JPH065390B2 - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
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- JPH065390B2 JPH065390B2 JP59000438A JP43884A JPH065390B2 JP H065390 B2 JPH065390 B2 JP H065390B2 JP 59000438 A JP59000438 A JP 59000438A JP 43884 A JP43884 A JP 43884A JP H065390 B2 JPH065390 B2 JP H065390B2
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- Japan
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- film
- layer
- photosensitive member
- sensitivity
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、寿命の長い電子写真感光体の製造方法に係
り、特に、レーザ・ビーム・プリンタおよび複写機等に
用いられる高感度なアモルファス・シリコンから成る電
子写真感光体の製造方法に関する。
り、特に、レーザ・ビーム・プリンタおよび複写機等に
用いられる高感度なアモルファス・シリコンから成る電
子写真感光体の製造方法に関する。
従来、電子写真感光体として用いられている光導電性材
料として、Ｓｅ，ＣｄＳ，Ａｓ2Ｓｅ3，ＺｎＯ等の無機
物やポリビニールカルバゾール（ＰＶＫ）に代表される
有機物がある。これらの光導電性材料は優れた光導電性
をもっているが、硬度が低いために、使用中に表面に傷
が生じ易いという欠点があった。そのため、高速で印刷
することを得意とするレーザ・ビーム・プリンタに用い
る場合に、短時間で感光体部品を新品に交換せしめざる
を得なかった。この欠点を改善する対策としては、高品
位の画像及び長寿命の感光体を提供する目的で水素化ア
モルファス・シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す。）
を感光体の材料として用いることが提案されている（特
開昭54-78135号）。このａ−Ｓｉ：Ｈから成る感光体は
分光感度が、４００〜７００ｎｍの可視波長域にあるた
め、Ｈｅ〜Ｃｄ（波長４４１ｎｍ），Ａｒ（５５１ｎ
ｍ），Ｈｅ−Ｎｅ（６３３ｎｍ）等のガスレーザ及び波
長６８３ｎｍ近傍の可視半導体レーザを光源とするレー
ザ・ビーム・プリンタあるいは複写機に用いる感光体と
して最適である。このような、感光体は導電性基板上に
ａ−Ｓｉ：Ｈを蒸着法あるいはグロー放電法で積層して
形成されている。
料として、Ｓｅ，ＣｄＳ，Ａｓ2Ｓｅ3，ＺｎＯ等の無機
物やポリビニールカルバゾール（ＰＶＫ）に代表される
有機物がある。これらの光導電性材料は優れた光導電性
をもっているが、硬度が低いために、使用中に表面に傷
が生じ易いという欠点があった。そのため、高速で印刷
することを得意とするレーザ・ビーム・プリンタに用い
る場合に、短時間で感光体部品を新品に交換せしめざる
を得なかった。この欠点を改善する対策としては、高品
位の画像及び長寿命の感光体を提供する目的で水素化ア
モルファス・シリコン（以下、ａ−Ｓｉ：Ｈと称す。）
を感光体の材料として用いることが提案されている（特
開昭54-78135号）。このａ−Ｓｉ：Ｈから成る感光体は
分光感度が、４００〜７００ｎｍの可視波長域にあるた
め、Ｈｅ〜Ｃｄ（波長４４１ｎｍ），Ａｒ（５５１ｎ
ｍ），Ｈｅ−Ｎｅ（６３３ｎｍ）等のガスレーザ及び波
長６８３ｎｍ近傍の可視半導体レーザを光源とするレー
ザ・ビーム・プリンタあるいは複写機に用いる感光体と
して最適である。このような、感光体は導電性基板上に
ａ−Ｓｉ：Ｈを蒸着法あるいはグロー放電法で積層して
形成されている。
しかし、このような形成したａ−Ｓｉ：Ｈ膜は表面抵抗
