JPH0653632A - 配線基板 - Google Patents
配線基板Info
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- JPH0653632A JPH0653632A JP4203716A JP20371692A JPH0653632A JP H0653632 A JPH0653632 A JP H0653632A JP 4203716 A JP4203716 A JP 4203716A JP 20371692 A JP20371692 A JP 20371692A JP H0653632 A JPH0653632 A JP H0653632A
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- wiring conductors
- board
- groove
- wiring
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Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 28
- 238000007667 floating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/107—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by filling grooves in the support with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板と配線導体との密着性が高く、しかも基
板上面からの突出を防止しつつ配線導体をライン乱れな
く、且つ高精度に形成できる配線基板を提供すること。 【構成】 ガラス基板２の上面に所定パタ−ンの溝２ａ
を設け、該溝２ａ内には金属酸化膜３及び導電材料４を
埋設して配線導体を形成しているので、溝パタ−ンに沿
って配線導体をライン乱れなく、且つ精度よく形成する
ことができる。しかも、溝深さを増すことにより基板上
面からの突出を防止しつつ配線導体の厚みを増加するこ
とが可能で、また配線導体を極力細い幅で形成しなけれ
ばならない場合でも該配線導体に所望の抵抗値を確保す
ることができる。さらに、金属酸化膜３によってガラス
基板２と導電材料４との密着性を高めて、配線導体の剥
離や浮き上がり等を確実に防止することができる。
板上面からの突出を防止しつつ配線導体をライン乱れな
く、且つ高精度に形成できる配線基板を提供すること。 【構成】 ガラス基板２の上面に所定パタ−ンの溝２ａ
を設け、該溝２ａ内には金属酸化膜３及び導電材料４を
埋設して配線導体を形成しているので、溝パタ−ンに沿
って配線導体をライン乱れなく、且つ精度よく形成する
ことができる。しかも、溝深さを増すことにより基板上
面からの突出を防止しつつ配線導体の厚みを増加するこ
とが可能で、また配線導体を極力細い幅で形成しなけれ
ばならない場合でも該配線導体に所望の抵抗値を確保す
ることができる。さらに、金属酸化膜３によってガラス
基板２と導電材料４との密着性を高めて、配線導体の剥
離や浮き上がり等を確実に防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、各種電子デバイス、特
にプラズマディスプレイパネル等の平面型ディスプレイ
の電極部品として有用な配線基板に関するものである。
にプラズマディスプレイパネル等の平面型ディスプレイ
の電極部品として有用な配線基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラズマディスプレイパネル（以
下、ＰＤＰと言う）の電極部品として用いられる配線基
板は、 (1) ：透明電極を用いたもの (2) ：金属電極を用いたもの に概ね大別される。
下、ＰＤＰと言う）の電極部品として用いられる配線基
板は、 (1) ：透明電極を用いたもの (2) ：金属電極を用いたもの に概ね大別される。
【０００３】上記(1) の配線基板は、ガラス基板上にＳ
ｎＯ2 （酸化スズ），ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
等の薄膜を真空蒸着やイオンスパッタリング等によって
形成した後、該薄膜をスクリ−ン印刷法やホトリソグラ
フィ−法を利用して所定パタ−ンにエッチングして製造
されている。
ｎＯ2 （酸化スズ），ＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
等の薄膜を真空蒸着やイオンスパッタリング等によって
形成した後、該薄膜をスクリ−ン印刷法やホトリソグラ
フィ−法を利用して所定パタ−ンにエッチングして製造
されている。
【０００４】上記(2) の配線基板は、Ｃｕ，Ｃｒ，Ｎ
ｉ，Ａｕ等の薄膜を真空蒸着やイオンスパッタリング等
によって形成した後、該薄膜を上記同様ストライプ状に
加工するか、或いはガラス基板上にＮｉ，Ａｕ等の厚膜
をスクリ−ン印刷法を利用して形成して製造されてい
る。
ｉ，Ａｕ等の薄膜を真空蒸着やイオンスパッタリング等
