JPH0652821B2 - 電気回路の相互接続システムおよび光電トランスミッタ - Google Patents
電気回路の相互接続システムおよび光電トランスミッタInfo
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- JPH0652821B2 JPH0652821B2 JP2292234A JP29223490A JPH0652821B2 JP H0652821 B2 JPH0652821 B2 JP H0652821B2 JP 2292234 A JP2292234 A JP 2292234A JP 29223490 A JP29223490 A JP 29223490A JP H0652821 B2 JPH0652821 B2 JP H0652821B2
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- G02B6/24—Coupling light guides
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- H05K2201/0707—Shielding
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K2203/049—Wire bonding
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Description
【発明の詳細な説明】 Ａ．産業上の利用分野 この発明は、金属被覆回路基板上に設けられた１組の電
気素子間でのワイヤボンド接続の使用に関し、特に並列
電気回路間のクロストークを十分に除去する目的で隣接
するワイヤ接続間の相互結合を減少させるために、金属
被覆中に除去領域を設けることに関するものである。
気素子間でのワイヤボンド接続の使用に関し、特に並列
電気回路間のクロストークを十分に除去する目的で隣接
するワイヤ接続間の相互結合を減少させるために、金属
被覆中に除去領域を設けることに関するものである。
Ｂ．従来の技術と発明が解決しようとする課題 電気回路の形成には種々の形状の構造が用いられてい
る。構造の形状は、相互接続される構成素子の種類に従
って変化する。一例として、一つの共通形状の構造は、
回路モジュールを支持する回路基板上で多数の回路モジ
ュールの相互接続を用いている。多くの場合、回路基板
は、回路モジュールと対向する少なくとも上面が、金属
シートのような導電シートで被覆されている。シートの
一部分が除去されて、回路モジュールの種々の端子を相
互接続する構造的ストリップが形成される。あるモジュ
ールの場合、回路基板から離間され、回路モジュールの
多数の端子間を直接に接続する比較的に短いワイヤセグ
メントを用いて、回路の製造が容易に行われる。
る。構造の形状は、相互接続される構成素子の種類に従
って変化する。一例として、一つの共通形状の構造は、
回路モジュールを支持する回路基板上で多数の回路モジ
ュールの相互接続を用いている。多くの場合、回路基板
は、回路モジュールと対向する少なくとも上面が、金属
シートのような導電シートで被覆されている。シートの
一部分が除去されて、回路モジュールの種々の端子を相
互接続する構造的ストリップが形成される。あるモジュ
ールの場合、回路基板から離間され、回路モジュールの
多数の端子間を直接に接続する比較的に短いワイヤセグ
メントを用いて、回路の製造が容易に行われる。
送信素子として固体レーザを用いて、個々のレーザから
光伝送ラインを形成する１組の光ファイバのうちの対応
する光ファイバに放射される短時間光パルスを発生する
光通信においては、外部のワイヤセグメントに対して、
前述の構造を使用することについて、特定の興味ある状
況が見い出される。一例として、固体レーザを、適切な
電流パルスによる励起時に光パルスを発生するガリウム
−アルミニウム−ヒ化物のダイオードの形で構成でき
る。
光伝送ラインを形成する１組の光ファイバのうちの対応
する光ファイバに放射される短時間光パルスを発生する
光通信においては、外部のワイヤセグメントに対して、
前述の構造を使用することについて、特定の興味ある状
況が見い出される。一例として、固体レーザを、適切な
電流パルスによる励起時に光パルスを発生するガリウム
−アルミニウム−ヒ化物のダイオードの形で構成でき
る。
１組のレーザダイオードを用いる光電トランスミッタ
は、レーザ駆動回路とこの駆動回路によって励起される
レーザダイオードとを支持する回路基板を用いることに
より構成できる。駆動回路は、個々のモジュールとして
形成される。また、それぞれのレーザダイオードは、電
流受け取り用の端子を有し、光を光ファイバの端部に指
向する光出力ポートを有する１個のモジュールとして形
成される。このモジュールの物理的形状のため、回路基
板上の金属シートまたは金属被覆により、モジュールの
いくつかの端子を接続し、残りの端子を導電ワイヤ・セ
グメントによって相互接続することが、現在の製造プラ
クティスである。
は、レーザ駆動回路とこの駆動回路によって励起される
レーザダイオードとを支持する回路基板を用いることに
より構成できる。駆動回路は、個々のモジュールとして
形成される。また、それぞれのレーザダイオードは、電
流受け取り用の端子を有し、光を光ファイバの端部に指
向する光出力ポートを有する１個のモジュールとして形
成される。このモジュールの物理的形状のため、回路基
板上の金属シートまたは金属被覆により、モジュールの
いくつかの端子を接続し、残りの端子を導電ワイヤ・セ
グメントによって相互接続することが、現在の製造プラ
クティスである。
光電トランスミッタの典型的な配置では、モジュール
は、各チャネルがドライバ・モジュール、レーザダイオ
ードおよび光ファイバを有する、１組の並列チャネルで
配置されている。それぞれのチャネルの素子を相互接続
するワイヤセグメントは、ワイヤセグメント・アレイ内
で互いに平行に配置される。ワイヤセグメントが互いに
近接していると、それぞれの信号チャネルにおいてワイ
ヤセグメントによって伝送される電気信号の、かなりの
量の相互電磁結合を生じるという問題が発生する。その
結果、チャネル間の信号のクロストークまたは結合を生
じる。クロストークは、通信に誤りを生じさせる雑音源
として働くので、電気−光信号の信頼性が低下する。一
般的な電気−光通信においては、光搬送波のパルス変調
が用いられている。１GHz（ギガヘルツ）位のパルス変
調速度が現在では用いられている。このような高いパル
ス周波数では、約１ミリメータ以下の長さのワイヤセグ
メントが、強い電磁結合を有し、ワイヤセグメント間に
クロストークを生じる。
は、各チャネルがドライバ・モジュール、レーザダイオ