が１０11〜１０13Ωと低い。そのため、高湿の条件下で
はａ−Ｓｉ：Ｈ膜上に水分が吸着され表面抵抗を１０8
〜１０10Ωに低下される。これはコロナ帯電によりａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の表面に電荷を蓄える感光体としては表面の
抵抗値が低いため表面に蓄えられた電荷が膜表面に沿っ
て流れるので画像ぼけの原因となるという致命的な欠点
を有している。
が１０11〜１０13Ωと低い。そのため、高湿の条件下で
はａ−Ｓｉ：Ｈ膜上に水分が吸着され表面抵抗を１０8
〜１０10Ωに低下される。これはコロナ帯電によりａ−
Ｓｉ：Ｈ膜の表面に電荷を蓄える感光体としては表面の
抵抗値が低いため表面に蓄えられた電荷が膜表面に沿っ
て流れるので画像ぼけの原因となるという致命的な欠点
を有している。
この画像ぼけを防止する従来の方法としては、表面抵抗
を高める目的でａ−Ｓｉ：Ｈ膜の表面上にＳｉＯ2ある
いはＳｉＣ等をオーバコートする方法がある。ａ−Ｓ
ｉ：Ｈは可視光全域で高感度を有するが、耐湿性を向上
するためにオーバーコートしたＳｉＯ2，ＳｉＣおよびS
iNx等を主成分とする高抵抗の薄膜はいずれも感光体に
おける価電子帯と伝導帯の間に形成されるバンドギャッ
プ（禁止帯ともいう）が広く短波長光を吸収する傾向に
ある。そのため、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜での光の吸収が低下す
る。更に、これらのＳｉＯ2等の薄膜は結晶中に不純度
を含有するか、その他の構造上の欠陥によりバンドギャ
ップ中に電子や正孔のトラップ準位を多く持つようにな
り、この薄膜の近傍に発生した電子や正孔をトラップ
し、価電子帯より伝導帯への電子の遷移を阻止して光導
電性を劣化する。
を高める目的でａ−Ｓｉ：Ｈ膜の表面上にＳｉＯ2ある
いはＳｉＣ等をオーバコートする方法がある。ａ−Ｓ
ｉ：Ｈは可視光全域で高感度を有するが、耐湿性を向上
するためにオーバーコートしたＳｉＯ2，ＳｉＣおよびS
iNx等を主成分とする高抵抗の薄膜はいずれも感光体に
おける価電子帯と伝導帯の間に形成されるバンドギャッ
プ（禁止帯ともいう）が広く短波長光を吸収する傾向に
ある。そのため、ａ−Ｓｉ：Ｈ膜での光の吸収が低下す
る。更に、これらのＳｉＯ2等の薄膜は結晶中に不純度
を含有するか、その他の構造上の欠陥によりバンドギャ
ップ中に電子や正孔のトラップ準位を多く持つようにな
り、この薄膜の近傍に発生した電子や正孔をトラップ
し、価電子帯より伝導帯への電子の遷移を阻止して光導
電性を劣化する。
したがって、従来の電子写真感光体でＳｉＯ2等の薄膜
の表面に吸収される短波長の範囲で感光が低下するとい
う問題点を有していた。
の表面に吸収される短波長の範囲で感光が低下するとい
う問題点を有していた。
本発明の目的は、ａ−Ｓｉ：Ｈのもつ優れた光導電性を
損うことなく短波長での感度の低下しない高耐湿性のａ
−Ｓｉ：Ｈからなる電子写真感光体の製造方法を提供す
ることにある。
損うことなく短波長での感度の低下しない高耐湿性のａ
−Ｓｉ：Ｈからなる電子写真感光体の製造方法を提供す
ることにある。
本発明は、導電性基板上に積層したアモルファス・シリ
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層の表面にフッ素を含むアモルフ
ァス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｆ）層を形成する電子写真
感光体を製造方法において、前記ａ−Ｓｉ：Ｆ層を、高
純度のフッ素ガスをイオンガスにより真空中でイオン化
し、該フッ素イオンを前記ａ−Ｓｉ：Ｈ層に打ち込んで
形成することを特徴としている。
コン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層の表面にフッ素を含むアモルフ
ァス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｆ）層を形成する電子写真
