JPH0653344A - 開孔形成方法及び電子回路カード - Google Patents

開孔形成方法及び電子回路カード

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JPH0653344A
JPH0653344A JP4348516A JP34851692A JPH0653344A JP H0653344 A JPH0653344 A JP H0653344A JP 4348516 A JP4348516 A JP 4348516A JP 34851692 A JP34851692 A JP 34851692A JP H0653344 A JPH0653344 A JP H0653344A
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aluminum
aluminum core
circuit card
aperture
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JP4348516A
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Ronald L Imken
ラン イムケン ロナルド
Joseph Latorre
ラトッレ ジョゼフ
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 アルミニウム回路カードに取付けられた集積
回路デバイス３が発生する熱を効率的に放散させる。 【構成】 アルミニウムコア層２０上の開孔２１に相当
する位置にフォトレジスト位置ホルダを形成する。次
に、アルミニウムコア層２０の保護されていない部分を
陽極化して酸化アルミニウム層２３を形成する。更に、
電気泳動コーティングによって電気絶縁性誘電ポリマー
層２５をその上に形成し、硬化させる。フォトレジスト
位置ホルダを取り除くと、開孔２１が残存する。ＩＣ３
は開孔２１内に収容されるので、ＩＣ３と回路カードの
アルミニウムコア層２０とは直接接触することができ、
ＩＣデバイスの熱効率が向上される。ポリマー層２５の
上部は次に回路化されてチップを相互接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的に、アルミニウ
ムコアを利用してアルミニウム回路カードへ取付けられ
た集積回路デバイス等の電子構成要素が発生する熱をよ
り効率的に放散させるように、アルミニウム回路カード
の誘電コーティングに開孔を形成する方法に関する。更
に詳細には、開孔は、集積回路デバイスがアルミニウム
コアに直接当接できるようにアルミニウム回路に形成さ
れる。これによって、熱放散を促進するためにコアが利
用される。開孔は、回路カードのアルミニウムコアへ電
気接点を提供するためにも使用することができる。
【０００２】
【従来の技術】回路カード内のポテンシャル基準導電層
としてアルミニウムを使用することは現在知られてい
る。典型的には、アルミニウム層は酸化アルミニウムを
形成するために陽極化され、次に絶縁誘電層を提供する
ためにポリマー材料で電気泳動（ＥＰ）的に被覆され
る。一般的に、デュアルインラインパッケージ（ＤＩ
Ｐ）、ワイヤ接合ＩＣ及び表面実装構成要素（ＳＭＴ）
等の集積回路（ＩＣ）パッケージは、ＥＰポリマー層上
の配線層へ電気的に取付けられる。次に、これらの取付
けチップは、ＥＰ材料上に配置された配線層によって相
互に接続される。
【０００３】ＩＣデバイスが発生する熱の一部はアルミ
ニウムコア層を介して放散されるが、これは、熱がＥＰ
ポリマー及び陽極化アルミニウム層を介して伝導された
後だけに起こることがわかっている。この場合、熱は、
ＥＰ層及び酸化アルミニウム層の双方の厚さ全体を通っ
て伝達された後、アルミニウムコア層を通って放散され
る。従って、集積回路デバイスがアルミニウムコアと直
接接触して配置されれば、熱効率が改良されることがわ
かる。即ち、カードへ取付けられているチップの寸法を
有する開孔を酸化アルミニウム層及びＥＰ層に形成する
ことによって、ＥＰポリマー層上でチップと配線との間
