JPH0652650B2 - 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 - Google Patents
荷電ビ−ムの軸合わせ方法Info
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- JPH0652650B2 JPH0652650B2 JP60137316A JP13731685A JPH0652650B2 JP H0652650 B2 JPH0652650 B2 JP H0652650B2 JP 60137316 A JP60137316 A JP 60137316A JP 13731685 A JP13731685 A JP 13731685A JP H0652650 B2 JPH0652650 B2 JP H0652650B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、電子ビーム描画装置等の荷電ビーム装置にお
ける荷電ビームの軸合わせ方法に関する。
ける荷電ビームの軸合わせ方法に関する。
近年、超ＬＳＩ等の微細で且つ高密度のパターンを形成
する装置として、電子ビーム描画装置が用いられてい
る。電子ビーム描画装置の内で、特に可変寸法ビーム方
式のものは、高精度で且つ高スループットの描画が可能
である。このため、光で転写することが不可能な０．５
［μｍ］以下の設計ルールの超ＬＳＩパターンを、ウェ
ハ上に直接描画する装置として適している。
する装置として、電子ビーム描画装置が用いられてい
る。電子ビーム描画装置の内で、特に可変寸法ビーム方
式のものは、高精度で且つ高スループットの描画が可能
である。このため、光で転写することが不可能な０．５
［μｍ］以下の設計ルールの超ＬＳＩパターンを、ウェ
ハ上に直接描画する装置として適している。
第５図にこの種の従来装置の電子光学系の一例を示す。
図中１は電子銃、２は矩形アパーチャ（開口）２ａを有
する第１の成形アパーチャマスク、３，４はマスク２を
照明するためのコンデンサレンズ、５は第２の成形アパ
ーチャマスク、６はマスク２のアパーチャ２ａの像をマ
スク５の上に投影し合成されたアパーチャ像を作るため
の投影レンズ、７はマスク２のアパーチャ像とマスク５
のアパーチャ５ａとの重なりを変化して合成されたアパ
ーチャ像の寸法を可変するための寸法可変用偏向器、８
は縮小レンズ、９は縮小された合成アパーチャ像を試料
面１２上に投影するための対物レンズ、１０は試料面１
２上のビーム位置を位置決めするための走査用偏向器、
１１はレンズ９の開口角を定義するための対物アパーチ
ャマスクである。
図中１は電子銃、２は矩形アパーチャ（開口）２ａを有
する第１の成形アパーチャマスク、３，４はマスク２を
照明するためのコンデンサレンズ、５は第２の成形アパ
ーチャマスク、６はマスク２のアパーチャ２ａの像をマ
スク５の上に投影し合成されたアパーチャ像を作るため
の投影レンズ、７はマスク２のアパーチャ像とマスク５
のアパーチャ５ａとの重なりを変化して合成されたアパ
ーチャ像の寸法を可変するための寸法可変用偏向器、８
は縮小レンズ、９は縮小された合成アパーチャ像を試料
面１２上に投影するための対物レンズ、１０は試料面１
２上のビーム位置を位置決めするための走査用偏向器、
１１はレンズ９の開口角を定義するための対物アパーチ
ャマスクである。
この構成の光学系では、光源である電子銃クロスオーバ
ＰがそれぞれＰ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4の位置に各々結像さ
れ、アパーチャ像と分離されている。ここで、クロスオ
ーバ像Ｐ2はコンデンサレンズ３若しくは４によって偏
向器７の偏向中心に正確に焦点合わせすることが必要で
ある。クロスオーバ像Ｐ2が偏向器７の偏向中心からず
れた場合、偏向器７の偏向に伴って対物アパーチャマス
ク１１に対しビームが動径方向に移動し、描画パターン
のドーズ誤差を生じる。ところが、いかに精密にコンデ
ンサレンズ３，４の焦点合わせを行っても、対物アパー
チャマスク１１に対する上述のビーム移動が発生する場
合があり、その原因が投影レンズ６に対するビームの軸
ずれにあることが判明した。
