Ｉの化合物は無色であり、電気光学使用に好ましい温度範囲内 では液晶性のメゾ相を形成している。これら化合物は化学的に、熱的に安定であ り、光に対しても安定である。

したがって、本発明は式■の化合物に関係し、特にＸとＹがおたがいに異なって いる式Ｉの光学活性化合物に関係し、式ＩＡの化合物に関係しており、この式に おいてはＲ１は１ないし１５個の炭素原子を有するアルキルであり、および 特に、本発明は基ＡＩおよびＡ２の少なくとも−が選択的に弗素置換された１、 ４−フェニレン、１．４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイルある いはピリジン−２，５−ジイルであるような式Ｉの化合物に関係する。

本発明は更に液晶性の媒体の成分としてのこれらの化合物の使用にも関係してい る０本発明は更に式のグループを含有する少なくとも１種の化合物を含有してい る液晶性の媒体に関係しており、この式におし）でＬ’、Ｌ２．ＸおよびＹはす でに定義した通りであり、好ましくは式Ｉの化合物、特に式■の少なくとも１ｆ ！１の光学活性化合物を含有する傾斜したキラル媒体に関係している。このタイ プの媒体を含有している液晶ディスプレイ素子、特に電気光学ディスプレイ素子 、特にマトリックス液晶ディスプレイ。

以下では簡単のために、Ｃｂｕ＝−ＣＸＹは下記の式の基を示す。

Ｃｙｃは１．４−シクロヘキシレン基、Ｃｈｅは１゜４−シクロヘキシレン基で あり、Ｄｉｏは１．３−ジオキサン−２，５−ジイル、Ｄｉｔは１．３−ジチア ン−２，５−ジイル、Ｐｈｅは１．４−フェニル基であり、ＰｈｅＦは一弗素置 換あるいは二弗素置換１゜４−フェニレン基であり、Ｐｙｄはピリジン−２，５ −ジイル基であり、Ｐｙｒはピリミジン−２，５−ジイル基であり、さらにＢｉ はビシクロ（２，２，２）オクチレン基であり、ここではＣｙｃおよび／または Ｐｈｅは置換されてないかあるいは弗素あるいはＣＮで一置換されているかある いは二置換されていても良い。

したがって、式Ｉの化合物は従属式ＩａないしＩｂの二環式化合物を包含してお り、 Ｒ１−Ａ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ａ Ｒ’−Ａ２−Ｚ１−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｂ従属式ＩｃないしＩｆの三環式化合物 を包含しておりＲ’−Ａｌ−Ａ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ＣＲ１−Ａ’−Ｚ１−Ａ ”−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　１（ＩＲ”−Ａ’−Ａ２−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｅＲ ”−Ａ’−２１−Ａ”−Ｚ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｆさらに従属式ＩｇないしＩ ｎの四環式化合物を包含している。

Ｒ’−Ａ１−Ａ１−Ａ２−Ｃｂｕ−ＣＸＹ　工９゜Ｒ’−Ａ１−２１−Ａ”−Ａ ”−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｈＲ１−Ａ１−Ａ１−Ｚ１−Ａ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工 １Ｒ１−Ａ’−Ａ１−Ａ’−Ｚ’−ＣｂｕｘＣＸＹ　工ＪＲ’−ＡＬ−Ｚ１−Ａ ｌ−Ｚ１−Ａ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｋＲ１−Ａ１−Ｚ”−Ａ１−Ａ２−Ｚ２− Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩＩＲ”−Ａ’−Ａ’−Ｚ’−Ａ２−Ｚ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　 工ｍＲ’−Ａ’−２１−Ａ’−Ｚ”−Ａ２−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｎこれら の化合物の中では特に従属式Ｉａ、Ｉｂ％　ＩＣ５Ｉｄ、Ｉｅ、Ｉｆ、Ｉｇ、Ｉ ｉおよびＩｔが好ましい化合物である。

従属式Ｔａの好ましい化合物は従属式１ａａないしＩａｈの化合物を包含してい る。

Ｒ１−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ａａＲ１−Ｂｉ−Ｃｂｕ−ＣＸＹ　Ｉａｂ Ｒｌ−Ｄｉｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩａｃＲｌ−Ｐｙｒ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉａｄ Ｒ’−Ｐｙｄ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩａｅＲ’−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉａｆ これらの化合物のうちでは式１ａａ、ｊａｂ、ＩａＣｌＩａｄ、ＩａｆおよびＩ ａｇが好ましい化合物である。

従属式Ｉｂの好ましい化合物は従属式ＩｂａないしＩｂｍの化合物を包含してい る。

Ｒ１−Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｂａＲｌ−Ｐｈｅ−ＯＣＨ２ −Ｃｂｕ−ＣＸＹ　ＩｂｂＲｌ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　より ｅＲｌ−Ｄｉｏ−ＣＨ２−ＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりｄＲｌ−Ｐｈｅ−Ｃｏ ｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりｅＲｌ−Ｃｙｃ−Ｃｏｏ−Ｃｂｕ−ＣＸＹ　ＩｂｆＲ ｌ−Ａｌ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｂｇＲ”−Ａ１−ＣｓｔＣ−Ｃｂ ｕ＝ＣＸＹ　ＩｂｈＲ”−Ａ”−ＣＨ２Ｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりｉＲ’−Ａ１ −ＯＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりｊＲ”−Ａ１−Ｃｏｏ−Ｃｂｕ−ＣＸＹ　よ りｋＲ″−Ａ１−ＯＣＯ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりＩＲ’−Ｃｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２ −Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　よりｍ従属式Ｉｃの好ましい化合物は従属式ＩｃａないしＩ ｃｍの化合物を包含している。

Ｒ１−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｃａＲ”−Ｐｈｅ−Ｐｙｄ−Ｃｂｕ ＝ＣＸＹ　ＩｃｂＲｌ−Ｐｈｅ−Ｄｉｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｃｃＲ’−Ｃｙｃ −Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｃｄＲｌ−Ｄｉｏ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉ ｃｅＲｌ−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｃｆＲ”−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ−Ｃ ｂｕ＝ＣＸＹ　工Ｃ９Ｒ’−Ｐｈｅ−Ｐｙｒ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｃｈＲｌ−Ｃ ｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｃ１Ｒ１−Ｄｉｔ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ 　ＩｃｊＲｌ−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩＣｋＲｌ−Ｃｈｅ−Ｐｈｅ −Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｃ１Ｒ１−Ｐｈｅ−Ｃｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工Ｃｍこれ らの化合物のうちでは式１ｃａ、Ｉｃｅ、Ｉｃｄ、Ｉｃｅ、ＩｃｉおよびＩｃｊ が好ましし）化合物である。

従属式Ｉｄの好ましい化合物は従属式１ｄａなし）シＩｄｍの化合物を包含して いる。

Ｒ’　−Ｐｈｅ　−Ｚｌ−Ｐｈｅ　−Ｚ”　−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄａＲｌ−Ｐ ｈｅ−Ｚ”−Ｂｉ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｂＲ”−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｄｉｏ −Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｄａＲ１−Ｃｙｃ−Ｚ”−Ｃｙｃ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ ＣＸＹ　ＩｄｄＲｌ−Ｄｉｏ−Ｚ”−Ｃｙｃ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｅＲ ”−Ｐｙｄ−Ｚ”−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｆＲ’−Ｐｈｅ−Ｚ” −Ｐｙｄ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｇＲ”　−Ｐｙｒ−Ｚｌ−Ｐｈｅ　−Ｚ ｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｈＲ’−Ｐｈｅ−Ｚｌ−Ｐｙｒ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸ Ｙ　ＩｄｉＲｌ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｃｙｃ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｊＲ’− Ｃｙｃ−Ｚｌ−Ｐｈｅ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｋＲ”−Ｄｉｏ−Ｚ’−Ｐ ｈｅ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｄｌＲｌ−Ｃｈｅ−Ｚｌ−Ｐｈｅ−Ｚ”−Ｃｂ ｕ＝ＣＸＹ　工ｄｍ従属式Ｉｅの好ましい化合物は従属式ＩｅａないしＩｅｋの 化合物を包含する。

