JPH0653787B2 - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
- Publication number
- JPH0653787B2 JPH0653787B2 JP60107025A JP10702585A JPH0653787B2 JP H0653787 B2 JPH0653787 B2 JP H0653787B2 JP 60107025 A JP60107025 A JP 60107025A JP 10702585 A JP10702585 A JP 10702585A JP H0653787 B2 JPH0653787 B2 JP H0653787B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- epoxy
- present
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/40—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials
- H10W74/47—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their materials comprising organic materials, e.g. plastics or resins
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体
装置に関する。
装置に関する。
従来、樹脂封止型の半導体装置は、セラミツクス封止型
の半導体装置に比べて、高温放置あるいは、高温高湿状
態（６５〜８５℃、９５％相対湿度中、１２１℃、２気
圧過飽和水蒸気中）での動作信頼性の点で劣つていた。
の半導体装置に比べて、高温放置あるいは、高温高湿状
態（６５〜８５℃、９５％相対湿度中、１２１℃、２気
圧過飽和水蒸気中）での動作信頼性の点で劣つていた。
樹脂封止型の半導体装置では、樹脂とリード線との隙
間、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、
その間隙を通じて外部から水分が侵入し、素子上のＡｌ
配線、ボンデイングパツド部などが、腐食し断線し易い
ためである。
間、あるいは樹脂と半導体素子との界面に隙間が生じ、
その間隙を通じて外部から水分が侵入し、素子上のＡｌ
配線、ボンデイングパツド部などが、腐食し断線し易い
ためである。
そこで、この対策として素子表面のカツプリング剤処理
により、樹脂との接着性を高める方法や、カツプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
により、樹脂との接着性を高める方法や、カツプリング
剤を配合した樹脂組成物で封止する方法などが提案され
ている。
しかし、これらの方法によつても、樹脂封止型半導体装
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至つていな
い。
置の耐湿特性の充分な向上を達成するには至つていな
い。
また、メモリ用ＬＳＩなどにおいては、高密度高集積度
化のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さくな
つてきた。このために、パツケージ材料（例えば、封止
用樹脂組成物中のフイラー）に微量含まれているウラ
ン、トリウムから発生するα線エネルギーにより、セル
中の電荷容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラ
ー）問題がある。
化のすう勢が著しく、１セルの電荷容量が益々小さくな
つてきた。このために、パツケージ材料（例えば、封止
用樹脂組成物中のフイラー）に微量含まれているウラ
ン、トリウムから発生するα線エネルギーにより、セル
中の電荷容量の調節動作に不良を生ずる（ソフトエラ
ー）問題がある。
この対策としては、半導体素子及びリード線と、封止材
料との間に高純度のα線遮へい材（例えばポリイミドな
ど）を設けることが行われている。しかし、α線遮へい
材は、半導体素子との密着性、接着性に劣り、先に述べ
たＡｌ配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至
つていない。
料との間に高純度のα線遮へい材（例えばポリイミドな
ど）を設けることが行われている。しかし、α線遮へい
材は、半導体素子との密着性、接着性に劣り、先に述べ
たＡｌ配線の腐食防止の点で必ずしも効果を上げるに至
つていない。
本発明の目的は、高温放置あるいは、高温高湿下におい
ても、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
ても、信頼性の高い動作が可能な樹脂封止型半導体装置
を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明は樹脂封止型半導体装置に
関する発明であつて、半導体素子の少なくとも一部を、
下記一般式Ｉ： （式中ｍは零、１又は２の数を示す）で表される多官能
