JPH0652342B2 - 電気光学変調器 - Google Patents
電気光学変調器Info
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- JPH0652342B2 JPH0652342B2 JP2300931A JP30093190A JPH0652342B2 JP H0652342 B2 JPH0652342 B2 JP H0652342B2 JP 2300931 A JP2300931 A JP 2300931A JP 30093190 A JP30093190 A JP 30093190A JP H0652342 B2 JPH0652342 B2 JP H0652342B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は光信号の変調技術及び平面干渉計電気光学変
調器に関する。
調器に関する。
（従来の技術） ファイバーオプティックリンクは、ミリメートル波通信
やレーダーシステムなど様々な分野で益々重要になって
いる。マイクロ波の周波数を越える固体レーザーの信号
を直接に変調することは、一般に不可能なので、ミリメ
ートル波ファイバーオプティックリンクにはしばしば外
部電気光学変調器が必要である。
やレーダーシステムなど様々な分野で益々重要になって
いる。マイクロ波の周波数を越える固体レーザーの信号
を直接に変調することは、一般に不可能なので、ミリメ
ートル波ファイバーオプティックリンクにはしばしば外
部電気光学変調器が必要である。
この目的に使用される装置としては進行波集積光変調器
がこの技術分野では公知である。この変調器は基板に形
成された光導波路及び重複金属電極構造を有している。
電極構造に加えられる駆動周波数は、光導波路内の光の
変調に用いられる。このような変調器の例は次の文献に
記載されている。
がこの技術分野では公知である。この変調器は基板に形
成された光導波路及び重複金属電極構造を有している。
電極構造に加えられる駆動周波数は、光導波路内の光の
変調に用いられる。このような変調器の例は次の文献に
記載されている。
（１） Alferness et.al.，“Velocity-Matching Tec
hniques for Integrated Optic Travelling Wave
Switch/Modulators”， IEEE Ｊ． Quantum Elec
tronics，Vol．QE-20，No．３，March1984，pp．301-30
9A、 （２） Nazarathy et al．，“Spread Spectrum F
requency Response of Coded Phase Reversal Tr
avelling Wave Modulattors”，Ｊ．Lightwave Te
chnology，Vol．LT-5，No．10，October 1987，pp．143
3-1443、 （３） Schmidt，“Integrated Optics Switches a
nd Modulators”，from Integrated Optics：Physic
s and Applications,S.Marellucci and Ａ．Ｎ．Ch
ester（eds．），pp．181-210，Plenum Press，New Y
ork，1981 （発明が解決しようとする課題） 光とマイクロ波の駆動速度を等しくするために変調帯域
幅の広い進行波集積光変調器が基板材料に形成される。
しかしながら、ニオブ塩酸リチウムなどの重要な電気光
学基板材料では、光の速度とマイクロ波の速度は本来的
に整合しない。ニオブ塩酸リチウム内の光信号相の速度
はマイクロ波駆動信号速度のほぼ２倍である。光駆動信
号とマイクロ波駆動信号との間の位相の相違が増大する
に連れて、位相調節が弱くなる。この現象はしばしば位
相の「ウォークオフ」と呼ばれる。
hniques for Integrated Optic Travelling Wave
Switch/Modulators”， IEEE Ｊ． Quantum Elec
tronics，Vol．QE-20，No．３，March1984，pp．301-30
9A、 （２） Nazarathy et al．，“Spread Spectrum F
requency Response of Coded Phase Reversal Tr
avelling Wave Modulattors”，Ｊ．Lightwave Te
chnology，Vol．LT-5，No．10，October 1987，pp．143
3-1443、 （３） Schmidt，“Integrated Optics Switches a
nd Modulators”，from Integrated Optics：Physic