によって形成した後、該薄膜を上記同様ストライプ状に
加工するか、或いはガラス基板上にＮｉ，Ａｕ等の厚膜
をスクリ−ン印刷法を利用して形成して製造されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記(1)
の配線基板で、ＰＤＰ用の電極として必要なシ−ト抵抗
値（数Ω〜数十Ω）を得るためには、透明電極材料の比
抵抗（１〜５×１０-4Ωｃｍ程度）を考慮すると膜厚と
して数μｍ程度が必要となり、基板上面からの突出量が
大きくなって該電極上に積層される他の部品等に悪影響
を及ぼす共に、エッチング時のパタ−ン加工性が悪化し
てショ−トや膜残り等を生じる難点があった。
の配線基板で、ＰＤＰ用の電極として必要なシ−ト抵抗
値（数Ω〜数十Ω）を得るためには、透明電極材料の比
抵抗（１〜５×１０-4Ωｃｍ程度）を考慮すると膜厚と
して数μｍ程度が必要となり、基板上面からの突出量が
大きくなって該電極上に積層される他の部品等に悪影響
を及ぼす共に、エッチング時のパタ−ン加工性が悪化し
てショ−トや膜残り等を生じる難点があった。
【０００６】また、上記(2) の配線基板では、電極材料
自体に光透過を期待できないため、光を外部に取り出す
めには電極をできるだけ細くする必要があり、抵抗値と
の関係から必然的に膜厚が増加して該電極上に積層され
る他の部品等に悪影響を及ぼす難点があった。しかも、
厚膜形成にスクリ−ン印刷を利用したものではパタ−ン
ラインに乱れを生じ易い難点があった。
自体に光透過を期待できないため、光を外部に取り出す
めには電極をできるだけ細くする必要があり、抵抗値と
の関係から必然的に膜厚が増加して該電極上に積層され
る他の部品等に悪影響を及ぼす難点があった。しかも、
厚膜形成にスクリ−ン印刷を利用したものではパタ−ン
ラインに乱れを生じ易い難点があった。
【０００７】一方、ガラス基板に溝を形成し該溝内に電
極を埋設することが考えられるが、単にガラス基板の溝
内に導体を埋設したのでは、ガラスのソフトニングポニ
ントが７００℃程度であることから、高くても６００℃
以下の焼成温度の導体材料を用いなければならない。し
かし、そのような場合に用いられる導体材料は概してガ
ラス基板の溝内との密着性が悪く、導体形成後に表面を
研磨するようなことでもあればその問題は顕著に現れ
る。
極を埋設することが考えられるが、単にガラス基板の溝
内に導体を埋設したのでは、ガラスのソフトニングポニ
ントが７００℃程度であることから、高くても６００℃
以下の焼成温度の導体材料を用いなければならない。し
かし、そのような場合に用いられる導体材料は概してガ
ラス基板の溝内との密着性が悪く、導体形成後に表面を
研磨するようなことでもあればその問題は顕著に現れ
る。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、基板と配線導体との密着
性が高く、しかも基板上面からの突出を防止しつつ配線
導体をライン乱れなく、且つ高精度に形成できる配線基
板を提供することにある。
で、その目的とするところは、基板と配線導体との密着
性が高く、しかも基板上面からの突出を防止しつつ配線
導体をライン乱れなく、且つ高精度に形成できる配線基
板を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明では、ガラス基板の上面に所定パタ−ンの溝
を設け、該溝内には金属酸化膜及び導電材料を埋設して
配線導体を形成して、配線基板を構成している。
め、本発明では、ガラス基板の上面に所定パタ−ンの溝
を設け、該溝内には金属酸化膜及び導電材料を埋設して
配線導体を形成して、配線基板を構成している。
【００１０】
【作用】本発明に係る配線基板では、ガラス基板の上面
に形成された溝内に金属酸化膜及び導電材料を埋設する
ことにより、配線導体をライン乱れなく、且つ精度よく
形成できる。また、溝深さを増すことにより配線導体の
厚みを増加できるので、基板上面からの突出を防止でき
る。さらに、金属酸化膜によってガラス基板と導電材料
との密着性を高めることができる。
に形成された溝内に金属酸化膜及び導電材料を埋設する
ことにより、配線導体をライン乱れなく、且つ精度よく
形成できる。また、溝深さを増すことにより配線導体の
厚みを増加できるので、基板上面からの突出を防止でき
る。さらに、金属酸化膜によってガラス基板と導電材料
との密着性を高めることができる。
【００１１】
【実施例】図１には本発明を適用した配線基板１の部分
断面図を示してある。同図において２はガラス基板、３
はＳｎＯ2 製の金属酸化膜、４はＣｕ製の導電材料で、
金属酸化膜３及び導電材料４によって電極等に用いられ
る配線導体が形成されている。金属酸化膜３はガラス基
板２の上面に形成されたストライプ状の溝２ａの内面に
所定の厚みをもって形成され、また導電材料４は金属酸
化膜３の表面に所定の厚みをもって形成されている。
断面図を示してある。同図において２はガラス基板、３
はＳｎＯ2 製の金属酸化膜、４はＣｕ製の導電材料で、
金属酸化膜３及び導電材料４によって電極等に用いられ
る配線導体が形成されている。金属酸化膜３はガラス基
板２の上面に形成されたストライプ状の溝２ａの内面に
