JPH0652714B2 - 薄膜材料の製造法 - Google Patents
薄膜材料の製造法Info
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- JPH0652714B2 JPH0652714B2 JP56045559A JP4555981A JPH0652714B2 JP H0652714 B2 JPH0652714 B2 JP H0652714B2 JP 56045559 A JP56045559 A JP 56045559A JP 4555981 A JP4555981 A JP 4555981A JP H0652714 B2 JPH0652714 B2 JP H0652714B2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/20—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of semiconductor materials
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-
- H—ELECTRICITY
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description
【発明の詳細な説明】 本発明は薄膜材料の製造法に関し、更に詳述すれば、シ
リコンを主構成元素とする薄膜材料の製造法に関するも
のである。
リコンを主構成元素とする薄膜材料の製造法に関するも
のである。
従来シリコンを主構成元素とする薄膜材料は真空蒸着
法、スパツタリング法、グロー放電法、熱分解法、プラ
ズマ輸送法、化成分解堆積法等によつて作られていた。
そのため形成された薄膜材料は通常全体が単結晶となら
ず、多結晶や非晶質およびこれらの混在したものとな
り、多結晶にあつては結晶粒界等が、また、非晶質にあ
つてはダングリングボンド等が薄膜中に多数存在する。
この様な薄膜を半導体材料として利用する場合、結晶粒
界やダングリングボンドが作る電子状態が禁止帯中に多
数現われ、ｐ，ｎ形の制御が出来ず、また光導電材料と
して利用する場合その光電変換効率が低下することが良
く知られている。最近高周波によるシラン(ＳｉＨ4)の
グロー放電分解法によつて作られた水素を含む非晶質シ
リコン(ａ−Ｓｉ：Ｈ)が光導電材料としての使用が検討
され、太陽電池や光導電センサ等への応用が開けつつあ
る。しかしながらａ−Ｓｉ：Ｈ中のキヤリヤの移動度は
10-1〜10-2cmV-1S-1と極めて小さく等価直列抵抗が大き
すぎたり、応答速度が遅いという欠点があつた。一方、
最近微結晶薄膜シリコンを用いた薄膜能動素子の研究が
盛んとなり、10-8Ｔｏｒｒ以下の超高真空中でシリコン
を蒸着することになり多数キヤリヤ移動度の大きい微結
晶薄膜が得られることが報告されている。この薄膜中で
の多数キヤリヤ移動度は10cmV-1S-1とａ−Ｓｉ膜に比べ
て数桁大きく、多数キヤリヤを利用する目的には優れた
材料である。しかしながらこの材料は少数キヤリヤの走
行が主役となる光導電素子や光起電力素子に用いるには
少数キヤリヤの拡散距離が結晶粒界等で制限されている
ため不適当であつた。
法、スパツタリング法、グロー放電法、熱分解法、プラ
ズマ輸送法、化成分解堆積法等によつて作られていた。
そのため形成された薄膜材料は通常全体が単結晶となら
ず、多結晶や非晶質およびこれらの混在したものとな
り、多結晶にあつては結晶粒界等が、また、非晶質にあ
つてはダングリングボンド等が薄膜中に多数存在する。
この様な薄膜を半導体材料として利用する場合、結晶粒
界やダングリングボンドが作る電子状態が禁止帯中に多
数現われ、ｐ，ｎ形の制御が出来ず、また光導電材料と
して利用する場合その光電変換効率が低下することが良
く知られている。最近高周波によるシラン(ＳｉＨ4)の