Ｒ１−Ｐｙｒ−Ｚ”−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｅａＲ”−Ｄｉｏ−Ｚ”−Ｐ ｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｅｂＲ１−Ｃｙｃ−Ｚ”−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　 工ｅｃＲ’−Ｃｙｃ−Ｚ１−Ｄｉｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｅｄＲ”−Ｐｈｅ−Ｚ ｌ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｅｅＲ１−Ｄｉｏ−Ｚ１−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝Ｃ ＸＹ　ＩｅｆＲｌ−ＣＹＣ−Ｚ”ＣＹＣ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＸｅｑＲｌ−Ｐｈｅ −Ｚｌ−Ｄｉｏ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｅｈＲ１−Ｐｙｄ−Ｚ１−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ ＝ＣＸＹ　ＩｅｉＲ’−Ｐｈｅ−Ｚｌ−Ｐｙｒ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｅｊＲ”− Ｐｈｅ−Ｚｌ−Ｃｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｅｋ従属式Ｉｆの好ましい化合物は 従属式ＩｆａないしＩｆｐの化合物を包含する。

Ｒ’−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ−Ｚ”−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆａＲｌ−Ｐｙｒ−Ｐｈｅ− ＯＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆｂＲ”−Ｂｉ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ 　ＩｆｃＲ’−Ｐｈｅ　−Ｐｈｅ−Ｚ”−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆｄＲ’−Ｐｙｒ −Ｃｙｃ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆｅＲ’−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｚ’−Ｃｂｕ ＝ＣＸＹ　ＩｆｆＲ”−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｆ ｇＲ’−Ｐｙｄ−Ｐｈｅ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｆｈＲ’−Ｄｉｏ−Ｐｈｅ −Ｚ１−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆｉＲｌ−Ｄｉｏ−Ｃｙｃ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ 　ＩｆｊＲ”−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−Ｚｌ−ＣｂｕｗＣＸＹ　工ｆｋＲ１−Ｐｈｅ− Ｐｙｄ−Ｚ’−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｆｌＲｌ−Ｃｈｅ−Ｐｈｅ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ ＣＸＹ　工ｆｍＲ１−Ｐｈｅ−Ｃｈｅ−Ｚ１−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｆｎＲ１−Ｃ ｙｃ−Ｐｈｅ−Ｚ１−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　Ｉｆ。

Ｒ１−Ｃｙｃ−Ｄｉｏ−Ｚｌ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工ｆｐ従属式１ｇの好ましい化 合物は従属式Ｉｇａないしｒｇｆの化合物を包含する。

Ｒ１−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　工９ａＲ１−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ −Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｇｂＲｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝Ｃ ＸＹ　ＩｇｃＲｌ−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ−ＣＸＹ　ＩｇｄＲｌ−Ｃ ｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ＩｇｅＲｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ −Ｃｂｕ＝ＣＸＹ　ｒｇｆ以上および以下の式の化合物では、基ＸおよびＹは好 ましくはおたがいに異なっている。

末端グループＣｂｕ＝ＣＸＹはしたがって、好ましくは式】ないし８のグループ である。

Ｃｂｕ＝ＣＨＣＦ　３ Ｃｂｕ＝ＣＦＣ１４ Ｒ１は好ましくはアルキル、さらにアルコキシである　ＡＩあるいはＡ２は好ま しくはＰｈｅ％Ｃｙｃ。

Ｃｈｅ、ＰｙｒあるいはＤｉｏである０式Ｉの化合物は好ましくは基Ｂｉ、Ｐｙ ｄ、Ｐｙｒ、ＤｉｏあるいはＤｉｔを１より多くなく含有している。

式Ｉの化合物およびＡＩおよび／またはＡ２が弗素で一置換あるいは二置換ある いはＣＮで一置換されている１、４−フェニレンであるようなすべての従属式の 化合物が好ましい化合物である。

特にこれらは２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェ ニレンおよび２．３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２．６−ジフルオロ− １，４−フェニレン、３．５−ジフルオロ−】、４−フェニレン、２−シアノ− １，４−フェニレンおよび３−シアノ−１，４−フェニレンである。

Ａ２が置換されてないあるいは弗素で一置換あるいは二置換されている１、４− フェニレンであるような式Ｉの化合物が特に好ましい化合物である。

ｚ’及びＺ２は好ましくは単結合、−ＣＯ−Ｏ−２−〇−ＣＯ−および−ＣＨｚ 　ＣＨｚであり、　ＣＨｚＯ−１−０ＣＨ，−が二番目に好ましい。

Ｒ１がアルキル基あるいはアルコキシ基であるならば、直鎖あるいは枝別れして いてもよい、好ましくは直鎖であって、２．３．４．５．６あるいは７個の炭素 原子を持っており、したがって好ましくはエチル、プロピル、ブチル、ペンチル 、ヘキシル、ヘプチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキソ キシあるいはへブトキシ、さらにメチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシ ル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキシ、オクトキ シ、ツノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、ドデコキシ、トリデコキシあるいはテ トラデシルシである。

オフサアルキルは好ましくは直鎖状の２−オフサプロビル（＝メトキシメチル） 、２−（＝エトキシメチル）あるいは３−オフサブチル（＝２−メトキシメチル ）、２−１３−あるいは４−オフサペンチル、２−１３−１４−１５−オフサヘ キシル、２−２３−１４−１５−あるいは６−オクサヘブチル、２−５３−１４ −１５−５６−あるいは７−オフサオクチル、２−１３−１４−１５−１６−１ ７−あるいは８−オフサノニル、あるいは２−１３−１４−１５−１６−２７− １８−あるいは９−オフサデシルである。

Ｒ１がアルケニル基であるならば、直鎮あるいは枝別れであってもよい、好まし くは直鎖であってしかも２ないし１０個の炭素原子を有している。したがって、 特にビニル、プロブ−１−あるいはプロブ−２−エニル、ブドー１−１２−ある いはブドー３−エニル、ベント−１−１２−１３−１あるいはベント−４−エニ ル、ヘキソ−１−１２−５３−２４−あるいはヘキ５−１あるいはヘプト−６− エニル、オクト−１−１２−１３−１４−１５−２６−あるいはオクト−７−エ ニル、ツノ−１−２２−１３−１４−５５−１６−１７−あるいはツノ−８−エ ニル、あるいはデジー１〜．２−１３−１４−２５−１６−１７−１８〜あるい はデジー９−エニルである。