性エポキシ化合物、Ｎ，Ｎ′−置換ビスマレイミド系化
合物、及び無機充てん材を含有する樹脂組成物で被覆及
び／又は封止してなることを特徴とする。
関する発明であつて、半導体素子の少なくとも一部を、
下記一般式Ｉ： （式中ｍは零、１又は２の数を示す）で表される多官能
性エポキシ化合物、Ｎ，Ｎ′−置換ビスマレイミド系化
合物、及び無機充てん材を含有する樹脂組成物で被覆及
び／又は封止してなることを特徴とする。
該樹脂組成物において上記式Ｉで表される多官能エポキ
シ化合物と併用できる化合物の例としては、ノボラツク
型フエノール樹脂、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、下
記一般式II： で表されるグリセリントリス（トリメリテート）、下記
一般式III： （式中Ｒは水素又は臭素を示す）で表されるフエノキシ
ホスフアゼンの３量体と４量体の混合物、含窒素フルオ
ロカーボンポリマー、ウレトジオン環を有するイソシア
ネート系化合物、マレイミド系化合物、硬化剤、及びエ
ポキシ基と反応可能な官能基を有するゴム成分よりなる
群から選択した少なくとも１種の成分がある。
シ化合物と併用できる化合物の例としては、ノボラツク
型フエノール樹脂、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレン、下
記一般式II： で表されるグリセリントリス（トリメリテート）、下記
一般式III： （式中Ｒは水素又は臭素を示す）で表されるフエノキシ
ホスフアゼンの３量体と４量体の混合物、含窒素フルオ
ロカーボンポリマー、ウレトジオン環を有するイソシア
ネート系化合物、マレイミド系化合物、硬化剤、及びエ
ポキシ基と反応可能な官能基を有するゴム成分よりなる
群から選択した少なくとも１種の成分がある。
また、本発明の半導体装置の例には、半導体素子及びリ
ード線を該樹脂組成物で被覆し、無機質充てん材を含有
する樹脂組成物で封止したものがある。
ード線を該樹脂組成物で被覆し、無機質充てん材を含有
する樹脂組成物で封止したものがある。
本発明において、一般式Ｉで表されるトリス（ヒドロキ
シフエニル）メタンをベースとする多官能エポキシ化合
物は、米国特許第４，３９４，４９６号明細書に記載さ
れている製法により得られ、ダウケミカル（Dow Chemic
al）社よりＸＤ−９０５３の商品名で市販されている。
シフエニル）メタンをベースとする多官能エポキシ化合
物は、米国特許第４，３９４，４９６号明細書に記載さ
れている製法により得られ、ダウケミカル（Dow Chemic
al）社よりＸＤ−９０５３の商品名で市販されている。
本発明において、グリセリントリス（トリメリテートを
主成分とする化合物とは、一般式IIで表される、新日本
理化社からリカレジンＴＭＴＡ（軟化点６５〜８５℃）
の商品名で市販されている化合物を主成分とする多官能
カルボン酸無水物を云い、５０重量％以下の 商品名：リカレジンTMEG（新日本理化社製）あるいは、 商品名：リカレジンETA-37（新日本理化社製） などを含むことも、本発明の効果を損なわない範囲内で
可能である。また、無水マレイン酸、無水テトラヒドロ
フタル酸、無水トリメリツト酸、無水ピロメリツト酸、
無水ベンゾフエノンテトラカルボン酸、無水ピフエニル
テトラカルボン酸など公知のカルボン酸系化合物と併用
することもできる。
主成分とする化合物とは、一般式IIで表される、新日本
理化社からリカレジンＴＭＴＡ（軟化点６５〜８５℃）
の商品名で市販されている化合物を主成分とする多官能
カルボン酸無水物を云い、５０重量％以下の 商品名：リカレジンTMEG（新日本理化社製）あるいは、 商品名：リカレジンETA-37（新日本理化社製） などを含むことも、本発明の効果を損なわない範囲内で
可能である。また、無水マレイン酸、無水テトラヒドロ
フタル酸、無水トリメリツト酸、無水ピロメリツト酸、
無水ベンゾフエノンテトラカルボン酸、無水ピフエニル
テトラカルボン酸など公知のカルボン酸系化合物と併用
することもできる。
また、本発明において、一般式IIIで表されるフエノキ
シホスフアゼンの３〜４量体としては、フエノキシホス
フアゼン（新日曹化工社製Ｐ−３８００など）、ｐ−プ
ロモフエノキシホスフアゼン（新日曹化工社Ｂ−３８０
０）などがある。これらには更に、一般式： （式中ｎは正の整数）で表される、ポリトルフルオロエ
トキシホスフアゼンを併用して用いることもできる。
シホスフアゼンの３〜４量体としては、フエノキシホス
フアゼン（新日曹化工社製Ｐ−３８００など）、ｐ−プ
ロモフエノキシホスフアゼン（新日曹化工社Ｂ−３８０
０）などがある。これらには更に、一般式： （式中ｎは正の整数）で表される、ポリトルフルオロエ
トキシホスフアゼンを併用して用いることもできる。
また、本発明においては、含窒素フルオロポリマーを添
加して用いることもできる。含窒素フルオロカーボンポ
リマーとしては、例えば次のようなものがある（式中ｐ
及びｑは整数を示す）。
加して用いることもできる。含窒素フルオロカーボンポ
リマーとしては、例えば次のようなものがある（式中ｐ
及びｑは整数を示す）。
また、本発明において、ウレトジオン環を有するイソシ