グロー放電分解法によつて作られた水素を含む非晶質シ
リコン(ａ−Ｓｉ：Ｈ)が光導電材料としての使用が検討
され、太陽電池や光導電センサ等への応用が開けつつあ
る。しかしながらａ−Ｓｉ：Ｈ中のキヤリヤの移動度は
10-1〜10-2cmV-1S-1と極めて小さく等価直列抵抗が大き
すぎたり、応答速度が遅いという欠点があつた。一方、
最近微結晶薄膜シリコンを用いた薄膜能動素子の研究が
盛んとなり、10-8Ｔｏｒｒ以下の超高真空中でシリコン
を蒸着することになり多数キヤリヤ移動度の大きい微結
晶薄膜が得られることが報告されている。この薄膜中で
の多数キヤリヤ移動度は10cmV-1S-1とａ−Ｓｉ膜に比べ
て数桁大きく、多数キヤリヤを利用する目的には優れた
材料である。しかしながらこの材料は少数キヤリヤの走
行が主役となる光導電素子や光起電力素子に用いるには
少数キヤリヤの拡散距離が結晶粒界等で制限されている
ため不適当であつた。
この点を改善するため水素プラズマ中で４００℃以下程
度で加熱処理することが試みられている。しかしながら
４００℃以下では水素の薄膜中での拡散が遅く、１μｍ
程度拡散させるのに１時間〜１０時間という長時間を要
する欠点があつた。
度で加熱処理することが試みられている。しかしながら
４００℃以下では水素の薄膜中での拡散が遅く、１μｍ
程度拡散させるのに１時間〜１０時間という長時間を要
する欠点があつた。
本発明の目的は上記欠点のない簡単な方法で拡散係数の
大きい水素を含有した薄膜材料の製造法を提供すること
にある。
大きい水素を含有した薄膜材料の製造法を提供すること
にある。
上記目的を達成するための本発明の構成は、基板上にシ
リコン薄膜を形成する工程と、上記基板を４００℃以上
の真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、または、水素雰囲気
の孰れか１つの雰囲気中に於ける水素プラズマによる熱
処理を行なう工程と、引き続いて、上記基板を所定の温
度勾配で３００℃以下にまで徐々に低下せながら上記プ
ラズマ熱処理を継続させる徐冷工程とを有してなる。
リコン薄膜を形成する工程と、上記基板を４００℃以上
の真空雰囲気、不活性ガス雰囲気、または、水素雰囲気
の孰れか１つの雰囲気中に於ける水素プラズマによる熱
処理を行なう工程と、引き続いて、上記基板を所定の温
度勾配で３００℃以下にまで徐々に低下せながら上記プ
ラズマ熱処理を継続させる徐冷工程とを有してなる。
本発明は上述の様に、水素の拡散係数の大きい高温にお
いて水素プラズマ処理を行う点が肝要である。高温にす
れば拡散係数が大きくなり、短時間に薄膜の奥深く種々
の元素等を導入出来る。ところが、このままではシリコ
ン薄膜中の水素の場合約４００℃以上ではシリコンと水
素の化学結合が切れてしまうので有効に水素を膜中に導
入することが出来ない。しかし、本発明の今一つの徐冷
工程によつて水素を膜中に導入できるようになつた。す
なわち、上述の様に、水素プラズマ中で加熱拡散処理後
冷却中も水素プラズマ中に保ち、水素がシリコン中で安
定な化学結合を作る温度まで降下後プラズマ中から取出
す点にあるからである。この様にすることの特長は次の
通りである。微結晶シリコン薄膜中の微結晶粒界は原子
配列に乱れがあり、非晶質的な部分が存在する。この様
な所に水素が結合するとその結合エネルギに場所的なバ
ラツキが出来、分布を生ずる。また拡散過程においても
活性化エネルギに分布があり、一定温度で拡散をすると
大きな活性化エネルギの結合位置には水素が入りにく
く、逆に小さな活性化エネルギの位置では水素とシリコ
ンの結合が不安定となり特性改善に有効な水素を所定の
位置に保つことが出来ない。これに対し本発明のごとく
プラズマ中にて加熱および冷却を行うと高温では水素導
入に大きな活性化エネルギの必要な部分に有効に水素が
入り、徐々に温度を下降することで順次結合の弱い位置
に水素が結合することになる。徐冷の際の温度勾配は0.