Ｒ１が１個のＣＨ２グループが一〇−で置換され、１個のＣＨ２が一〇〇−で置 換されているようなアルキル基であるならば、これらは好ましくは隣接している 。これらはしたがってアシロキシグループ−〇〇−〇−あるいはオキシカルボニ ルグループ−〇−ＣＯ−を含有している。これらは好ましくは直鎖であって、し かも２ないし６個の炭素原子を有している。したがってこれらはアセトキシ、プ ロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサノイルオキシ 、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル、フチリルオキシメチル、ペン タノイルオキシメチル、２−アセトキシエチル、２−プロピオニルオキシエチル 、２−ブチリルオキシエチル、３−アセトキシプロピル、３−プロピオニルオキ シプロビル、４−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシカルボ ニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、メ トキシカルボニルメチル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニルメ チル、ブトキシカルボニルメチル、２−（メトキシカルボニル）エチル、２−（ エトフサカルボニル）エチル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、３−（メ トキシカルボニル）プロピル、３−（エトキシカルボニル）プロピルあるいは４ −（メトキシカルボニル）ブチルである。

Ｒ１が１個のＣＨ２グループがＣ０５ＣＯ−Ｏあるいは０−ＣＯ−で置換されて いるよりなアルケニル基であるならば、直鎖あるいは枝別れしていても良い。

好ましくは直鎖であって、しかも４ないし１３個の炭素原子を有している。した がって、特にアクリロイルオキシメチル、２−アクリロイルオキシエチル、３− アクリロイルオキシプロピル、４−アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイ ルオキシペンチル、６−アクリロイルオキシヘキシル、７−アクリロイルオキシ ヘプチル、８−アクリロイルオキシオクチル、９−アクリロイルオキシノニル、 １０−アクリロイルオキシデシル、メタクリロイルオキシメチル、２−メタクリ ロイルオキシエチル、３−メタクリロイルオキシプロピル、４−メタクリロイル オキシブチル、５−メタクリロイルオキシペンチル、６−メタクリロイルオキシ ヘキシル、７−メタクリロイルオキシへブチル、８−メタクリロイルオキシオク チル、９−メタクリロイルオキシノニルである。

重合反応に妥当な側鎖グループを含有している式Ｉの化合物は液晶性のポリマー の合成には適当である。

枝別れした側鎖グループをＲ１を含有している式Ｉの化合物は偶然に通常の液晶 性の基礎素材中のその良好な溶解度故に重要である可能性もあるが、しかし特に それらが光学活性であるならば、特にキラルドーブとして重要である。このタイ プのスメクチック化合物は強誘電性素材の成分として妥当である。ＳＡ相を持つ 式Ｉの化合物は例えば熱的にアドレスされたディスプレイ用には適当である。

このタイプの枝別れグループはｌより多くない枝別れを含有している。好ましい 枝別れ基Ｒ１はイソプロピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、イソブチ ル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソペンチル（＝３−メチル ブチル）、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２ −プロピルペンチル、イソプロポキシ、２−メチルプロポキシ、２−メチルブト キシ、３−メチルブトキシ、２−メチルペントキシ、３−メチルペントキシ、２ −エチルヘキソキシ、１−メチルヘキソキシ、ｌ−メチルへブトキシ、２−オフ サ−３−メチルブチル、３−オフサ−４−メチルペンチル、４−メチルヘキシル 、２−ノニル、２−デシル、２−ドデシル、６−メチルオクトキシ、６−メチル オクタロイルオキシ、５−メチルへブチルオキシカルボニル、２−メチルブチリ ルオキシ、３−メチルバレリルオキシ、４−メチルヘキサノイルオキシ、２−ク ロロプロピオニルオキシ、２−クロロ−３−メチルブチリルオキシ、２−クロロ −４−メチルバレリルオキシ、２−クロロ−３−メチルバレリルオキシ、２−メ チル−３−オフサペンチルおよび２−メチル−３−オフサヘキシルである。

式■の好ましい光学活性化合物はキラル基として下の式のグループを含有してお り、 この式においてＸおよびＹはたがいに異なっている。

Ｒ１が２個あるいはそれ以上のＣＨ，グループが一〇−および／または−ｃｏ− ，６−で置換されているようなアルキル基であるならば、それは直鎖あるいは枝 別れしていてもよい、好ましくは枝別れしており、３ないし１２個の炭素原子を 持っている。したがって、特にビスカルボキシメチル、２．２−ビスカルボキシ エチル、３．３−ビスカルボキシプロビル、４．４−ビスカルボキシブチル、５ ．５−ビスカルボキシペンチル、６．６−ビスカルボキシヘキシル、７．７−ビ スカルボキシへブチル、８．８−ビスカルボキシオクチル、９．９−ビスカルボ キシノニル、１０．１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキシカルボニル） メチル、２．２−ビス（メトキシカルボニル）エチル、３．３−ビス（メトキシ カルボニル）プロピル、４．４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、５．５− ビス（メトキシカルボニル）ペンチル、６．６−ビス（メトキシカルボニル）ヘ キシル、７．７−ビス（メトキシカルボニル）へブチル、８．８−ビス（メトキ シカルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニル）メチル、２．２−ビス（ エトキシカルボニル）エチル、３．３−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、 ４．４−ビス（エトキシカルボニル）ブチルあるいは５．５−ビス（エトキシカ ルボニル）ヘキシルである重縮合反応に適当な側鎖グループＲ′を含有している 式■の化合物は液晶性の重縮合物の製造には適当である。

式Ｉはこれらの化合物のラセミ体、光学対掌体およびそれらの混合物を包含して いる。

特にＸおよびＹがＨあるいはアルキルである場合には、Ｒ１は好ましくはＦ、Ｃ １、ＣＦ　ｓ　、ＯＣＦ　ｓあるいはＯＣＦ、Ｈである。Ｌ′およびＬ！は好ま しくは同一であって、Ｆ、ＣＩあるいはＨであり、特にＨ式■およびその従属式 のこれらの化合物の中では、その中に存在する少なくとも１個の基が上記の意味 の−を有するような化合物が好ましい。

式■の化合物の中では、好ましい立体異性体はＣｙＣおよびピペリジン環がトラ ンス−１，４−二置換されているような立体異性体である。■あるいはそれ以上 のグループＰｙｄ、Ｐｙｒ、Ｄｉｔおよび／またはＤｉｏをそれぞれの場合に含 有している上記の式の立体異性体は２．５−位置異性体両者を包含している。

式Ｉのグループを含有する式■の特に好ましい化合物は従属式１１ａないしＩｌ ｎの化合物である。

ａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ａａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝Ｃ ＨＦ　ｌ１ｂａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ｃａｌｋｙｌ 　−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ｄａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ ，−Ｃｂｕ−ＣＨＦ　ｌ１ｅａｌｋｙｌ　−Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝Ｃ ＨＦ　ｌ１ｆａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　Ｉｌｇａｌｋｙ ｌ−Ｃｙｃ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ｈａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ− ＣｓＣ−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ｉａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ，− Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　ｌ１ｊａｌｋｙｌ　−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨ２Ｏ（、−Ｃｂｕ ＝ＣＨＦ　ｌ１ｋａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−ＣＨ２Ｃｌ（２−Ｃｂｕ−ＣＨ Ｆ　工１１ａｌｋｙｌ　−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＨＦ　工 １ｍａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＰｈｅＦ−Ｃｂｕ＝Ｇ（Ｆ　Ｉｌｎ式２のグループを 含有する式Ｉの特に好ましい化合物は従属式Ｉ２ａないしＩ２ｏの化合物である 。

ａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ−ＣＨＣＩ　工２ａ。

ａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＨＣ１１２ｂａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃ ｂｕ＝ＣＨＣ１工２ｃａｌｋｙｌ　−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＨＣ１工２ｄ ａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝Ｇ（Ｃ１工２ｅａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃ Ｈ２ＣＭ２−Ｃｂｕ＝ＣＨＣ１１２ｆａ１ｋｙｌ　−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃ ｂｕ＝ＣＨＣＩ　ｌ２ｅａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ＝ＣＨＣＩ　ｌ ２ｈａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−ＣＯ−０−Ｃｂｕ＝ＣＨＣＩ　ｌ２ｉａｌｋｙｌ−Ｃ ｙｃ−Ｐｈｅ−ＣａＣ−Ｃｂｕ＝ＣＨＣＩ　ｌ２ｊａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ −ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ−ＣＨＣＩ　ｌ２ｋａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨ ，ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＨＣＩ　Ｉ２１ａｌｋｙｌ　−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−ＣＨ２Ｃ Ｈ２−Ｃｂｕ＝ＣＨＣ１１２ｍａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＣＨ，ＣＨ，−Ｃｙｃ−Ｃ ｂｕ＝Ｃ１−（ＣＩ　ｌ２ｎａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＰｈｅＦ−Ｃｂｕ＝Ｃ）（Ｃ １工２゜式７のグループを含有する式Ｉの特に好ましい化合物は従属式１７ａな いしＩ７ｏの化合物である。

ａｌｋｙｌ−ＰｈｅＦ−Ｃｂｕ＝ＣＦ、　ｌ７ａａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ ＣＦ、　ｌ７ｂａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＦ、　エフｃａｌｋｙ ｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＦ２Ｉ７ｄａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃｂ ｕ＝ＣＦ２　ｌ７ｅａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＦ２Ｉ７ｆ ａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＦ、　エフｑａｌｋｙｌ−Ｃｙ ｃ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ＝ＣＦ２　エフｈａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ ＝ＣＦ、　エフ１ａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃ＝Ｃ−Ｃｂｕ−ＣＦ２Ｉ７ｊ ａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｇ（、ＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＦ２　ｌ７ｋａｌｋｙ ｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＦ２　エフ１ａｌｋｙｌ−Ｐｈ ｅ−Ｐｈｅ−ＣＨ２Ｃｌ（、−Ｃｂｕ＝ＣＦ２　エフｍａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃ Ｈ，ＣＨ，−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＦ、　エフｎａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＰｈｅＦ− Ｃｂｕ＝ＣＦ２　エフ。

弐８のグループを含有する式■の特に好ましい化合物は従属式１８ａないしＩ８ ｏの化合物である。

ａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＣ１，ｌ８ａａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝Ｃ Ｃ１，ｌ８ｂａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃｂｕ＝ＣＣ１，ｌ８ｃａｌｋｙｌ −Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ＝ＣＣ１２１８ｄａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃｂ ｕ＝ＣＣ１，ｌ８ｅａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃ１−１２ＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＣ１， ｌ８ｆａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｂｕ＝ＣＣ１□Ｉ８ｇａｌｋｙｌ −Ｃｙｃ−Ｃｏ−０−Ｃｂｕ＝ＣＣ１，ｌ８ｈａｌｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｃｏ−０− Ｃｂｕ＝ＣＣ１，ｌ８ｉａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−Ｃ＝ａＣ−Ｃｂｕ＝ＣＣ １２ｒｓｊａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｐｈｅ−ＣＨ，ＣＨ２−Ｃｋ２ｕ−ＣＣＩ□ｌ ８ｋａｌｋｙｌ−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−ＣＨ，ＣＭ、−Ｃｂｕ＝ＣＣ１，ｌ８１ａｌ ｋｙｌ−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−Ｃ）（２ＣＨ，−Ｃｂｕ＝ＣＣ１，Ｉ２１ａｌｋｙｌ −Ｃｙｃ−ＣＨ２ＣＭ、−Ｃｙｃ−Ｃｂｕ−ＣＣＩ、　ｌ８ｎａｌｋｙｌ−Ｃｙ ｃ−ＰｈｅＦ−Ｃｂｕ−ＣＣＩ２Ｉ８゜従属式１１ａないしＩｌｍ、Ｉ２ａない しＩ２ｎ。

Ｉ７ａないしＩ７ｎおよびＩ８ａないしＩ８ｎの上記の化合物の中では、アルキ ル−はそれぞれの場合ｌないし１２個の炭素原子を持っているアルキルあるいは アルコキシグループを示している。

１．４−ヘキセニレングループは好ましくは以下の構造を持っている。

式Ｔの化合物は文献（例えばホウベンーヴアイル著、有機化学の方法、ゲオルク ーティーメ出版社、シュトットガルトのような標準的著作中に）に記載されてい るようなそれ自身公知の方法で合成され、更に正確には公知のしかも上記反応に 妥当な反応条件で合成される。それ自身公知であるこれらの方法の変法の使用も 出来るが、ここでは詳細には記載しない。

例えば式Ｉの化合物はドビアー（Ｄｏｂｉｅｒ）等の記載した方法（アメリカ化 学会雑誌（Ｊ、Ａｍ、Ｃｅｈｍ、Ｓｏｃ、）１０７　（１２）、３６２６−３１ （１９８５））に類似して、アルケンをスチレン誘導体と付加環化することによ って合成できる（様式Ｉ参Ｚ２が一〇−ＣＯ−であるような式Ｉの化合物は様式 ２に即して３−メチレンシクロブタノイックアシッドをエステル化によって得ら れる。

メチレンシクロブタンカルボキシリックアシッド誘導体は水酸化ナトリウムの水 溶液によって対応するニトリルから合成することが出来る（例えば、グリラプス （Ｇｒｉｐ［）Ｓ）等、Ａｍ、Ｓｏｃ、旦１　（１９５９）２７２３−２７２８ ）。

式■の化合物は更に対応する３−置換されたシクロブタノンからメタン誘導体に よる縮合によってＣ，バートン（Ｂｕｒｔ□ｎ）等、テトラヒドロンン　レター ズ（Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ　Ｌｅｔｔ、）、旦（２４）３００３−６　（１９ ８８）あるいはＪ、フリート（Ｆｒｉｅｄ）等、テトラヘドロンレターズ２５４ ３２９　（１９８４）の方法によって、フォスフンの存在中に合成することがで きる（例えば、様式３）。

ＣＣＩ、−ＣＯＣＩ　ＣＩ　Ｃ１ さらに、式■の化合物はｌあるいはそれ以上の還元性のグループおよび／または Ｃ−Ｃ結合を水素原子の代わりに含有しているが、しかし他の点では式■に一致 している化合物を還元することによって合成することができる。

妥当な還元性のグループは好ましくはカルボニルグループであり、特にケトグル ープであり、さらに例えば遊離のあるいはエステル化したヒドロキシルグループ あるいは芳香族に結合したハロゲン原子である。

還元のための好ましい出発素材は式■に合致しているが、しかしシクロヘキサン 環の代わりにシクロヘキセン環あるいはシクロヘキサノン環を含有し、および／ または−ＣＨｚ　ＣＨｚ−グループの代わりに−ＣＨ＝ＣＨ−を含有し、および ／または−Ｇ　Ｈｚ−グルーの代わりに一〇〇−を含有し、および／または水素 原子のかわりに遊離の、あるいは官能的に誘導された（例えばｐ−ｔ−ルエンス ルフォン酸塩の形態で）ＯＨグループを含有している。