s and Applications,S.Marellucci and Ａ．Ｎ．Ch
ester（eds．），pp．181-210，Plenum Press，New Y
ork，1981 （発明が解決しようとする課題） 光とマイクロ波の駆動速度を等しくするために変調帯域
幅の広い進行波集積光変調器が基板材料に形成される。
しかしながら、ニオブ塩酸リチウムなどの重要な電気光
学基板材料では、光の速度とマイクロ波の速度は本来的
に整合しない。ニオブ塩酸リチウム内の光信号相の速度
はマイクロ波駆動信号速度のほぼ２倍である。光駆動信
号とマイクロ波駆動信号との間の位相の相違が増大する
に連れて、位相調節が弱くなる。この現象はしばしば位
相の「ウォークオフ」と呼ばれる。
設計によりこの速度の不整合を調整しなければならな
い。最大駆動周波数は変調器が長くなるに連れて減少す
る。逆に、駆動電圧及びパワーを低くするには、装置を
長くしなければならない。従って、最大駆動周波数と必
要な駆動パワーとの調整を計らなければならない。即
ち、変調器は短くしなければならないが、駆動パワーは
周波数が増大するに連れて大きくしなければならない。
い。最大駆動周波数は変調器が長くなるに連れて減少す
る。逆に、駆動電圧及びパワーを低くするには、装置を
長くしなければならない。従って、最大駆動周波数と必
要な駆動パワーとの調整を計らなければならない。即
ち、変調器は短くしなければならないが、駆動パワーは
周波数が増大するに連れて大きくしなければならない。
この速度の不整合を補償する従来の方法では、共面電気
光学変調器に周期的に配置された電極構造が用いられて
いる。周期的に配置された電極構造は、周期的な位相反
転電極又は間欠相互作用電極に分類することができる。
公知の間欠相互作用電極構成は、非均衝送信線であり、
例えば、伝播軸の周囲で不均整である。このため他のフ
ァイバーオプティックリンク送信コンポーネントへの均
衝線（共軸又は導波路プローブ）送信とは整合しない。
従来の変調器はＺ板ニオブ塩酸リチウムから製造され、
光導波路は金属電極の下に置かれる。この構造では、金
属電極と基板内の導波路との間に誘電バッファー層が通
常は必要である。誘電層にはバイアスポイントが不安定
になるとい欠点がある。従来の変調器は効率及び性能を
高めるインピーダンス整合回路機構を開示していない。
光学変調器に周期的に配置された電極構造が用いられて
いる。周期的に配置された電極構造は、周期的な位相反
転電極又は間欠相互作用電極に分類することができる。
公知の間欠相互作用電極構成は、非均衝送信線であり、
例えば、伝播軸の周囲で不均整である。このため他のフ
ァイバーオプティックリンク送信コンポーネントへの均
衝線（共軸又は導波路プローブ）送信とは整合しない。
従来の変調器はＺ板ニオブ塩酸リチウムから製造され、
光導波路は金属電極の下に置かれる。この構造では、金
属電極と基板内の導波路との間に誘電バッファー層が通
常は必要である。誘電層にはバイアスポイントが不安定
になるとい欠点がある。従来の変調器は効率及び性能を
高めるインピーダンス整合回路機構を開示していない。
（課題を解決するための手段、作用、及び発明の効果） この発明の技術に基づく電気光学変調器は、光導波路を
構成する２本のほぼ平行なチヤンネルが形成される主面
を有する基板を具備している。基板の主面にはラジオ周
波数（ＲＦ）共面導波路が形成される。ＲＦ共面導波路
は、両光導波路チヤンネルの上に横たわる領域により分
離された一対の金属接地導体を有している。所定の位相
の光信号が光導波路に入力される。電磁エネルギーがＲ
Ｆ共面導波路に印加される。電磁信号がＲＦ共面導波路
に沿って駆動源から伝播するに連れて電磁信号の相を調
整して、電磁信号を光導波路チヤンネル内の光信号と同
位相に維持する装備が設けられている。
構成する２本のほぼ平行なチヤンネルが形成される主面
を有する基板を具備している。基板の主面にはラジオ周
波数（ＲＦ）共面導波路が形成される。ＲＦ共面導波路
は、両光導波路チヤンネルの上に横たわる領域により分
離された一対の金属接地導体を有している。所定の位相
の光信号が光導波路に入力される。電磁エネルギーがＲ
Ｆ共面導波路に印加される。電磁信号がＲＦ共面導波路
に沿って駆動源から伝播するに連れて電磁信号の相を調
整して、電磁信号を光導波路チヤンネル内の光信号と同
位相に維持する装備が設けられている。
以下、図面を参照してこの発明を詳細に説明する。
（実施例） 第１図に示す電気光学変調器１０は主面１４を有する基
板１２の上に形成されている。基板１２はＸカット−ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）で形成することが好ま
しい。用語「Ｘカット」は、産業基準により決まってい
る基板材料の特定の結晶学的配向のことである。Ｘカッ
ト−ニオブ酸リチウム基板は、公知のＺカット−ニオブ