アネート系化合物としては、例えば、次式で表されるも
のがある。
アネート系化合物としては、例えば、次式で表されるも
のがある。
ｎは整数、Ｒ′，Ｒ″：脂肪族、芳香族、脂環式の２価
の炭化水素基であり、Ｒ′，Ｒ″としては芳香族炭化水
素基が有用である。
の炭化水素基であり、Ｒ′，Ｒ″としては芳香族炭化水
素基が有用である。
このようなものとしては、例えば１,３−ビス（３−イ
ソシアナート−ｏ−トリル）−２,４−ウレチジンジオ
ン、１,３−ビス（３−イソシアナート−ｐ−トリル）
−２,４−ウレチジンジオン、１,３−ビス（３−イソシ
アナート−４−メトキシフエニル）−２,４−ウレチジ
ンジオン、１,３−ビス〔４−（４−イソシアナートフ
エニルメチル）フエニル〕−２,４−ウレチジンジオン
などがある。
ソシアナート−ｏ−トリル）−２,４−ウレチジンジオ
ン、１,３−ビス（３−イソシアナート−ｐ−トリル）
−２,４−ウレチジンジオン、１,３−ビス（３−イソシ
アナート−４−メトキシフエニル）−２,４−ウレチジ
ンジオン、１,３−ビス〔４−（４−イソシアナートフ
エニルメチル）フエニル〕−２,４−ウレチジンジオン
などがある。
上記、ウレトジオン環を有するジイソシアネーと化合物
とエポキシ化合物との混合物は、高温下で、イソイアヌ
レート環とオキサゾリドン環を形成し、その中にブタジ
エン系重合体、シロキサン重合体などのゴム粒子が分散
した状態で存在すると優れた耐熱性と低い弾性率を兼ね
備えた硬化物が生成される。
とエポキシ化合物との混合物は、高温下で、イソイアヌ
レート環とオキサゾリドン環を形成し、その中にブタジ
エン系重合体、シロキサン重合体などのゴム粒子が分散
した状態で存在すると優れた耐熱性と低い弾性率を兼ね
備えた硬化物が生成される。
本発明においては、上記、ウレトジオン環を有するジイ
ソシアネート化合物とエポキシ化合物の配合割合につい
ては、ウレトジオン環が熱解離して生ずるイソシアネー
ト基を含むイソシアネート基の全量が、エポキシ化合物
のエポキシ基１モルに対して０．６〜１０．０モルの割
合であることが望ましい。
ソシアネート化合物とエポキシ化合物の配合割合につい
ては、ウレトジオン環が熱解離して生ずるイソシアネー
ト基を含むイソシアネート基の全量が、エポキシ化合物
のエポキシ基１モルに対して０．６〜１０．０モルの割
合であることが望ましい。
本発明において、Ｎ,Ｎ′−置換ビスマレイミド化合物
としては例えばＮ,Ｎ′−エチレンジマレイミド、Ｎ,
Ｎ′−エチレンビス〔２−メチルマレイミド〕、Ｎ,
Ｎ′−トリメチレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−テトラメ
チレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ヘキサメチレンジマレ
イミド、Ｎ,Ｎ′−ヘキサメチレンビス〔２−メチルマ
レイミド〕、Ｎ,Ｎ′−ドデカメチレンジマレイミド、
Ｎ,Ｎ′−ｍ−フエニレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｐ−
フエニレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（オキシ−ｐ−フ
エニレン）ジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（メチレン−ジ−
ｐ−フエニレン）ジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（メチレン
−ジ−ｐ−フエニレン）ビス〔２−メチルマレイミ
ド〕、Ｎ,Ｎ′−２,４−トリレンジマレイミド、Ｎ,
Ｎ′−２,６−トリレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｍ−キ
シリレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｐ−キシリレンジマ
レイミド、Ｎ,Ｎ′−オキシプロピレンジマレイミド、
Ｎ,Ｎ′−エチレンビス（オキシプロピレンマレイミ
ド）、Ｎ,Ｎ′−オキシジエチレンジマレイミドなどが
あり、これらの少なくとも１種が用いられる。
としては例えばＮ,Ｎ′−エチレンジマレイミド、Ｎ,
Ｎ′−エチレンビス〔２−メチルマレイミド〕、Ｎ,
Ｎ′−トリメチレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−テトラメ
チレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ヘキサメチレンジマレ
イミド、Ｎ,Ｎ′−ヘキサメチレンビス〔２−メチルマ
レイミド〕、Ｎ,Ｎ′−ドデカメチレンジマレイミド、
Ｎ,Ｎ′−ｍ−フエニレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｐ−
フエニレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（オキシ−ｐ−フ
エニレン）ジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（メチレン−ジ−