ＰがそれぞれＰ1，Ｐ2，Ｐ3，Ｐ4の位置に各々結像さ
れ、アパーチャ像と分離されている。ここで、クロスオ
ーバ像Ｐ2はコンデンサレンズ３若しくは４によって偏
向器７の偏向中心に正確に焦点合わせすることが必要で
ある。クロスオーバ像Ｐ2が偏向器７の偏向中心からず
れた場合、偏向器７の偏向に伴って対物アパーチャマス
ク１１に対しビームが動径方向に移動し、描画パターン
のドーズ誤差を生じる。ところが、いかに精密にコンデ
ンサレンズ３，４の焦点合わせを行っても、対物アパー
チャマスク１１に対する上述のビーム移動が発生する場
合があり、その原因が投影レンズ６に対するビームの軸
ずれにあることが判明した。
第６図は上記のビーム移動のメカニズムを説明するため
の模式図である。偏向器７の偏向によりビームが振られ
る範囲がレンズ６の光軸ａを中心として光路ｂ，ｃで挟
まれる領域の時、偏向器７の偏向中心にあるクロスオー
バ像Ｐ2は点Ａに結像される。この時、偏向器７による
偏向に対し点Ａは移動せずドーズ誤差は発生しない。こ
れに対し、偏向器７の偏向によりビームが振られる範囲
が光路ｄを中心として光路ｅ，ｆで挟まれる領域の時、
光路ｅ，ｄ，ｆが光軸から大きくずれるので、投影レン
ズ６の球面収差のため、ビームはＥ，Ｄ及びＦに移動し
てしまう。この移動は、前記縮小レンズ８により拡大さ
れて対物アパーチャマスク１１に投影され、ドーズ誤差
の原因となる。また、この移動量は、光軸からのずれの
３乗に比例して増加する。従って、偏向の中心光路をレ
ンズ６の光軸に合わせることが必要である。
の模式図である。偏向器７の偏向によりビームが振られ
る範囲がレンズ６の光軸ａを中心として光路ｂ，ｃで挟
まれる領域の時、偏向器７の偏向中心にあるクロスオー
バ像Ｐ2は点Ａに結像される。この時、偏向器７による
偏向に対し点Ａは移動せずドーズ誤差は発生しない。こ
れに対し、偏向器７の偏向によりビームが振られる範囲
が光路ｄを中心として光路ｅ，ｆで挟まれる領域の時、
光路ｅ，ｄ，ｆが光軸から大きくずれるので、投影レン
ズ６の球面収差のため、ビームはＥ，Ｄ及びＦに移動し
てしまう。この移動は、前記縮小レンズ８により拡大さ
れて対物アパーチャマスク１１に投影され、ドーズ誤差
の原因となる。また、この移動量は、光軸からのずれの
３乗に比例して増加する。従って、偏向の中心光路をレ
ンズ６の光軸に合わせることが必要である。
従来、このような軸合わせは、ビーム径より小さな円形
アパーチャを有する制限アパーチャマスクを、アパーチ
ャ中心がレンズの軸と一致するようにレンズ内又は近傍
に配置し、アパーチャを通過するビーム電流が最大とな
るよう軸合わせ用コイルを調整して行っていた。
アパーチャを有する制限アパーチャマスクを、アパーチ
ャ中心がレンズの軸と一致するようにレンズ内又は近傍
に配置し、アパーチャを通過するビーム電流が最大とな
るよう軸合わせ用コイルを調整して行っていた。
しかしながら、投影レンズ内若しくはその近傍に制限ア
パーチャマスクを置いた場合、第７図から明らかなよう
に、ビーム寸法を変化させる偏向器７の偏向に伴い、ビ
ーム１７の光路はレンズ６の光軸に対し垂直方向に移動
する。このため、制限アパーチャマスク１５によってカ
ットされるビームの量がビーム寸法に依存して変化し、
ビーム電流変動の原因となる。なお、第７図中１６は軸
合わせ用コイルを示している。また、第５図のような光
学構成において、投影レンズ６の近傍に制限アパーチャ
マスクを置くことは、制限アパーチャマスクの半影が試
料面１２での成形ビーム像に生じ、その電流密度の一様
性を損う原因となるので望ましくない。
パーチャマスクを置いた場合、第７図から明らかなよう
に、ビーム寸法を変化させる偏向器７の偏向に伴い、ビ
ーム１７の光路はレンズ６の光軸に対し垂直方向に移動
する。このため、制限アパーチャマスク１５によってカ
ットされるビームの量がビーム寸法に依存して変化し、
ビーム電流変動の原因となる。なお、第７図中１６は軸
合わせ用コイルを示している。また、第５図のような光
学構成において、投影レンズ６の近傍に制限アパーチャ
マスクを置くことは、制限アパーチャマスクの半影が試
料面１２での成形ビーム像に生じ、その電流密度の一様
性を損う原因となるので望ましくない。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、ビーム電流の変動を招くことなく、且