還元は例えば約０℃および約２００℃間の温度で、しかも約１バールおよび２０ ０バールの間の圧力下で不活性溶媒中で、例えば、メタノール、エタノールある いはイソプロパツールのようなアルコ−／ｌｚ、テトラヒドロフランあるいはジ オキサンのようなエーテル、エチルアセテートのようなエステル、酢酸のような カルボキシリック酸、あるいはシクロヘキサンのような炭化水素中でで行うこと ができる。妥当な触媒は便宜的に支持体上（例えば、炭素、炭酸カルシウムある いは炭酸ストロンチウム上のパラジウム）にある酸化物の形（例えばＰｔ０ｚあ るいはＰｄ０）であるいは微細粉状で使用してもよい白金あるいはパラジウムの ような貴金属である。

ケトンはクレメンゼンの方法によって（亜鉛、亜鉛アマルガムあるいは錫および 塩化水素酸を使用して、便宜的に水性−アルコール性の溶液中であるいは水／ト ルエンを有する不均一相中で約８０ないし１２０℃の間の温度で行う）あるいは ヴオルフーキシュナーの方法によって（ヒドラジンを使用して、便宜的にＫＯＨ あるいはＮａＯＨのようなアルカリの存在中に、ジエチレングリコルールあるい はトリエチレングリコールのような高沸点の溶媒中で約１００および２００’の 温度で行う）還元することができ、アルキルグループおよび／または−ＣＨ，Ｃ ＨＩ−橋架けを含有する式Ｉの対応する化合物にする。

更に、複雑な水素化物を使った還元が可能である。

例えば、アリールスルフォニルオキシグループはＬｉＡ　Ｉ　Ｈ４を使って還元 的に除去できる。特にｐ−トルエンスルフォニルオキシメチルグループはメチル グループに還元することができ、便宜的にジエチルエーテルあるいはＴＨＦのよ うな不活性溶媒中で、０と１００℃の間の温度でメチルグループに還元すること ができる。二重結合はＮａＢＨ，あるいはトリブチル錫ハイドライドを使用して 、メタノール中で水素化することが可能である。

式Ｉに合致しているが、しかし１．４−フェニレン基の代わりに１．４−シクロ ヘキシレン基を含有している式Ｉの化合物は例えばＤＤＱ　（ジクロロジシアノ 式Ｉのエステルは対応するカルボキシリック酸（あるいは反応性のあるその誘導 体）、特に式ＩＶをアルコールあるいはフェノール（あるいは反応性のあるその 誘導体）で、特に式Ｖをエステル化することによっであるいはあるいはＤＤＣ（ ＤＤＣ＝ジシクロへキシルカルボジイミド）方法によって得ることができる。

対応するカルボキシリック酸およびアルコールあるいはフェノールは公知であり しかも公知の方法に類似して合成することができる。

上記のカルボキシリック酸の特に妥当な反応性のある誘導体はアシルハライドで あり、特に塩化物および臭化物であり、さらにその無水物であり、例えば混合無 水物でもあり、アジドあるいはエステル、特にアルキルグループ中に１−４個の 炭素原子をもつアルキルエステルである。

上記のアルコールあるいはフェノールの特に妥当な反応性のある誘導体は対応す る金属アルコキサイドあるいはフェノキサイド、好ましくはナトリウムあるいは カリウムのようなアルカリ金属のアルコキサイドあるいはフェノキサイドである 。

エステル化は有利なことには不活性溶媒の存在中で行われる。特に妥当な溶媒は ジエチルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ＴＨＦ、ジオキサンあるいはアニ ソールのようなエーテル、例えばアセトン、ブタノンあるいはシクロヘキサノン のよりなケトンあるいはＤＭＦあるいはへキサメチルフォスフォリツクトリアミ ドのようなアミド、例えばベンゼン、トルエンあるいはキシレンのような炭化水 素、四塩化炭素、ジクロロメタンあるいはテトラクロロエチレンのようなのよう なハロゲン化炭化水素および例えばジメチルスルフォキサイドあるいはスルフオ ランのようなスルフォキサイドである。

式Ｉのニトリルを合成するためには対応する酸アミドグループを例えばＣ０ＮＨ ！グループがＣＮ基と置換しているような酸アミドを脱水することができる。

例えばアミドは対応するエステルからあるいはアシルハライドからアンモニアと の反応によって得ることができる。妥当な脱水剤の例はＳ　ＯＣｌ　！　、Ｐ　 Ｃｌ　ｓ、Ｐ　Ｃｌ　ｓ　、　Ｐ　ＯＣ１ｓ　、Ｓ　Ｏ＊　Ｃｌ　ｔ　、ＣＯＣ ｌ　＊、さらにＰ２Ｏ３、Ｐ、Ｓｓ、ＡｌＣ１，（例えばＮａＣ１との二重化合 物）のような無機の酸クロライド、芳香族スルフォン酸およびスルフォン酸のハ ロゲン化物である０反応はここでは不活性溶媒がない状態あるいはある状態で０ ℃および１５０°の間の温度で行われる。妥当な溶媒の例はピリジンあるいはト リエチルアミンのような塩基、ベンゼン、トルエンあるいはキシレンのような芳 香族炭化水素、ＤＭＦのようなアミドである。

式■の上記のニトリルは対応するアシルハライドを、好ましくはクロライドをス ルファミドと便宜的にテトラメチレンスルフォンのような不活性溶媒中で８００ および１５０°間の温度で、好ましくは１２０°で反応させることによって得ら れる０通常の加工処理作業の後に、ニトリルは直接分離することができる。

式１のエーテルは対応するヒドロキシル化合物を、特に式ＶＩあるいはＶＩＩを 、好ましくは対応するフェノールをエーテル化することにより得られる。ヒドロ キシル化合物は便宜的に先ず例えばＮａＨ％ＮａＮＨｚ　、ＮａＯＨ，ＫＯＨ％ Ｎａｇ　ＣＯｓ　、Ｋｇ　ＣＯｓで処理することによって対応する金属誘導体、 例えば対応するアルカリ金属アルコキサイドあるいはアルカリ金属フェノキサイ ドに転換される。その後にこの金属誘導体は適当なアルキルハライド、アルキル スルフォネートあるいはジアルキルサルフェートと、便宜的に例えばアセトン、 １．２−ジメトキシエタン、ＤＭＦあるいはジメチルスルフォキサイドような不 活性溶媒中で、あるいは水性のあるいは水性−アルコール性のＮａＯＨあるいは ＫＯＨな過剰に加えて何れかで、２０℃と１００℃の間の温度で反応させること が出来る。

式■のニトリルは式Ｉの対応する塩素、臭素あるいはヨウ素化合物をシアナイド 、好ましくは、例えば、ＮａＣＮ、ＫＣＮあるいはＣｕ＊　（ＣＮ）ｘのような 金属シアン化合物と、例えばピリジンの存在中に、ＤＭＦあるいはＮ−メチルピ ロリドンのような不活性溶媒中で、２０°と２００°の間の温度で反応させるこ とによって合成することができる。

Ａ１が少なくとも１個のＦ原子および／またはＣＮグループで置換されているよ うな式Ｉの化合物は対応するジアゾニウム塩からジアゾニウムグループを弗素原 子であるいはＣＮグループで置換することにより、例えばジーマンあるいはサン ドマイア一方法によって得ることができる。

式Ｉのジオキサン誘導体およびジチアン誘導体は便宜的に適当なアルデハイド（ あるいは反応性のあるその誘導体）を適当な１．３−ジオール（あるいは反応性 のあるその誘導体）あるいは１．３−ジチオールと、好ましくは例えばベンゼン あるいはトルエンのような不活性溶媒の存在中でおよび／または触媒の存在中で 、例えば硫酸、ベンゼンスルフォン酸あるいはｐ−トルエンスルフォン酸のよう な強酸の存在中で２０゜と１５０°の間の温度で、好ましくは８０°と１２００ の間の温度で反応させることによって得られる。出発素材の妥当な反応性のある 誘導体は主としてアセタールである。