酸リチウム基板よりも有利である。Ｚカット−ニオブ酸
リチウム基板を使用した場合には、ＲＦ電極を光導波路
の上方に垂直に載置しなければならない。このような構
成にすると光の損失を抑えるために二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２）のバッファー層を使用しなければならなくなる。
しかしながら、このバッファー層はバイアスを不安定に
する。Ｘカット−ニオブ酸リチウム基板を用いた場合に
は、バッファー層が不要になるので、このような問題は
生じない。光導波路はこの発明で用いたようにＲＦ共面
導波路の金属電極間に配置することができる。
板１２の上に形成されている。基板１２はＸカット−ニ
オブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）で形成することが好ま
しい。用語「Ｘカット」は、産業基準により決まってい
る基板材料の特定の結晶学的配向のことである。Ｘカッ
ト−ニオブ酸リチウム基板は、公知のＺカット−ニオブ
酸リチウム基板よりも有利である。Ｚカット−ニオブ酸
リチウム基板を使用した場合には、ＲＦ電極を光導波路
の上方に垂直に載置しなければならない。このような構
成にすると光の損失を抑えるために二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２）のバッファー層を使用しなければならなくなる。
しかしながら、このバッファー層はバイアスを不安定に
する。Ｘカット−ニオブ酸リチウム基板を用いた場合に
は、バッファー層が不要になるので、このような問題は
生じない。光導波路はこの発明で用いたようにＲＦ共面
導波路の金属電極間に配置することができる。
光導波路１８はマッハツェンダー干渉計として形作られ
ている。光導波路１８は、第３図に最も良く示されてい
るように、基板１２内に形成され主面１４の直ぐ下に位
置する少なくとも２個のほぼ平行な光導波路チヤンネル
２０及び２２から成る。この実施例では、光導波路１８
はレーザーなどの光源２６に接続される入力２４を有し
ている。
ている。光導波路１８は、第３図に最も良く示されてい
るように、基板１２内に形成され主面１４の直ぐ下に位
置する少なくとも２個のほぼ平行な光導波路チヤンネル
２０及び２２から成る。この実施例では、光導波路１８
はレーザーなどの光源２６に接続される入力２４を有し
ている。
公知の技術を用いてチタニウムを基板１２の主面１４に
拡散することにより導波路１８が形成される。拡散され
たチタニウムは一般にストリップ２５の形態になり、分
岐点２８で２本のチヤンネル２０及び２２に別れる。チ
ヤンネル２０及び２２は基板１２のほぼ全長に亘って平
行に延び、合流点３０で再び合流して線３２を形成す
る。この線は光出力３４で終了している。光出力３４
は、受光器への導波線として機能する光ファイバに連結
されている。
拡散することにより導波路１８が形成される。拡散され
たチタニウムは一般にストリップ２５の形態になり、分
岐点２８で２本のチヤンネル２０及び２２に別れる。チ
ヤンネル２０及び２２は基板１２のほぼ全長に亘って平
行に延び、合流点３０で再び合流して線３２を形成す
る。この線は光出力３４で終了している。光出力３４
は、受光器への導波線として機能する光ファイバに連結
されている。
電気光学変調器１０は対称ＲＦ共面導波路３６を有して
いる。ＲＦ共面導波路３６は、基板１０の主面上の両金
属接地板３８及び４０の間の領域４６にＲＦ電界を発生
する。導波路３６は基板１２の反対側に開口４２及び４
４を有している。好ましい実施例では、開口４２はＲＦ
源６２に接続している入力開口である。開口４４はＲＦ
負荷６６に接続している出力開口である。
いる。ＲＦ共面導波路３６は、基板１０の主面上の両金
属接地板３８及び４０の間の領域４６にＲＦ電界を発生
する。導波路３６は基板１２の反対側に開口４２及び４
４を有している。好ましい実施例では、開口４２はＲＦ
源６２に接続している入力開口である。開口４４はＲＦ
負荷６６に接続している出力開口である。
領域４６の中心部には間欠相互作用型の位相調節導体４
８が主面１４に接触して位置している。位相調節導体４
８はストリップ５０の形状をしている。ストリップ５０
にはストリップ５０を横切って両側に突出するスタブ５
２が全長に亘って複数個設けられている。第２図に示し
たスタブ５２の長さ（Ｌ）及びスタブ５２相互の間の周
期的な距離（ｄ）は、Ｌをスタブの長さ、ｄを周期的な
電極部の長さ、ｆＤをＲＦの設計周波数、λをＲＦの設
計波長、ｃを光の自由空間速度、ｎを制限−ｆＤｄ（Ｎ
ｍ−Ｎｏ）／ｃ＜ｎ＜ｏを満たす整数とするとき、次の
関係式により決まる。
８が主面１４に接触して位置している。位相調節導体４
８はストリップ５０の形状をしている。ストリップ５０
にはストリップ５０を横切って両側に突出するスタブ５