所定の厚みをもって形成され、また導電材料４は金属酸
化膜３の表面に所定の厚みをもって形成されている。
【００１２】以下に、図１に示した配線基板２１の製造
方法について説明する。まず、ガラス基板Ｋの上面にレ
ジスト剤を塗布して、該レジストＲの上面に所望のスト
ライプパタ−ンに適合したホトマスクＭを載置し（図２
参照）、その上から光を照射して必要部分のレジストＲ
を露光させて現像し、レジストパタ−ンＲＰを形成する
（図３参照）。次いで、ＨＦ（弗化水素）とＨ2 Ｏを１
対１の割合で混合したエッチング液によってガラス基板
Ｋを所定時間、例えば１０分間エッチングして、レジス
トパタ−ンＲＰ間に溝Ｇを形成する（図４参照）。
方法について説明する。まず、ガラス基板Ｋの上面にレ
ジスト剤を塗布して、該レジストＲの上面に所望のスト
ライプパタ−ンに適合したホトマスクＭを載置し（図２
参照）、その上から光を照射して必要部分のレジストＲ
を露光させて現像し、レジストパタ−ンＲＰを形成する
（図３参照）。次いで、ＨＦ（弗化水素）とＨ2 Ｏを１
対１の割合で混合したエッチング液によってガラス基板
Ｋを所定時間、例えば１０分間エッチングして、レジス
トパタ−ンＲＰ間に溝Ｇを形成する（図４参照）。
【００１３】基板乾燥後、基板上面及び溝内面にスプレ
−法によって厚さ０．１５μｍ程度のＳｎＯ2 膜Ｈを形
成し（図５参照）、次いでガラス基板Ｋを研磨装置にか
け、溝Ｇ以外に形成された膜Ｈを研磨して取り除き、溝
Ｇ内面のみに膜Ｈを残す（図６参照）。そして、無電解
メッキ法によって溝Ｇ内の膜Ｈの表面に厚さ０．５μｍ
のＣｕ膜を形成し、続いて電気メッキ法によってさらに
厚さ５μｍのＣｕ膜を形成する。以上で図１に示した配
線基板１が製造される。
−法によって厚さ０．１５μｍ程度のＳｎＯ2 膜Ｈを形
成し（図５参照）、次いでガラス基板Ｋを研磨装置にか
け、溝Ｇ以外に形成された膜Ｈを研磨して取り除き、溝
Ｇ内面のみに膜Ｈを残す（図６参照）。そして、無電解
メッキ法によって溝Ｇ内の膜Ｈの表面に厚さ０．５μｍ
のＣｕ膜を形成し、続いて電気メッキ法によってさらに
厚さ５μｍのＣｕ膜を形成する。以上で図１に示した配
線基板１が製造される。
【００１４】ちなみに、ガラス基板Ｋとして長さ３００
ｍｍ×幅４００ｍｍで厚み３ｍｍのものを使用し、この
長さ方向に深さ５０μｍで幅１００μｍの溝Ｍを形成し
た場合では、該溝Ｍ内に形成されるストライプ状の配線
導体の両端間に１００Ωの抵抗値を得ることができた。
ｍｍ×幅４００ｍｍで厚み３ｍｍのものを使用し、この
長さ方向に深さ５０μｍで幅１００μｍの溝Ｍを形成し
た場合では、該溝Ｍ内に形成されるストライプ状の配線
導体の両端間に１００Ωの抵抗値を得ることができた。
【００１５】尚、上記製造方法では、ガラス基板Ｋに溝
Ｇを形成するに当ってエッチング法を利用したものを例
示したが、図７に示すように、溝Ｇに対応する刃Ｂａを
有するダイヤモンドブレ−ドＢを用い、ガラス基板Ｋの
上面を水を供給しながら切削して溝Ｇを形成するように
してもよい。また、この溝Ｇは、Ｓｉを主体とするゾル
材料をゲル化する方法（ゾルゲル法）を利用し、ガラス
基板Ｋの上面にゾル液を塗布した後、同部分に鋳型をあ
てゲル化後に該鋳型を取り外すことによっても形成する
こともできる。
Ｇを形成するに当ってエッチング法を利用したものを例
示したが、図７に示すように、溝Ｇに対応する刃Ｂａを
有するダイヤモンドブレ−ドＢを用い、ガラス基板Ｋの
上面を水を供給しながら切削して溝Ｇを形成するように
してもよい。また、この溝Ｇは、Ｓｉを主体とするゾル
材料をゲル化する方法（ゾルゲル法）を利用し、ガラス
基板Ｋの上面にゾル液を塗布した後、同部分に鋳型をあ
てゲル化後に該鋳型を取り外すことによっても形成する
こともできる。
【００１６】また、ＳｎＯ2 製の金属酸化膜はガラス基
板Ｋに対するＣｕ膜の密着力を向上させる目的で用いた
ものであり、他にＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）やＺ
ｎＯやＴｉＯ等で代用することができ、またＣｕ製の導
電材料の代わりにＮｉ，Ａｕ，Ａｇ等を用いてもよい。
また、配線導体はストライプ以外のパタ−ンであっても
よく、該配線導体の抵抗値をさらに下げる場合には導電
材料の表面に形成される凹みに半田等の材料を埋め込む
とよい。
板Ｋに対するＣｕ膜の密着力を向上させる目的で用いた
ものであり、他にＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）やＺ
ｎＯやＴｉＯ等で代用することができ、またＣｕ製の導
電材料の代わりにＮｉ，Ａｕ，Ａｇ等を用いてもよい。
また、配線導体はストライプ以外のパタ−ンであっても
よく、該配線導体の抵抗値をさらに下げる場合には導電
材料の表面に形成される凹みに半田等の材料を埋め込む
とよい。
【００１７】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ガラス基板に形成された溝パタ−ンに沿って配線導体を
ライン乱れなく、且つ精度よく形成することができる。
しかも、溝深さを増すことにより基板上面からの突出を
防止しつつ配線導体の厚みを増加することが可能で、ま
