JPH0652733B2 - 半導体装置の製造法 - Google Patents
半導体装置の製造法Info
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- JPH0652733B2 JPH0652733B2 JP60121034A JP12103485A JPH0652733B2 JP H0652733 B2 JPH0652733 B2 JP H0652733B2 JP 60121034 A JP60121034 A JP 60121034A JP 12103485 A JP12103485 A JP 12103485A JP H0652733 B2 JPH0652733 B2 JP H0652733B2
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は半導体装置の製造法に関する。
従来より半導体装置の高速化のための低抵抗の電極や配
線が求められている。モリブデンやタングステンやタン
タルやチタンや白金などの金属とシリコンなどの半導体
との化合物は低抵抗であることは知られている。特にシ
リコンと高融点金属との化合物であるシリサイドは一般
に安定な物質であり有望であるとされている。
線が求められている。モリブデンやタングステンやタン
タルやチタンや白金などの金属とシリコンなどの半導体
との化合物は低抵抗であることは知られている。特にシ
リコンと高融点金属との化合物であるシリサイドは一般
に安定な物質であり有望であるとされている。
以下、半導体としてシリコンを用いた場合に限らず他の
半導体についても同じである。例えば、半導体基板上の
拡散層表面にシリサイドを形成し、低抵抗の配線を実現
しようとする場合に、シリサイドが形成された配線と、
これらの上に絶縁膜を介して形成される配線や電極との
間の耐圧が小さいという欠点がある。すなわち、シリサ
イドを熱酸化すると、表面にSiO2膜が形成され、シリサ
イド層はシリコン基板側へ平行移動するような形状にな
る。このとき形成されたSiO2膜はシリコン基板を熱酸化
して得られるSiO2膜に比較して耐圧が半分以下であり、
十分な耐圧が得られなかった。また、気相化学反応堆積
法によるSiO2膜の形成によっても十分な耐圧は得られな
かった。
半導体についても同じである。例えば、半導体基板上の
拡散層表面にシリサイドを形成し、低抵抗の配線を実現
しようとする場合に、シリサイドが形成された配線と、
これらの上に絶縁膜を介して形成される配線や電極との
間の耐圧が小さいという欠点がある。すなわち、シリサ
イドを熱酸化すると、表面にSiO2膜が形成され、シリサ
イド層はシリコン基板側へ平行移動するような形状にな
る。このとき形成されたSiO2膜はシリコン基板を熱酸化
して得られるSiO2膜に比較して耐圧が半分以下であり、
十分な耐圧が得られなかった。また、気相化学反応堆積
法によるSiO2膜の形成によっても十分な耐圧は得られな
かった。
この発明は、このような従来の欠点を除去せしめて、良
好な特性の半導体装置を提供することにある。
好な特性の半導体装置を提供することにある。
この発明は半導体基板表面に選択的に金属と半導体との
化合物層を形成し、この化合物層を被うように半導体層
を形成し、この半導体層を熱酸化することを特徴とする
半導体装置の製造法である。
化合物層を形成し、この化合物層を被うように半導体層
を形成し、この半導体層を熱酸化することを特徴とする
半導体装置の製造法である。
以下この発明の実施例にもとづいて説明する。
第１図はこの発明の一実施例の半導体装置の製造法を示
した図である。シリコン基板上の拡散層の低抵抗化のた
めにシリサイドを用いた例である。第１図(a)は、ｐ型
シリコン基板１の主面に窒化膜を用いた選択酸化法によ
ってフィールド酸化膜２を形成し、フィールド酸化膜２
の形成されていない領域にリンやヒ素をドープし、n+型
拡散層３を形成した状態を示している。第１図(b)にお
いて、白金などの金属を蒸着し、熱処理を施し、n+型拡
散層３上にシリサイド層４を形成する。酸化膜２上の金
属はシリサイド化しない。白金の場合は王水を用いる
が、各金属に応じたエッチング液を用いてシリサイド化
しなかった金属をエッチング除去する。次いで第１図
(c)のようにポリシリコン層５を化学反応堆積法で形成
する。第１図(d)において、このポリシリコン層５を熱
酸化し、酸化膜６を形成する。この時、ポリシリコン層
５は完全に熱酸化し、シリサイド層４も一部酸化する。
この後、ウェハ表面の平坦化工程、コンタクトホール工
程、アルミニウム配線工程、保護膜工程を経て半導体装
置を完成する。図面には拡散層のみを図示したが、トラ
ンジスタなどが同時に作成されていても支障はない。
した図である。シリコン基板上の拡散層の低抵抗化のた
めにシリサイドを用いた例である。第１図(a)は、ｐ型
シリコン基板１の主面に窒化膜を用いた選択酸化法によ
ってフィールド酸化膜２を形成し、フィールド酸化膜２
の形成されていない領域にリンやヒ素をドープし、n+型
拡散層３を形成した状態を示している。第１図(b)にお
いて、白金などの金属を蒸着し、熱処理を施し、n+型拡
散層３上にシリサイド層４を形成する。酸化膜２上の金
属はシリサイド化しない。白金の場合は王水を用いる
が、各金属に応じたエッチング液を用いてシリサイド化
しなかった金属をエッチング除去する。次いで第１図
(c)のようにポリシリコン層５を化学反応堆積法で形成
する。第１図(d)において、このポリシリコン層５を熱
酸化し、酸化膜６を形成する。この時、ポリシリコン層
５は完全に熱酸化し、シリサイド層４も一部酸化する。
この後、ウェハ表面の平坦化工程、コンタクトホール工
程、アルミニウム配線工程、保護膜工程を経て半導体装
置を完成する。図面には拡散層のみを図示したが、トラ
ンジスタなどが同時に作成されていても支障はない。
以上のように本発明は基板に形成された金属と半導体と
の化合物層上に新たに半導体層を形成し、その半導体層
を熱酸化して良好な酸化膜を得るもので、得られた酸化
膜は耐圧が大きく、このため、化合物層上に形成される
電極や配線と化合物層間の耐圧を著るしく向上できる効
果を有するものである。
の化合物層上に新たに半導体層を形成し、その半導体層
を熱酸化して良好な酸化膜を得るもので、得られた酸化
膜は耐圧が大きく、このため、化合物層上に形成される
電極や配線と化合物層間の耐圧を著るしく向上できる効
果を有するものである。
第１図(a)〜(d)はこの発明の実施例の半導体装置の製造
工程を工程順に示す断面図である。 １……ｐ型シリコン基板、３……n+型拡散層、４……シ
リサイド層、５……ポリシリコン層、６……酸化膜。
工程を工程順に示す断面図である。 １……ｐ型シリコン基板、３……n+型拡散層、４……シ
リサイド層、５……ポリシリコン層、６……酸化膜。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体基板表面に選択的に金属と半導体と
の化合物層を形成し、この化合物層を被うように半導体
層を形成し、この半導体層を熱酸化することを特徴とす
る半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121034A JPH0652733B2 (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 半導体装置の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60121034A JPH0652733B2 (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 半導体装置の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279134A JPS61279134A (ja) | 1986-12-09 |
| JPH0652733B2 true JPH0652733B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=14801179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60121034A Expired - Lifetime JPH0652733B2 (ja) | 1985-06-04 | 1985-06-04 | 半導体装置の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652733B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157024A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-04 | Fujitsu Ltd | Manufacture of semiconductor device |
| JPS5979531A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
-
1985
- 1985-06-04 JP JP60121034A patent/JPH0652733B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61279134A (ja) | 1986-12-09 |
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