感光体を製造方法において、前記ａ−Ｓｉ：Ｆ層を、高
純度のフッ素ガスをイオンガスにより真空中でイオン化
し、該フッ素イオンを前記ａ−Ｓｉ：Ｈ層に打ち込んで
形成することを特徴としている。
本発明によって製造される電子写真感光体はａ−Ｓｉ：
Ｈ層の表面に更に高純度のａ−Ｓｉ：Ｆ層を形成して高
抵抗で且つ耐湿性を高め、画像ぼけを防止することによ
り、高い光感度を得るところに特徴があり、ａ−Ｓｉ：
Ｆ層の膜厚は所望の光感度を得るには0.1〜５μｍの範
囲が好ましい。ａ−Ｓｉ：Ｆ層の膜厚が0.1μｍ以下で
は、均一な膜を形成することが困難である一方、５μｍ
を越えると、かえって光感度が劣化し、所望の光感度を
満足するには膜厚を５μｍ以下に抑制する必要がある。
Ｈ層の表面に更に高純度のａ−Ｓｉ：Ｆ層を形成して高
抵抗で且つ耐湿性を高め、画像ぼけを防止することによ
り、高い光感度を得るところに特徴があり、ａ−Ｓｉ：
Ｆ層の膜厚は所望の光感度を得るには0.1〜５μｍの範
囲が好ましい。ａ−Ｓｉ：Ｆ層の膜厚が0.1μｍ以下で
は、均一な膜を形成することが困難である一方、５μｍ
を越えると、かえって光感度が劣化し、所望の光感度を
満足するには膜厚を５μｍ以下に抑制する必要がある。
また、ａ−Ｓｉ：Ｆ層は高純度で且つ構造上の欠陥の少
ない材料であるため、バンドギャップ中に発生するトラ
ップ準位の少ない構造を有している。このような高純度
で且つ構造上の欠陥の少ないａ−Ｓｉ：Ｆ層を本発明に
より得ることができる。
ない材料であるため、バンドギャップ中に発生するトラ
ップ準位の少ない構造を有している。このような高純度
で且つ構造上の欠陥の少ないａ−Ｓｉ：Ｆ層を本発明に
より得ることができる。
次に本発明に係る電子写真感光体の製造方法について説
明する。
明する。
まず、導電性基板上に水素を含むアモルファス・シリコ
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を所定の厚さに積層する。次いで、
ＳｉＦ4ガスは比較的に不純物を多く含有するため、高
純度のフッ素ガスを選んで、このフッ素ガスをイオンガ
ンによって真空中でイオン化し、該フッ素イオンをａ−
Ｓｉ：Ｈ層に打ち込んで所定の厚さたとえば0.5〜５μ
ｍのａ−Ｓｉ：Ｆ層を形成する。Ｆ（フッ素）はＨに比
べてＳｉとの親和力が強いため、ａ−Ｓｉ：Ｈ層に打ち
込んだＦがＳｉと結合してＳｉ−Ｆ結合を形成する。こ
のようにして、高品位のａ−Ｓｉ：Ｆ膜を作成すること
ができ、高耐湿性のａ−Ｓｉ：Ｆ膜に覆われた電子写真
感光体を得ることが可能となる。
ン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を所定の厚さに積層する。次いで、
ＳｉＦ4ガスは比較的に不純物を多く含有するため、高
純度のフッ素ガスを選んで、このフッ素ガスをイオンガ
ンによって真空中でイオン化し、該フッ素イオンをａ−
Ｓｉ：Ｈ層に打ち込んで所定の厚さたとえば0.5〜５μ
ｍのａ−Ｓｉ：Ｆ層を形成する。Ｆ（フッ素）はＨに比
べてＳｉとの親和力が強いため、ａ−Ｓｉ：Ｈ層に打ち
込んだＦがＳｉと結合してＳｉ−Ｆ結合を形成する。こ
のようにして、高品位のａ−Ｓｉ：Ｆ膜を作成すること
ができ、高耐湿性のａ−Ｓｉ：Ｆ膜に覆われた電子写真
感光体を得ることが可能となる。
従来のａ−Ｓｉ：Ｆはａ−Ｓｉ：Ｈに比べトラップ準位
が多く且つＦが侵食性を有するため、成膜の条件を制御
することが困難であった。これはａ−Ｓｉ：Ｆを形成す
るに際し、不純物を比較的に多く含有するＳｉＦ4ガス
を用いためであり、膜の不純物および構造上の欠陥を有
する結晶が晶出し、バンドギャップ中のトラップ準位が
増加しているためである。本発明によれば、高純度のＦ
ガスをイオン化してａ−Ｓｉ：Ｈと置換結合してａ−Ｓ
ｉ：Ｆ膜するので、トラップ準位の少ない感光体を製造
することができる。
が多く且つＦが侵食性を有するため、成膜の条件を制御
することが困難であった。これはａ−Ｓｉ：Ｆを形成す
るに際し、不純物を比較的に多く含有するＳｉＦ4ガス
を用いためであり、膜の不純物および構造上の欠陥を有
