JPS6333412A - エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 - Google Patents
エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置Info
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- JPS6333412A JPS6333412A JP17563186A JP17563186A JPS6333412A JP S6333412 A JPS6333412 A JP S6333412A JP 17563186 A JP17563186 A JP 17563186A JP 17563186 A JP17563186 A JP 17563186A JP S6333412 A JPS6333412 A JP S6333412A
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- epoxy resin
- phthalocyanine
- epoxy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐熱性、耐湿性、耐腐食性にすぐれた硬化物
を提供可能なエポキシ樹脂組成物、及び、樹脂組成物で
封止・被覆された半導体装置に関する。
を提供可能なエポキシ樹脂組成物、及び、樹脂組成物で
封止・被覆された半導体装置に関する。
メモリＬＳＩは、高密度化、高集積度化のすう勢にあり
、高温状態、高温高湿状態下での信頼性向上は必然的な
要求となっている。高温高湿状態、例えば、６５℃、９
５％相対湿度中、及び、８５℃、８５％相対湿度中、あ
るいは、１２１℃、二気圧過飽和水蒸気中などの雰囲気
中に、半導体装置した場合には、素子上のＡＱ配線が腐
食断線する故障が生じ、これが信頼性低下の大きな要因
となっている。
、高温状態、高温高湿状態下での信頼性向上は必然的な
要求となっている。高温高湿状態、例えば、６５℃、９
５％相対湿度中、及び、８５℃、８５％相対湿度中、あ
るいは、１２１℃、二気圧過飽和水蒸気中などの雰囲気
中に、半導体装置した場合には、素子上のＡＱ配線が腐
食断線する故障が生じ、これが信頼性低下の大きな要因
となっている。
ＡＱ配線の腐食断線の大きな原因は、パッケージ内部に
浸入した水分、樹脂組成物中に含まれているイオン性不
純物、特に塩素イオンによる所が大である。しかし、樹
脂封止品については、樹脂バルク中を透湿、吸湿して素
子表面に至る水分を除圧することは困難である。
浸入した水分、樹脂組成物中に含まれているイオン性不
純物、特に塩素イオンによる所が大である。しかし、樹
脂封止品については、樹脂バルク中を透湿、吸湿して素
子表面に至る水分を除圧することは困難である。
そこで、この対策として、樹脂組成物の各素材を精製す
ることにより、イオン性不純物（特に塩素イオン）を除
去する方策が、種に検討されてきた。しかし、これらの
方法でも加水分解性のイオン性化合物を含む素材の場合
には、根本的な対策となり得ないのが現状である。（特
開昭６０−２０２１１７号公報〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、樹脂組成物のＡＱに対する防食性に対
する配慮が不足しており、この点からの工夫がなされて
いるとは云えない。
ることにより、イオン性不純物（特に塩素イオン）を除
去する方策が、種に検討されてきた。しかし、これらの
方法でも加水分解性のイオン性化合物を含む素材の場合
には、根本的な対策となり得ないのが現状である。（特
開昭６０−２０２１１７号公報〕 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、樹脂組成物のＡＱに対する防食性に対
する配慮が不足しており、この点からの工夫がなされて
いるとは云えない。
本発明の目的は、耐熱性、耐湿性、耐食性にすぐれた硬
化物を提供可能なエポキシ樹脂組成物、及び、樹脂組成
物で封止・被覆した半導体装置を提供することにある。
化物を提供可能なエポキシ樹脂組成物、及び、樹脂組成
物で封止・被覆した半導体装置を提供することにある。
上記目的は、以下の技術を採用することにより達成され
る。その要旨は、 １、少なくとも、多官能エポキシ化合物［Ａ］と、一般
式（１） ％式％ 〔式中、Ｍは無、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ。
る。その要旨は、 １、少なくとも、多官能エポキシ化合物［Ａ］と、一般
式（１） ％式％ 〔式中、Ｍは無、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ。
Ｃｏのいずれかである。〕で表わされる４゜４７ 、４
＃ 、 ４Ｌ／／−フタロシアニンテトラミン系化合
物とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
＃ 、 ４Ｌ／／−フタロシアニンテトラミン系化合
物とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
２、少なくとも、多官能エポキシ化合物（Ａ）と、一般
式（１） 〔式中、Ｍは無ｇ Ｃｕ ｙ Ｐ ｂ ＋ Ｆ ｅ ＋
Ｎ ｉ＊ＣＯのいずれかである。〕で表わされる４゜
４′、４”、４−フタロシアニンテトラミン系化合物と
を含むエポキシ樹脂組成物で、少なくとも半導体素子の
一部を封止・被覆してなることを特徴とする半導体装置