上記のアルデヒド、１．３−ジオールおよび１．３−ジチオールの一部は、およ びこれらの反応性のある誘導体は公知であり、それらは困難無く有機化学の標準 的な方法によって文献公知の化合物から合成することができる０例えば、アルデ ヒドは対応するアルコールの酸化によって、ニトリルの還元によって、あるいは 対応するカルボキシリックアシッドあるいはその誘導体の還元によって得ること ができ、ジオールは対応するジエステルの還元によって、ジチオールは対応する シバライドをＮａ５Ｈと反応させることによって得られる。

本発明による液晶性の媒体は本発明による１種またはそれ以上の化合物以外に好 ましくは２ないし４０、特に４ないし３０の成分をその他の構成成分として含有 している。これらの媒体は本発明による１種またはそれ以上の化合物以外に特に 好ましくはフないし２５の成分を含有している。これらのその他の構成成分は好 ましくはネマチックあるいはネマトゲン性（モノトロピックあるいは等方性）物 質から、特にアゾキシベンゼン、ベンジリデンアニリン、ビフェニル、ターフェ ニル、フェニルあるいはシクロへキシルベンゾエート、シクロヘキサンカルボキ シリックアシッドのフェニルあるいはシクロヘキシルエステル、シクロへキシル ベンゾイックア゛シトのフェニルあるいはシクロヘキシルエステル、シクロヘキ シルシクロヘキサンカルボキシリックアシッドのフェニルあるいはシクロヘキシ ルエステル、ベンゾイックアシッドのシクロへキシルフェニルエステル、シクロ ヘキサンカルボキシリックアシッドのシクロへキシルフェニルエステル、シクロ ヘキシルシクロヘキサンカルボキシリックアシッドのシクロへキシルフェニルエ ステル、フェニルシクロヘキサン、シクロへキシルビフェニル、フェニルシクロ へキシルシクロヘキサン、シクロへキシルシクロヘキサン、シクロへキシルシク ロヘキセン、シクロへキシルシクロへキシルシクロヘキセン、１．４−ビス−シ クロヘキシルベンゼン、４．４°−とスーシクロへキシルビフェニル、フェニル −あるいはシクロへキシルピリミジン、フェニル−あるいはシクロへキシルピリ ジン、フェニル−あるいはシクロへキシルジオキサン、フェニル−あるいはシク ロへキシル−１，３−ジチアン、１．２−ジフェニルエタン、１．２−ジシクロ ヘキシルエタン、ｌ−フェニル−２−シクロヘキシルエタン、■−シクロへキシ ル−２−（４−フェニルシクロヘキシル）エタン、ｌ−シクロへキシル−２−ビ フェニリルエタン、ｌ−フェニル−２−シクロへキシルフェニルエタン、選択的 にハロゲン化したスチルベン、ベンジルフェニルエーテル、トランおよび置換し たケイ皮酸のクラスからの物質から選択される。これらの化合物のなかの１．４ −フェニレングループは弗素化されていてもよい。

本発明による媒体のその他の構成成分として妥当な最も重要な化合物は式１．２ ．３．４および５によって特徴付けられている。

Ｒ’　−Ｌ−Ｅ−Ｒ”　Ｉ Ｒ’　−Ｌ−Ｃｏｏ−Ｅ−Ｒ”　２ Ｒ’　−Ｌ−００Ｃ−Ｅ−Ｒ”　３ Ｒ’　−Ｌ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｅ−Ｒ”　４Ｒ’　−Ｌ−ＣａＣ−Ｅ−Ｒ”　５ 式ｌ、２．３．４および５ではＬおよびＥは異なっていても同一であってもよく 、おたがいに独立であって、それぞれの場合に、−Ｐｈｅ−１−Ｃｙｃ−１−Ｐ ｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１−Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｐｙｒ−１−Ｄ ｉｏ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−１−Ｇ−Ｃｙｃ−およびそれらの鏡像体によって構成さ れるグループからの２価の基であり、ここにおいてはＰｈｅは置換されてないあ るいは弗素置換された１、４−フェニレンであり、Ｃｙｃはトランス−１゜４− シクロヘキシレンあるいは１．４−シクロヘキセニレンであり、Ｐｙｒはピリミ ジン−２，５−ジイルあるいはピリジン−２，５−ジイルであり、Ｄｉｏは１． ３−ジオキサン−２，５−ジイルであり、Ｇは２−（トランス−１，４−シクロ ヘキシル）エチル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイルあ るいは１．３−ジオキサン−２，５−ジイルである。

基りおよびＥのうちの−は好ましくはＣｙｃ、ＰｈｅあるいはＰｙｒである。Ｅ は好ましくはＣｙｃ、ＰｈｅあるいはＰｈｅ−Ｃｙｃである０本発明による媒体 は好ましくはＬおよびＥはＣｙｃ、ＰｈｅおよびＰｙｒからなるグループから選 択された式１，２．３．４および５の化合物から選択された１種またはそれ以上 の成分を含有しており、基りおよびＥの−がＣｙｃ、ＰｈｅおよびＰｙｒからな るグループから選択され、他の基が−Ｐｈｅ−Ｐｈｅ−１−Ｐｈｅ−Ｃｙｃ−１ −Ｃｙｃ−Ｃｙｃ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−および−〇−Ｃｙｃ−から成るグループか ら選択された式１．２．３．４および５の化合物から選択された１種またはそれ 以上の成分を同時に含有しており、場合によっては基りおよびＥが−Ｐｈｅ−Ｃ ｙｃ−１−Ｃｙｃ−ＣｙＣ−１−Ｇ−Ｐｈｅ−および−Ｇ−Ｃｙｃ−からなるグ ループから選択された式１，２．３．４および５の化合物から選択された１種ま たはそれ以上の成分を含有している。

従属式１ａ、２ａ、３ａ、４ａおよび５ａの化合物にあっては、Ｒ゛およびＲ” はおたがいに独立であって、それぞれの場合に８個までの炭素原子を有するアル キル、アルケニル、アルコキシ、アルケニルオキシあるいはアルカノイルオキシ である。これらの大部分の化合物にあっては、Ｒ゛およびＲ”はおたがいに異な っており、通常はこれらの基の−はアルキルあるいはアルケニルである。

従属式１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂおよび５ｂの化合物にあっては、Ｒ”は−ＣＮ、 　−ＣＦＩ　、−０ＣＦＩ　＆−０ＣＨＦＩ、Ｆ、Ｃ１あるいは−ＮＣＳである 。この場合には、Ｒは従属式１ａないし５ａの化合物に示した意味を有し、しか も好ましくはアルキルあるいはアルケニルである。しかしながら、式１．２．３ ．４および５の化合物中の提案された置換基のその他の変法は通常の物である。

多くのそのような物質あるいはそれらの混合物何れかは市販されている。これら すべての物質は文献公知の方法によっであるいはそれに類似の方法によって入手 することができる。

化合物１ａ、２ａ、３ａ、４ａおよび５ａから成るグループ（グループ１）から の成分のほかに、本発明による媒体は好ましくは化合物１ｂ、２ｂ、３ｂ、４ｂ および５ｂから成るグループ（グループ２）からの成分を含有しており、その割 合は好ましくは以下のとおりである。

グループ１：２０ないし９０％、特に３０ないし９０％、 グループ２：１０ないし８０％、特にｌＯないし５０％、 本発明による化合物の割合とグループ１および２からの化合物の割合の合計は加 算すると１００％になる。