ードおよび光ファイバを有する、１組の並列チャネルで
配置されている。それぞれのチャネルの素子を相互接続
するワイヤセグメントは、ワイヤセグメント・アレイ内
で互いに平行に配置される。ワイヤセグメントが互いに
近接していると、それぞれの信号チャネルにおいてワイ
ヤセグメントによって伝送される電気信号の、かなりの
量の相互電磁結合を生じるという問題が発生する。その
結果、チャネル間の信号のクロストークまたは結合を生
じる。クロストークは、通信に誤りを生じさせる雑音源
として働くので、電気−光信号の信頼性が低下する。一
般的な電気−光通信においては、光搬送波のパルス変調
が用いられている。１GHz（ギガヘルツ）位のパルス変
調速度が現在では用いられている。このような高いパル
ス周波数では、約１ミリメータ以下の長さのワイヤセグ
メントが、強い電磁結合を有し、ワイヤセグメント間に
クロストークを生じる。
印刷回路基板による電気回路の構成の一例として、米国
特許第4,758,805号明細書の第７図および第19図は、回
路基板上でピンから導電ストリップへの部分ループの形
での接続を開示している。同様な構造が、米国特許第4,
782,310号明細書の第２図および第８図に示されてい
る。
特許第4,758,805号明細書の第７図および第19図は、回
路基板上でピンから導電ストリップへの部分ループの形
での接続を開示している。同様な構造が、米国特許第4,
782,310号明細書の第２図および第８図に示されてい
る。
Ｃ．課題を解決するための手段 回路基板の表面上の導電ストリップと回路基板から離間
されたワイヤセグメントとによって接続が行われる回路
基板上の素子を相互接続するシステムによって、前述し
た問題が解決され、この発明の効果が得られる。この発
明によれば、相互接続システムは、隣接する信号チャネ
ル間の相互磁気結合であって、ワイヤセグメント間の相
互結合に対しては逆方向である相互磁気結合を与えるス
トリップ導体で、各ワイヤセグメントを直列に接続する
ことにより、ワイヤセグメントによる接続の変形を与え
ている。正および負の係数の相互インダクタンスの導入
によって、クロストークを有効に打ち消すことができ
る。相互結合とクロストークとを完全に打ち消すことは
理論的に可能であるが、光電トランスミッタの複数のチ
ャネルの回路構成における実際的な問題として、導電ス
トリップの配置内に形成される逆相互結合が、ワイヤセ
グメント間の相互結合と完全に平衡せず補償できないよ
うな、多数の部分ワイヤセグメントの形状配置に変形が
あることが予想される。このようにこの発明の相互接続
システムは、相互結合およびクロストークの有効な打ち
消しを行うことができる。
されたワイヤセグメントとによって接続が行われる回路
基板上の素子を相互接続するシステムによって、前述し
た問題が解決され、この発明の効果が得られる。この発
明によれば、相互接続システムは、隣接する信号チャネ
ル間の相互磁気結合であって、ワイヤセグメント間の相
互結合に対しては逆方向である相互磁気結合を与えるス
トリップ導体で、各ワイヤセグメントを直列に接続する
ことにより、ワイヤセグメントによる接続の変形を与え
ている。正および負の係数の相互インダクタンスの導入
によって、クロストークを有効に打ち消すことができ
る。相互結合とクロストークとを完全に打ち消すことは
理論的に可能であるが、光電トランスミッタの複数のチ
ャネルの回路構成における実際的な問題として、導電ス
トリップの配置内に形成される逆相互結合が、ワイヤセ
グメント間の相互結合と完全に平衡せず補償できないよ
うな、多数の部分ワイヤセグメントの形状配置に変形が
あることが予想される。このようにこの発明の相互接続
システムは、相互結合およびクロストークの有効な打ち
消しを行うことができる。
相互結合補償の構成に含まれる方法論について、以下に
説明する。光電信号伝送チャネルの部分であって、互い
に平行に配置され、それぞれが光電信号伝送チャネルの
一部であるワイヤセグメントのアレイは、互いに平行な
面に並置されたループすなわち部分ループのアレイとみ
なすことができる。これらの面は、回路基板の金属被覆
面に垂直である。ループの配置は、ソレノイドのワイヤ
の各ループを通り同等にリンクする磁力線を磁界が有す
るソレノイドのワイヤループの同軸配置と類似してい
る。よく知られているように、このようなループ配置で
は、インダクタンスおよび相互結合の係数は両方とも正
である。しかし、前述したソレノイドの２つのループの
場合を考察することによって考えられる他の配置があ
る。すなわち、２つのループが共通面に並んで配置さ
れ、正の電流の方向（時計方向または反時計方向）が両
方のループで同様になるように、一方のループに対して
他方のループを配置すれば、第１のループにより誘導さ
れる磁界が円形に曲って、第２のループと交鎖すること
は明らかである。このように、磁界は、第１のループか
ら逆の方向に第２のループを通過する。これは、負の相
互インダクタンスを与える結果になる。
説明する。光電信号伝送チャネルの部分であって、互い
に平行に配置され、それぞれが光電信号伝送チャネルの
一部であるワイヤセグメントのアレイは、互いに平行な
面に並置されたループすなわち部分ループのアレイとみ
なすことができる。これらの面は、回路基板の金属被覆
面に垂直である。ループの配置は、ソレノイドのワイヤ
の各ループを通り同等にリンクする磁力線を磁界が有す
るソレノイドのワイヤループの同軸配置と類似してい
る。よく知られているように、このようなループ配置で
は、インダクタンスおよび相互結合の係数は両方とも正
である。しかし、前述したソレノイドの２つのループの
場合を考察することによって考えられる他の配置があ
る。すなわち、２つのループが共通面に並んで配置さ
れ、正の電流の方向（時計方向または反時計方向）が両
方のループで同様になるように、一方のループに対して
他方のループを配置すれば、第１のループにより誘導さ
れる磁界が円形に曲って、第２のループと交鎖すること
は明らかである。このように、磁界は、第１のループか
ら逆の方向に第２のループを通過する。これは、負の相
互インダクタンスを与える結果になる。
所望の補償相互インダクタンスの形成は、この発明の好
適な実施例では、回路基板の被覆として用いられている
金属シートに導電経路をエッチングすることによって行
われる。このエッチングにより、それぞれのパッドを取
り囲み、被覆の残部からパッドを絶縁する周辺部が形成
される。並列信号チャネルのアレイにおいて、パッドは
並んで配置され、それぞれのパッドは周辺部によって取
り囲まれ、隣接したパッドの周辺部は導電ストリップに
よって離間されている。それぞれの導電ストリップは、
各信号チャネルの回路モジュール間の電流伝送のための