である。
式（１） 〔式中、Ｍは無ｇ Ｃｕ ｙ Ｐ ｂ ＋ Ｆ ｅ ＋
Ｎ ｉ＊ＣＯのいずれかである。〕で表わされる４゜
４′、４”、４−フタロシアニンテトラミン系化合物と
を含むエポキシ樹脂組成物で、少なくとも半導体素子の
一部を封止・被覆してなることを特徴とする半導体装置
である。
本発明に於いて、多官能エポキシ化合物（Ａ）は、例え
ば、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジ
エンジエボキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキ
シレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４，４′
−ジ（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、
４゜４’ −（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、
２．２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（３，４−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２− （３，４−エポキシ）シク
ロヘキサン−５゜５−スピロ（３，４−エポキシ）−シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポ
キシ−６−メチルシクロヘキシル）アジペート、ＮＩＮ
’−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ１゜２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの三官能のエポ
キシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエ
ーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、１，３．５−
トリ（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’
、４．４’ −テトラグリシドキシベンゾフェノン、テ
トラグリシド、キシテトラフェニルエタン、フェノール
ホルムア゛ルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテ
ル、グリセリンのトルグリシジルエーテル、トリメチロ
ールプロパンのトリグリシジルエーテルなど三官能以上
のエポキシ化合物が用いられる。
ば、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、ブタジ
エンジエボキサイド、３，４−エポキシシクロヘキシル
メチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキサンカルボキ
シレート、ビニルシクロヘキサンジオキシド、４，４′
−ジ（１，２−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、
４゜４’ −（１，２−エポキシエチル）ビフェニル、
２．２−ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロ
パン、レゾルシンのグリシジルエーテル、フロログルシ
ンのジグリシジルエーテル、メチルフロログルシンのジ
グリシジルエーテル、ビス−（３，４−エポキシシクロ
ペンチル）エーテル、２− （３，４−エポキシ）シク
ロヘキサン−５゜５−スピロ（３，４−エポキシ）−シ
クロヘキサン−ｍ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポ
キシ−６−メチルシクロヘキシル）アジペート、ＮＩＮ
’−ｍ−フェニレンビス（４，５−エポキシ１゜２−シ
クロヘキサン）ジカルボキシイミドなどの三官能のエポ
キシ化合物、パラアミノフェノールのトリグリシジルエ
ーテル、ポリアリルグリシジルエーテル、１，３．５−
トリ（１，２−エポキシエチル）ベンゼン、２．２’
、４．４’ −テトラグリシドキシベンゾフェノン、テ
トラグリシド、キシテトラフェニルエタン、フェノール
ホルムア゛ルデヒドノボラックのポリグリシジルエーテ
ル、グリセリンのトルグリシジルエーテル、トリメチロ
ールプロパンのトリグリシジルエーテルなど三官能以上
のエポキシ化合物が用いられる。
上記エポキシ化合物は、用途、目的に応じて一種以上併
用して使用することも出来る。
用して使用することも出来る。
また、本発明に於いて、−形式（ＩＩ）〔式中、Ｍは無
ｔ Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ＋Ｇｏのいずれかである。
ｔ Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ＋Ｇｏのいずれかである。
〕で表わされる４゜４ ’ 、 ４ ’ 、 ４”−フ
タロシアニンテトラミン系化合物とは、 本発明において、−形式ＣＩ） Ｈｚ 〔式中、ＭはＭｇ、Ａｌ１．Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ。
タロシアニンテトラミン系化合物とは、 本発明において、−形式ＣＩ） Ｈｚ 〔式中、ＭはＭｇ、Ａｌ１．Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ。
Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｒ。
Ｚｒ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｓｎ＋ Ｓｂ＋ Ｂｉ。
Ｐｂ、ＰＬ、Ａｕ、及びこれら金属の中のいずれかであ
る。〕で表わされる４ 、 ４ ／ 、 ４ ＃ 、
４ ″’−フタロシアニンテトラミン系化合物には、例
えば、４ 、４ ／ 、 ４ ａ 、 ４／／／−フタ
ロシアニンテトラミンマグネシウム、４．４’ 、４’
、４”−フタロシアニンテトラミンアルミニウム、４
．４’ 。
る。〕で表わされる４ 、 ４ ／ 、 ４ ＃ 、
４ ″’−フタロシアニンテトラミン系化合物には、例
えば、４ 、４ ／ 、 ４ ａ 、 ４／／／−フタ
ロシアニンテトラミンマグネシウム、４．４’ 、４’
、４”−フタロシアニンテトラミンアルミニウム、４
．４’ 。
４ 、 、４／／／−フタロシアニンテトラミンカルシ
ウム、４ 、４ ’ 、 ４ Ｎ 、 ４ ＃／／−フ
タロシアニンテトラミン鉄、４１４ ’ 、 ４ ＃
、 ４／／／−フタロシアニンテトラミン銅などの４１
４ ’ 、 ４ ＃ 、 ４／／／−フタロシアニンテ
トラミンの金属塩などがある６本発明では、−形式（１
）で表わされる４、４’ 。
ウム、４ 、４ ’ 、 ４ Ｎ 、 ４ ＃／／−フ
タロシアニンテトラミン鉄、４１４ ’ 、 ４ ＃
、 ４／／／−フタロシアニンテトラミン銅などの４１
４ ’ 、 ４ ＃ 、 ４／／／−フタロシアニンテ
トラミンの金属塩などがある６本発明では、−形式（１
）で表わされる４、４’ 。
４′、４“′−フタロシアニンテトラミン系化合物に、
更に下記−形式（ｎ）、 〔ｍ）・・・・・・［１１
） および／または ・・・・・〔夏■〕 〔式中、ＭはＭｇ、ＡＱ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ。
更に下記−形式（ｎ）、 〔ｍ）・・・・・・［１１
） および／または ・・・・・〔夏■〕 〔式中、ＭはＭｇ、ＡＱ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ。
Ｍｎ、 Ｆｅ、Ｇｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、 Ｚｎ、 ５
ｒｓＺｒ、Ｐｄ、Ａｇ＋ Ｃｄ、Ｓｎｔ Ｓｂ、Ｂ
ｉ。
ｒｓＺｒ、Ｐｄ、Ａｇ＋ Ｃｄ、Ｓｎｔ Ｓｂ、Ｂ
ｉ。
Ｐｂ、Ｐｔ、Ａｕの中のいずれかである。〕で表わされ
るフタロシアニンテトラミン系化合物を添加して用いる
ことも出来る。
るフタロシアニンテトラミン系化合物を添加して用いる
ことも出来る。
本発明のエポキシ樹脂組成物には従来公知の硬化剤が併
用されてもよい。それらは、垣内弘著；エポキシ樹脂（
昭和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ、
Ｎｅｖｉｌｌａ著； Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ（Ｍ
ｃ Ｇｒａｙ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ
Ｉｎｃｅ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋｔ１９５７年発行）６３〜
１４１ページ、Ｐ 、 Ｅ 、Ｂｒｕｎｉｓ著； Ｅｐ
ｏｘｙ Ｒｅ５ｉｎｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｉｎ
ｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ、 １９６８年発行）４５〜１１１ページなど
に記載の化合物であり、例えば、脂肪族ポリアミン、芳
香族ポリアミン、第二および第三アミンを含むアミン類
、カルボン酸類、トリメリット酸トリグリセライド（リ
カレジンＴＭＴＡなど）を含む）カルボン酸無水物類、
脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマ
ー類。
用されてもよい。それらは、垣内弘著；エポキシ樹脂（
昭和４５年９月発行）１０９〜１４９ページ、Ｌｅｅ、
Ｎｅｖｉｌｌａ著； Ｅｐｏｘｙ Ｒｅｓｉｎｓ（Ｍ
ｃ Ｇｒａｙ−Ｈｉｌｌ Ｂｏｏｋ Ｃｏｍｐａｎｙ
Ｉｎｃｅ Ｎｅｗ Ｙｏｒｋｔ１９５７年発行）６３〜
１４１ページ、Ｐ 、 Ｅ 、Ｂｒｕｎｉｓ著； Ｅｐ
ｏｘｙ Ｒｅ５ｉｎｓ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ （Ｉｎ
ｔｅｒｓｃｉｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｓ Ｎｅｗ
Ｙｏｒｋ、 １９６８年発行）４５〜１１１ページなど
に記載の化合物であり、例えば、脂肪族ポリアミン、芳
香族ポリアミン、第二および第三アミンを含むアミン類
、カルボン酸類、トリメリット酸トリグリセライド（リ
カレジンＴＭＴＡなど）を含む）カルボン酸無水物類、
脂肪族および芳香族ポリアミドオリゴマーおよびポリマ
ー類。
三フッ化ホウ素−アミンコンプレックス類、フェノール
樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの
合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、カ
ルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などがあ
る。
樹脂、メラミン樹脂、ウレア樹脂、ウレタン樹脂などの
合成樹脂初期縮合物類、その他、ジシアンジアミド、カ
ルボン酸ヒドラジド、ポリアミノマレイミド類などがあ
る。
これらの硬化剤は、用途、目的に応じて一種以上を使用
することが出来る。
することが出来る。
特に、フェノールノボラック樹脂は、硬化樹脂の金属イ
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、本発明の主たる目的である半導体封止用材料の硬化剤
成分として好適である。
ンサートに対する密着性、成形時の作業性などの点から
、本発明の主たる目的である半導体封止用材料の硬化剤
成分として好適である。
樹脂組成物には、エポキシ化合物とノボラック型フェノ
ール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公知
の触媒を使用することが出来る。
ール樹脂の硬化反応を促進する効果が知られている公知
の触媒を使用することが出来る。
この触媒は、例えば、トリエタノールアミン、テトラメ
チルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン
及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジメチルアミ
ノエタノール及びジメチルアミノペンタノール等のオキ
シアルキルアミンならびにトリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール及びメチルモルホリン等のアミン類を適
用することができる。
チルブタンジアミン、テトラメチルペンタンジアミン、
テトラメチルヘキサンジアミン、トリエチレンジアミン
及びジメチルアニリン等の第３級アミン、ジメチルアミ
ノエタノール及びジメチルアミノペンタノール等のオキ
シアルキルアミンならびにトリス（ジメチルアミノメチ
ル）フェノール及びメチルモルホリン等のアミン類を適
用することができる。
又は、同じ目的で、触媒として、例えば、セチルトリメ
チルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモ
ニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムア
イオダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロラ
イド、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド
、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド
、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等
の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には
、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブ
チルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
チルアンモニウムブロマイド、セチルトリメチルアンモ
ニウムクロライド、ドデシルトリメチルアンモニウムア
イオダイド、トリメチルドデシルアンモニウムクロライ
ド、ベンジルジメチルテトラデシルアンモニウムクロラ
イド、ペンジルメチルパルミチルアンモニウムクロライ
ド、アリルドデシルトリメチルアンモニウムブロマイド
、ベンジルジメチルステアリルアンモニウムブロマイド
、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド及びベ
ンジルジメチルテトラデシルアンモニウムアセテート等
の第４級アンモニウム塩を適用することができ、更には
、２−ウンデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾー
ル、２−エチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダ
ゾール、２−メチル−４−エチルイミダゾール、１−ブ
チルイミダゾール、１−プロピル−２−メチルイミダゾ
ール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール。
１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シア
ノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエ
チル−２−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メ
チルイミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物、あるいは、トリフェ
ニルホスフィンテトラフェニルボレート、トルエチルア
ミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテ
トラフェニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレー
ト２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニル
ボレート及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾー
ルテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩
等が有用である。
ノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエ
チル−２−フェニルイミダゾール、１−アジン−２−メ
チルイミダゾール及び１−アジン−２−ウンデシルイミ
ダゾール等のイミダゾール化合物、あるいは、トリフェ
ニルホスフィンテトラフェニルボレート、トルエチルア
ミンテトラフェニルボレート、Ｎ−メチルモルホリンテ
トラフェニルボレート、ピリジンテトラフェニルボレー
ト２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニル
ボレート及び２−エチル−１，４−ジメチルイミダゾー
ルテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩
等が有用である。
これらの触媒はその二種以上を併用することもでき、そ
の量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
の量は、多官能エポキシ化合物（Ａ）１００に対して、
重量比で、０．０１〜２０の範囲で用いればよい。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物には、その用途、使
用目的に応じて、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タル
ク、マイカ、黒鉛。
用目的に応じて、例えば、炭酸カルシウム、シリカ、ア
ルミナ、チタニア、水酸化アルミニウム、ケイ酸アルミ
ニウム、ケイ酸ジルコニウム、ジルコン、ガラス、タル
ク、マイカ、黒鉛。
アルミニウム、銅、鉄などの粉末や短繊維状充填剤、脂
肪酸及びワックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビニ
ルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化
合物等のカップリング剤、そしてさらに、アンチモンや
リンの化合物及びハロゲン含有化合物のような難燃剤を
加えることができる。
肪酸及びワックス類等の離型剤、エポキシシラン、ビニ
ルシラン、ボラン系化合物及びアルキルチタネート系化
合物等のカップリング剤、そしてさらに、アンチモンや
リンの化合物及びハロゲン含有化合物のような難燃剤を
加えることができる。
〈実施例１〜５．比較例〉
多官能エポキシ化合物として、トリス（ヒドロキシフェ
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物、ＸＤ−９
０５３（エポキシ当量、２２５゜ダウ・ケミカル社製）
１００重量部。
ニル）メタンベースの多官能エポキシ化合物、ＸＤ−９
０５３（エポキシ当量、２２５゜ダウ・ケミカル社製）
１００重量部。
硬化剤として、４．４’ 、４’ 、４” −フタロシ
アニンテトラミン、４．４’ 、４’ 、４″’ −フ
タロシアニンテトラミンカルシウム、４．４’ 。
アニンテトラミン、４．４’ 、４’ 、４″’ −フ
タロシアニンテトラミンカルシウム、４．４’ 。
４’、４”−フタロシアニンテトラミンアルミニウム、
４．４’ 、４’ 、４ −フタロシアニン鉄。
４．４’ 、４’ 、４ −フタロシアニン鉄。
４．４’ 、４′、４−フタロシアニン鋼の五種類のフ
タロシアニンテトラミン系化合物、並゛びに、ノボラッ
ク型フェノール樹脂を第１表に示した所定配合量。
タロシアニンテトラミン系化合物、並゛びに、ノボラッ
ク型フェノール樹脂を第１表に示した所定配合量。
硬化促進剤として、トリフェニルホスフィン２重量部、
カップリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３
（信越化学社製）二重置部、難燃剤として、付加型イミ
ドコート赤リン４重量部、離型剤として、ステアリン酸
カルシウム１重量部とへキストワックスＥ（ヘキストジ
ャパン社製）−重量部、充填材として、溶融石英ガラス
粉７５重景パーセント、着色剤として、カーボンブラッ
ク（キャボット社製）二重置部を添加配合した。
カップリング剤として、エポキシシランＫＢＭ３０３
（信越化学社製）二重置部、難燃剤として、付加型イミ
ドコート赤リン４重量部、離型剤として、ステアリン酸
カルシウム１重量部とへキストワックスＥ（ヘキストジ
ャパン社製）−重量部、充填材として、溶融石英ガラス
粉７５重景パーセント、着色剤として、カーボンブラッ
ク（キャボット社製）二重置部を添加配合した。
次いで、７０〜８０℃の８インチ径二本ロールで化分間
混練した後、粗粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た
。
混練した後、粗粉砕して半導体封止用樹脂組成物を得た
。
次いで該樹脂組成物は、ＩＭビットＤ−ＲＡＭメモリＬ
ＳＩの素子を充填した金型をセットしたトランスファ成
形機により、１８０℃、７０ｋｇｆ・ｃｄ、 １．５
分の条件で成形された。
ＳＩの素子を充填した金型をセットしたトランスファ成
形機により、１８０℃、７０ｋｇｆ・ｃｄ、 １．５
分の条件で成形された。
得られた樹脂封止型半導体装置は、１２１℃。
２気圧の過飽和水蒸気中（ＰＣＴ）に投入された後、所
定時間毎に取り出し、ＬＳＩの電気的動作が正常である