本発明による媒体は本発明による化合物を好ましくは１ないし４０％、特に好ま しくは５ないし３０％含゛　有している。更に好ましい媒体は本発明による化合 物を４０％より多く、特に４５ないし９０％含有している媒体である。その媒体 は好ましくは本発明による化合物を３．４あるいは５種含有している。

本発明による媒体はそれ自身通常の方法で製造できる。一般的には、成分はおた がいに溶解し、便宜的には高温でおたがいに溶解する。

添加剤を今迄に開示された全てのタイプの液晶ディスプレイ素子に使用すること ができるような方法で妥当な添加剤によって、液晶性の相は本発明に即して変更 することも可能である。

このタイプの添加剤は当業者には公知であって、文献に詳細に記載されている（ Ｈ，ケルカー（Ｋｅｌｋｅ　ｒ　）　／　Ｒ−ハッツ（Ｈａｔｚ）著、液晶のハ ンドブック、化学出版社、ヴアインハイム、１９８０年）。

例えば、多色性の染料を着色ゲスト−ホストシステムの製造には添加することが 可能であって、あるいは誘電異方性、粘性および／またはネマチック相の配向を 変更するために物質を添加することも可能である。

以下の実施例は発明を説明するためであって、これを制限するものではない・ｍ 、ｐ、＝融点・Ｃ−ｐ・＝透明点である。今迄および今後は、百分率は重量パー セントであり、全ての温度は℃表示である。「通常の加工作業」とは水を添加し 、混合物をメチレンクロライドで抽出し、有機相を分離し、乾燥し、蒸発させ、 生成物を再結晶および／またはクロマトグラフィーによって精製することを意味 する。

更に、略号は以下の意味を有している。

Ｃ：結晶性の固体状態、Ｓ：スメクチック相（指標は相のタイプを示す）、Ｎ： ネマチック状態、Ｃｈ：コレステリック相、に等方性の相、２記号間の数値は℃ で示した転移温度である。

ＤＡＳＴ　ジエチルアミノサルファートリフルオライド、 ＤＣＣジシクロへキシルカルボジイミド、ＤＤＱ　ジクロロジシアノベンゾキノ ン、Ｄ　Ｉ　ＢＡＬＨジイソブチルアルミニウムハイドライド、 ＨＭＴＡＰ　ヘキサメチルトリアミノフォスフインＰＯＴ　第三級ブタル−トカ リウム、 ＰＣＣピリジニウムクロロクロメート、ＴＨＦ　テトラヒドロフラン、 ＴＰＰ　ｔ−リフェニルフオスフィン、ｐＴＳＯＨｐ−トルエンスルフォン酸、 実施例１ ３−　［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−１−（ジ フルオロメチレン）シクロブタンの合成 Ａ）　４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−ビニルベンゼン ＢｕＬｉ１モルを４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブロモベンゼ ン１モルおよびＴＨＦ３１の混合物に一７０℃添加する。ＴＨＦＩＩに溶解した 臭化亜鉛０．５モルの混合物をその後に添加し、反応混合物を一６５℃で３０分 間攪拌する。ビニルブロマイド１モルおよび塩化ニッケル（ＩＩ）／ＴＰＰ０゜ ０２２モルをその後に添加する。

反応混合物を室温で１６時間攪拌し、通常の加工作業に移す、得られたスチレン 誘導体を精製せずに更に使用する。

Ｂ）　３−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニル］−２， ２−ジクロロシクロブタノン ＩＡｏ、２５モＪｌ、、亜鉛／１１４２３．ｏｇ　（銅３％）およびジエチルエ ーテル８００ｍ１の混合物にトリクロロアセチルクロ、ライト０．２５モルを１ ５分にわたって添加し、その混合物をその後に８時間リフラックスしながら攪拌 した０通常の加工作業によって生成物を得、それを精製することなく更に使用し た。Ｃ）３−　［４−（１−ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）フェニルコ シクロブタノン 通常の加工作業によって生成物を得、それを精製するＤ）へキサメチルドリアミ ノフォスフイン０．３モルおよびテトラグライム５０ｍ１の混合物を０℃でジブ ロマイドフルオロメタン１．５モル、テトラグライム１００　ｍ　ｌの混合物に 添加する。その後に０．０７５および旦を添加し、その混合物を室温で１６時間 攪拌する０通常の加工作業およびエタノール／エチルアセテート１００ｍ１から の再結晶によって純粋な生成物が得られた。

Ｃ４２１，八ｔ、＋２．８５．　Δｎ０．０７１同様に以下の化合物が得られた 。

３−　［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル］−１−（ジ フルオロメチレン）シクロブタン、 ３−［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）フェニル］−１−（ジフル オロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（ｔ−ランス−４−ブチルシクロヘキシル）フェニル］−１−（ジ フルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（１−ランス−４−へキシルシクロヘキシル３−　［４−（トラン ス−４−ヘプチルシクロヘキシル）フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シ クロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオロフ ェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−Ｃトランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオロ フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（１−ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオ ロフェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−へキシルシクロヘキシル）−２，３−ジフルオロ フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（１−ランス−４−へブチルシクロヘキシル）２．３−ジフルオロ フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）＝２．６−ジフルオロフ ェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２，６−ジフルオロ フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−［４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２，６−ジフルオロフ ェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、Ｃ２９Ｉ ３−　［４−（）−ランス−４−へキシルシクロヘキシル）−２，６−ジフルオ ロフェニル］−Ｌ−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−２，６−ジフルオロ フェニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−１−（ジフルオロメチレン）シ クロブタン、３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−１−（ジフルオ ロメチレン）シクロブタン、３−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−１ −（ジフルオロメチレン）シクロブタン、３−（トランス−４−ペンチルシクロ ヘキシル）−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、３−（トランス−４− ヘキシルシクロヘキシル）−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、３−（ トランス−４−へブチルシクロヘキシル）−１＝（ジフルオロメチレン）シクロ ブタン、３−（トランス−４−オクチルシクロヘキシル）−１３−［トランス、 トランス−４−（４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル１．−１−（ジフ ルオロメチレン）シクロブタン、Δｎ　Ｏ，０７３、Δε＝４゜２０． ３−［トランス、トランス−４−（４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ ル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、Δｎ　Ｏ，０５８、Δε＝２ ．９７． ３−［トランス、トランス−４−（４−ブチルヘキシル）シクロヘキシル］−１ −（ジフルオロメチレン）シクロブタン、Ｃ４０ｓｓ　９９　Ｎ　１０４工、Δ ｎ＝０．０６７、Δε＝３．０３．３−［トランス、トランス−４−（４−ペン チルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブ タン、Ｃ３８Ｓｓ　９９　Ｎ１１２、ＩＩ　、Δｎ＝０．０７２、ΔＢ＝４．１ ８．３−［トランス、トランス−４−（４−へキシルシクロヘキシル）シクロヘ キシル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−［トランス、トランス−４−（４−へブチルシクロヘキシル）シクロヘキシ ル］−１−Ｃジフルオロメチレン）シクロブタン、。

３−　［４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル ］　−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル ］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル ］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−［４−（）ランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェニル ］−１−（ジフルオロメチ。

３−　［４−（１−ランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）−２−フルオロフェ ニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン、 ３−　［４−（１−ランス−４−へブチルシクロヘキシル）−２−フルオロフェ ニル］−１−（ジフルオロメチレン）シクロブタン。