ｐ−フエニレン）ジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−（メチレン
−ジ−ｐ−フエニレン）ビス〔２−メチルマレイミ
ド〕、Ｎ,Ｎ′−２,４−トリレンジマレイミド、Ｎ,
Ｎ′−２,６−トリレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｍ−キ
シリレンジマレイミド、Ｎ,Ｎ′−ｐ−キシリレンジマ
レイミド、Ｎ,Ｎ′−オキシプロピレンジマレイミド、
Ｎ,Ｎ′−エチレンビス（オキシプロピレンマレイミ
ド）、Ｎ,Ｎ′−オキシジエチレンジマレイミドなどが
あり、これらの少なくとも１種が用いられる。
また、本発明におけるブタジエン系重合体としては、分
子量約３００〜１０，０００の１,２−ポリブタジエ
ン、及び１,４−ポリブタジエン並びにブタジエン−ス
チレン共重合体及びブタジエン−アクリロニトリル共重
合体、そして更に末端に反応性基として、カルボキシル
基、水酸基、アミノ基及びビニル基などを有するそれら
の重合体などを挙げることができ、これらは日本曹達、
宇部興産、及び三井ポリケミカルなどの各社より市販さ
れている。
子量約３００〜１０，０００の１,２−ポリブタジエ
ン、及び１,４−ポリブタジエン並びにブタジエン−ス
チレン共重合体及びブタジエン−アクリロニトリル共重
合体、そして更に末端に反応性基として、カルボキシル
基、水酸基、アミノ基及びビニル基などを有するそれら
の重合体などを挙げることができ、これらは日本曹達、
宇部興産、及び三井ポリケミカルなどの各社より市販さ
れている。
本発明の封止用樹脂組成物には、従来公知のエポキシ樹
脂、例えばビスフエノールＡのジグリシジルエーテル、
ブタジエンジエポキシド、３,４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−（３,４−エポキシ）シクロヘキサンカル
ボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４,
４′−ジ（１,２−エポキシエチル）ジフエニルエーテ
ル、４,４′−（１,２−エポキシエチル）ビフエニル、
２,２−ビス（３,４−エポキシシクロキシル）プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグ
リシジルエーテル、ビス−（２,３′−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２−（３,４−エポキシ）シクロ
ヘキサン−５,５−スピロ（３,４−エポキシ）−シクロ
ヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３,４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキシル）アジベート、Ｎ,Ｎ′−
ｍ−フエニレンビス（４,５−エポキシ−１,２−シクロ
ヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能性のエポキ
シ化合物、パラアミノフエノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル、１,３,５−トリ
（１,２−エポキシエチル）ベンゼン、２,２′,４,４′
−テトラグリシドキシベンゾフエノン、フエノールホル
ムアルデヒドノボラツクのポリグリシジルエーテル、グ
リセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプ
ロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能性以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
脂、例えばビスフエノールＡのジグリシジルエーテル、
ブタジエンジエポキシド、３,４−エポキシシクロヘキ
シルメチル−（３,４−エポキシ）シクロヘキサンカル
ボキシレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４,
４′−ジ（１,２−エポキシエチル）ジフエニルエーテ
ル、４,４′−（１,２−エポキシエチル）ビフエニル、
２,２−ビス（３,４−エポキシシクロキシル）プロパ
ン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシン
のジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジグ
リシジルエーテル、ビス−（２,３′−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２−（３,４−エポキシ）シクロ
ヘキサン−５,５−スピロ（３,４−エポキシ）−シクロ
ヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３,４−エポキシ
−６−メチルシクロヘキシル）アジベート、Ｎ,Ｎ′−
ｍ−フエニレンビス（４,５−エポキシ−１,２−シクロ