5〜10℃／分であることが望ましい。また、このとき、
４００℃以上の温度から３００℃以下の温度に下降させ
ることが肝要である。４００℃以上は水素がシリコン膜
中に充分行き渡るのに必要な温度であり、また、２００
℃以下のプラズマではシリコン膜に逆に欠陥を与えるの
で２００℃〜３００℃まで上記徐冷を行なうことが望ま
しい。このため短時間に均一にかつ有効に水素をシリコ
ン薄膜中に導入することが出来ることになり、応用上極
めて優れた方法と特性を与え得るものである。
いて水素プラズマ処理を行う点が肝要である。高温にす
れば拡散係数が大きくなり、短時間に薄膜の奥深く種々
の元素等を導入出来る。ところが、このままではシリコ
ン薄膜中の水素の場合約４００℃以上ではシリコンと水
素の化学結合が切れてしまうので有効に水素を膜中に導
入することが出来ない。しかし、本発明の今一つの徐冷
工程によつて水素を膜中に導入できるようになつた。す
なわち、上述の様に、水素プラズマ中で加熱拡散処理後
冷却中も水素プラズマ中に保ち、水素がシリコン中で安
定な化学結合を作る温度まで降下後プラズマ中から取出
す点にあるからである。この様にすることの特長は次の
通りである。微結晶シリコン薄膜中の微結晶粒界は原子
配列に乱れがあり、非晶質的な部分が存在する。この様
な所に水素が結合するとその結合エネルギに場所的なバ
ラツキが出来、分布を生ずる。また拡散過程においても
活性化エネルギに分布があり、一定温度で拡散をすると
大きな活性化エネルギの結合位置には水素が入りにく
く、逆に小さな活性化エネルギの位置では水素とシリコ
ンの結合が不安定となり特性改善に有効な水素を所定の
位置に保つことが出来ない。これに対し本発明のごとく
プラズマ中にて加熱および冷却を行うと高温では水素導
入に大きな活性化エネルギの必要な部分に有効に水素が
入り、徐々に温度を下降することで順次結合の弱い位置
に水素が結合することになる。徐冷の際の温度勾配は0.
5〜10℃／分であることが望ましい。また、このとき、
４００℃以上の温度から３００℃以下の温度に下降させ
ることが肝要である。４００℃以上は水素がシリコン膜
中に充分行き渡るのに必要な温度であり、また、２００
℃以下のプラズマではシリコン膜に逆に欠陥を与えるの
で２００℃〜３００℃まで上記徐冷を行なうことが望ま
しい。このため短時間に均一にかつ有効に水素をシリコ
ン薄膜中に導入することが出来ることになり、応用上極
めて優れた方法と特性を与え得るものである。
この様な水素プラズマを使用したものとして、グロー放
電法、スパツタリング法、ＣＶＤ法、分子線蒸着法、イ
オンプレーテイング法、イオンクラスタービーム法など
がある。これらは、全く差違なく同様に使用できる。
電法、スパツタリング法、ＣＶＤ法、分子線蒸着法、イ
オンプレーテイング法、イオンクラスタービーム法など
がある。これらは、全く差違なく同様に使用できる。
以下本発明を実施例によつて詳しく説明する。
実施例 分子線成長法により非晶質または微結晶およびこれらの
混合物を形成する方法について述べる。第１図は本実施
例の薄膜形成装置の概要を示す図である。１は真空容器
で２の排気装置によつて10-10Ｔｏｒｒ程度に排気出来
る。まずガラス基板５を４のホルダーに固定する。この
ホルダーは加熱用ヒータを内蔵しており、かつ６の高周
波電極の対向電極となつている。次に２の排気装置で２
×10-10Ｔｏｒｒに排気し、６の高周波電極は破線で示
した右側の位置に移動させ、３の電子線蒸発源よりシリ
コンを蒸発させ５の基板に１μｍのシリコン薄膜を得
た。この場合基板の温度を１００℃に保つと非晶質、５
２０℃に保つと非晶質と微結晶の混合物、６１０℃に保
つと略微結晶薄膜が得られた。このことは同時に測定出
来る電子線回折パターンによつて確認できる。次に６の
高周波電極を実線の位置に移動させ、８の水素ガス供給