経路として用いられる。
適な実施例では、回路基板の被覆として用いられている
金属シートに導電経路をエッチングすることによって行
われる。このエッチングにより、それぞれのパッドを取
り囲み、被覆の残部からパッドを絶縁する周辺部が形成
される。並列信号チャネルのアレイにおいて、パッドは
並んで配置され、それぞれのパッドは周辺部によって取
り囲まれ、隣接したパッドの周辺部は導電ストリップに
よって離間されている。それぞれの導電ストリップは、
各信号チャネルの回路モジュール間の電流伝送のための
経路として用いられる。
それぞれのワイヤセグメントは、信号チャネルの一方回
路モジュールから他方の回路モジュールへの全長にわた
って延在するのではなく、信号チャネルの導電パッドの
端部においてのみ延在する。そこでは、ワイヤセグメン
トの電流は、所定の距離にわたってパッドに沿って流れ
た後、パッドから隣接素子に供給される。パッドから隣
接素子までの接続は、ワイヤセグメントの他のループす
なわち部分ループによって行われるか、または、パッド
から隣接回路モジュールへ延びる導電ストリップによっ
て行われる。信号チャネル内のワイヤ・ループを通って
流れる電流は、回路基板の被覆面に垂直な面内のループ
を流れる。しかし、パッドを経由して次の素子に流れる
電流は、被覆の面内を流れる。隣接した周辺部の間の導
電ストリップを経由して前記素子から戻る電流も、被覆
の面内を流れる。行きおよび戻りの電流は、パッド付近
の同一面上にあり、回路基板の被覆面に対して平行に配
置された電流ループを有効に形成する。
路モジュールから他方の回路モジュールへの全長にわた
って延在するのではなく、信号チャネルの導電パッドの
端部においてのみ延在する。そこでは、ワイヤセグメン
トの電流は、所定の距離にわたってパッドに沿って流れ
た後、パッドから隣接素子に供給される。パッドから隣
接素子までの接続は、ワイヤセグメントの他のループす
なわち部分ループによって行われるか、または、パッド
から隣接回路モジュールへ延びる導電ストリップによっ
て行われる。信号チャネル内のワイヤ・ループを通って
流れる電流は、回路基板の被覆面に垂直な面内のループ
を流れる。しかし、パッドを経由して次の素子に流れる
電流は、被覆の面内を流れる。隣接した周辺部の間の導
電ストリップを経由して前記素子から戻る電流も、被覆
の面内を流れる。行きおよび戻りの電流は、パッド付近
の同一面上にあり、回路基板の被覆面に対して平行に配
置された電流ループを有効に形成する。
それぞれの信号チャネル内の２つのループの前述した構
造は、被覆面に対して垂直な第１のループおよび回路基
板の被覆面に対して平行な第２のループを与える。チャ
ネルは互いに平行に配置されているという事実よりすれ
ば、被覆面に対して垂直に配置されているループは、正
の相互磁気結合を有するものとして電気的に説明でき、
一方、被覆面に対して平行な隣接チャネルのループは、
負の相互磁気結合を有するものとして電気的に説明でき
る。被覆面に対して平行に延在するループを、延長しお
よび拡げることにより、ワイヤセグメントのグループの
相互結合を相殺するための所望の相互結合量を有する幾
何学的形状を与えることができる。
造は、被覆面に対して垂直な第１のループおよび回路基
板の被覆面に対して平行な第２のループを与える。チャ
ネルは互いに平行に配置されているという事実よりすれ
ば、被覆面に対して垂直に配置されているループは、正
の相互磁気結合を有するものとして電気的に説明でき、
一方、被覆面に対して平行な隣接チャネルのループは、
負の相互磁気結合を有するものとして電気的に説明でき
る。被覆面に対して平行に延在するループを、延長しお
よび拡げることにより、ワイヤセグメントのグループの
相互結合を相殺するための所望の相互結合量を有する幾
何学的形状を与えることができる。
特に、相互結合は、各チャネルでの導電ストリップとパ
ッドとの間に存在する周辺部のセグメントの長さの増大
に伴って増加し、周辺部の幅の増大に伴って増加する。
これは、結合が各ループをリンクする磁束の大きさに比
例している相互結合の一般的な論理に従っている。この
ため、被覆面に対して垂直なワイヤ・ループの構成にお
いて各ワイヤセグメントに対して予め定められた長さを
用いることによって、パッドの寸法、各パッドを取り囲
む絶縁周辺部の寸法、および各パッドの隣接周辺部を分
離する導電ストリップの寸法を選択して、ワイヤ・ルー
プ間の負の相互結合を打ち消すために必要な相互結合量
を与えることができる。
ッドとの間に存在する周辺部のセグメントの長さの増大
に伴って増加し、周辺部の幅の増大に伴って増加する。
これは、結合が各ループをリンクする磁束の大きさに比
例している相互結合の一般的な論理に従っている。この
ため、被覆面に対して垂直なワイヤ・ループの構成にお
いて各ワイヤセグメントに対して予め定められた長さを
用いることによって、パッドの寸法、各パッドを取り囲
む絶縁周辺部の寸法、および各パッドの隣接周辺部を分
離する導電ストリップの寸法を選択して、ワイヤ・ルー
プ間の負の相互結合を打ち消すために必要な相互結合量
を与えることができる。
Ｄ．実施例 第１図および第２図には、電気−光通信システム12の送
信部の回路10を示している。この回路は、回路基板14上
に形成されており、回路基板14の上面18上に支持されて
いる回路モジュール16を有している。“上”という用語
は、第１図に示される回路基板14を説明するのに便利な
ために使用されており、実際には、基板14は、水平、垂
直または他の方向に向けることができる。基板14は、一
例してエポキシに埋め込まれた繊維状ガラス、また他の
例としてシリコン・サブストレートのような絶縁材料で
形成されており、上面20の少なくとも一部分を覆う導電
被覆20を有している。代表的には、被覆20は、銅シート
のように薄い金属シートで形成される。
信部の回路10を示している。この回路は、回路基板14上
に形成されており、回路基板14の上面18上に支持されて
いる回路モジュール16を有している。“上”という用語
は、第１図に示される回路基板14を説明するのに便利な
ために使用されており、実際には、基板14は、水平、垂
直または他の方向に向けることができる。基板14は、一
例してエポキシに埋め込まれた繊維状ガラス、また他の
例としてシリコン・サブストレートのような絶縁材料で
形成されており、上面20の少なくとも一部分を覆う導電
被覆20を有している。代表的には、被覆20は、銅シート
のように薄い金属シートで形成される。
また、回路10には、１組の固体レーザ22が含まれてお
り、それぞれのレーザ22は、代表的には、ガリウム−ア
ルミニウム−ヒ化物のダイオードで構成されている。そ
れぞれのレーザ22は、モジュール形態で構成されてお
