JPH0651493A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH0651493A JPH0651493A JP22095192A JP22095192A JPH0651493A JP H0651493 A JPH0651493 A JP H0651493A JP 22095192 A JP22095192 A JP 22095192A JP 22095192 A JP22095192 A JP 22095192A JP H0651493 A JPH0651493 A JP H0651493A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shifters
- patterns
- photomask
- shielding film
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 遮光膜段差による位相シフタの膜厚不均一性
をなくす。 【構成】 フォトマスク基板の遮光膜パターン形成面で
はない平坦な裏面に位相シフタ１を形成するか、あるい
はフォトマスク基板３に位相シフタパターンを形成した
後に遮光膜２を形成する。
をなくす。 【構成】 フォトマスク基板の遮光膜パターン形成面で
はない平坦な裏面に位相シフタ１を形成するか、あるい
はフォトマスク基板３に位相シフタパターンを形成した
後に遮光膜２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、フォトマスクに関し、
さらに詳しくは、微細な回路パターンを半導体基板など
の被加工物上に転写する縮小投影露光に使用するのに好
適なフォトマスクに関する。
さらに詳しくは、微細な回路パターンを半導体基板など
の被加工物上に転写する縮小投影露光に使用するのに好
適なフォトマスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、ＬＳＩの製造には、可視光または
紫外線を用いる縮小投影露光法が用いられている。縮小
投影露光法は、ガラス、石英などのマスク基板にクロム
等の遮光体で回路パターンを描いたマスクを用い、投影
レンズによってマスクパターンを縮小して半導体基板上
に投影する方法である。近年、縮小投影露光法の解像力
を向上させる方法として位相シフト法が開発され、実用
化が進められている。これは、マスクの開口部の一つお
きに位相を反転させる材料を配置することによって、投
影面上の位相を交互に反転させ、こうすることにより通
常の露光よりもコントラストを向上させ、高解像度を得
る方法である。露光波長をλ、位相シフタの屈折率をｎ
とすると、位相シフタの膜厚ｔは、ｔ＝λ／２（ｎ−
１）としなければならない。例えば、λが２４８ｎｍ、
ｎが１．５の場合、ｔ＝λ＝２４８ｎｍとなる。図３お
よび図４は、この方法を説明するための説明図で、図３
は通常の露光の場合の基板断面図（図３（ａ））、マス
ク透過後の振幅（図３（ｂ））、露光面上の振幅（図３
（ｃ））、露光面上の光強度（図３（ｄ））を示す。ま
た図４（ａ）〜（ｄ）は、位相シフトによる露光におけ
る図３と同様の説明図である。
紫外線を用いる縮小投影露光法が用いられている。縮小
投影露光法は、ガラス、石英などのマスク基板にクロム
等の遮光体で回路パターンを描いたマスクを用い、投影
レンズによってマスクパターンを縮小して半導体基板上
に投影する方法である。近年、縮小投影露光法の解像力
を向上させる方法として位相シフト法が開発され、実用
化が進められている。これは、マスクの開口部の一つお
きに位相を反転させる材料を配置することによって、投
影面上の位相を交互に反転させ、こうすることにより通
常の露光よりもコントラストを向上させ、高解像度を得
る方法である。露光波長をλ、位相シフタの屈折率をｎ
とすると、位相シフタの膜厚ｔは、ｔ＝λ／２（ｎ−
１）としなければならない。例えば、λが２４８ｎｍ、
ｎが１．５の場合、ｔ＝λ＝２４８ｎｍとなる。図３お
よび図４は、この方法を説明するための説明図で、図３
は通常の露光の場合の基板断面図（図３（ａ））、マス
ク透過後の振幅（図３（ｂ））、露光面上の振幅（図３
（ｃ））、露光面上の光強度（図３（ｄ））を示す。ま
た図４（ａ）〜（ｄ）は、位相シフトによる露光におけ
る図３と同様の説明図である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】位相シフト法では、解
像力向上効果を十分に得るためには、シフタの膜厚を精
密に制御しなければならない。一般に、位相シフタ膜厚
は、±数％の精度で制御する必要がある。しかし、従来
の位相シフトマスクでは、膜厚５０〜２００ｎｍの遮光
体パターン上に位相シフタを成膜するため、段差によっ
て位相シフタの膜厚が不均一となり、解像力を低下させ
るという問題があった。本発明の目的は、このような従
来の欠点を除去し、位相シフタの膜厚が均一であり、微
細なパターンの転写が可能なフォトマスクを提供するこ
とにある。
像力向上効果を十分に得るためには、シフタの膜厚を精
密に制御しなければならない。一般に、位相シフタ膜厚
は、±数％の精度で制御する必要がある。しかし、従来
の位相シフトマスクでは、膜厚５０〜２００ｎｍの遮光
体パターン上に位相シフタを成膜するため、段差によっ
て位相シフタの膜厚が不均一となり、解像力を低下させ
るという問題があった。本発明の目的は、このような従
来の欠点を除去し、位相シフタの膜厚が均一であり、微
細なパターンの転写が可能なフォトマスクを提供するこ
とにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、フォト
マスク基板表面に遮光膜パターンが形成され、該フォト
マスク基板の裏面に位相シフタが所定のパターンで形成
されてなることを特徴とするフォトマスクである。ま
た、本発明の第２は、フォトマスク基板上に位相シフタ
が所定のパターンで形成され、該位相シフタ上に遮光膜
パターンが形成されてなることを特徴とするフォトマス
クである。