２が全長に亘って複数個設けられている。第２図に示し
たスタブ５２の長さ（Ｌ）及びスタブ５２相互の間の周
期的な距離（ｄ）は、Ｌをスタブの長さ、ｄを周期的な
電極部の長さ、ｆＤをＲＦの設計周波数、λをＲＦの設
計波長、ｃを光の自由空間速度、ｎを制限−ｆＤｄ（Ｎ
ｍ−Ｎｏ）／ｃ＜ｎ＜ｏを満たす整数とするとき、次の
関係式により決まる。
ｆＤｄ（Ｎｍ−Ｎｏ）＝−ｃ（２Ｌ／λ＋ｎ） ＲＦ共面接地板導体３８と位相調節導体４８との間、及
びＲＦ共面接地板導体４０と位相調節導体４８との間に
は、それぞれギャップ５４及び５６が形成されている。
びＲＦ共面接地板導体４０と位相調節導体４８との間に
は、それぞれギャップ５４及び５６が形成されている。
従来の間欠相互作用型電極とは異なり、位相調節導体４
８はＲＦ伝播軸を中心にして対称的である。この対称性
により変調器は平衝導波線のような振る舞いをし、変調
器の試験及び包装が容易になる。
８はＲＦ伝播軸を中心にして対称的である。この対称性
により変調器は平衝導波線のような振る舞いをし、変調
器の試験及び包装が容易になる。
この発明の一つの特徴は、インピーダンス変換回路機構
５８及びインピーダンス整合素子６０が変調器１０に組
み込まれていることである。変調器１０がインピーダン
ス変換及びインピーダンス整合素子を有しているため
に、他のインピーダンス整合回路を付け加える必要がな
いので、ＲＦ源６２の接続が容易になる。インピーダン
スはテーパの設けられた入力開口４２及び出力開口４４
により変換される。インピーダンスは中央部のスタブ５
２よりも長さの短い端のスタブ６４により整合される。
インピーダンス変換開口４２、４４、５８及びインピー
ダンス整合スタブ６４は、変調器のＲＦインピーダンス
を源及び負荷のインピーダンス水準に変換する。インピ
ーダンス整合スタブ６４は、周期的に配置された電極構
造のインピーダンスを掻き乱さない線形ＲＦ共面導波路
のインピーダンスに変換する。インピーダンス変換部５
８は、インピーダンス整合スタブの直ぐ外側に位置する
ＲＦ信号に生じるインピーダンス水準を源及び負荷のイ
ンピーダンス水準にまで押し上げる。
５８及びインピーダンス整合素子６０が変調器１０に組
み込まれていることである。変調器１０がインピーダン
ス変換及びインピーダンス整合素子を有しているため
に、他のインピーダンス整合回路を付け加える必要がな
いので、ＲＦ源６２の接続が容易になる。インピーダン
スはテーパの設けられた入力開口４２及び出力開口４４
により変換される。インピーダンスは中央部のスタブ５
２よりも長さの短い端のスタブ６４により整合される。
インピーダンス変換開口４２、４４、５８及びインピー
ダンス整合スタブ６４は、変調器のＲＦインピーダンス
を源及び負荷のインピーダンス水準に変換する。インピ
ーダンス整合スタブ６４は、周期的に配置された電極構
造のインピーダンスを掻き乱さない線形ＲＦ共面導波路
のインピーダンスに変換する。インピーダンス変換部５
８は、インピーダンス整合スタブの直ぐ外側に位置する
ＲＦ信号に生じるインピーダンス水準を源及び負荷のイ
ンピーダンス水準にまで押し上げる。
ＲＦ共面導波路３６及び位相調節導体４８は、基板１０
の主面１４に導電性材料層を滞積させることにより形成
することができる。これは、熱蒸着又はスパッタリング
により所望の金属の真空室内の基板に滞積させることに
より達成される。好ましい実施例では、クロミウム又は
チタニウムの下層に金を用いて基板１２の全面１４への
粘着性を向上させている。金属接地導電層３８、４０及
び位相調節導体４８は、電界金メッキ溶液を用いて厚さ
が更新され、ギャップ５４及び５６がヨウ素金エッチン
グ用試薬及び（フッ化水素を含む）バッファー酸化物エ
ッチ液によりエッチングされる。
の主面１４に導電性材料層を滞積させることにより形成
することができる。これは、熱蒸着又はスパッタリング
により所望の金属の真空室内の基板に滞積させることに
より達成される。好ましい実施例では、クロミウム又は
チタニウムの下層に金を用いて基板１２の全面１４への
粘着性を向上させている。金属接地導電層３８、４０及
び位相調節導体４８は、電界金メッキ溶液を用いて厚さ
が更新され、ギャップ５４及び５６がヨウ素金エッチン
グ用試薬及び（フッ化水素を含む）バッファー酸化物エ
ッチ液によりエッチングされる。
マイクロ波源６２及び負荷６６と変調器との接続は直接
的である。好ましい実施例では、端子６８は源６２から
の１本の線７４に接続されていて、端子７０及び７２は
源６２の他の線７６に接続されている。負荷６６の一方
の側は端子８２に接続されていて、他方の側８０は端子
８４及び８６に接続されている。
的である。好ましい実施例では、端子６８は源６２から
の１本の線７４に接続されていて、端子７０及び７２は
源６２の他の線７６に接続されている。負荷６６の一方
の側は端子８２に接続されていて、他方の側８０は端子