り、基板14または基板14と同一面上の別個の支持体（図
示されていない）によって支持することができる。それ
ぞれのレーザ22は２つの端子を有しており、第１の端子
24はレーザ22の上部に設けられ、第２の端子26はレーザ
22の下部に設けられている。レーザを駆動して放射を出
射させるには、端子24および26からレーザ22に電流を供
給する。このような放射は、代表的な波長が840ナノメ
ータの電磁スペクトルの赤外線領域にあっても、光と称
することができる。
り、それぞれのレーザ22は、代表的には、ガリウム−ア
ルミニウム−ヒ化物のダイオードで構成されている。そ
れぞれのレーザ22は、モジュール形態で構成されてお
り、基板14または基板14と同一面上の別個の支持体（図
示されていない）によって支持することができる。それ
ぞれのレーザ22は２つの端子を有しており、第１の端子
24はレーザ22の上部に設けられ、第２の端子26はレーザ
22の下部に設けられている。レーザを駆動して放射を出
射させるには、端子24および26からレーザ22に電流を供
給する。このような放射は、代表的な波長が840ナノメ
ータの電磁スペクトルの赤外線領域にあっても、光と称
することができる。
通信システム12は、それぞれのレーザ22に光学的に結合
されている個別のファイバ30を有する光ケーブル28を備
えている。それぞれのレーザ22は出力ポート（図示され
ていない）を有しており、この出力ポートを経て光が出
射され、レーザ出力ポートの正面に設けられているそれ
ぞれの光ファイバ30の端面32に入射する。ファイバ30お
よびケーブル28は、基板14上または基板14付近の、他の
構造（図示されていない）上に設けられている適当な支
持体34によって正しい位置に保持されている。
されている個別のファイバ30を有する光ケーブル28を備
えている。それぞれのレーザ22は出力ポート（図示され
ていない）を有しており、この出力ポートを経て光が出
射され、レーザ出力ポートの正面に設けられているそれ
ぞれの光ファイバ30の端面32に入射する。ファイバ30お
よびケーブル28は、基板14上または基板14付近の、他の
構造（図示されていない）上に設けられている適当な支
持体34によって正しい位置に保持されている。
各回路モジュール16は、回路10の発明の特徴を示すこと
を容易にするために図面において省略されている電源お
よび信号発生器を含む、他の回路要素と電気的接続を行
う多数のコンタクトの組（図示されていない）を備えて
いる。このようなコンタクトとの電気的接続は、印刷回
路基板の構造でよく知られている製造方法に従って被覆
20に形成された導電ストリップによって行うことができ
る。各回路モジュール16が１対の出力端子、すなわちレ
ーザ22を励起するのに駆動電流を出力するための、モジ
ュール16の上部に設けられた第１の端子36およびモジュ
ール16の下部に設けられた第２の端子38を有するという
事実は、この発明を実施する際に特に重要である。
を容易にするために図面において省略されている電源お
よび信号発生器を含む、他の回路要素と電気的接続を行
う多数のコンタクトの組（図示されていない）を備えて
いる。このようなコンタクトとの電気的接続は、印刷回
路基板の構造でよく知られている製造方法に従って被覆
20に形成された導電ストリップによって行うことができ
る。各回路モジュール16が１対の出力端子、すなわちレ
ーザ22を励起するのに駆動電流を出力するための、モジ
ュール16の上部に設けられた第１の端子36およびモジュ
ール16の下部に設けられた第２の端子38を有するという
事実は、この発明を実施する際に特に重要である。
この発明によると、各回路モジュール16は、それぞれ１
つのレーザ22に電流を供給する。モジュール16の端子36
および38の、それぞれ対応するレーザ22の端子24および
26への接続は以下のように行われ、モジュール16とレー
ザ22との間に電流経路が形成される。この電流経路に沿
って、電流がモジュール16の第１の端子36からレーザ22
の第１の端子24へと流れ、レーザ22の第２の端子26から
モジュール16の第２の端子38へ戻る。第１の端子24への
第１の端子36の接続は、出力リード40と導電パッド42と
入力リード44との直列接続により行われる。
つのレーザ22に電流を供給する。モジュール16の端子36
および38の、それぞれ対応するレーザ22の端子24および
26への接続は以下のように行われ、モジュール16とレー
ザ22との間に電流経路が形成される。この電流経路に沿
って、電流がモジュール16の第１の端子36からレーザ22
の第１の端子24へと流れ、レーザ22の第２の端子26から
モジュール16の第２の端子38へ戻る。第１の端子24への
第１の端子36の接続は、出力リード40と導電パッド42と
入力リード44との直列接続により行われる。
パッド42は、被覆20の材料で形成され、被覆20の残部か
らパッド42を分離する電気的に絶縁性の周辺部によって
囲まれた島として形成される。周辺部46は、被覆20の金
属材料をエッチング除去することにより形成され、溝
（図で示されているように）として残すか、またはエポ
キシのような絶縁充填材で満たすことができる。モジュ
ール16とこれに対応するレーザ22との接続は同様に行わ
れ、モジュール16のそれぞれとこれに対応するレーザ22
との間に配置されたパッド42が存在する。
らパッド42を分離する電気的に絶縁性の周辺部によって
囲まれた島として形成される。周辺部46は、被覆20の金
属材料をエッチング除去することにより形成され、溝
（図で示されているように）として残すか、またはエポ
キシのような絶縁充填材で満たすことができる。モジュ
ール16とこれに対応するレーザ22との接続は同様に行わ
れ、モジュール16のそれぞれとこれに対応するレーザ22
との間に配置されたパッド42が存在する。
したがって、第１図および第２図に示されるように、パ
ッド42がアレイ中に並んで配置され、各パッド42はその
周辺部46により取り囲まれている。１つのパッド42の周
辺部46は、隣接パッド42の周辺部46から導電ストリップ
48によって分離されている。電流の戻り経路として働く
導電ストリップ48は、レーザ22の第２端子を対応するモ
ジュール16の第２の端子に接続する。ストリップ48によ
って与えられる戻り電流経路は、各モジュール16とそれ
らに対応するレーザ22との間に同一形状の相互接続構造
を与えるように、パッド42の右側に設けられている。レ
ーザ22と相互接続構造とを有する各モジュール16は、信
号チャネル50とみなされる。必要ならば、ストリップ48
によって与えられる戻り電流経路を、各パッド42の左側
に配置することもできる（図示されていない）。しか
し、ストリップ48によって与えられる戻り電流経路が、