に電気接続が成され、同時に、アルミニウムコアとの直
接的な物理的接触が保持される。
【０００４】米国特許第４、２６１、７９２号には、ウ
ェハ表面全体に陽極化層を形成し、フォトレジストマス
クを介して陽極化層をエッチングして陽極化マスク層を
形成した後、陽極化層をマスクとして用いて下側の材料
をエッチングすることが記載されている。米国特許第
４、５８９、９６１号では、保護層として酸化アルミニ
ウムを使用することによって、ジョセフソン接合デバイ
スを製造する選択的非陽極化プロセスに対する改良につ
いて議論されている。「IBM Technical Disclosure Bul
letin 」の「貴金属パターン生成のためのプロセス」で
は、陽極化酸化アルミニウム厚膜を用いて貴金属パター
ンを生成し、フォトレジスト工程を用いて酸化物上にネ
ガティブパターンを生成し、表面全体に所望の金属を付
着させる（酸化アルミニウムのエッチングを含み）方法
について議論されている。「IBM Technical Disclosure
Bulletin 」の「アルミニウム−酸化アルミニウムガス
パネル」には、アルミニウム導体を用いてガスパネルを
製造することが記載されている。ここでは、アルミニウ
ムはガスパネル基板ガラス上に付着される。フォトレジ
スト導体パターンが適用されてパネルが陽極化された結
果、保護されていないアルミニウムが酸化され、アルミ
ニウムのフォトレジストで被覆されている部分が酸化さ
れないで残り、アルミニウム導体が形成される。「IBM
Technical Disclosure Bulletin 」の「アルミニウム−
銅−シリコンメタラジーの平面化のための陽極化プロセ
ス」は、ＩＣ相互接続の導電通路を形成し、アルミニウ
ムを付着させた後誘電材料の酸化アルミニウムへ選択的
に変化させることによって通路を電気絶縁する方法であ
る。「IBM Technical Disclosure Bulletin 」の「誘電
保護のための電着有機材料による陽極化アルミニウムの
クラックのシーリング」では、回路ボードの陽極化アル
ミニウム層上にＥＰポリマー層を配置する技法について
議論されている。更に、米国特許第４、８９８、６５１
号及び第４、８９４、１２６号では、回路カードのアル
ミニウムコア層を陽極化するために使用される方法が説
明されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従って、カードへ取り
付けられた集積回路デバイスが発生する熱を効率的に放
散させるアルミニウム回路カードを有することが所望さ
れる。このことは、より多数の回路を有するチップが開
発され続けており、それに応じて放散すべき熱をより多
く発生するので、特に重要なことである。更に、アルミ
ニウムコアへのチップの直接取付けを可能にするために
アルミニウム回路カードの電気絶縁誘電層に開孔を形成
するプロセスは、都合が良い。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の態様は、アルミニウム回路カードの
電気絶縁性誘電層内に少なくとも１つの開孔を形成する
方法であって、アルミニウムコア層の一方の面に隣接し
て形成すべき開孔に対応する寸法を有するフォトレジス
ト材料を配置する工程と、前記アルミニウムコア層上に
前記フォトレジスト材料を取り囲む前記誘電材料層を少
なくとも１層形成する工程と、前記フォトレジスト材料
を除去する工程と、を含む。
【０００７】また、本発明の第２の態様による電子回路
カードは、アルミニウムコア層と、前記アルミニウムコ
ア層に隣接して、その少なくとも一方の面上に配設され
た電気絶縁層と、前記アルミニウムコア層の対応部分を
露出させるために前記電気絶縁層に形成された少なくと
も１つの開孔と、前記アルミニウムコア層とその表面が
接触するように前記開孔の１つに配置された少なくとも
１つの電子構成要素と、を備えている。
【０００８】更に、本発明の第３の態様による電子回路
カードは、アルミニウムコア層と、前記アルミニウムコ
ア層に隣接して、その少なくとも一方の面上に配設され
た電気絶縁層と、前記アルミニウムコア層の対応部分を