８４及び８６に接続されている。
光信号を変調する方法は、所定相の光信号を光源２６か
ら光入力手段２４を介して変調器の光導波路に供給する
ことから始まる。信号は両チヤンネル２０及び２２に入
る。次に、共面導波路３６が変調ＲＦ信号源６２に連結
される。ギャップ５４及び５６内の電界構成要素は、Ｒ
Ｆ信号の伝播方向にほぼ垂直に配向され、極性が反対で
ある。光導波路チヤンネル２０及び２２の領域では、電
界構成要素がチヤンネルを通過し、電気光学的に導波路
の屈折率を変更し、光信号の相を変更する。チヤンネル
２０及び２２内の相の変化は相違しているので、チヤン
ネル２０及び２２内の光信号が合流点３０で合流すると
振幅変調が生じる。
ら光入力手段２４を介して変調器の光導波路に供給する
ことから始まる。信号は両チヤンネル２０及び２２に入
る。次に、共面導波路３６が変調ＲＦ信号源６２に連結
される。ギャップ５４及び５６内の電界構成要素は、Ｒ
Ｆ信号の伝播方向にほぼ垂直に配向され、極性が反対で
ある。光導波路チヤンネル２０及び２２の領域では、電
界構成要素がチヤンネルを通過し、電気光学的に導波路
の屈折率を変更し、光信号の相を変更する。チヤンネル
２０及び２２内の相の変化は相違しているので、チヤン
ネル２０及び２２内の光信号が合流点３０で合流すると
振幅変調が生じる。
ＲＦ信号は光信号より速度が遅いので、電気光学変調器
１０には位相調整導体４８が組み込まれている。共面導
波路４２内のマイクロ波信号の位相は、チヤンネル２０
及び２２の領域からギャップ５６及び５４内の信号を除
去することにより周期的に前進させられ、スタブ５２の
周囲を通過する。信号がチヤンネル２０及び２２の領域
に戻ると、マイクロ波及び光信号が再び同位相になる。
この電極構造はマイクロ波周波数よりも高いＲＦ信号に
よる光信号の変調を可能にする。変調を十分に深く行な
うのに必要なＲＦ源出力パワーは、変調器を長くするこ
とにより、減少させることができる。
１０には位相調整導体４８が組み込まれている。共面導
波路４２内のマイクロ波信号の位相は、チヤンネル２０
及び２２の領域からギャップ５６及び５４内の信号を除
去することにより周期的に前進させられ、スタブ５２の
周囲を通過する。信号がチヤンネル２０及び２２の領域
に戻ると、マイクロ波及び光信号が再び同位相になる。
この電極構造はマイクロ波周波数よりも高いＲＦ信号に
よる光信号の変調を可能にする。変調を十分に深く行な
うのに必要なＲＦ源出力パワーは、変調器を長くするこ
とにより、減少させることができる。
以上、特定の好ましい実施例を挙げてこの発明を説明し
たが、特許請求の範囲内で様々に変形したり修正したり
することができる。
たが、特許請求の範囲内で様々に変形したり修正したり
することができる。
第１図はこの発明の技術に基づいて形成された電気光学
変調器の平面図、 第２図は第１図に示した変調器の一部を拡大した平面
図、そして 第３図は第２図の３−３線に沿った部分断面図である。 １０…電気光学変調器、１２…基板、１４…主面、１８
…光導波路、２０、２２…光導波路チヤンネル、２４…
光入力手段、３６…対称ＲＦ共面導波路、３８、４０…
金属接地板、４８…位相調節導体。
変調器の平面図、 第２図は第１図に示した変調器の一部を拡大した平面
図、そして 第３図は第２図の３−３線に沿った部分断面図である。 １０…電気光学変調器、１２…基板、１４…主面、１８
…光導波路、２０、２２…光導波路チヤンネル、２４…
光入力手段、３６…対称ＲＦ共面導波路、３８、４０…
金属接地板、４８…位相調節導体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 エイドリアン・イー・ポパ アメリカ合衆国、カリフォルニア州 91320、ニューベリー・パーク、デュー イ・アベニュー 93 (56)参考文献 特公 昭63−5740（ＪＰ，Ｂ２) 特表 平１−501974（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘカット−ニオブ酸リチウム基板と、光導
波路と、ＲＦ共面導波路と、光入力手段と、電磁駆動源
手段と、位相調節導体手段とを具備し、 前記Ｘカット−ニオブ酸リチウム基板は主面を有し、 前記光導波路は主面に隣接して基板に形成された少なく
とも２本の互いにほぼ平行な光導波路チヤンネルを有
し、そのうち少なくとも１本のチヤンネルにチタニウム
が拡散されており、 前記ＲＦ共面導波路は基板の主面に形成されており、前
記の少なくとも２本の光導波路チヤンネルを覆う領域に
より分離された第１及び第２の金属接地導体並びに入出
力インピーダンス変換手段を有し、この入出力インピー
ダンス変換手段がＲＦ共面導波路の対向した開口の所で
横断するように主面に沿って配置されて、ＲＦ導波路の
入力インピーダンス水準をＲＦ源の出力インピーダンス