か否かをチエツクした。
定時間毎に取り出し、ＬＳＩの電気的動作が正常である
か否かをチエツクした。
４．４’ 、４″Ｌ 、 ４ −フタロシアニンテトラ
ミン系化合物と、テレフタルアルデヒドや、ヒドロキシ
テレフタルアルデヒドなどのジアルデヒド類あるいは又
はヒドロキシアルデヒド、ジヒドロキシジアルデヒド類
とを反応させて、次式〔式中、ＸＩ ＊ ＸｚはＨ，Ｏ
Ｈのいずれかで、同じであっても異なっていてもよい、
〕で表わされるフタロシアニンシッフ系重合体、および
／またはフタロシアニンヒドロキシシッフ系重合体が得
られた。この重合体は、導電性がドーパントなしで１〜
１０−３Ω・個を示す。ＬＳＩの回路形成に有効である
。従来のＡＱ配線のような腐食による断線故障を排除で
きる。
ミン系化合物と、テレフタルアルデヒドや、ヒドロキシ
テレフタルアルデヒドなどのジアルデヒド類あるいは又
はヒドロキシアルデヒド、ジヒドロキシジアルデヒド類
とを反応させて、次式〔式中、ＸＩ ＊ ＸｚはＨ，Ｏ
Ｈのいずれかで、同じであっても異なっていてもよい、
〕で表わされるフタロシアニンシッフ系重合体、および
／またはフタロシアニンヒドロキシシッフ系重合体が得
られた。この重合体は、導電性がドーパントなしで１〜
１０−３Ω・個を示す。ＬＳＩの回路形成に有効である
。従来のＡＱ配線のような腐食による断線故障を排除で
きる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも、多官能エポキシ化合物〔Ａ〕と、一般
式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
〕 〔式中、Ｍは無、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいず
れかである。〕で表わされる４、４′、４″、４″′−
フタロシアニンテトラミン系化合物とを含むことを特徴
とするエポキシ樹脂組成物。 ２、少なくとも、多官能エポキシ化合物〔Ａ〕と、一般
式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔 I
〕 〔式中、Ｍは無、Ｃｕ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏのいず
れかである。〕で表わされる４、４′、４″、４″′−
フタロシアニンテトラミン系化合物とを含むエポキシ樹
脂組成物で、少なくとも半導体素子の一部を封止・被覆
したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17563186A JPS6333412A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17563186A JPS6333412A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333412A true JPS6333412A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=15999457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17563186A Pending JPS6333412A (ja) | 1986-07-28 | 1986-07-28 | エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333412A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232115A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| US5360840A (en) * | 1992-12-29 | 1994-11-01 | Hercules Incorporated | Epoxy resin compositions with improved storage stability |
| JP2015007147A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | 日立化成株式会社 | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
-
1986
- 1986-07-28 JP JP17563186A patent/JPS6333412A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0232115A (ja) * | 1988-07-22 | 1990-02-01 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
| US5360840A (en) * | 1992-12-29 | 1994-11-01 | Hercules Incorporated | Epoxy resin compositions with improved storage stability |
| JP2015007147A (ja) * | 2013-06-24 | 2015-01-15 | 日立化成株式会社 | 素子封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置 |
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