JPS60235151A - 感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 １、産業上の利用分野 本発明は感光体、例えば電子写真感光体に関するもので
ある。

２、従来技術 従来、電子写真感光体として、Ｓｅ、又はＳｅにＡｓ、
　Ｔｅ％Ｓｂ等をドープした感光体、ＺｎＯやＣｄＳを
樹脂バインダーに分散させた感光体等が知られている。

　しかしながらこれらの感光体は、環境汚染性、熱的安
定性、機械的強度の点で問題がある。

一方、アモルファスシリコン（ａ　−ｓ＋　）ヲ母体と
して用いた電子写真感光体が近年になって提案されてい
る。　ａ−８ｉは、８１−８１の結合手が切れたいわゆ
るダングリングボンドを有しており、この欠陥に起因し
てエネルギーギャップ内に多くの局在順位が存在する。

　このために、熱励起担体のホッピング伝導が生じて暗
抵抗が小さく、また光励起担体が局在準位にトラップさ
れて光導電性が悪くなっている。　そこで、上記欠陥を
水素原子（Ｈ）で補償してＳｔにＨな結合させることに
よって、ダングリングボンドを埋めることが行われる。

このようなアモルファス水素化シリコン（以下、ａ−８
ｉ：Ｈと称する。）の暗所での抵抗率は１０〜１０Ｉｌ
Ω−副であって、アモルファスＳｅと比較すれば約１万
分の１も低い。　従って、ａ−８１：Ｈの単層からなる
感光体は表面電位の暗減衰速度が大きく、初期帯電電位
が低いという問題点を有している。

しかし他方では、可視及び赤外領域の光を照射すると抵
抗率が大きく減少するため、感光体の感光層として極め
て優れた特性を有している。

第１図には、上記のａ−８３：Ｈを母材としたａ　−Ｓ
ｔ系悪感光体組込んだ電子写真複写機が示されている。

　この複写機によれば、キャビネット１の上部には、原
稿２を載せるガラス製原稿載置台３と、原稿２を覆うプ
ラテンカバー４とが配されている。　原稿台３の下方で
は、光源５及び第１反射用ミラー６を具備した第１ミラ
ーユニツト７からなる光学走査台が図面左右方向へ直線
移動可能に設けられており、原稿走査点と感光体との光
路長を一定にするための第２ミラーユニツ）２０が第１
ミラーユニツトの速度に応じて移動し、原稿台３側から
の反射光がレンズ２１、反射用ミラー８を介して像担持
体としての感光体ドラム９上へスリット状に入射するよ
うになっている。　ドラム９の周囲には、コロナ帯電器
１０、現像器１１、転写部１２、分離部１３、クリーニ
ング部１４が夫々配置されており、給紙箱１５から各給
紙ローラー１６．１７を経て送られる複写紙１８はドラ
ム９のトナー像の転写後に更に定着部１９で定着され、
トレイ３５へ排紙される。　定着部１９では、ヒーター
２２を内蔵した加熱ローラー２３と圧着ローラー２４と
の間に現像済みの複写紙を通して定着操作を行なう。

しかしながら、ａ−８ｔ：Ｈを表面とする感光体は、長
期に亘って大気や湿気に曝されることによる影響、コロ
ナ放電で生成される化学種の影響等の如き表面の化学的
安定性に関して、これ迄十分な検討がなされていない。

　例えば１力月以上放置したものは湿気の影響を受け、
受容電位が著しく低下することが分っている。　一方、
アモルファス水素化炭化シリコン（以下、ａ−８ｉＣ：
Ｈと称する。）について、その製法や存在が−Ｐｈ　ｉ
　ｌ　、　Ｍａｇ、　Ｖｏｌ、３５’（１９７８）等に
記載されており、その特性として、耐熱性や表面硬度が
高いこと、＆−８ｔ：Ｈと比較して高い暗所抵抗率（１
０１２〜１０１３Ω−ｔＹｎ）を有すること、炭素量に
より光学的エネルギーギャップが１．６〜２．８ｅＶの
範囲に亘って変化すること等が知られている。　但、炭
素の含有によりバンドギャップが拡がるために長波長感
度が不良となるという欠点がある。

こうしたａ−８ｉＣ：Ｈとｔｈ−８ｉ：Ｈとを組合せた
電子写真感光体は例えば特開昭５５−１２７０８号公報
において提案されている。　これによれば、ａ−８１：
Ｈ層を電荷発生（光導電）層とし、この電荷発生層下に
ａ−８ｉＣ：Ｈ層を電荷輸送層として設けた機能分離型
の２層構造を作成し、上層のａ−８ｔ：Ｈにより広い波
長域での光感度を得、かつａ−８１：Ｈ層とへテロ接合
を形成する下層のａ−８ｉＣ：Ｈにより帯電電位の向上
を図っている。　しかしながら、ａ−８１：Ｈ層の暗減
衰を充分に防止できず、帯電電位はなお不充分であって
実用性のあるものとはならない。