露出させるために前記電気絶縁層に形成された少なくと
も１つの開孔と、前記開孔の少なくとも１つの開孔中へ
延出し、前記絶縁層の露出表面に配設された電気伝達ラ
インと、前記アルミニウムコア層と熱的に接触するよう
に前記開孔の１つに配置された少なくとも１つの電子構
成要素と、を備えている。
【０００９】
【作用】先行技術とは対照的に、本発明は、ＩＣを収容
し、これらが回路カードのアルミニウムコア層と物理的
に直接接触できるようにするために、アルミニウム回路
カードの誘電層に開孔を形成する効率的な方法を提供す
る。また、本発明は、回路構成又は電子デバイスに対し
てアルミニウムコアへの電気接点を提供する。より詳細
には、本発明は、これらの開孔を形成するために、アル
ミニウムコア（通常は基準面）上にフォトレジスト材料
層を配置させる。続いて、フォトレジスト材料上にマス
クが配置され、所望のＩＣ又は電気接点に対応する寸法
を有するフォトレジスト材料の一部が硬化されるように
露光される。次に、残ったフォトレジスト材料が除去さ
れ、硬化された材料が「位置ホルダ（placeholder ）」
として残存する。次に、アルミニウムの露光表面が陽極
化されて酸化アルミニウムが形成された後、酸化アルミ
ニウム表面にポリマー材料が電気泳動的に付着される。
そして、フォトレジストの「位置ホルダ」が除去され、
ＩＣを収容する開孔、又はアルミニウムコアへの電気接
点を提供する開孔が残存する。ポリマー層の頂部は、チ
ップを相互接続するために回路化できる。従って、アル
ミニウム回路カードのアルミニウムコアを介して熱を効
率的に放散させる方法及び構造を本発明がどのようにし
て提供するかがわかるに違いない。更に、開孔形成プロ
セスは、アルミニウムコアの露出部分を基準面への電気
接続点として保持するために利用することができる。
【００１０】
【実施例】図１を参照すると、アルミニウム回路カード
１が示されている。集積回路デバイス３、５及び７は、
アルミニウム回路カード１へ固定されて示されている。
集積回路３は回路カード１へワイヤ接合されるタイプの
回路であり、アルミニウム回路カード１表面のパッド１
１へ取り付けられた接続ワイヤ９を含む。パッド１１は
アルミニウム回路カード１の最も外側の誘電層上に形成
されており、回路カード１上に形成された回路化ライン
（図示せず）へ接続されている。集積回路デバイス５
は、リード１３を含む表面実装型構成要素として示され
ている。リード１３は、チップ５と上述のパッド１１と
を相互接続する。デュアルインラインパッケージ（ＤＩ
Ｐ）は参照番号７で示されており、リード１５を含む。
リード１５は、回路カード１を通って延出し、アルミニ
ウムコア面と相互接続する。スルーホール又はバイア１
８（図４）は、陽極化層及びＥＰ層によってアルミニウ
ムコア２０のアルミニウムコア面から電気的に絶縁され
ている。熱シンク１７はチップ７下方に示されており、
以下により詳細に議論されるように、チップ７から発生
された熱をより効率的に伝達するために利用される。
【００１１】図２は、本発明の開孔方法を用いて回路カ
ード１へ固定されたワイヤ接合型の構成要素の断面図で
ある。回路カード１にはアルミニウムコア層２０が含ま
れる。アルミニウムコア層２０は電気的な基準面を提供
するだけでなく、集積回路デバイスから発生された熱エ
ネルギを集積回路デバイスから離れたところへ伝達する
ことができる。酸化アルミニウムである陽極化アルミニ
ウム層２３はアルミニウムコア２０から形成される。次
に、ポリマー誘電材料２５は、酸化アルミニウム層２３
上部に電気泳動的に配置される。開孔２１は、陽極化工
程及び電気泳動コーティング工程中に、フォトレジスト
の「位置ホルダ」を利用して形成される。この方法で
は、層２３及び２５はフォトレジスト位置ホルダの回り
に形成され、位置ホルダが除去されると開孔２１が形成
される。次にワイヤ接合チップ３がアルミニウムコア２
０と直接接触して開孔２１内へ配置されることがわかる
であろう。これによって、発生した熱エネルギの放散が
向上される。勿論、接着性のはんだ等の熱伝導性ボンデ
ィング材料を使用して、チップをアルミニウムコアへ接