水準にすると共に、ＲＦ共面導波路の出力インピーダン
ス水準をＲＦ負荷の入力インピーダンス水準にし、ま
た、このインピーダンス変換手段はテーパの設けられた
第１及び第２のＲＦ共面導波路開口を有しており、 前記光入力手段は所定の位相の光信号を光導波路に導
き、 電磁駆動源手段は第１の金属接地導体に接続された第１
の入力端子と、第２の金属接地導体に接続された第２の
入力端子と、位相調節導体手段に接続された第３の入力
端子とを有し、これら第１及び第２の入力端子がＲＦ源
の第１の出力端子に接続され、また、第３の入力端子が
ＲＦ源の第２の出力端子に接続され、そして、これら第
１、第２、第３の入力端子が第１のＲＦ共面導波路開口
に隣接しており、また、この電磁駆動源手段は第１の金
属接地導体に接続された第１の出力端子と、第２の金属
接地導体に接続された第２の出力端子と、位相調節導体
に接続された第３の出力端子とを更に有し、これら第１
及び第２の出力端子がＲＦ負荷の第１の入力端子に接続
され、また、第３の出力端子がＲＦ負荷の第２の入力端
子に接続されていて、これら第１、第２、第３の出力端
子が第２の共面導波路開口に隣接しており、この結果、
電磁駆動源手段は電磁エネルギーをＲＦ共面導波路に導
き、 前記位相調節導体手段は、前記第１及び第２の金属接地
導体に挾まれた前記領域内に位置し、電磁エネルギーの
位相を調節して電磁エネルギーの位相を光導波路内の光
信号の位相に一致させ、前記領域内において光導波路チ
ヤンネル相互の間で基板の主面に位置する細長いストリ
ップを有する金属電極を更に有し、金属電極は周期的な
間隔をおいて配置された横断延出スタブを更に複数個有
し、最初と最後のスタブが両者に挟まれて位置する各ス
タブよりも短く、金属電極がＲＦ信号伝播軸の周囲で対
称である電気光学変調器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US432,933 | 1989-11-06 | ||
| US07/432,933 US5005932A (en) | 1989-11-06 | 1989-11-06 | Electro-optic modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03203716A JPH03203716A (ja) | 1991-09-05 |
| JPH0652342B2 true JPH0652342B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=23718160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300931A Expired - Lifetime JPH0652342B2 (ja) | 1989-11-06 | 1990-11-06 | 電気光学変調器 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5005932A (ja) |
| EP (1) | EP0427092B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0652342B2 (ja) |
| KR (1) | KR950000406B1 (ja) |
| CA (1) | CA2026337C (ja) |
| DE (1) | DE69023608T2 (ja) |
| ES (1) | ES2079416T3 (ja) |
| IL (1) | IL95852A (ja) |
| NO (1) | NO904650L (ja) |
| TR (1) | TR25859A (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5208697A (en) * | 1990-03-30 | 1993-05-04 | Hughes Aircraft Company | Microwave frequency range electro-optic modulator with efficient input coupling and smooth wideband frequency response |
| US5150436A (en) * | 1991-09-06 | 1992-09-22 | The University Of British Columbia | Slow-wave electrode structure |
| US5291565A (en) * | 1992-06-30 | 1994-03-01 | Hughes Aircraft Company | Broad band, low power electro-optic modulator apparatus and method with segmented electrodes |