つビーム電流密度の一様性を損うことなく、荷電ビーム
の軸合わせを正確に行い得る荷電ビームの軸合わせ方法
を提供することにある。
とするところは、ビーム電流の変動を招くことなく、且
つビーム電流密度の一様性を損うことなく、荷電ビーム
の軸合わせを正確に行い得る荷電ビームの軸合わせ方法
を提供することにある。
本発明の骨子は、ビーム径よりアパーチャ径の大きな軸
合わせ用アパーチャマスクを用い、このアパーチャマス
クのアパーチャのエッジ位置を検出してビームの軸合わ
せを行うことにある。
合わせ用アパーチャマスクを用い、このアパーチャマス
クのアパーチャのエッジ位置を検出してビームの軸合わ
せを行うことにある。
即ち本発明は、荷電ビーム装置における荷電ビームの軸
合わせ方法において、荷電ビームを軸合わせしようとす
る軸にそのアパーチャ中心を一致して配置され、且つア
パーチャ径がその位置でのビームの直径より大きく形成
された軸合わせ用アパーチャマスクと、このアパーチャ
マスクよりもビーム放射源側に配置され、ビームを上記
アパーチャマスクのアパーチャ中心に偏向する軸合わせ
用偏向器とを用い、上記偏向器によりビームを上記パア
ーチャマスク上で走査しながら、該マスクから反射した
ビーム、マスクを通過したビーム或いはマスクへ流入す
るビームの強度若しくは量を連続的に検出してアパーチ
ャのエッジ位置を測定し、この測定されたエッジ位置か
らアパーチャ中心位置を求め、前記偏向器により前記ビ
ームの軸を上記求められたアパーチャ中心位置に一致さ
せるようにした方法である。
合わせ方法において、荷電ビームを軸合わせしようとす
る軸にそのアパーチャ中心を一致して配置され、且つア
パーチャ径がその位置でのビームの直径より大きく形成
された軸合わせ用アパーチャマスクと、このアパーチャ
マスクよりもビーム放射源側に配置され、ビームを上記
アパーチャマスクのアパーチャ中心に偏向する軸合わせ
用偏向器とを用い、上記偏向器によりビームを上記パア
ーチャマスク上で走査しながら、該マスクから反射した
ビーム、マスクを通過したビーム或いはマスクへ流入す
るビームの強度若しくは量を連続的に検出してアパーチ
ャのエッジ位置を測定し、この測定されたエッジ位置か
らアパーチャ中心位置を求め、前記偏向器により前記ビ
ームの軸を上記求められたアパーチャ中心位置に一致さ
せるようにした方法である。
特に、ビームの軸をアパーチャ中心に一致させる際に、
偏向器によりビームをＸ方向に走査してアパーチャのＸ
方向の２つのエッジ位置を検出したのち、偏向器により
ビームの軸をＸ方向の各エッジの中心位置に設定し、次
いで偏向器によりビームをＹ方向に走査してアパーチャ
のＹ方向の２つのエッジ位置を検出したのち、偏向器に
よりビームの軸をＹ方向の各エッジの中心位置に設定
し、且つこの時のビーム軸とアパーチャ中心位置とのず
れが許容範囲外の場合には上記操作を繰返すことを特徴
とする。
偏向器によりビームをＸ方向に走査してアパーチャのＸ
方向の２つのエッジ位置を検出したのち、偏向器により
ビームの軸をＸ方向の各エッジの中心位置に設定し、次
いで偏向器によりビームをＹ方向に走査してアパーチャ
のＹ方向の２つのエッジ位置を検出したのち、偏向器に
よりビームの軸をＹ方向の各エッジの中心位置に設定
し、且つこの時のビーム軸とアパーチャ中心位置とのず
れが許容範囲外の場合には上記操作を繰返すことを特徴
とする。
本発明によれば、制限アパーチャ等によりビームの一部
をカットすることがないので、ビーム電流変動や成形ビ
ームの電流密度分布の一様性低下を招くことなく、正確
にビームの軸合わせを行うことができる。さらに、軸合
わせ後のビームは、制限アパーチャからの散乱がないの
で、散乱電子のチャージアップを生じないため、ビーム
の安定性が向上すると云う効果が得られる。
をカットすることがないので、ビーム電流変動や成形ビ
ームの電流密度分布の一様性低下を招くことなく、正確
にビームの軸合わせを行うことができる。さらに、軸合
わせ後のビームは、制限アパーチャからの散乱がないの
で、散乱電子のチャージアップを生じないため、ビーム
の安定性が向上すると云う効果が得られる。