合させることもできる。チップ３との間の接続は、次に
パッド１１へのワイヤ接合技法を用いて成される。パッ
ド１１はポリマー層２５の上部表面に形成されている。
このように、チップ３はアルミニウムコア２０とより密
接に熱接触しているので、ワイヤ接合型のチップが、熱
放散を向上させるために本発明の開孔をどのように利用
することができるかがわかる。
【００１２】図３は、開孔２１内に含まれる表面実装型
集積回路デバイスを示している。一般的に、表面実装型
構成要素は、電気的に接続している表面と直接接触して
いる。しかしながら、当該技術で知られているように、
熱シンク３０等の熱放散デバイスが表面実装構成要素の
下側に取付けられる。従って、熱シンク３０は開孔２１
内にコア２０と隣接して配置できることがわかる。熱グ
リース又は接着剤等の熱伝達媒体をコア２０と熱シンク
３０との間に介在させて使用して、より直接的な接触を
提供し、熱接触コア２０によって表面実装型構成要素の
熱特性を向上させてもよい。
【００１３】同様に、図４は、アルミニウム回路カード
１へ接続されたデュアルインラインパッケージ型構成要
素７を示す。パッケージ７には、バイア１８を通って回
路カード１中に延出するリード１５が含まれる。電気接
続は、このようにして、チップ７とコア２０との間に成
されることができる。コア２０は、信号又は基準面であ
る。上述のように、リード１５のうちの多くは、バイア
１８の環状体の回りに陽極化誘電層及びＥＰコーティン
グ層を形成することによって、コア２０から電気的に絶
縁される。ＤＩＰの適用は、電気的に絶縁されたピン１
５を下側のＥＰ層に形成された配線と接続するために、
アルミニウム回路カードの下側にも追加の陽極化アルミ
ニウム層２３及びＥＰ層２５を必要とする。コア２０下
側での保護層の必要性を排除し、アルミニウムが陽極化
されて酸化アルミニウムを形成するときに回路カード上
に応力がかかるのを防止するために、アルミニウムコア
２０の両側は、ワイヤ接合及びＳＭＴの適用においても
陽極化されるのが一般的であることに注意すべきであ
る。更に、図４には、熱シンク１７がチップ７の下側に
接続されて示されている。熱シンク１７は、ＳＭＴデバ
イス（図３）について上述したのと同様に、開孔２１内
に格納されている。即ち、熱スプレッダ１７はＩＣデバ
イス及びコア２０の双方と接触する。このとき、ＩＣデ
バイスとコア２０との間に熱伝導性材料を任意に配置さ
せることができる。こうして、熱シンク１７は、チップ
７から発生された熱エネルギをアルミニウムコア２０へ
移動させて、その放散を促進させる。アルミニウム回路
カード内に形成された開孔がどのようにして、種々の型
の集積回路構成要素パッケージ又はその関連の熱シンク
デバイスを開孔２１内に配置させ、アルミニウムコア２
０と直接接触させ、熱伝導性通路を向上させるかが理解
されるであろう。
【００１４】アルミニウム回路カード内に開孔２１を形
成するプロセスについて、まず図５を参照しながら以下
に説明する。アルミニウムコア層２０は、フォトレジス
ト誘電体４０で被覆される。フォトレジスト誘電層４０
は、ホットロールラミネーション、ローラコーティン
グ、カーテンコーティング、スクリーニング等を含む多
数の既知の技法を用いて付与することができる。次にフ
ォトレジスト層４０の上にマスク（図示せず）が配置さ
れる。ここで、フォトマスクは、利用されるフォトレジ
スト材料４０のタイプに依って、ネガティブ動作又はポ
ジティブ動作の何れかである。１つの例では、材料４０
は、フォトマスクを介して化学放射へ露出されると、層
４０の放射を受けた部分が化学反応を起こし、不溶性に
なる。次に、層４０の露出されなかった部分は、洗浄等
によって除去される。図６は、未硬化フォトレジストを
除去した後に残存するフォトレジスト位置ホルダ４１を
示している。位置ホルダ４１は、コア２０の次の処理中
に開孔２１を形成し、アルミニウムカード１を構成する
ためのものである。位置ホルダ４１は、開孔２１の所望
寸法に対応する寸法を有することに注意すべきである。
勿論、開孔２１は電気接点の大きさ、又はそこに配置さ