装置と９の排気バルブを調整して水素ガス圧力を0.04Ｔ
ｏｒｒに調節し、非晶質にあつては４００℃、非晶質と
微結晶の混合物にあつては５００℃、微結晶薄膜にあつ
ては６００℃に加熱し、７の高周波電力２０Ｗを印加し
た。こうすると、電極５，６の間およびその近傍にグロ
ー放電が生じ水素プラズマが形成される。上記それぞれ
の温度で約１０分間保持した後約0.5〜10℃／分、普通
４℃／の降温速度で２００℃まで下降させ、しかる後高
周波入力を切り、引続き降温させ、約５０℃にて真空容
器１から試料を取出した。
混合物を形成する方法について述べる。第１図は本実施
例の薄膜形成装置の概要を示す図である。１は真空容器
で２の排気装置によつて10-10Ｔｏｒｒ程度に排気出来
る。まずガラス基板５を４のホルダーに固定する。この
ホルダーは加熱用ヒータを内蔵しており、かつ６の高周
波電極の対向電極となつている。次に２の排気装置で２
×10-10Ｔｏｒｒに排気し、６の高周波電極は破線で示
した右側の位置に移動させ、３の電子線蒸発源よりシリ
コンを蒸発させ５の基板に１μｍのシリコン薄膜を得
た。この場合基板の温度を１００℃に保つと非晶質、５
２０℃に保つと非晶質と微結晶の混合物、６１０℃に保
つと略微結晶薄膜が得られた。このことは同時に測定出
来る電子線回折パターンによつて確認できる。次に６の
高周波電極を実線の位置に移動させ、８の水素ガス供給
装置と９の排気バルブを調整して水素ガス圧力を0.04Ｔ
ｏｒｒに調節し、非晶質にあつては４００℃、非晶質と
微結晶の混合物にあつては５００℃、微結晶薄膜にあつ
ては６００℃に加熱し、７の高周波電力２０Ｗを印加し
た。こうすると、電極５，６の間およびその近傍にグロ
ー放電が生じ水素プラズマが形成される。上記それぞれ
の温度で約１０分間保持した後約0.5〜10℃／分、普通
４℃／の降温速度で２００℃まで下降させ、しかる後高
周波入力を切り、引続き降温させ、約５０℃にて真空容
器１から試料を取出した。
この様にして得た材料の特長を示す一例が第２図の光吸
収スペクトルである。２１は１００℃で蒸着し、４００
℃でプラズマ処理したもの、すなわち、徐冷工程を有し
ない試料である。２２は５２０℃で蒸着し、５００℃で
プラズマ処理したもの、２３は６１０℃で蒸着し、６０
０℃でプラズマ処理したものである。また２４は従来の
グロー放電法によつて作つた非晶質薄膜のもの、２５は
単結晶のものである。これから明らかなごとく本発明の
方法によれば２１から２５の間の極めて広い範囲にわた
つて光吸収スペクトルを任意に選択形成出来ることがわ
かる。加えてこの様にして得た薄膜の少数キヤリヤ走行
距離は電子については２５の結晶より短かいが、２４の
グロー放電法によるものよりいずれも長く１〜７μｍも
ある。また正孔については２４のグロー放電法によるも
のが約0.05μｍであつたのに本発明の材料では0.07〜0.
4μｍと極めて長くなつている。また多数キヤリヤ移動
度は0.1〜10cm2／Ｖ・Ｓと２４のグロー放電法によるも
のにくらべて１桁程度大きいことがわかつた。
収スペクトルである。２１は１００℃で蒸着し、４００
℃でプラズマ処理したもの、すなわち、徐冷工程を有し
ない試料である。２２は５２０℃で蒸着し、５００℃で
プラズマ処理したもの、２３は６１０℃で蒸着し、６０
０℃でプラズマ処理したものである。また２４は従来の
グロー放電法によつて作つた非晶質薄膜のもの、２５は
単結晶のものである。これから明らかなごとく本発明の
方法によれば２１から２５の間の極めて広い範囲にわた
つて光吸収スペクトルを任意に選択形成出来ることがわ
かる。加えてこの様にして得た薄膜の少数キヤリヤ走行
距離は電子については２５の結晶より短かいが、２４の
グロー放電法によるものよりいずれも長く１〜７μｍも
ある。また正孔については２４のグロー放電法によるも
のが約0.05μｍであつたのに本発明の材料では0.07〜0.