ヘキサン）ジカルボキシイミドなどの２官能性のエポキ
シ化合物、パラアミノフエノールのトリグリシジルエー
テル、ポリアリルグリシジルエーテル、１,３,５−トリ
（１,２−エポキシエチル）ベンゼン、２,２′,４,４′
−テトラグリシドキシベンゾフエノン、フエノールホル
ムアルデヒドノボラツクのポリグリシジルエーテル、グ
リセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプ
ロパンのトリグリシジルエーテルなど３官能性以上のエ
ポキシ化合物が用いられる。
上記化合物は、用途、目的に応じて１種以上併用して使
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭
和４５年９月、昭晃堂発行）第１０９〜１４９頁、リ
ー，ネビル（Lee，Neville）著：エポキシ レジンス
（Epoxy Resins）ニユーヨーク市、マツグロウ−ヒル
ブツク カンパニー インコーポレーテツド（Mc Graw-
Hill Book Company Inc）（１９５７年発行）第６３〜
１４１頁、P.E.ブルニス(Brunis)著：エポキシ レジン
ス テクノロジー（Epoxy Resins Technology）ニユー
ヨーク市、インターサイエンス ペブリツシヤース（In
terscience Pubblishers）（１９６８年発行）第４５〜
１１１頁などに記載の化合物であり、例えば脂肪族ポリ
アミン、芳香族ポリアミン、第２及び第３級アミンを含
むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水物類、脂肪
族及び芳香族ポリアミドオリゴマー及びポリマー類、三
フツ化ホウ素−アミンコンプレツクス類、フエノール樹
脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの合
成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、ガル
ボン酸ヒドラジド、ポリアミンノマレイミド類などがあ
る。
用することも出来る。これらのエポキシ樹脂には硬化剤
が併用される。それらは、垣内弘著：エポキシ樹脂（昭
和４５年９月、昭晃堂発行）第１０９〜１４９頁、リ
ー，ネビル（Lee，Neville）著：エポキシ レジンス
（Epoxy Resins）ニユーヨーク市、マツグロウ−ヒル
ブツク カンパニー インコーポレーテツド（Mc Graw-
Hill Book Company Inc）（１９５７年発行）第６３〜
１４１頁、P.E.ブルニス(Brunis)著：エポキシ レジン
ス テクノロジー（Epoxy Resins Technology）ニユー
ヨーク市、インターサイエンス ペブリツシヤース（In
terscience Pubblishers）（１９６８年発行）第４５〜
１１１頁などに記載の化合物であり、例えば脂肪族ポリ
アミン、芳香族ポリアミン、第２及び第３級アミンを含
むアミン類、カルボン酸類、カルボン酸無水物類、脂肪
族及び芳香族ポリアミドオリゴマー及びポリマー類、三
フツ化ホウ素−アミンコンプレツクス類、フエノール樹
脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの合
成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、ガル
ボン酸ヒドラジド、ポリアミンノマレイミド類などがあ
る。
上記硬化剤は、用途、目的に応じて１種以上使用するこ
とが出来る。
とが出来る。
特に、フエノールノボラツク樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点か
ら、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適で
ある。
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点か
ら、上記半導体封止用材料の硬化剤成分として、好適で
ある。
該樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラツク型フエ
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することができる。
ノール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公
知の触媒を使用することができる。
かかる触媒としては、例えば、トリエタノールアミン、
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第３級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミンやトリス（ジメチルアミノメ
チルフエノール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモ
ルホリンなどのアミン類がある。
テトラメチルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジ
アミン、テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレン
ジアミン、ジメチルアニリンなどの第３級アミン、ジメ
チルアミノエタノール、ジメチルアミノペンタノールな
どのオキシアルキルアミンやトリス（ジメチルアミノメ
チルフエノール、Ｎ−メチルモルホリン、Ｎ−エチルモ
ルホリンなどのアミン類がある。
また、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチ
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ペンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ペンジルメチルパルミチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第４級アンモニウム塩がある。
ルトリメチルアンモニウムクロライド、ドデシルトリメ
チルアンモニウムアイオダイド、トリメチルドデシルア
ンモニウムクロライド、ペンジルジメチルテトラデシル
アンモニウムクロライド、ペンジルメチルパルミチルア
ンモニウムクロライド、アリルドデシルトリメチルアン
モニウムブロマイド、ベンジルジメチルステアリルアン
モニウムブロマイド、ステアリルトリメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニ
ウムアセテートなどの第４級アンモニウム塩がある。
また、２−エチルイミダーゾール、２−ウンデシルイミ
ダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチル
−４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、
１−プロピル−２−イチルイミダゾール、１−ベンジル
−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メ
チルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−フエニルイミダ
ゾール、１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−ア
ジン−２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール
類、トリフエニルホスフインテトラフエニルボレート、
テトラフエニルホスホニウムテトラフエニルボレート、
トリエチルアミンテトラフエニルボレート、Ｎ−メチル
モルホリンテトフエニルボレート、２−エチル−４−メ
チルイミダゾールテトラフエニルボレート、２−エチル
−１,４−ジメチルイミダゾールテトラフエニルボレー
トなどのテトラフエニルボロン塩などがある。
ダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチル
−４−エチルイミダゾール、１−ブチルイミダゾール、
１−プロピル−２−イチルイミダゾール、１−ベンジル
−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メ
チルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシル
イミダゾール、１−シアノエチル−２−フエニルイミダ
ゾール、１−アジン−２−メチルイミダゾール、１−ア
ジン−２−ウンデシルイミダゾールなどのイミダゾール
類、トリフエニルホスフインテトラフエニルボレート、
テトラフエニルホスホニウムテトラフエニルボレート、
トリエチルアミンテトラフエニルボレート、Ｎ−メチル
モルホリンテトフエニルボレート、２−エチル−４−メ
チルイミダゾールテトラフエニルボレート、２−エチル
−１,４−ジメチルイミダゾールテトラフエニルボレー
トなどのテトラフエニルボロン塩などがある。
本発明においては樹脂組成物に、目的と用途に応じて、
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来
る。それらの具体例をあげれはジルコン、シリカ、溶融
石英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、
石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ
ム、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、
銅粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブラツクなどの充てん剤、あるいは、高
級脂肪酸、ワツクス類などの離型剤、エポキシシラン、
ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコ
キシチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物
などのカツプリング剤などである。更に、アンチモン、