れるべき種々のタイプの集積回路デバイス（ＤＩＰ、Ｓ
ＭＴ、ワイヤ接合ベヤーチップ）を収容するような大き
さでなければならない。当業者には理解できるように、
フォトマスクは、位置ホルダ４１のサイズを調節するた
めに利用される。更に、注意すべきことは、フォトレジ
スト以外の材料を利用して、開孔２１の形成が所望され
る位置でアルミニウムコア２０の陽極化を防止できるこ
とである。例えば、陽極化プロセスに耐性のある任意の
材料が利用される。しかしながら、本発明の好ましい実
施例では、開孔２１の寸法を最適化するためにフォトレ
ジスト材料を使用する。
【００１５】図７では、コア２０及びフォトレジスト位
置ホルダ４１を、硫酸等をベースとする陽極化溶液中に
入れることによって、アルミニウムコア２０が陽極化さ
れている。フォトレジスト４１は、陽極化プロセス中、
コア２０上に保持される。注意すべきことは、陽極化プ
ロセス中に、厚さ約２ミル（約５０．８μｍ）のアルミ
ニウムコア２０が厚さ３ミル（約７６．２μｍ）の陽極
化アルミニウム、即ち酸化アルミニウムへ変化すること
である。従って、陽極化プロセスによって、アルミニウ
ムコア２０の厚さが減少し、陽極化層２３が形成され
る。図８では、メラミン−アクリル酸溶液等による電気
泳動コーティングによって、ポリマー層２５が酸化アル
ミニウム層２３上に配置され、続いて硬化される。こう
して、アルミニウムコア２０のための電気絶縁性誘電材
料として機能する酸化アルミニウム２３及びポリマー層
２５が形成される。
【００１６】図９は、フォトレジスト位置ホルダ４１が
取り除かれた後の開孔２１を示している。フォトレジス
ト４１は、アセトン、４−ブチロラクトン等の適切な溶
媒にボードアセンブリを浸漬することによって、コア２
０から剥離される。機械ブラッシング、溶射、又は超音
波攪拌によってフォトレジストの除去を強化することが
できる。従って、取付けられた集積回路デバイスの放熱
特性を向上させるためアルミニウムカード２０の一部が
露出されるように、開孔２１がアルミニウム回路カード
内に形成できることがわかる。必要とされる数の開孔を
形成するために必要な数の位置ホルダが使用されること
が理解されるであろう。本発明のプロセスの一例とし
て、単一の位置ホルダ４１及び単一の開孔２１が示され
ているが、これに制限されるものではない。更に、図９
を参照すると、ポリマー層２５の上側にパッド１１が示
されている。これらのパッド及び対応の回路化ライン
（図１０）は、めっき、スクリーニング（図１０に関し
て説明する）等の従来の手段によってポリマー層２５上
に配置される。注意すべきことは、フォトレジスト位置
ホルダ４１は、チップをその中に配置させる開孔を形成
するため以外の目的でも使用可能なことである。例え
ば、アライメント孔はドリリング等によってアルミニウ
ム回路カードアセンブリ内に配置されることが多く、こ
れは後で構成要素配置マシンにおいてカードを位置決め
するために使用される。フォトレジスト材料４１は、ア
ライメント孔の寸法を保持するために陽極化及び電気泳
動コーティングプロセス中にアライメント孔上に配置さ
れる。次に、フォトレジスト材料は、始めに開孔された
孔のサイズに影響を与えないように除去される。更に、
露出されたアルミニウムコアが電気接続のために利用さ
れる場合、例えば、コア２０が基準面として使用される
場合に、フォトレジスト材料は、陽極化及びその後の電
気泳動コーティング工程中のアルミニウムコアの露出を
保証するために使用することができる。図５乃至図９に
ついて上述したプロセスは、フォトレジスト材料４１が
アライメント孔の露出、又は電気接続のためのコア２０
の露出を保証するために使用される場合にも、等しく適
用されるであろう。例えば、図１２を参照すると、アル
ミニウムコア２０は、その中にアライメント孔２２が配
設されて示されている。酸化アルミニウム陽極化層２３
及びポリマー層２５も開孔２１を取り囲んで示されてい
る。開孔２１はフォトレジスト材料４５の存在によって
保持されている。フォトレジスト材料４５が除去される
と、孔２２はその初期の寸法が保持されて露出されるこ
とがわかるであろう。この方法では、アライメント孔２