マスク基板表面に遮光膜パターンが形成され、該フォト
マスク基板の裏面に位相シフタが所定のパターンで形成
されてなることを特徴とするフォトマスクである。ま
た、本発明の第２は、フォトマスク基板上に位相シフタ
が所定のパターンで形成され、該位相シフタ上に遮光膜
パターンが形成されてなることを特徴とするフォトマス
クである。
【０００５】
【作用】本発明のフォトマスクでは、位相シフタを遮光
膜パターン形成前の平坦なマスク基板上、あるいは遮光
膜形成面ではない平坦な裏面に形成するため、位相シフ
タの膜厚が均一となり、解像力の低下を防ぐことができ
る。
膜パターン形成前の平坦なマスク基板上、あるいは遮光
膜形成面ではない平坦な裏面に形成するため、位相シフ
タの膜厚が均一となり、解像力の低下を防ぐことができ
る。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図１は、本発明によるフォトマスク
の一実施例を示す断面図である。マスク基板３の表面に
遮光膜２で回路パターンが形成され、該マスク基板３の
裏面には位相シフタ１が所定のパターンで形成されてい
る。その製造方法は、マスク基板３表面に遮光膜パター
ンを形成した後、裏面に位相シフタを成膜し、必要なパ
ターンに加工する。位相シフタは、パターンのない裏面
に形成するため、均一な膜厚にすることができる。ま
た、マスク基板を直接加工して位相シフタとすることも
できる。
しながら説明する。図１は、本発明によるフォトマスク
の一実施例を示す断面図である。マスク基板３の表面に
遮光膜２で回路パターンが形成され、該マスク基板３の
裏面には位相シフタ１が所定のパターンで形成されてい
る。その製造方法は、マスク基板３表面に遮光膜パター
ンを形成した後、裏面に位相シフタを成膜し、必要なパ
ターンに加工する。位相シフタは、パターンのない裏面
に形成するため、均一な膜厚にすることができる。ま
た、マスク基板を直接加工して位相シフタとすることも
できる。
【０００７】図２は、本発明によるフォトマスクの別の
一実施例を示す断面図である。マスク基板３上に位相シ
フタ１を形成し、必要なパターンに加工した後に遮光膜
を成膜し、回路パターンに加工する。この場合も、位相
シフタ１は平面上に成膜するため、膜厚は均一となる。
遮光膜は段差上に形成するため、膜厚が不均一となる
が、露光には影響を与えない。
一実施例を示す断面図である。マスク基板３上に位相シ
フタ１を形成し、必要なパターンに加工した後に遮光膜
を成膜し、回路パターンに加工する。この場合も、位相
シフタ１は平面上に成膜するため、膜厚は均一となる。
遮光膜は段差上に形成するため、膜厚が不均一となる
が、露光には影響を与えない。
【０００８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
位相シフタが段差のない平面上に形成されているので、
その膜厚が均一なフォトマスクが得られ、従来よりも解
像性に優れた微細パターンの転写が可能となる。
位相シフタが段差のない平面上に形成されているので、
その膜厚が均一なフォトマスクが得られ、従来よりも解
像性に優れた微細パターンの転写が可能となる。
【図１】本発明によるフォトマスクの一実施例の断面図
である。
である。
【図２】本発明によるフォトマスクの別の一実施例の断
面図である。
面図である。
【図３】位相シフト露光の原理を説明するための、位相
シフトマスクを用いない通常の露光の場合の説明図であ
る。
シフトマスクを用いない通常の露光の場合の説明図であ
る。
【図４】位相シフト露光の原理を説明するための、従来
用いられている位相シフトマスクを用いた露光の場合の
説明図である。
用いられている位相シフトマスクを用いた露光の場合の
説明図である。
１ 位相シフタ ２ 遮光膜 ３ マスク基板
Claims (2)
- 【請求項１】 フォトマスク基板表面に遮光膜パターン
が形成され、該フォトマスク基板の裏面に位相シフタが
所定のパターンで形成されてなることを特徴とするフォ
トマスク。 - 【請求項２】 フォトマスク基板上に位相シフタが所定
のパターンで形成され、該位相シフタ上に遮光膜パター
ンが形成されてなることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22095192A JPH0651493A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22095192A JPH0651493A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651493A true JPH0651493A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16759109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22095192A Pending JPH0651493A (ja) | 1992-07-29 | 1992-07-29 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0651493A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076550A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールド、インプリントモールド製造方法 |
-
1992
- 1992-07-29 JP JP22095192A patent/JPH0651493A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009076550A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールド、インプリントモールド製造方法 |
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