た配線導体を極力細い幅で形成しなければならない場合
でも該配線導体に所望の抵抗値を確保することができ
る。さらに、金属酸化膜によってガラス基板と導電材料
との密着性を高めて、配線導体の剥離や浮き上がり等を
確実に防止することができる。
ガラス基板に形成された溝パタ−ンに沿って配線導体を
ライン乱れなく、且つ精度よく形成することができる。
しかも、溝深さを増すことにより基板上面からの突出を
防止しつつ配線導体の厚みを増加することが可能で、ま
た配線導体を極力細い幅で形成しなければならない場合
でも該配線導体に所望の抵抗値を確保することができ
る。さらに、金属酸化膜によってガラス基板と導電材料
との密着性を高めて、配線導体の剥離や浮き上がり等を
確実に防止することができる。
【図１】本発明を適用した配線基板の部分断面図
【図２】製造工程図
【図３】製造工程図
【図４】製造工程図
【図５】製造工程図
【図６】製造工程図
【図７】製造工程図
１…配線基板、２…ガラス基板、２ａ…溝、３…金属酸
化物、４…導電材料。
化物、４…導電材料。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 1/02 Ｌ 7047−4Ｅ 3/38 Ｂ 7011−4Ｅ
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板の上面に所定パタ−ンの溝を
設け、該溝内には金属酸化膜及び導電材料を埋設して配
線導体を形成した、 ことを特徴とする配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203716A JPH0653632A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4203716A JPH0653632A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 配線基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0653632A true JPH0653632A (ja) | 1994-02-25 |
Family
ID=16478671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4203716A Withdrawn JPH0653632A (ja) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | 配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653632A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7597813B2 (en) | 2006-10-03 | 2009-10-06 | Seiko Epson Corporation | Element substrate and method of manufacturing the same |
| US7966720B2 (en) | 2006-10-03 | 2011-06-28 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing an element substrate |
| US20140345913A1 (en) * | 2011-12-15 | 2014-11-27 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method and Device of Manufacturing Printed Circuit Board |
| CN107479282A (zh) * | 2017-08-30 | 2017-12-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
| JP2018512736A (ja) * | 2015-04-06 | 2018-05-17 | コーニング精密素材株式会社Corning Precision Materials Co., Ltd. | 集積回路パッケージ用基板 |
| JP2020041374A (ja) * | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 株式会社日立製作所 | 除塵機 |
| WO2026019154A1 (ko) * | 2024-07-19 | 2026-01-22 | 주식회사 아모센스 | 반도체용 유리기판의 제조 방법 및 반도체용 유리기판 |
| WO2026034862A1 (ko) * | 2024-08-08 | 2026-02-12 | 주식회사 아모센스 | 반도체용 유리기판의 제조 방법 및 반도체용 유리기판 |
-
1992
- 1992-07-30 JP JP4203716A patent/JPH0653632A/ja not_active Withdrawn
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