リン化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いる
ことが出来る。
各種の無機物質や添加剤を配合して用いることが出来
る。それらの具体例をあげれはジルコン、シリカ、溶融
石英ガラス、アルミナ、水酸化アルミニウム、ガラス、
石英ガラス、ケイ酸カルシウム、石コウ、炭酸カルシウ
ム、マグネサイト、クレー、カオリン、タルク、鉄粉、
銅粉、マイカ、アスベスト、炭化ケイ素、窒化ホウ素、
二硫化モリブデン、鉛化合物、鉛酸化物、亜鉛華、チタ
ン白、カーボンブラツクなどの充てん剤、あるいは、高
級脂肪酸、ワツクス類などの離型剤、エポキシシラン、
ビニルシラン、アミノシラン、ポラン系化合物、アルコ
キシチタネート系化合物、アルミニウムキレート化合物
などのカツプリング剤などである。更に、アンチモン、
リン化合物、臭素や塩素を含む公知の難燃化剤を用いる
ことが出来る。
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されない。
本発明はこれら実施例に限定されない。
なお、下記各例において、実施例番号４及び９が本発明
の実施例であり、他の番号、すなわち１〜３、５〜８、
及び１０〜１３は本発明の参考例として示す。
の実施例であり、他の番号、すなわち１〜３、５〜８、
及び１０〜１３は本発明の参考例として示す。
実施例１〜１３ 本発明の必須成分であるトリス（ヒドロキシフエニル）
メタンをベースとする多官能エポキシ化合物として、Ｘ
Ｄ−９０５３（ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量、２
２０、軟化点、８５℃）を用いて、これに、下記第１表
に示した、各種素材を所定配合量、配合した１３種類の
配合組成物を作成した。
メタンをベースとする多官能エポキシ化合物として、Ｘ
Ｄ−９０５３（ダウ・ケミカル社製、エポキシ当量、２
２０、軟化点、８５℃）を用いて、これに、下記第１表
に示した、各種素材を所定配合量、配合した１３種類の
配合組成物を作成した。
次いで、上記配合組成物は、８インチ径の２本ロール
で、７５〜８５℃、１０分環混練した後、冷却、粗粉砕
して半導体封止用の樹脂組成物を作成した。
で、７５〜８５℃、１０分環混練した後、冷却、粗粉砕
して半導体封止用の樹脂組成物を作成した。
次いで、２５６ｋ bit D.RAM（ダイナミツク・ランダ
ムアクセスメモリ）ＬＳＩを、１７５〜１８０℃、１．
５分、７０kg/cm2の条件下で、トランスフア成形して、
本発明の半導体装置を得た。
ムアクセスメモリ）ＬＳＩを、１７５〜１８０℃、１．
５分、７０kg/cm2の条件下で、トランスフア成形して、
本発明の半導体装置を得た。
また、同様の成形条件で、９０mm径×２mm厚さの円板を
成形し、そこから、ＴＭＡ測定用試片を作成した。
成形し、そこから、ＴＭＡ測定用試片を作成した。
第１表に、硬化物のガラス転移点と、樹脂封止したＬＳ
Ｉを各々（５０個ずつ）１２１℃、２気圧過飽和水蒸気
中（ＰＣＴ）に放置して、所定時間後に釜より取出し、
ＬＳＩ素子上のＡｌ配線の腐食による断線不良を電気的
作動の有無によりチエツクした結果を示した。
Ｉを各々（５０個ずつ）１２１℃、２気圧過飽和水蒸気
中（ＰＣＴ）に放置して、所定時間後に釜より取出し、
ＬＳＩ素子上のＡｌ配線の腐食による断線不良を電気的
作動の有無によりチエツクした結果を示した。
なお、第１表において、エポキシレジンはダウ・ケミカ
ル社製のＸＤ−９０５３、ノボラツク型エポキシレジン
は住友化学社製のＥＳＣＮ−１９５、ノボラツク型フエ
ノールレジンは日本化薬社製のＥＰＰＮ−２０１、リカ
レジンは新日本理化社製のＴＭＴＡ、フエノキシホスフ
アゼンは新日曹化学社製のＰ−３８００、ＴＤＩ−ダイ
マーは住友バイエル社製のＤＴＴ、ポリブタジエンゴム
は宇部興産社製のカルボキシル基末端ポリブタジエンＣ
ＴＢＭ×１３００、含窒素フルオロカーボンポリマーは
合成品、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンは丸善石油社製
のＭレジン、トリエチルアミンテトラフエニルボレート
は北興化学社製のＴＰＰ−Ｋ、トリフエニルホスフイン
は北興化学社製、エポキシシランは信越化学社製のＫＢ
Ｍ３０３、溶融石英ガラス粉は高純度品を使用した。
ル社製のＸＤ−９０５３、ノボラツク型エポキシレジン
は住友化学社製のＥＳＣＮ−１９５、ノボラツク型フエ
ノールレジンは日本化薬社製のＥＰＰＮ−２０１、リカ
レジンは新日本理化社製のＴＭＴＡ、フエノキシホスフ
アゼンは新日曹化学社製のＰ−３８００、ＴＤＩ−ダイ
マーは住友バイエル社製のＤＴＴ、ポリブタジエンゴム
は宇部興産社製のカルボキシル基末端ポリブタジエンＣ
ＴＢＭ×１３００、含窒素フルオロカーボンポリマーは
合成品、ポリ−ｐ−ヒドロキシスチレンは丸善石油社製
のＭレジン、トリエチルアミンテトラフエニルボレート
は北興化学社製のＴＰＰ−Ｋ、トリフエニルホスフイン
は北興化学社製、エポキシシランは信越化学社製のＫＢ
Ｍ３０３、溶融石英ガラス粉は高純度品を使用した。
第１表から明らかなように、本発明の半導体装置は、従
来材で封止した半導体に比べて、高温高湿状態での動作