信号チャネル50のそれぞれにおいてパッド42の同じ側に
あることが、この発明の実施において重要である。
ッド42がアレイ中に並んで配置され、各パッド42はその
周辺部46により取り囲まれている。１つのパッド42の周
辺部46は、隣接パッド42の周辺部46から導電ストリップ
48によって分離されている。電流の戻り経路として働く
導電ストリップ48は、レーザ22の第２端子を対応するモ
ジュール16の第２の端子に接続する。ストリップ48によ
って与えられる戻り電流経路は、各モジュール16とそれ
らに対応するレーザ22との間に同一形状の相互接続構造
を与えるように、パッド42の右側に設けられている。レ
ーザ22と相互接続構造とを有する各モジュール16は、信
号チャネル50とみなされる。必要ならば、ストリップ48
によって与えられる戻り電流経路を、各パッド42の左側
に配置することもできる（図示されていない）。しか
し、ストリップ48によって与えられる戻り電流経路が、
信号チャネル50のそれぞれにおいてパッド42の同じ側に
あることが、この発明の実施において重要である。
第１図に示すように、被覆20から被覆20から形成される
ストリップ48とに対する第２の端子の接続を示すため
に、モジュール１６の一部が切り欠かれて示されてい
る。モジュール16の出力リード40は、モジュール16の第
１の端子36から、パッド42の前部と呼ばれる第１の端部
へ延びている。入力リード44は、パッド42の後部とよば
れる第２の端部から、レーザ22の第１の端子24へ延びて
いる。第２の端子26とストリップ48の拡張された末端52
への接続とを示すために、レーザ22の一部が切り欠かれ
て示されている。末端52は、ストリップ48上の第２の端
子26の設置を容易にするために、拡張されている。末端
52は、１チャネル50中のパッド42の周辺部46から次の１
チャネル50中のパッド42の周辺部46へ延在する、電気的
に絶縁されている境界部54によって、被覆20の残部から
分離されている。境界部54は、被覆20の金属をエッチン
グ除去して溝を作ることにより形成される。境界部54
は、開口溝の形で残すことができ、またはエポキシのよ
うな絶縁充填材で満たすことができる。
ストリップ48とに対する第２の端子の接続を示すため
に、モジュール１６の一部が切り欠かれて示されてい
る。モジュール16の出力リード40は、モジュール16の第
１の端子36から、パッド42の前部と呼ばれる第１の端部
へ延びている。入力リード44は、パッド42の後部とよば
れる第２の端部から、レーザ22の第１の端子24へ延びて
いる。第２の端子26とストリップ48の拡張された末端52
への接続とを示すために、レーザ22の一部が切り欠かれ
て示されている。末端52は、ストリップ48上の第２の端
子26の設置を容易にするために、拡張されている。末端
52は、１チャネル50中のパッド42の周辺部46から次の１
チャネル50中のパッド42の周辺部46へ延在する、電気的
に絶縁されている境界部54によって、被覆20の残部から
分離されている。境界部54は、被覆20の金属をエッチン
グ除去して溝を作ることにより形成される。境界部54
は、開口溝の形で残すことができ、またはエポキシのよ
うな絶縁充填材で満たすことができる。
この発明の構造の他の実施例である実験的モデルでは、
境界部54が構成されておらず、ストリップ48の末端52が
被覆20の残部と電気的接続状態にある。その結果、レー
ザ22からの戻り電流は、主に第２端子26の近傍のストリ
ップ48および信号チャネル50の第２端子38を経て流れ
る。しかし、戻り電流はまた、他のストリップ48を通り
流れる。それにもかかわらず、大部分の電流が１つのス
トリップ48を通って流れるので、この発明の実験的モデ
ルでは、信号チャネル間の相互インダクタンスが有効に
相殺されている。しかし、相互インダクタンスの相殺を
より正確に行うためには、電流経路を限定するのが望ま
しい。
境界部54が構成されておらず、ストリップ48の末端52が
被覆20の残部と電気的接続状態にある。その結果、レー
ザ22からの戻り電流は、主に第２端子26の近傍のストリ
ップ48および信号チャネル50の第２端子38を経て流れ
る。しかし、戻り電流はまた、他のストリップ48を通り
流れる。それにもかかわらず、大部分の電流が１つのス
トリップ48を通って流れるので、この発明の実験的モデ
ルでは、信号チャネル間の相互インダクタンスが有効に
相殺されている。しかし、相互インダクタンスの相殺を
より正確に行うためには、電流経路を限定するのが望ま
しい。
このような限定された電流経路を、第１図および第２図
に示すように、境界部54の構造によって達成して、レー
ザ22からのすべての戻り電流が、他のストリップ48に分
散せずに、信号チャネル50のストリップ48内を流れるよ
うにする。したがって、この発明の好適な実施例では、
それぞれのチャネル50に境界部54が設けられている。
に示すように、境界部54の構造によって達成して、レー
ザ22からのすべての戻り電流が、他のストリップ48に分
散せずに、信号チャネル50のストリップ48内を流れるよ
うにする。したがって、この発明の好適な実施例では、
それぞれのチャネル50に境界部54が設けられている。
各出力リード40および各入力リード44は、銅線のような
導体の部分ループで構成され、基板14の上面18に対して
垂直な面56のような面内に配向されている。出力リード
40のワイヤ・ループは、アレイ内で平行に配列されてい
る。同様にして、入力リードのワイヤ・ループ44は、ア
レイ内で平行に配列されている。出力リード40のワイヤ
・ループの配列が、出力リード40を流れる電流による磁
界を発生させる。この磁界は、ループとリンクして正の
相互結合係数を与える磁束を有している。同様に、入力
リード44を流れる電流は、ループとリンクして正の相互
結合係数を与える磁束を発生する。
導体の部分ループで構成され、基板14の上面18に対して
垂直な面56のような面内に配向されている。出力リード
40のワイヤ・ループは、アレイ内で平行に配列されてい
る。同様にして、入力リードのワイヤ・ループ44は、ア
レイ内で平行に配列されている。出力リード40のワイヤ
・ループの配列が、出力リード40を流れる電流による磁
界を発生させる。この磁界は、ループとリンクして正の
相互結合係数を与える磁束を有している。同様に、入力
リード44を流れる電流は、ループとリンクして正の相互
結合係数を与える磁束を発生する。
信号チャネル50のそれぞれにおいては、第１図に破線に
より示されている、被覆20の面内に部分ループ58があ
り、このループ内では周辺部46の一方の側に沿ってレー
ザ22の方に電流が流れ、周辺部46の他方の側に沿ってレ
