JPH0651927U - 不揮発性メモリ制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 常に、装置全体が正常な動作を継続できるよ
うにすること 【構成】 電気的再書き込み可能で同じ大きさの容量を
有する不揮発性メモリよりなる第１のデータ領域Ｄａ及
び第２のデータ領域Ｄｂ、第１のデータ領域Ｄａまたは
第２のデータ領域Ｄｂのうちいずれの領域が有効である
かを示すフラグ領域Ｆ、フラグ領域Ｆを参照し現在有効
でない側のデータ領域にデータを書き込みこの書き込み
動作後にデータを書き込んだ側のデータ領域を有効とす
るようにフラグ領域Ｆを書き変える書き込み部１、フラ
グ領域Ｆを参照し現在有効である側のデータ領域を読み
出す読み出し部２からなる不揮発性メモリ制御装置。 【効果】 電源再投入後、不完全なデータ領域を読み出
すことはない。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、電気的再書き込み可能な不揮発性メモリを制御する不揮発性メモリ 制御装置に関し、詳しくは、電源遮断時におけるデータの保護を改善するもので ある。

【０００２】

【従来の技術】

従来、電気的再書き込み可能な不揮発性メモリへの書き込み動作中、電源が遮 断された場合、書き込みデータの内容は、途中まで新しいデータが書き込まれ、 その後は古い前のデータがそのまま残っている、という状態となっていた。 例えば、複数ワードにより意味をなすデータを書き込んでいる最中に、電源が 遮断されると、電源再投入後、そのデータは全然意味をなさないデータとなり、 動作継続が保証できないという問題があった。 このような事態を避けるため、データの加算値（ＳＵＭ値）を用いることによ り、書き込まれたデータの真偽を判定し、偽と判定された場合に、データ読み出 し動作を抑止する、という方式が採られていた。

【０００３】 しかし、以上のような従来の方式は、読み出しを抑止するのみで、このメモリ 制御装置を設置するコンピュータ装置等の動作を正しく継続することはできない 。 また、交流電源の遮断から直流電源の遮断までの時間を利用した電源遮断予 告信号を用いて、この電源遮断信号がないことを確認して書き込み動作を行う方 式もあるが、不揮発性メモリへの書き込み時間が電源遮断予告信号の発生から実 際の直流電源遮断までの時間よりも長い場合は、この方式を採用することはでき ない、という問題もあった。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

本考案は、このような問題を解決することを課題とし、常に、装置全体が正常 な動作を継続できるようにすることを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

以上の課題を解決した本考案は、電気的再書き込み可能で同じ大きさの容量を 有する不揮発性メモリよりなる第１のデータ領域及び第２のデータ領域と、前記 第１のデータ領域または前記第２のデータ領域のうちいずれの領域が有効である かを示すフラグ領域と、前記フラグ領域を参照し現在有効でない側のデータ領域 にデータを書き込みこの書き込み動作後にデータを書き込んだ側のデータ領域を 有効とするように前記フラグ領域を書き変える書き込み部と、前記フラグ領域を 参照し現在有効である側のデータ領域を読み出す読み出し部とからなる不揮発性 メモリ制御装置である。

【０００６】

【作用】

本考案の不揮発性メモリ制御装置は、同じ大きさの容量を有する不揮発性メモ リ容量の第１のデータ領域及び第２のデータ領域と、いずれの領域が有効である かを示すフラグ領域とを有し、データ書き込み時は、フラグ領域を参照して現在 有効でない側のデータ領域にデータを書き込み、データ読み出し時は、フラグ領 域を参照して現在有効である側のデータ領域からデータを読み出す。

【０００７】

【実施例】

以下、図面を用いて本考案の不揮発性メモリ制御装置の実施例を説明する。

【０００８】 図１は、本考案を実施した不揮発性メモリ制御装置の主要部の構成ブロック図 である。 この図で、第１のデータ領域Ｄａは、電気的再書き込み可能な不揮発性メモリ 素子からなるデータ格納領域であり、第２のデータ領域Ｄｂも、第１のデータ領 域Ｄａと同じメモリ容量を有する、同一構成の不揮発性メモリ素子からなるデー タ格納領域である。フラグ領域Ｆは、第１のデータ領域Ｄａまたは第２のデータ 領域Ｄｂのいずれの領域が有効であるかを示すフラグが設定される領域である。 書き込み部１は、フラグ領域Ｆに設定されているフラグを参照し、現在有効と なっていない側のデータ領域にデータを書き込み、データ書き込み後は、データ を書き込んだ側のデータ領域を有効とするようにフラグを設定する。 読み出し部２は、フラグ領域Ｆに設定されているフラグを参照し、現在有効と なっている側のデータ領域からデータを読み出す。

【０００９】 次に、このように構成された本考案の不揮発性メモリ制御装置の動作を図２、 図３、図４、図５を用いて、説明する。尚、これらの図において、Ｄａ，Ｄｂは 第１，第２のデータ領域であり、Ｆａはフラグ領域Ｆにて第１のデータ領域Ｄａ が有効であることを表わし、Ｆｂはフラグ領域Ｆにて第２のデータ領域Ｄｂが有 効であることを表わす。