以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図である。なお、第５図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
電子銃１から対物アパーチャ１１までの構成は第５図の
装置と同様であり、この装置がこれと異なる点は、軸合
わせ用アパーチャマスク２１，軸合わせ用偏向コイル２
２，反射電子検出器２３及びこれらを駆動する制御電源
２０を設けたことにある。即ち、前記投影レンズ６の主
面には、この位置でのビーム径より大径のアパーチャ２
１ａを有する軸合わせ用アパーチャマスク２１が配置さ
れている。このマスク２１のアパーチャ中心はレンズ６
の中心（光軸）に一致するよう配置されている。成形ア
パーチャマスク２と偏向器７との間には、軸合わせ用ア
パーチャマスク２１のアパーチャ中心にビームを偏向す
るための軸合わせ用偏向コイル２２が配置されている。
また、軸合わせ用アパーチャマスク２１と偏向器７との
間には、アパーチャマスク２１からの反射電子を検出す
る反射電子検出器２３が配置されている。
画装置を示す概略構成図である。なお、第５図と同一部
分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
電子銃１から対物アパーチャ１１までの構成は第５図の
装置と同様であり、この装置がこれと異なる点は、軸合
わせ用アパーチャマスク２１，軸合わせ用偏向コイル２
２，反射電子検出器２３及びこれらを駆動する制御電源
２０を設けたことにある。即ち、前記投影レンズ６の主
面には、この位置でのビーム径より大径のアパーチャ２
１ａを有する軸合わせ用アパーチャマスク２１が配置さ
れている。このマスク２１のアパーチャ中心はレンズ６
の中心（光軸）に一致するよう配置されている。成形ア
パーチャマスク２と偏向器７との間には、軸合わせ用ア
パーチャマスク２１のアパーチャ中心にビームを偏向す
るための軸合わせ用偏向コイル２２が配置されている。
また、軸合わせ用アパーチャマスク２１と偏向器７との
間には、アパーチャマスク２１からの反射電子を検出す
る反射電子検出器２３が配置されている。
次に、上記装置に用いた軸合わせ方法について説明す
る。
る。
まず、寸法可変用偏向器７に供給されている偏向信号を
ゼロにして、ビームが偏向器７により偏向を受けないよ
うにする。次いで、第２図に示す如く軸合わせ用偏向コ
イル２２のＸコイルの走査に同期して軸合わせ用アパー
チャマスク２１からの反射電子信号を電子検出器２３に
より検出する。
ゼロにして、ビームが偏向器７により偏向を受けないよ
うにする。次いで、第２図に示す如く軸合わせ用偏向コ
イル２２のＸコイルの走査に同期して軸合わせ用アパー
チャマスク２１からの反射電子信号を電子検出器２３に
より検出する。
ここで、第３図（ａ）に示す如く軸合わせ用アパーチャ
マスク２１のアパーチャ２１ａを横切るようにビームを
Ｘ方向に走査したとき得られる検出信号は、同図（ｂ）
に示す如くなる。Ｉ0はビームが完全にアパーチャマス
ク２１でストップされたときの反射電子信号である。ス
レッショルドレベルを例えばＩ0／２に設定して、Ｉ＝
Ｉ0／２に対応する偏向座標を、各々ＸB，ＸCとする。
ＸB，ＸCは軸合わせ用アパーチャマスク２１のアパーチ
ャ２１ａのエッジＢ，Ｃに対応する。ＸB，ＸCの中点Ｘ
Dを求め、ＸコイルによりビームをＸD、つまり上記各エ
ッジＢ，Ｃの中点Ｄに設定する。
マスク２１のアパーチャ２１ａを横切るようにビームを
Ｘ方向に走査したとき得られる検出信号は、同図（ｂ）
に示す如くなる。Ｉ0はビームが完全にアパーチャマス
ク２１でストップされたときの反射電子信号である。ス
レッショルドレベルを例えばＩ0／２に設定して、Ｉ＝
Ｉ0／２に対応する偏向座標を、各々ＸB，ＸCとする。
ＸB，ＸCは軸合わせ用アパーチャマスク２１のアパーチ
ャ２１ａのエッジＢ，Ｃに対応する。ＸB，ＸCの中点Ｘ
Dを求め、ＸコイルによりビームをＸD、つまり上記各エ
ッジＢ，Ｃの中点Ｄに設定する。
次いで、同様にして偏向コイル２２のＹコイルを走査
し、第３図（ｃ）に示す如くエッジ座標ＹE，ＹFを検出
してコイルを中点座標ＹGに設定する。ここで、ＹE，Ｙ
Fはアパーチャ２１ａのエッジＥ，Ｇに対応し、ＹGはエ
ッジＥ，Ｆの中点Ｇの位置に対応する。続いて、再びＸ