２は、次の陽極化及び電気泳動コーティング工程の間、
保持されている。
【００１７】図１０を参照すると、２つの開孔２１をそ
の中に有するアルミニウム回路カード１が示されてい
る。開孔２１はアルミニウムコア層２０を露出させる。
従って、集積回路デバイス３、５、７は開孔２１内に配
置され、そこから熱を除去するためにコア層２０と直接
接触できることがわかる。パッド１１及び回路化ライン
１２は、図１０の回路カード１の表面に示されており、
電気めっき、スクリーン印刷等によって形成することが
できる。
【００１８】例えば、パッド１１及び回路ライン１２の
ＥＰポリマー層２５表面への配置は、ポリマー厚膜（Ｐ
ＴＦ）スクリーニング技法を用いて行われる。このＰＴ
Ｆ法を用いるために、カード１表面にスクリーンが配置
され、カード１の所望位置においてＰＴＦ材料が選択的
にスキーズされる。ＰＴＦ材料は、付与された後、高温
で硬化されるのが一般的である。ＰＴＦ材料は電気伝導
性であり、図１０に示されるように、硬化ＰＴＦ材料は
アルミニウム回路カード１の電気回路ライン１２とな
る。
【００１９】図１３は、陽極化層２３及びＥＰポリマー
層２５内の開孔２２が回路化ライン１２とアルミニウム
基準面２０とを相互接続するためにどのように使用でき
るかを示す断面図である。図５乃至図９のプロセス工程
を利用することによって、開孔２２が形成される。次
に、回路化プロセス中に、上述のように、ポリマー厚膜
材料が開孔２２内でコア２０と接触して選択的に付与さ
れ、硬化される。この方法では、回路層をアルミニウム
接地面へ相互接続するために追加のプロセス工程を使用
する必要なく、回路化プロセス中に、カード１の回路化
層（ライン１２）と基準（接地）面２０との間で電気接
続が成される。
【００２０】図１１は、本発明の他の実施例を示す。こ
こでは、アルミニウムコア２０の大部分は、フォトレジ
スト材料（マスクされた）を用いて、陽極化及びＥＰコ
ーティング工程から保護されている。この方法では、ア
ルミニウムコア２０の露出が増大されているために、ア
ルミニウム回路カードの熱特性が更に向上されている。
【００２１】
【発明の効果】従って、電子装置によって発生される熱
エネルギの放散が高められるように、集積回路デバイ
ス、抵抗器、コンデンサ、コイル等の電子構成要素がそ
こへ取り付けられるのを可能にするアルミニウム回路カ
ードを製造するための方法が提供されることがわかる。
更に、本発明によって、陽極化及び電気泳動コーティン
グプロセス中にアルミニウムコア層の露出部分を保持し
て、基準面への接続点を都合よく提供することがきるよ
うになった。また、回路カード１内に配置されるアライ
メント孔の寸法も保持されることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】異なる形状の複数のＩＣをその上に有する回路
カードの斜視図である。
【図２】回路カードの断面図であり、ワイヤ接合型のチ
ップが本発明の開孔にどのように配置できるかを示して
いる。
【図３】表面実装構成要素が回路カードで利用されてい
る断面図である。
【図４】図２及び図３と同様の断面図であり、回路カー
ドにはデュアルインラインパッケージが使用されてい
る。
【図５】回路カードのアルミニウムコア層及びその上側
のフォトレジスト層を示す。
【図６】硬化されたフォトレジスト材料の「位置ホル
ダ」を残りの材料を取り除いて示す。
【図７】酸化アルミニウムを形成するためのアルミニウ
ムコア層の陽極化工程後の回路カードの側面図である。
【図８】酸化アルミニウム表面に電気泳動的に配置され
たポリマー材料を示す。
【図９】硬化されたフォトレジスト材料が除去され、ポ
リマー層の頂部が回路化された後の本発明の回路カード
の断面図を示す。
【図１０】本発明のアルミニウム回路カードの斜視図で
あり、チップを配置する前の開孔を示している。
【図１１】回路カードのもう１つの斜視図であり、本発
明に従って、アルミニウム層の一部は、陽極化工程及び
ＥＰコーティング工程から保護されている。
【図１２】本発明の別の実施例の断面図であり、フォト