4μｍと極めて長くなつている。また多数キヤリヤ移動
度は0.1〜10cm2／Ｖ・Ｓと２４のグロー放電法によるも
のにくらべて１桁程度大きいことがわかつた。
上述の実施例では、ガラス基板上にシリコン薄膜を形成
させた場合についてのみ記載したが、これに限らず、ス
テンレスなど他の基板上にシリコン膜を形成した場合も
全く同様に特性のよい水素添加の薄膜材料が得られた。
また、シリコンに限らずＧｅ，ＧａＡｓなどの他の半導
体材料で薄膜を形成させた場合も全く同様であつた。構
成、製法等は全く同様にして得られるので説明は割愛す
る。
させた場合についてのみ記載したが、これに限らず、ス
テンレスなど他の基板上にシリコン膜を形成した場合も
全く同様に特性のよい水素添加の薄膜材料が得られた。
また、シリコンに限らずＧｅ，ＧａＡｓなどの他の半導
体材料で薄膜を形成させた場合も全く同様であつた。構
成、製法等は全く同様にして得られるので説明は割愛す
る。
以上詳述した様に、本発明は形成された半導体薄膜を４
００℃以上のプラズマ雰囲気から３００℃以下のプラズ
マ雰囲気に徐冷させることにより特性の良好な薄膜材料
を提供できる点工業的利益大なるものである。
００℃以上のプラズマ雰囲気から３００℃以下のプラズ
マ雰囲気に徐冷させることにより特性の良好な薄膜材料
を提供できる点工業的利益大なるものである。
第１図は本発明に使用した薄膜材料の製造装置の概略
図、第２図は本発明により形成された薄膜材料の特性図
である。 １……真空容器、２……排気装置、３……電子線蒸発
源、４……ホルダー、５……ガラス基板、６……高周波
電極、７……高周波電力、８……水素ガス供給装置、９
……排気バルブ。
図、第２図は本発明により形成された薄膜材料の特性図
である。 １……真空容器、２……排気装置、３……電子線蒸発
源、４……ホルダー、５……ガラス基板、６……高周波
電極、７……高周波電力、８……水素ガス供給装置、９
……排気バルブ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 白木 靖寛 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 丸山 瑛一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 松原 宏和 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 石坂 彰利 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 村山 良昌 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 新谷 昭 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．33 〔５〕，（1978−９−１），Ｐ．440〜442
Claims (3)
- 【請求項１】結晶粒界やダングリングボンドを有する半
導体薄膜を基板上に形成する工程と、上記半導体薄膜が
形成された上記基板を４００℃以上に加熱して水素プラ
ズマ雰囲気中で熱処理を行う工程と、引き続いて上記基
板を所定の温度勾配で冷却する除冷工程と、２００〜３
００℃の温度まで冷却後上記水素プラズマを停止する工
程とを有することを特徴とする薄膜材料の製造法。 - 【請求項２】上記温度勾配は、０．５〜１０℃／分であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の薄膜材
料の製造法。 - 【請求項３】上記薄膜材料は、Ｓｉ、ＧｅまたはＧａＡ
ｓであることを特徴とする特許請求の範囲第１項または
第２項に記載の薄膜材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045559A JPH0652714B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 薄膜材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56045559A JPH0652714B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 薄膜材料の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57160124A JPS57160124A (en) | 1982-10-02 |
| JPH0652714B2 true JPH0652714B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=12722711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56045559A Expired - Lifetime JPH0652714B2 (ja) | 1981-03-30 | 1981-03-30 | 薄膜材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652714B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH067547B2 (ja) * | 1983-06-09 | 1994-01-26 | 富士通株式会社 | 気相成長装置 |
| JPH04321277A (ja) * | 1991-04-19 | 1992-11-11 | Sanyo Electric Co Ltd | 非晶質シリコン薄膜の形成方法およびこれを用いた光起電力装置の製造方法 |
| JPH088371B2 (ja) * | 1993-03-10 | 1996-01-29 | 株式会社日立製作所 | 薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| JP3027968B2 (ja) | 1998-01-29 | 2000-04-04 | 日新電機株式会社 | 成膜装置 |
| US7273818B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-09-25 | Tokyo Electron Limited | Film formation method and apparatus for semiconductor process |
-
1981
- 1981-03-30 JP JP56045559A patent/JPH0652714B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．３３〔５〕，（１９７８−９−１），Ｐ．４４０〜４４２ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57160124A (en) | 1982-10-02 |
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