実施例２ ４−［トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェニル　３−イソブロビリデ ンシクロブタンカルボキシレートの合成 りＣＣ０，１１モルおよびジクロロメタン５０ｍ１の混合物を０℃で３−イソプ ロビリデンシクロブタンカルボキシレート０．１モル（グリラプス（Ｇｒｉｐｐ ｓ）等の方法、Ａｍ、Ｓｏｃ、８ユ、（１９５９）２７２３−２７２８にしたが って合成した）、４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）フェノール０ １モルおよびジクロロメタン１００ｍ１の混合物に添加した。この混合物を１６ 時間室温で攪拌し、固体の構成成分を除去した後に、通常の加工作業を行って、 生成物を得た。

以下の化合物を同様に合成した。

実施例３ 以下の組成から成る中性の基本混合物（Ｂ）１９　％　Ｃ，Ｈ，−４２８゜ をそれぞれの場合に（１）、（２）および（３）で処理した。

得られた混合物をテストセル中に導入した。

室温でのこのセルの電圧保持率ＨＲ（ＲＴ）を測定し、１００℃に加熱後のＨＲ （ｔｏｏ）を測定した。

混的　ＨＲ（ＲＴ）　ＨＲ（１００） Ｂ　９９．０　９Ｂ、４ Ｂ　＋　（１）　９８．２　９４．２ Ｂ　＋　（２）　９８．２　９７．０ Ｂ　＋　（３）　９Ｂ、０　９４．３ 保持率の測定はＧ、ウェーバ−（Ｗｅｂｅｒ）等、液晶　旦、ｌ　３２０　（１ ９８９）の方法によって実行した。

化合物（１）、（２）および（３）はしたがって正の誘電異方性および高い保持 率の値の混合物の製造用に、特にアクチブ−マトリックスディスプレイ用に妥当 である。

国際調査報告 フロントページの続き （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号Ｃ０７Ｃ２５／１８ ４３／２２５　Ｃ７４１９−４Ｈ ６９／７４　Ｚ　９２７９−４Ｈ ６９／７６　Ｚ　９２７９−４Ｈ ６９／９６　Ｚ　９２７９−４Ｈ ２５１１０６９１６０−４Ｈ ２５１／１４　９１６０−４Ｈ ２５１／１６　９１６０−４Ｈ ２５１／２０　９１６０−４Ｈ ＣＯ７Ｄ　２３９／２６　８６１５−４Ｃ２３９／３４　８６１５−４Ｃ Ｉ （５１）　Ｉｎｔ、　Ｃ１，５識別記号　庁内整理番号Ｃ０９Ｋ　１９／３０　 ９２７９−４Ｈ１９／４２　９２７９−４Ｈ １９／４６　９２７９−４Ｈ ＧＯ２Ｆ　１／１３　５００ （７２）発明者　ゲールハール、トーマスドイツ連邦共和国　ヴエー−６５００ マイシン　クプファーベルクテラセ　２５ Ｉ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　式Ｉのメチレンシクロブタン誘導体、▲数式、化学式、表等があります▼ この式において Ｒ１はハロゲン、ＣＮ、ＣＦ３、−ＯＣＦ３、−ＣＦ２Ｈあるいは１５個までの 炭素原子を有する置換されてないか、あるいはＣＮ、ハロゲン、あるいはＣＦ３ で−置換されているアルキルあるいはアルケニルあるいはバーフルオロアルキル 基であって、しかもこれらの基のなかの１個またはそれ以上のＣＨ２グループが おたがいに独立であって、それぞれ−Ｓ−、▲数式、化学式、表等があります▼ 、▲数式、化学式、表等があります▼、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ −ＣＯ−、あるいは−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−で置換されていてもよく、ただしその場合 にＳおよび／またはＯがおたがいに直接結合してなく、 Ａ１およびＡ２はおたがいに独立であり、それぞれ（ａ）　トランス−１，４− シクロヘキシレン基であり、そのなかでは更に、１個またはそれ以上の非隣接Ｃ Ｈ２グループが−Ｏ−および／または−Ｓ−で置換されていてもよく、 （ｂ）　１，４−フェニレン基であり、そのなかで更に、１あるいは２個のＣＨ グループがＮで置換されていてもよく、 （ｃ）　１，３−シクロブチレン、１，３−ビシクロ（１，１，１）−ベンチレ ン、１，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビシクロ（２，２，２）オクチレン ピペリジン−１，４−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタ レン−２，６−ジイルおよひ１，２，３，４−テトラヒドロネフタレン−２，６ −ジイルからなるグループからの基であり、ここで基（ａ）および（ｂ）はＣＮ あるいはハロゲンで−置換あるいは多置換されていてもよく、Ｌ１およびＬ２は 各々Ｈ、ＦあるいはＣ１であり、Ｚ１およびＺ２はおたがいに独立であり、それ ぞれ−ＣＨ２ＣＨ２−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２、−ＣＯ−Ｏ− 、−Ｏ−ＣＯ−、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ２Ｓ−、−ＳＣＨ２−、 単結合あるいは３ないし６個の炭素原子を有するアルキレングループであり、こ のなかでは更に１個のＣＨ２グループは−Ｏ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、 −ＣＨハロゲン−あるいは−ＣＨＣＮ−で置換されていてもよく、 ＸおよびＹはおたがいに独立であって、それぞれＦ、Ｃ１、Ｂｒ、ＣＦ３、ＣＮ 、ＣＯ２あるいは１ないし６個の炭素原子を有するアルキルであり、基Ｘおよび Ｙの−は何れかがＨであり、 ｍは０、１、２あるいは３であり、 ただしｍ＝Ｏの場合には、Ａ２は１，４−フェニレンであり、Ｚ２は単結合であ り、ＸおよびＹは同時にはＦではないという条件付きである。 ２　基Ａ１およびＡ２の少なくとも−が選択的に弗素置換された１，４−フェニ レン、１，４−シクロヘキシレン、ピリミラン、２−５、ジイルあるいはピリジ ン−２，５−ジイルである請求項１による式１の誘導体。 ３　式ＩＡの請求項１による誘導体、 ▲数式、化学式、表等があります▼ＩＡこの式においてＲ１は１ないし１５個の 炭素原子を有するアルキルであり、 ▲数式、化学式、表等があります▼は▲数式、化学式、表等があります▼，▲数 式、化学式、表等があります▼，▲数式、化学式、表等があります▼あるいは▲ 数式、化学式、表等があります▼しかもｎは０あるいは１である。 ４　ＸおよびＹがたがいに異なっていることを特徴とする式Ｉの光学活性メチレ ンシクロブタン誘導体。 ５　電気光学ディスプレイ用の液晶性媒体の成分として式Ｉの化合物の使用。 ６　少なくとも１種の成分が下記の式のグループである（ただし　Ｌ１、Ｌ２、 ＸおよびＹは既に定義した通りである）ことを特徴とする少なくとも２種の成分 を有する液晶性の媒体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ７　少なくとも１種の成分が式Ｉの化合物であることを特徴とする請求項６によ る液晶性の媒体。 ８　少なくとも１種のキラル成分が請求項４による式１の光学活性メチレンシク ロブタン誘導体であることを特徴とする少なくとも１種のアキラル成分および少 なくとも１種のキラル成分を有する傾斜したキラル液晶性媒体。 ９　請求項６ないし８のなかの１項による液晶性の媒体を誘電体として含有する ことを特徴とする電気光学ディスプレイ。 １０　請求項６、７あるいは８項による液晶性の媒体を誘電体として含有するこ とを特徴とする請求項９によるマトリックス液晶ディスプレイ。