レジスト位置ホルダによってアライメント孔が保護され
ている。
【図１３】アルミニウム基準面と回路化電気ラインとを
相互接続するために使用されている開孔の断面図であ
る。
【符号の説明】
１ アルミニウム回路カード ３、５、７ 集積回路デバイス ９ 接続ワイヤ １１ パッド １２ 回路化ライン １３ リード １５ リード １７ 熱シンク １８ バイア ２０ アルミニウムコア層 ２１ 開孔 ２２ アライメント孔 ２３ 陽極化アルミニウム層 ２５ ポリマー誘電層 ３０ 熱シンク ４０ フォトレジスト誘電層 ４１ フォトレジスト位置ホルダ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/05 Ｂ 8727−4Ｅ 3/00 Ｋ 6921−4Ｅ 3/44 Ａ 8727−4Ｅ 7/20 Ｂ 8727−4Ｅ 9355−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｊ (72)発明者 ジョゼフ ラトッレ アメリカ合衆国78727、テキサス州オース ティン、ゲイト ウェイ 11903

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 アルミニウム回路カードの電気絶縁性誘
    電層内に少なくとも１つの開孔を形成する方法であっ
    て、 アルミニウムコア層の一方の面に隣接して形成すべき開
    孔に対応する寸法を有するフォトレジスト材料を配置す
    る工程と、 前記アルミニウムコア層上に前記フォトレジスト材料を
    取り囲む前記誘電材料層を少なくとも１層形成する工程
    と、 前記フォトレジスト材料を除去する工程と、 を含む開孔形成方法。
  2. 【請求項２】 電子構成要素を、該構成要素の表面が前
    記アルミニウム層と接触するように、前記開孔内に配置
    する工程を更に含む請求項１記載の開孔形成方法。
  3. 【請求項３】 前記フォトレジスト材料は、誘電材料が
    前記アルミニウムコア層の上に形成されるのを防止する
    ために使用される請求項１記載の開孔形成方法。
  4. 【請求項４】 前記フォトレジスト材料は前記回路カー
    ド内のアライメント開孔に隣接して配置され、前記誘電
    層が開孔内に形成されるのを防止する請求項１記載の開
    孔形成方法。
  5. 【請求項５】 前記フォトレジスト材料はフォトレジス
    ト以外のマスク材料で置き換えられ、該マスク材料は前
    記開孔の所望位置に対応する位置においてアルミニウム
    コアに隣接して配置される請求項１記載の開孔形成方
    法。
  6. 【請求項６】 アルミニウムコア層と、 前記アルミニウムコア層に隣接して、その少なくとも一
    方の面上に配設された電気絶縁層と、 前記アルミニウムコア層の対応部分を露出させるために
    前記電気絶縁層に形成された少なくとも１つの開孔と、 前記アルミニウムコア層とその表面が接触するように前
    記開孔の１つに配置された少なくとも１つの電子構成要
    素と、 を備えた電子回路カード。
  7. 【請求項７】 前記少なくとも１つの開孔中へ延出する
    電気伝達ラインを前記絶縁層の露出表面に有する請求項
    ６記載の電子回路カード。
  8. 【請求項８】 アルミニウムコア層と、 前記アルミニウムコア層に隣接して、その少なくとも一
    方の面上に配設された電気絶縁層と、 前記アルミニウムコア層の対応部分を露出させるために
    前記電気絶縁層に形成された少なくとも１つの開孔と、 前記開孔の少なくとも１つの開孔中へ延出し、前記絶縁
    層の露出表面に配設された電気伝達ラインと、 前記アルミニウムコア層と熱的に接触するように前記開
    孔の１つに配置された少なくとも１つの電子構成要素
    と、 を備えた電子回路カード。
  9. 【請求項９】 前記電気絶縁層は、酸化アルミニウム層
    と、ポリマー層と、を含む請求項８記載の電子回路カー
    ド。
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