| SE500991C2 (sv) * | 1992-08-17 | 1994-10-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Anordning för anpassning av hastigheten för optiska och elektriska signaler i en vågutbredningsstruktur samt dess användning i fiberoptiska system |
| US5278924A (en) * | 1993-02-04 | 1994-01-11 | Hughes Aircraft Company | Periodic domain reversal electro-optic modulator |
| JPH07294860A (ja) * | 1994-04-25 | 1995-11-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 電気光学光変調装置 |
| JP2809190B2 (ja) * | 1996-04-30 | 1998-10-08 | 日本電気株式会社 | 光アイソレータ |
| US6372284B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-04-16 | Optelecom, Inc. | Fluoropolymer coating of lithium niobate integrated optical devices |
| US6192167B1 (en) * | 1998-07-24 | 2001-02-20 | Uniphase Telecommunications Products | Differential drive optical modulator |
| US6763151B1 (en) | 1999-07-02 | 2004-07-13 | Avanex Corporation | Electro-optic modulators with internal impedance matching |
| EP1065550A1 (en) * | 1999-07-02 | 2001-01-03 | Optical Technologies Italia S.p.A. | Electro-optic modulators with integrated impedance matching |
| JP4666425B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2011-04-06 | 独立行政法人情報通信研究機構 | 共振型光変調器の光変調方法及び共振型光変調器 |
| US6310700B1 (en) | 2000-09-15 | 2001-10-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Velocity matching electrode structure for electro-optic modulators |
| EP1403692A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-03-31 | Corning O.T.I. SRL | Electro-optic devices |
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| JP2011053354A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Toshiba Corp | 光電気配線フィルムおよび光電気配線モジュール |
| JP4913875B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2012-04-11 | 日本電信電話株式会社 | コプレーナ線路 |
| DE202014002841U1 (de) * | 2014-04-01 | 2014-06-25 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Kontaktieranordnung, insbesondere HF-Messspitze |
| JP6107868B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-04-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 光導波路素子 |
| EP3316394B1 (en) * | 2015-06-24 | 2021-08-18 | Nippon Telegraph and Telephone Corporation | High-frequency line |