コイルを走査して、第３図（ｄ）に示す如くアパーチャ
２１ａのエッジ座標ＸJ（エッジＪに対応），ＸK（エッ
ジＫに対応）及びこれらの中点座標ＸM（エッジＪ，Ｋ
の中点Ｍに対応）を求め、ビームをＸMの値に設定す
る。このような操作を数回繰返すことで、電子ビームを
軸合わせ用アパーチャマスク２１のアパーチャ中心に精
度良く軸合わせすることが可能となる。通常は、第４図
に示すフローチャートの操作を行うことで十分であり、
このような方法で例えば直径６００［μｍ］のアパーチ
ャに５［μｍ］の精度で軸合わせを行うことができた。
し、第３図（ｃ）に示す如くエッジ座標ＹE，ＹFを検出
してコイルを中点座標ＹGに設定する。ここで、ＹE，Ｙ
Fはアパーチャ２１ａのエッジＥ，Ｇに対応し、ＹGはエ
ッジＥ，Ｆの中点Ｇの位置に対応する。続いて、再びＸ
コイルを走査して、第３図（ｄ）に示す如くアパーチャ
２１ａのエッジ座標ＸJ（エッジＪに対応），ＸK（エッ
ジＫに対応）及びこれらの中点座標ＸM（エッジＪ，Ｋ
の中点Ｍに対応）を求め、ビームをＸMの値に設定す
る。このような操作を数回繰返すことで、電子ビームを
軸合わせ用アパーチャマスク２１のアパーチャ中心に精
度良く軸合わせすることが可能となる。通常は、第４図
に示すフローチャートの操作を行うことで十分であり、
このような方法で例えば直径６００［μｍ］のアパーチ
ャに５［μｍ］の精度で軸合わせを行うことができた。
なお、第３図中Ａは寸法可変用偏向器７及び軸合わせ用
偏向コイル２２の各偏向信号をゼロとしたときのビーム
位置、ａはアパーチャマスク２１上でのビームの大きさ
を示している。
偏向コイル２２の各偏向信号をゼロとしたときのビーム
位置、ａはアパーチャマスク２１上でのビームの大きさ
を示している。
このように本実施例方法によれば、軸合わせ用アパーチ
ャマスク２１，軸合わせ用偏向コイル２２及び反射電子
検出器２３等を用い、アパーチャマスク２１のアパーチ
ャ２１ａのエッジ位置を検出してその中点座標を測定す
ることにより、電子ビームをアパーチャ中心に高精度に
軸合わせすることができる。そしてこの場合、制限アパ
ーチャマスクを用いた場合と異なり、ビームの一部がア
パーチャマスクでカットされる等の不都合もなく、ビー
ム電流の変動やビーム電流密度の一様性低下を未然に防
止することができる。また、散乱電子のチャージアップ
を生じないため、ビームの安定性の向上をはかり得る等
の利点がある。
ャマスク２１，軸合わせ用偏向コイル２２及び反射電子
検出器２３等を用い、アパーチャマスク２１のアパーチ
ャ２１ａのエッジ位置を検出してその中点座標を測定す
ることにより、電子ビームをアパーチャ中心に高精度に
軸合わせすることができる。そしてこの場合、制限アパ
ーチャマスクを用いた場合と異なり、ビームの一部がア
パーチャマスクでカットされる等の不都合もなく、ビー
ム電流の変動やビーム電流密度の一様性低下を未然に防
止することができる。また、散乱電子のチャージアップ
を生じないため、ビームの安定性の向上をはかり得る等
の利点がある。
なお、本発明は上述した実施例方法に限定されるもので
はない。例えば、前記軸合わせ用アパーチャマスクのア
パーチャエッジ検出のために、反射電子を検出する代わ
りに、アパーチャマスクに流入したビームを検出するよ
うにしてもよい。さらに、アパーチャマスクを通過した
ビームを検出し、その反射電子若しくはビーム電流信号
を用いることも可能である。但しこの場合、検出信号の
特性は前記第３図の符号を逆にしたものとなる。また、
電子ビーム描画装置の構成は前記第１図に何等限定され
るものではなく、軸合わせを必要とする各種の電子ビー
ム装置に本発明を適用することができる。さらに、電子
ビームに限らず、イオンビームの軸合わせに適用するこ
とも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
はない。例えば、前記軸合わせ用アパーチャマスクのア
パーチャエッジ検出のために、反射電子を検出する代わ
りに、アパーチャマスクに流入したビームを検出するよ
うにしてもよい。さらに、アパーチャマスクを通過した
ビームを検出し、その反射電子若しくはビーム電流信号
を用いることも可能である。但しこの場合、検出信号の