する結晶が晶出し、バンドギャップ中のトラップ準位が
増加しているためである。本発明によれば、高純度のＦ
ガスをイオン化してａ−Ｓｉ：Ｈと置換結合してａ−Ｓ
ｉ：Ｆ膜するので、トラップ準位の少ない感光体を製造
することができる。
以下、本発明の実施例を挙げて説明する。
〈実施例１〉 本発明の製造方法の実施例を図に基づいて説明する。
第１図は本発明の実施に用いられる製造装置の一例を示
す概要図である。
す概要図である。
この製造装置は、真空チャンバ１内の上部に固定された
基板ホルダ２に基板３が保持され、基板ホルダ２内に内
蔵したヒータ４により基板３を加熱できるようになって
おり、この基板３に対向して真空チャンバ１内の上部に
固定されたカソード電極５上にシリコンターゲット６が
載置されている。さらに、真空チャンバ１内の両側には
図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を介して
Ａｒ−Ｈ2ガスを導入する導入管７および基板３に向け
てＦ2イオンガス８がそれぞれ設けられて構成されてい
る。
基板ホルダ２に基板３が保持され、基板ホルダ２内に内
蔵したヒータ４により基板３を加熱できるようになって
おり、この基板３に対向して真空チャンバ１内の上部に
固定されたカソード電極５上にシリコンターゲット６が
載置されている。さらに、真空チャンバ１内の両側には
図示しないマスフローコントローラ（ＭＦＣ）を介して
Ａｒ−Ｈ2ガスを導入する導入管７および基板３に向け
てＦ2イオンガス８がそれぞれ設けられて構成されてい
る。
このように構成した製造装置を用いて電子写真感光体を
製造するに際し、まず、真空チャンバ１内を１×１０-6
Torrに排気した後、ヒータ４により基板３を２００゜Cに
加熱する。次いて、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
によりＡｒ−５０％Ｈ2の混合ガスを導入し、真空チャ
ンバ１内を５×１０-3Torrに保持し、高周波電源９によ
り基板３とシリコンターゲット６との間に高電圧を印加
した。導入されたＡｒ−５０％Ｈ2の混合ガスはイオン
化してＡｒ+およびＨ+となる。このＡｒ+イオンはシリ
コンターゲット６にスパッタし、Ｓｉを蒸発させると共
にイオン化し、基板３上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を２０μｍ堆
積させた。
製造するに際し、まず、真空チャンバ１内を１×１０-6
Torrに排気した後、ヒータ４により基板３を２００゜Cに
加熱する。次いて、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）
によりＡｒ−５０％Ｈ2の混合ガスを導入し、真空チャ
ンバ１内を５×１０-3Torrに保持し、高周波電源９によ
り基板３とシリコンターゲット６との間に高電圧を印加
した。導入されたＡｒ−５０％Ｈ2の混合ガスはイオン
化してＡｒ+およびＨ+となる。このＡｒ+イオンはシリ
コンターゲット６にスパッタし、Ｓｉを蒸発させると共
にイオン化し、基板３上にａ−Ｓｉ：Ｈ膜を２０μｍ堆
積させた。
その後、更にスパッタリングして約0.2μｍのａ−Ｓｉ
膜を基板３上に形成しながら、Ｆ2イオンガン８による
Ｆイオンを注入してａ−Ｓｉ：Ｆ層をａ−Ｓｉ：Ｈ膜上
に被膜した。
膜を基板３上に形成しながら、Ｆ2イオンガン８による
Ｆイオンを注入してａ−Ｓｉ：Ｆ層をａ−Ｓｉ：Ｈ膜上
に被膜した。
このようにして得られた膜の電子写真特性を第１表に示
す評価条件で測定した。
す評価条件で測定した。
第２図は、波長（ｎｍ）と電子写真感光体の感度（m2／
mJ）との関係を示す線図である。ここで、感度とは表面
電位を半減させる必要な光のエネルギーの逆数で定義さ
れ、この値（m2／mJ）が大きい程高感度であることを示
す。
mJ）との関係を示す線図である。ここで、感度とは表面
電位を半減させる必要な光のエネルギーの逆数で定義さ
れ、この値（m2／mJ）が大きい程高感度であることを示
す。
図から明らかなように、従来のａ−Ｓｉ：Ｈ膜上にＳｉ