ーザ22から電流が戻る。
より示されている、被覆20の面内に部分ループ58があ
り、このループ内では周辺部46の一方の側に沿ってレー
ザ22の方に電流が流れ、周辺部46の他方の側に沿ってレ
ーザ22から電流が戻る。
電流の方向は、ループ58内の矢印によって示されてい
る。説明を容易にするために、部分ループを単にループ
と言うものとすると、ループは、周辺部46のセグメント
の反対側に互いに平行に配置された、２つの平行な電流
経路から成るということがわかる。信号チャネル50のそ
れぞれにおいては、各ループ58内を電流が時計方向に流
れる。
る。説明を容易にするために、部分ループを単にループ
と言うものとすると、ループは、周辺部46のセグメント
の反対側に互いに平行に配置された、２つの平行な電流
経路から成るということがわかる。信号チャネル50のそ
れぞれにおいては、各ループ58内を電流が時計方向に流
れる。
ループ58内を流れる電流は、磁束を生成する。この磁束
は、被覆20の面に対して垂直な方向にループを通過し、
被覆面に対して垂直な磁束面において循環して、隣接す
るループ58と交鎖し、負の相互結合係数を与える。した
がって、隣接する信号チャネル50は、相互インダクタン
スの正および負の成分によって、磁気的にリンクされ
る。各ループ58内の周辺部46のセグメントの長さおよび
幅を調整することにより、相互インダクタンスの負およ
び正の成分は、相殺するように等しくすることができ
る。相互インダクタンスの相殺は、多数の信号チャネル
50間のクロストークをかなり減少するこの発明の主要な
特徴である。
は、被覆20の面に対して垂直な方向にループを通過し、
被覆面に対して垂直な磁束面において循環して、隣接す
るループ58と交鎖し、負の相互結合係数を与える。した
がって、隣接する信号チャネル50は、相互インダクタン
スの正および負の成分によって、磁気的にリンクされ
る。各ループ58内の周辺部46のセグメントの長さおよび
幅を調整することにより、相互インダクタンスの負およ
び正の成分は、相殺するように等しくすることができ
る。相互インダクタンスの相殺は、多数の信号チャネル
50間のクロストークをかなり減少するこの発明の主要な
特徴である。
相互インダクタンスの相殺について、第３Ａ図，第３Ｂ
図を参照して説明する。第３Ａ図において、ワイヤの２
つのループ60および62は、軸64に同軸に配置されてお
り、上下に互いに隣接して配置されている。電流は、各
ループ上の矢印によって示されるように、各ループ60お
よび62を反時計方向に正方向に流れている。第３Ｂ図に
おいて、ループ62は左に移動され、ループ60と並んで同
一平面上に配置されている。電流の正方向は、ループの
矢印によって示されるように、各ループ60および62にお
いて反時計方向である。第３Ａ図において、いずれかの
ループの電流によって生成される磁束は、軸64に沿って
下方向に向けられ、ループ60とループ62とをリンクす
る。第３Ｂ図において、ループ60の電流によって生成さ
れる磁束は、ループ60を通って下方向に向けられ、曲が
った経路に沿って延びて上方向にループ62を通り抜け
る。これは、ループ60の電流によって生成される磁束が
ループ62を通って下方向に向けられることを示している
第３図に示されている状態と逆である。その結果、第３
Ａ図の状態における相互インダクタンスは、第３Ｂ図の
状態における相互インダクタンスの方向と逆の方向を持
っている。
図を参照して説明する。第３Ａ図において、ワイヤの２
つのループ60および62は、軸64に同軸に配置されてお
り、上下に互いに隣接して配置されている。電流は、各
ループ上の矢印によって示されるように、各ループ60お
よび62を反時計方向に正方向に流れている。第３Ｂ図に
おいて、ループ62は左に移動され、ループ60と並んで同
一平面上に配置されている。電流の正方向は、ループの
矢印によって示されるように、各ループ60および62にお
いて反時計方向である。第３Ａ図において、いずれかの
ループの電流によって生成される磁束は、軸64に沿って
下方向に向けられ、ループ60とループ62とをリンクす
る。第３Ｂ図において、ループ60の電流によって生成さ
れる磁束は、ループ60を通って下方向に向けられ、曲が
った経路に沿って延びて上方向にループ62を通り抜け
る。これは、ループ60の電流によって生成される磁束が
ループ62を通って下方向に向けられることを示している
第３図に示されている状態と逆である。その結果、第３
Ａ図の状態における相互インダクタンスは、第３Ｂ図の
状態における相互インダクタンスの方向と逆の方向を持
っている。
第３Ａ図において、ループ60の電流の大きさの正の変化
に応じて、ループ60の電流の正方向に電圧降下を生じさ
せる逆起電力が発生し、これは正の値のインダクタンス
によって表される。また、ループ62の電流の方向に正の
電圧降下が生じ、これは正の係数の相互インダクタンス
によって表される。これとは対照的に、第３Ｂ図の状態
においては、ループ60の電流の正の増加は、正の電流の
方向とは逆方向の電圧降下をループ62中に発生し、これ
は負の係数の相互インダクタンスによって表される。第
３Ａ図および第３Ｂ図に示された２つの状態を第１図の
導体配列と比較すると、出力リード40および入力リード
44の部分ループの配列は、第３Ａ図のループ60および62
の配列に相当していることがわかる。
に応じて、ループ60の電流の正方向に電圧降下を生じさ
せる逆起電力が発生し、これは正の値のインダクタンス
によって表される。また、ループ62の電流の方向に正の
電圧降下が生じ、これは正の係数の相互インダクタンス
によって表される。これとは対照的に、第３Ｂ図の状態
においては、ループ60の電流の正の増加は、正の電流の
方向とは逆方向の電圧降下をループ62中に発生し、これ
は負の係数の相互インダクタンスによって表される。第
３Ａ図および第３Ｂ図に示された２つの状態を第１図の
導体配列と比較すると、出力リード40および入力リード
44の部分ループの配列は、第３Ａ図のループ60および62
の配列に相当していることがわかる。
被覆20の共通面に配置されたループ58の配列は、第３Ｂ
図のループ60および62の配列に相当する。したがって、
多数の信号チャネル50は、出力リード44および入力リー
ド44の正の相互インダクタンスを介して磁気的に結合さ
れ、一方、ループ58の負の相互インダクタンスを介して
磁気的に結合される。前述したように、この発明によれ
ば、ループ58における電流導通素子の寸法を調整して、
正の相互結合を打ち消す負の相互結合の大きさを与え、
信号チャネル間のクロストークをかなり軽減させてい
る。
図のループ60および62の配列に相当する。したがって、
多数の信号チャネル50は、出力リード44および入力リー