【００１０】 図２は、本考案装置の正常動作を表わすタイムチャートである。 以下、番号に従ってその動作を説明する。 データ書き込み要求が発生し、書き込み部１が起動する。 書き込み部１はフラグ領域Ｆを参照し、現在有効であるデータ領域は、第２ のデータ領域Ｄｂであることを知る。 従って、書き込み部１は、第１のデータ領域Ｄａにデータ書き込みを行う。 第１のデータ領域Ｄａに対するデータ書き込みを終了する。 書き込み部１は、フラグ領域Ｆの設定を、第２のデータ領域Ｄｂから第１の データ領域Ｄａに変更し、第１のデータ領域Ｄａを有効とする。 データ読み出し要求がかかり、読み出し部２が起動する。 読み出し部２はフラグ領域Ｆを参照し、現在有効であるデータ領域は、第１ のデータ領域Ｄａであることを知る。 読み出し部２は、第１のデータ領域Ｄａからデータ読み出しを開始する。 第１のデータ領域Ｄａからのデータ読み出しを終了する。 電源遮断、再投入等なく、正常動作の場合、以上のようにして、データ領域の データ書き込み、データ読み出しが行われる。

【００１１】 次に、書き込み動作途中で電源が遮断された場合の動作を説明する。 図３は、特に、データ書き込み途中で電源が遮断された場合の動作を示したも のである。 動作〜までは、図２に示す動作と同様であり、書き込み部１は起動後、フ ラグ領域Ｆを参照し、現在有効である第２のデータ領域Ｄｂを知り、もう一方の 第１のデータ領域Ｄａにデータ書き込みを開始する。 そして、このデータ書き込み動作の最中に、電源が遮断されたとする。この時 、第１のデータ領域Ｄａは、途中までデータが書き変わり、後は古いデータのま まである。 電源が再投入されると、〜のデータ読み出し動作を繰り返す。 即ち、データ読み出し要求がかかり、読み出し部２が起動すると、フラグ領域 Ｆが参照され、読み出し部２は、フラグ領域Ｆより第２のデータ領域Ｄｂが有効 であることを知り、第２のデータ領域Ｄｂからデータ読み出しを開始し、終了す る。 このような、データ書き込み途中で電源が遮断された場合は、途中で書き変え られているデータでなく、古いデータが読み出される。

【００１２】 図４は、データ書き込みは正常に終了（〜）したが、フラグ領域Ｆの書き 変え途中で電源が遮断され、再投入された場合の動作を示したものである。 この場合は、図３に示した動作と全く同様であり、第１の領域Ｄａに書き込ま れた正常なデータとは関係なく、フラグ領域Ｆが示す第２のデータ領域Ｄｂから データ読み出しを開始し、終了する（〜）。 このように、データ書き込み正常終了、フラグ領域Ｆ書き替え途中で電源が遮 断された場合も、古いデータが読み出される。

【００１３】 図５は、第１のデータ領域Ｄａへのデータ書き込み（〜）が正常に終了し 、フラグ領域Ｆを書き替えた（）後に、電源が遮断された場合の動作を示した ものである。 この場合は、電源再投入後も第１のデータ領域Ｄａ、フラグ領域Ｆ、第２のデ ータ領域Ｄｂとも書き変わらず、読み出し動作は、図２に示した正常動作（〜 ）と全く同様であり、正しいデータが読み出される。

【００１４】

【考案の効果】

以上述べたように、本考案の不揮発性メモリ制御装置によれば、電源が遮断さ れ、再投入後であっても、不完全なデータ領域を読み出すことはなく、必ず完全 なデータを読み出すことにより、動作を継続することができる。また、本考案の ような構成を採用することにより、ＳＵＭ値チェック手段、電源遮断予告信号発 生手段等の付属装置を設けることなく、電源遮断時のデータ保護を行うことがで きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案を実施した不揮発性メモリ制御装置の構
成ブロック図である。

【図２】本考案装置の動作を表わす図である。

【図３】本考案装置の動作を表わす図である。

【図４】本考案装置の動作を表わす図である。

【図５】本考案装置の動作を表わす図である。

【符号の説明】

１ 書き込み部 ２ 読み出し部 Ｄａ 第１のデータ領域 Ｄｂ 第２のデータ領域 Ｆ フラグ領域

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 電気的再書き込み可能で同じ大きさの容
   量を有する不揮発性メモリよりなる第１のデータ領域及
   び第２のデータ領域と、前記第１のデータ領域または前
   記第２のデータ領域のうちいずれの領域が有効であるか
   を示すフラグ領域と、前記フラグ領域を参照し現在有効
   でない側のデータ領域にデータを書き込みこの書き込み
   動作後にデータを書き込んだ側のデータ領域を有効とす
   るように前記フラグ領域を書き変える書き込み部と、前
   記フラグ領域を参照し現在有効である側のデータ領域を
   読み出す読み出し部とからなる不揮発性メモリ制御装
   置。