Ｏ2を0.2μｍオーバコートした感光体では放射状の感度
特性を示し、波長５５０ｎｍ以下で著しく感度が低下し
ている。一方、本発明によるａ−Ｓｉ：Ｈ膜上にａ−Ｓ
ｉ：Ｆを0.2μｍオーバコートした感光体は、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜上にオーバコートしない感光体の感度特性とほ
ぼ同等であり、特に短波長での感度の差がないことがわ
かる。したがって、本発明におけるａ−Ｓｉ：Ｆ膜が良
好なオーバーコート材であることが判明した。
Ｏ2を0.2μｍオーバコートした感光体では放射状の感度
特性を示し、波長５５０ｎｍ以下で著しく感度が低下し
ている。一方、本発明によるａ−Ｓｉ：Ｈ膜上にａ−Ｓ
ｉ：Ｆを0.2μｍオーバコートした感光体は、ａ−Ｓ
ｉ：Ｈ膜上にオーバコートしない感光体の感度特性とほ
ぼ同等であり、特に短波長での感度の差がないことがわ
かる。したがって、本発明におけるａ−Ｓｉ：Ｆ膜が良
好なオーバーコート材であることが判明した。
〈実施例２〉 この実施例は感光体におけるａ−Ｓｉ：Ｈ膜の厚さを２
０μｍと一定にし、ａ−Ｓｉ：Ｆのオーバーコートの厚
さを0.1〜１５μｍの範囲で種々変えた膜を作成して、
それぞれの電子写真特性を比較したものである。なお、
露光波長は４００ｎｍとして、各々の感度の膜厚依存性
を求めた。
０μｍと一定にし、ａ−Ｓｉ：Ｆのオーバーコートの厚
さを0.1〜１５μｍの範囲で種々変えた膜を作成して、
それぞれの電子写真特性を比較したものである。なお、
露光波長は４００ｎｍとして、各々の感度の膜厚依存性
を求めた。
第３図はａ−Ｓｉ：Ｆのオーバーコート層の厚さ（μ
ｍ）と感度（m2／mJ）との関係を示す線図である。
ｍ）と感度（m2／mJ）との関係を示す線図である。
図から明らかなように、感光体の感度はオーバーコート
の厚さが0.5μｍ以上となると低下する傾向を示し、従
来の電子写真感光体の感度と同等又はそれ以上の特性を
得るには0.1〜１５μｍの範囲の膜厚が必要であること
がわかる。
の厚さが0.5μｍ以上となると低下する傾向を示し、従
来の電子写真感光体の感度と同等又はそれ以上の特性を
得るには0.1〜１５μｍの範囲の膜厚が必要であること
がわかる。
また、３０゜C，８０％の高湿条件で、従来のオーバーコ
ートなしの感光体および本発明により製造した感光体を
用いる複写機を用いて１万枚印刷して画像ぼけの発生状
況を調査した。その結果、従来の感光体では１００枚の
印刷で画像ぼけが発生したのに対し、本発明により製造
した感光体では１万枚の印刷でも画像ぼけが発生しない
ことが判明した。
ートなしの感光体および本発明により製造した感光体を
用いる複写機を用いて１万枚印刷して画像ぼけの発生状
況を調査した。その結果、従来の感光体では１００枚の
印刷で画像ぼけが発生したのに対し、本発明により製造
した感光体では１万枚の印刷でも画像ぼけが発生しない
ことが判明した。
以上からａ−Ｓｉ：Ｆは高耐湿膜であることが示された
が、この膜は高抵抗であるため基板とａ−Ｓｉ：Ｈ膜間
にブロッキング層として用いると、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ
−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造をとり、より改良な感光体の特性向上になることが
推測される。
が、この膜は高抵抗であるため基板とａ−Ｓｉ：Ｈ膜間
にブロッキング層として用いると、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ
−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造をとり、より改良な感光体の特性向上になることが
推測される。
次に、ａ−Ｓｉ：Ｆ膜をブロッキング層として用いた電
子写真感光体の実施例を示す。
子写真感光体の実施例を示す。
〈実施例３〉 第４図は、ブロッキング層としてのａ−Ｓｉ：Ｆ膜を厚
さを0.1〜１５μｍと変えて作製したサンドイッチタイ