ド44の正の相互インダクタンスを介して磁気的に結合さ
れ、一方、ループ58の負の相互インダクタンスを介して
磁気的に結合される。前述したように、この発明によれ
ば、ループ58における電流導通素子の寸法を調整して、
正の相互結合を打ち消す負の相互結合の大きさを与え、
信号チャネル間のクロストークをかなり軽減させてい
る。
第４図は、回路モジュール16を変形してモジュール16の
下部に第１の端子を配置できるようにしたこの発明の他
の実施例を示している。第１の端子は、モジュール16下
部の位置に36Aで示されている。モジュール16のこの構
成によれば、第２図の出力リード40が除去されている。
各モジュールの第１の端子36Ａへの接続は、被覆20の材
料から形成されるストリップ導体66によって行われる。
ストリップ導体66は、端子36Ａから対応するパッド42の
前端へ延びている。出力リード40を除去している点にお
いて、正係数の相互インダクタンスによる、信号チャネ
ル間の磁界結合は少なくなる。したがって、各ループ58
の形状は、負係数の相互インダクタンスを有する結合の
大きさを減少させるために変更される。
下部に第１の端子を配置できるようにしたこの発明の他
の実施例を示している。第１の端子は、モジュール16下
部の位置に36Aで示されている。モジュール16のこの構
成によれば、第２図の出力リード40が除去されている。
各モジュールの第１の端子36Ａへの接続は、被覆20の材
料から形成されるストリップ導体66によって行われる。
ストリップ導体66は、端子36Ａから対応するパッド42の
前端へ延びている。出力リード40を除去している点にお
いて、正係数の相互インダクタンスによる、信号チャネ
ル間の磁界結合は少なくなる。したがって、各ループ58
の形状は、負係数の相互インダクタンスを有する結合の
大きさを減少させるために変更される。
第４図に示すように、46Ａで示される周辺部の形状は、
第１の端子36Ａとパッド42との間の接続を収容するため
に、第１図および第２図の周辺部46の形状とは異なって
いる。すなわち、パッド42の前部と後部との間の長さ
は、ループ58間の結合を減少させるために短くなってい
る。第１図および第４図の実施例のいずれの形状に対し
ても、この発明は、低減されたり誤り率を有する改善さ
れたディジタル通信を提供できるように、クロストーク
を小さくするために磁気結合を十分に相殺している。
第１の端子36Ａとパッド42との間の接続を収容するため
に、第１図および第２図の周辺部46の形状とは異なって
いる。すなわち、パッド42の前部と後部との間の長さ
は、ループ58間の結合を減少させるために短くなってい
る。第１図および第４図の実施例のいずれの形状に対し
ても、この発明は、低減されたり誤り率を有する改善さ
れたディジタル通信を提供できるように、クロストーク
を小さくするために磁気結合を十分に相殺している。
この発明によれば、いかなる数の信号チャネル50をも採
用できる。第２図には、図面を簡略化するために、３つ
のチャネル50のみを示している。しかし、前述の実験モ
デルでは４つのチャネル50が構成されている。更に多く
のチャネルを１つの回路基板に構成でき、例えば、32チ
ャネルとすることができる。前述した実験モデルの構造
では、次のような寸法が用いられた。第２図に示されて
いるように、隣接するチャネル間の中心間隔Ａは、200
ミクロンである。リード40または42のいずれかに用いら
れたワイヤセグメントの長さＢは500ミクロンであり、
ワイヤの断面は正方形であって一辺が25ミクロンであ
る。パッド42の長さＣは500ミクロンである。パッド42
の幅Ｄは、125ミクロンである。パッド42を囲む周辺部4
6のセグメントの幅Ｅは25ミクロンである。連続するパ
ッド42の周辺部46間の導電ストリップ48の幅Ｆは25ミク
ロンである。レーザ22の高さＧ（第１図）は150ミクロ
ンであり、これは回路モジュール16の高さにほぼ等し
い。
用できる。第２図には、図面を簡略化するために、３つ
のチャネル50のみを示している。しかし、前述の実験モ
デルでは４つのチャネル50が構成されている。更に多く
のチャネルを１つの回路基板に構成でき、例えば、32チ
ャネルとすることができる。前述した実験モデルの構造
では、次のような寸法が用いられた。第２図に示されて
いるように、隣接するチャネル間の中心間隔Ａは、200
ミクロンである。リード40または42のいずれかに用いら
れたワイヤセグメントの長さＢは500ミクロンであり、
ワイヤの断面は正方形であって一辺が25ミクロンであ
る。パッド42の長さＣは500ミクロンである。パッド42
の幅Ｄは、125ミクロンである。パッド42を囲む周辺部4
6のセグメントの幅Ｅは25ミクロンである。連続するパ
ッド42の周辺部46間の導電ストリップ48の幅Ｆは25ミク
ロンである。レーザ22の高さＧ（第１図）は150ミクロ
ンであり、これは回路モジュール16の高さにほぼ等し
い。
Ｅ．発明の効果 この発明により、隣接した信号チャネル間の、不所望な
相互結合と、この相互結合に基づくクロストークとを効
果的に打ち消すという最終目標を達成している。
相互結合と、この相互結合に基づくクロストークとを効
果的に打ち消すという最終目標を達成している。
第１図は、回路基板上に支持された電気素子モジュール
を有し、電気的な接続がこの発明に従ってワイヤ・ルー
プと導電ストリップとの両方によって行われる電気−光
通信システムの略斜視図、 第２図は、パッド構造の重要な寸法を示す第１図の拡大
部分平面図、 第３Ａ図および第３Ｂ図は、互いに異なる位置で配置さ
れた、１対の導電ワイヤ・ループ間で、正および負の相
互インダクタンスを有する磁気結合を説明する図、 第４図は、第２図の構造の他の実施例の略平面図であ
る。 10……送信部回路 12……電気−光通信システム 14……回路基板 16……回路モジュール 20……被覆 22……レーザ 40……出力リード 42……パッド 44……入力リード 46……周辺部 48……ストリップ 58……ループ
を有し、電気的な接続がこの発明に従ってワイヤ・ルー
プと導電ストリップとの両方によって行われる電気−光
通信システムの略斜視図、 第２図は、パッド構造の重要な寸法を示す第１図の拡大
部分平面図、 第３Ａ図および第３Ｂ図は、互いに異なる位置で配置さ
れた、１対の導電ワイヤ・ループ間で、正および負の相
互インダクタンスを有する磁気結合を説明する図、 第４図は、第２図の構造の他の実施例の略平面図であ
る。 10……送信部回路 12……電気−光通信システム 14……回路基板 16……回路モジュール 20……被覆 22……レーザ 40……出力リード 42……パッド 44……入力リード 46……周辺部 48……ストリップ 58……ループ