特性は前記第３図の符号を逆にしたものとなる。また、
電子ビーム描画装置の構成は前記第１図に何等限定され
るものではなく、軸合わせを必要とする各種の電子ビー
ム装置に本発明を適用することができる。さらに、電子
ビームに限らず、イオンビームの軸合わせに適用するこ
とも可能である。その他、本発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は本発明の一実施例方法に使用した電子ビーム描
画装置を示す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれ
アパーチャエッジを検出してアパーチャ中心を求める手
法を説明するための模式図、第４図は軸合わせ手順を説
明するためのフローチャート、第５図は従来装置を示す
概略構成図、第６図は投影レンズの軸合わせを説明する
ための模式図、第７図は制限アパーチャを用いた従来の
軸合わせ方法を説明するための模式図である。 １…電子銃、２，５…成形アパーチャマスク、３，４…
コンデンサレンズ、６…投影レンズ、７…寸法可変用偏
向器、８…縮小レンズ、９…対物レンズ、１０…走査用
偏向器、１１…対物アパーチャマスク、１２…試料面、
２０…制御電源、２１…軸合わせ用アパーチャマスク、
２１ａ…アパーチャ、２２…軸合わせ用偏向コイル、２
３…反射電子検出器。
画装置を示す概略構成図、第２図及び第３図はそれぞれ
アパーチャエッジを検出してアパーチャ中心を求める手
法を説明するための模式図、第４図は軸合わせ手順を説
明するためのフローチャート、第５図は従来装置を示す
概略構成図、第６図は投影レンズの軸合わせを説明する
ための模式図、第７図は制限アパーチャを用いた従来の
軸合わせ方法を説明するための模式図である。 １…電子銃、２，５…成形アパーチャマスク、３，４…
コンデンサレンズ、６…投影レンズ、７…寸法可変用偏
向器、８…縮小レンズ、９…対物レンズ、１０…走査用
偏向器、１１…対物アパーチャマスク、１２…試料面、
２０…制御電源、２１…軸合わせ用アパーチャマスク、
２１ａ…アパーチャ、２２…軸合わせ用偏向コイル、２
３…反射電子検出器。
Claims (3)
- 【請求項１】荷電ビーム放射源から放射された荷電ビー
ムを集束制御して試料上に照射する荷電ビーム装置にお
ける荷電ビームの軸合わせ方法において、 荷電ビームを軸合わせしようとする軸にそのアパーチャ
中心を一致して配置され、且つアパーチャ径がその位置
でのビームの直径より大きく形成された軸合わせ用アパ
ーチャマスクと、このアパーチャマスクよりも前記ビー
ム放射源側に配置され、ビームを上記アパーチャマスク
のアパーチャ中心に偏向する軸合わせ用偏向器とを用
い、 上記偏向器によりビームを上記アパーチャマスク上で走
査しながら、該マスクから反射したビーム，マスクを通
過したビーム或いはマスクへ流入するビームの強度若し
くは量を連続的に検出してアパーチャのエッジ位置を連
続して測定し、この測定されたエッジ位置からアパーチ
ャ中心位置を求め、前記偏向器により前記ビームの軸を
上記求められたアパーチャ中心位置に一致させる方法で
あり、 前記ビームの軸を前記アパーチャ中心に一致させる際
に、前記偏向器により前記ビームをＸ方向に走査して前
記アパーチャのＸ方向の２つのエッジ位置を検出したの
ち、前記偏向器によりビームの軸を上記Ｘ方向の各エッ
ジの中心位置に設定し、次いで前記偏向器により前記ビ
ームをＹ方向に走査して前記アパーチャのＹ方向の２つ
のエッジ位置を検出したのち、前記偏向器によりビーム
の軸を上記Ｙ方向の各エッジの中心位置に設定し、且つ
この時のビーム軸とアパーチャ中心位置とのずれが許容
範囲外の場合には上記操作を繰返すことを特徴とする荷
電ビームの軸合わせ方法。 - 【請求項２】前記軸合わせ用アパーチャマスクのアパー
チャを、円形に形成したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の荷電ビームの軸合わせ方法。 - 【請求項３】前記荷電ビーム装置は、２枚のビーム成形
用アパーチャマスク及びこれらのアパーチャマスク間に
ビーム寸法可変用偏向器を備えた可変寸法方式の荷電ビ
ーム描画装置であり、前記軸合わせ用偏向器を上記ビー
ム寸法可変用偏向器と試料側のビーム成形用アパーチャ