プ（Ａ／ａ−Ｓｉ：Ｆ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：
Ｆ）の感光体の特性の一例を示す。なお、ここで、ａ−
Ｓｉ：Ｈは２０μｍ表面のオーバーコート層のａ−Ｓ
ｉ：Ｆ層は0.5μｍである。
さを0.1〜１５μｍと変えて作製したサンドイッチタイ
プ（Ａ／ａ−Ｓｉ：Ｆ／ａ−Ｓｉ：Ｈ／ａ−Ｓｉ：
Ｆ）の感光体の特性の一例を示す。なお、ここで、ａ−
Ｓｉ：Ｈは２０μｍ表面のオーバーコート層のａ−Ｓ
ｉ：Ｆ層は0.5μｍである。
ブロッキング層の特性を判定するには、帯電後の表面電
位の暗減衰率（暗減衰率とは初期表面電位Ｖ0と５秒後
の表面電位Ｖ5とするとＶ5／Ｖ0で定義し、その値が大
きい程高性能である）及び露光後の表面電位（残留電位
といい、この値が小さい程高性能である）の変化を調べ
る必要がある。図に示すように、暗減衰はブロッキング
層の膜厚と共に向上する。一方、残留電位は膜厚が0.1
〜５μｍでは１０Ｖと一定であるが、これ以上の膜厚で
はしだいに高くなり、１５μｍでは２００Ｖとなる。暗
減衰と残留電位のブロッキング層厚さの関係は相反する
が、厚さ0.1〜５μｍに良好な範囲であることが判明さ
れた。
位の暗減衰率（暗減衰率とは初期表面電位Ｖ0と５秒後
の表面電位Ｖ5とするとＶ5／Ｖ0で定義し、その値が大
きい程高性能である）及び露光後の表面電位（残留電位
といい、この値が小さい程高性能である）の変化を調べ
る必要がある。図に示すように、暗減衰はブロッキング
層の膜厚と共に向上する。一方、残留電位は膜厚が0.1
〜５μｍでは１０Ｖと一定であるが、これ以上の膜厚で
はしだいに高くなり、１５μｍでは２００Ｖとなる。暗
減衰と残留電位のブロッキング層厚さの関係は相反する
が、厚さ0.1〜５μｍに良好な範囲であることが判明さ
れた。
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、電子
写真感光体の製造方法を、高純度のフッ素ガスをイオン
ガスによって真空中でイオン化し、導電性基板上に形成
したａ−Ｓｉ：Ｈ膜表面に打ち込んで、置換結合により
ａ−Ｓｉ：Ｆ膜を表面に形成するものとするので、トラ
ップ準位の少ない、短波長でも高感度を発揮し、高湿性
に優れた感光体を製造でき、従ってこの製造方法は効果
に大なるものがある。
写真感光体の製造方法を、高純度のフッ素ガスをイオン
ガスによって真空中でイオン化し、導電性基板上に形成
したａ−Ｓｉ：Ｈ膜表面に打ち込んで、置換結合により
ａ−Ｓｉ：Ｆ膜を表面に形成するものとするので、トラ
ップ準位の少ない、短波長でも高感度を発揮し、高湿性
に優れた感光体を製造でき、従ってこの製造方法は効果
に大なるものがある。
第１図は、本発明の電子写真感光体の製造に用いる製造
装置の一例を示す概要図、第２図は波長と感光体の感度
との関係を示す線図、第３図は本発明の感光体のオーバ
ーコート層の厚さと感度との関係を示す線図、第４図は
本発明の感光体におけるブロッキング層の厚さと暗減衰
率および残留電位との関係を示す線図である。 １…真空チャンバー、３…基板、６…シリコンターゲッ
ト、８…イオンガン。
装置の一例を示す概要図、第２図は波長と感光体の感度
との関係を示す線図、第３図は本発明の感光体のオーバ
ーコート層の厚さと感度との関係を示す線図、第４図は
本発明の感光体におけるブロッキング層の厚さと暗減衰
率および残留電位との関係を示す線図である。 １…真空チャンバー、３…基板、６…シリコンターゲッ