Claims (4)
- 【請求項１】導電被覆を有する回路基板上に設けられた
電気素子の第１のアレイおよび第２のアレイを含む電気
回路のための相互接続システムであって、チャネル間の
クロストークを防止しながら、並列信号チャネルにおい
て、第１のアレイの素子を第２のアレイの素子に接続す
る相互接続システムにおいて、 アレイ内で並置かつ離間された第１の複数のワイヤセグ
メントを備え、各ワイヤセグメントは、第１の端部およ
び第２の端部を有し、前記ワイヤセグメントの第１の端
部は、前記第１のアレイの各素子の第１の端部に接続さ
れ、 前記ワイヤセグメントのアレイに対向するアレイ内で並
置かつ離間された複数の導電パッドを備え、前記各パッ
ドは前記被覆からパッドを絶縁する絶縁周辺部により取
り囲まれ、前記各パッドは、第１の端部とこの第１の端
部に対向する第２の端部とを有し、前記パッドの第２の
端部は、前記第２のアレイの各素子の第１の端部に接続
され、 前記被覆に形成され、隣接する前記パッド間に配置され
た導電ストリップのアレイを備え、前記周辺部は前記導
電ストリップにより互いに分離され、前記導電ストリッ
プは前記第１のアレイの素子から前記第２のアレイの素
子に延在して、前記第１のアレイの各素子の第２の端子
と、前記第２のアレイの対応する各素子の第２の端子と
の間を電気的に接続し、 前記各信号チャネルに信号を伝送するために、前記ワイ
ヤセグメントの第２の端部を、前記各パッドの第１の端
部に接続し、前記各ワイヤセグメントは、前記被覆の面
に互いに垂直な面内に配置される第１の部分ループを形
成し、この第１の部分ループは、隣接する前記ワイヤセ
グメント間の第１の相互インダクタンスを有する磁気結
合を与え、前記導電ストリップと接触する前記周辺部の
各セグメントは、前記各信号チャネルにおいて、前記被
覆の面に平行な第２の部分ループを形成し、この第２の
部分ループは、隣接する前記パッド間の第２の相互イン
ダクタンスを有する磁気結合を与え、この第２の相互イ
ンダクタンスが、前記第１の相互インダクタンスを相殺
して、前記信号チャネル間のクロストークを防止する、 ことを特徴とする電気回路の相互接続システム。 - 【請求項２】前記パッドが矩形状であることを特徴とす
る請求項１記載の電気回路の相互接続システム。 - 【請求項３】アレイ内で並置かつ離間された第２の複数
のワイヤセグメントを備え、これら各ワイヤセグメント
は、第１の端部および第２の端部を有し、前記第２の複
数のワイヤセグメントの第１の端部は、前記第２のアレ
イの各素子の第１の端部に接続され、前記パッドの第２
の端部は、前記第２の複数のワイヤセグメントの第２の
端部にそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項
１記載の電気回路の相互接続システム。 - 【請求項４】光ファイバと、光ファイバへ光を供給する
ために設けられた固体レーザのアレイおよびレーザを励
起して光信号を発生するために電気的に接続されたレー
ザ・ドライバ・モジュールのアレイを含むシステムとを
介して、光信号を発生しおよび送信するための光電トラ
ンスミッタであって、前記レーザおよび前記ドライバが
電気回路を構成する光電トランスミッタにおいて、 前記電気回路の前記ドライバおよび前記レーザは、導電
被覆を有する回路基板上に設けられ、前記電気回路は、
チャネル間のクロストークを防止しながら、並列信号チ
ャネルを介して、前記ドライバを前記レーザに相互接続
するシステムを有し、 前記相互接続システムは、 アレイ内で並置かつ離間された第１の複数のワイヤセグ
メントを備え、各ワイヤセグメントは、第１の端部およ
び第２の端部を有し、前記ワイヤセグメントの第１の端
部は、前記各レーザの第１の端部に接続され、 前記ワイヤセグメントのアレイに対向するアレイ内で並
置かつ離間された複数の導電パッドを備え、前記各パッ
ドは前記被覆からパッドを絶縁する絶縁周辺部により取
り囲まれ、前記各パッドは、第１の端部とこの第１の端
部に対向する第２の端部とを有し、前記パッドの第２の
端部は、前記各ドライバの第１の端部に接続され、 前記被覆に形成され、隣接する前記パッド間に配置され
た導電ストリップのアレイを備え、前記周辺部は前記導
電ストリップにより互いに分離され、前記導電ストリッ
プは前記レーザから前記ドライバに延在して、前記各レ
ーザの第２の端子と、対応する前記各ドライバの第２の
端子との間を電気的に接続し、 前記各信号チャネルに信号を伝送するために、前記ワイ
ヤセグメントの第２の端部を、前記各パッドの第１の端
部に接続し、前記各ワイヤセグメントは、前記被覆の面
に互いに垂直な面内に配置される第１の部分ループを形
成し、この第１の部分ループは、隣接する前記ワイヤセ
グメント間の第１の相互インダクタンスを有する磁気結
合を与え、前記導電ストリップと接触する前記周辺部の
各セグメントは、前記各信号チャネルにおいて、前記被
覆の面に平行な第２の部分ループを形成し、この第２の
部分ループは、隣接する前記パッド間の第２の相互イン
ダクタンスを有する磁気結合を与え、この第２の相互イ
ンダクタンスが、前記第１の相互インダクタンスを相殺
して、前記信号チャネル間のクロストークを防止する、 ことを特徴とする光電トランスミッタ。
Applications Claiming Priority (2)
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| US07/460,418 US5004317A (en) | 1990-01-03 | 1990-01-03 | Wire bond connection system with cancellation of mutual coupling |
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| US6992377B2 (en) * | 2004-02-26 | 2006-01-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor package with crossing conductor assembly and method of manufacture |
| US7350175B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit board design system, design data analysis method and recording medium with analysis program recorded thereon |
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