マスクとの間に配置したことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の荷電ビームの軸合わせ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137316A JPH0652650B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60137316A JPH0652650B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61294745A JPS61294745A (ja) | 1986-12-25 |
| JPH0652650B2 true JPH0652650B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=15195833
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60137316A Expired - Fee Related JPH0652650B2 (ja) | 1985-06-24 | 1985-06-24 | 荷電ビ−ムの軸合わせ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652650B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE60234802D1 (de) | 2001-10-10 | 2010-02-04 | Applied Materials Israel Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Bilderzeugung geeignet zur Ausrichtung einer geladenen Teilchen Strahlsäule |
| JP2005032732A (ja) * | 2004-09-15 | 2005-02-03 | Hitachi Ltd | 走査電子顕微鏡 |
| DE102006062452B4 (de) | 2006-12-28 | 2008-11-06 | Comet Gmbh | Röntgenröhre und Verfahren zur Prüfung eines Targets einer Röntgenröhre |
| WO2008080625A1 (de) * | 2006-12-29 | 2008-07-10 | Yxlon International Feinfocus Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur ermittlung der ausdehnung des querschnitts eines elektronenstrahles |
| EP3089192B1 (en) * | 2010-12-22 | 2018-05-09 | Excillum AB | Focusing an electron beam in an x-ray source |
| US10593514B2 (en) | 2015-06-08 | 2020-03-17 | Nikon Corporation | Charged particle beam irradiation apparatus and device manufacturing method |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54100662A (en) * | 1978-01-25 | 1979-08-08 | Jeol Ltd | Axis regulator of electron-beam unit |
-
1985
- 1985-06-24 JP JP60137316A patent/JPH0652650B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61294745A (ja) | 1986-12-25 |
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