| CN108780235B (zh) * | 2016-03-18 | 2021-12-14 | 日本电信电话株式会社 | 光调制器 |
| US12535700B2 (en) * | 2019-11-12 | 2026-01-27 | Lightwave Logic Inc. | Active region-less modulator and method |
| WO2023004112A1 (en) * | 2021-07-22 | 2023-01-26 | The Regents Of The University Of California | Integrated magneto-optical modulator |
| GB2614523A (en) * | 2021-11-09 | 2023-07-12 | Smart Photonics Holding B V | Electro-optical modulator |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4263992A (en) * | 1978-09-29 | 1981-04-28 | Ford Motor Company | Fabricated disc brake rotor assembly |
| JPS6011326B2 (ja) * | 1979-06-29 | 1985-03-25 | 日本電信電話株式会社 | 分岐路形光変調器 |
| JPS57163217A (en) * | 1981-04-01 | 1982-10-07 | Nec Corp | Frequency converting circuit |
| US4553810A (en) * | 1983-04-21 | 1985-11-19 | At&T Bell Laboratories | Traveling wave electrooptic devices |
| US4798437A (en) * | 1984-04-13 | 1989-01-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for processing analog optical wave signals |
| FR2592966B1 (fr) * | 1986-01-16 | 1989-11-10 | France Etat | Coupleur directif electro-optique a onde progressive et a dephasage alterne. |
| JPS635740A (ja) * | 1986-06-27 | 1988-01-11 | 北沢 進次郎 | 目盛付き根管充填材 |
-
1989
- 1989-11-06 US US07/432,933 patent/US5005932A/en not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-09-27 CA CA002026337A patent/CA2026337C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-10-01 IL IL95852A patent/IL95852A/xx not_active IP Right Cessation
- 1990-10-26 NO NO90904650A patent/NO904650L/no unknown
- 1990-10-30 DE DE69023608T patent/DE69023608T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-30 ES ES90120820T patent/ES2079416T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-30 EP EP90120820A patent/EP0427092B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-05 KR KR1019900017846A patent/KR950000406B1/ko not_active Expired - Lifetime
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- 1990-11-06 JP JP2300931A patent/JPH0652342B2/ja not_active Expired - Lifetime
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