信頼性が格段に向上していることが分る。
来材で封止した半導体に比べて、高温高湿状態での動作
信頼性が格段に向上していることが分る。
〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明の樹脂封止型半導体装置
は、耐湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の侵
入が防止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕
著な効果が奏せられる。
は、耐湿及び耐熱性に優れており、それに伴い、水の侵
入が防止され、信頼性の高い動作が可能であるという顕
著な効果が奏せられる。
フロントページの続き (72)発明者 金城 徳幸 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 奈良原 俊和 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 阿部 英俊 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 瀬川 正則 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭58−198526（ＪＰ，Ａ) 米国特許4394496（ＵＳ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子の少なくとも一部を、下記一般
式Ｉ： （式中ｍは零、１又は２の数を示す）で表される多官能
性エポキシ化合物、Ｎ，Ｎ′−置換ビスマレイミド系化
合物、及び無機充てん材を含有する樹脂組成物で被覆及
び／又は封止してなることを特徴とする樹脂封止型半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107025A JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107025A JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265847A JPS61265847A (ja) | 1986-11-25 |
| JPH0653787B2 true JPH0653787B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=14448607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60107025A Expired - Lifetime JPH0653787B2 (ja) | 1985-05-21 | 1985-05-21 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653787B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW572964B (en) * | 2000-09-21 | 2004-01-21 | Chang Chun Plastics Co Ltd | Flame retarded epoxy resin composition |
| CN111729610A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-10-02 | 北京化工大学 | 一种四苯乙烯基烷基溴化铵盐表面活性剂及其制备与应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4394496A (en) | 1971-08-19 | 1983-07-19 | The Dow Chemical Company | Epoxidation products of 1,1,1-tri-(hydroxyphenyl) alkanes |
-
1985
- 1985-05-21 JP JP60107025A patent/JPH0653787B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4394496A (en) | 1971-08-19 | 1983-07-19 | The Dow Chemical Company | Epoxidation products of 1,1,1-tri-(hydroxyphenyl) alkanes |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2123712A1 (en) | 2008-05-19 | 2009-11-25 | Evonik Degussa GmbH | Epoxy resin composition and electronic part |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61265847A (ja) | 1986-11-25 |
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