ト、８…イオンガン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/265 31/08 (72)発明者 成瀬 恵 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大野 俊之 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式会 社日立製作所日立研究所内 (56)参考文献 特開 昭59−102244（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−36873（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−128691（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−52178（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−153946（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】導電性基板上に積層した水素を含むアモル
ファス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）層の表面にフッ素を
含むアモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ：Ｆ）層を形成
した電子写真感光体を製造する方法において、前記ａ−
Ｓｉ：Ｆ層を、高純度のフッ素ガスをイオンガスにより
真空中でイオン化し、該フッ素イオンを前記ａ−Ｓｉ：
Ｈ層に打ち込んで形成することを特徴とする電子写真感
光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000438A JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59000438A JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60144751A JPS60144751A (ja) | 1985-07-31 |
| JPH065390B2 true JPH065390B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=11473813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59000438A Expired - Lifetime JPH065390B2 (ja) | 1984-01-05 | 1984-01-05 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065390B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61275851A (ja) * | 1985-05-31 | 1986-12-05 | Fuji Xerox Co Ltd | 光導電部材の作成方法 |
| CN113745099A (zh) * | 2021-09-06 | 2021-12-03 | 长江存储科技有限责任公司 | 多晶硅层、其制作方法以及半导体器件 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562778A (en) * | 1978-11-02 | 1980-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Preparation of photoconductor film |
| JPS5752178A (en) * | 1980-09-13 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
| JPS59102244A (ja) * | 1982-12-04 | 1984-06-13 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 感光体及びその製造方法 |
-
1984
- 1984-01-05 JP JP59000438A patent/JPH065390B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60144751A (ja) | 1985-07-31 |
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