一方、特開昭５７−５２１７８号公報には、ａ−８１：
Ｈからなる電荷発生層上に第１のａ−８ｉＣ：Ｈ層を表
面改質層として形成し、裏面上（支持体電極側）に第２
のａ−８ｉＣＣＨ層を電荷ブロッキング層として形成し
ている。

ところが、公知の感光体においては、特にａ−ＳｉＣ：
Ｈ電荷ブロッキング層について次の如き問題点があるこ
とが判明した。

即ち、公知のａ−８ＩＣ：Ｈは暗抵抗ρＤの温度依存性
が大きく、このために高温では帯電電位の保持特性が劣
化して実用に供し得なくなり、しかも画像流れも生じ易
い。

３、発明の目的 本発明の目的は、高い帯電電位を安定に（特に高温又は
高湿下で）保持でき、かつ光疲労特性に優れた感光体を
提供することにある。

４、発明の構成及びその作用効果 即ち、本発明による感光体は、アモルファス水素化及び
／又はフッ素化シリコンからなる電荷発生層下に、アモ
ルファス水素化及び／又はフッ素化炭化シリコンからな
る電荷ブロッキング層が設けられている感光体において
、前記電荷発生層が周四表第ｍａ族元素の含有によって
真性化されており、かつ前記電荷ブロッキング層が１〜
２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素（但、シリコン原子と炭素原
子と酸素原子との合ｄ１原子数をＺｏｏ　ａｔｏｍ１ｃ
％とする。）を含有していることを特徴とするものであ
る。

本発明によれば、機能分離型の感光体であって、その電
荷ブロッキング層に１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸素を含
有せしめているので、電荷ブロッキング能を発揮させな
がら、ρ９を効果的に上昇させてρ。の温度依存性（ｄ
ｐＤ／ｄＴ　）を小さく抑えることができる。　このた
め、帯電電位の保持特性が向上し、感光体の使用可能な
上限温度（上限湿度も同様）を高めることができるので
ある。　仮に、上記酸素含有量が１　ａｔｏｍｉｃ％未
満であると酸素含有による効果が発揮されず、また２０
ａｔｏｍｉｃ％を越えると酸素が多すぎてキャリアのモ
ビリティ、即ち（μτ）が著しく低下してしまう。　従
って、酸素含有量を１〜２０ａｔｏｍｉｃ％に設定する
ことが必須不可決であり、特に５〜１５　ａｔｏｍｉｃ
％とするのが望ましい。

更に、上記電荷発生層は周期表第１’ｌａ族元素の含有
によって真性化されているので、高抵抗化（固有抵抗１
０′１〜１０″Ω−、）され、感光体の帯電電位を良好
に保持するのに寄与している。

５、実施例 以下、本発明を実施例について詳細に説明する。

第２図は本実施例によるａ−８ｔ系電子写真感光体３９
を示すものである。　この感光体３９はＡｔ等のドラム
状導電性支持基板４１上に、酸素を１〜２０　ａｔｏｍ
ｉｃ％含有するａ−８ｉＣ：Ｈからなる電荷ブロッキン
グ層４４と、周期表第ｍａ族元素、例えばホウ素がドー
プされたａ−８ｔ：ｗＪ＞らなる置型（真性化された）
電荷発生層４３と、必要に応じて設けられかつアモルフ
ァス水素化炭化又は窒化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｈ又は
ａ−８ＩＮ：Ｈ）或いは８１０．等の無機物質からなる
表面改質層４５とが積層された構造からなっている。　
電荷発生層４３は暗所抵抗率ρＤと光照射時の抵抗率ρ
Ｌとの比が電子写真感光体として充分大きく光感度（特
；：可視及び赤外領域の光に対するもの）が良好である
。　また、周期表第ｍａ族元素、例えばホウ素を流量比
（ＢｚＨｓ　／　ＳｉＨ４）　＝　１〜１００　ｐｐｍ
でドーピングすることによって真性化すなわちｌ型化（
固有抵抗を１０〜１０　Ω−ｃｍ　）　Ｌ、高抵抗化で
きる。

この感光体３９においてはまた、本発明に基いて、ａ−
８ｉＣ：Ｈからなる電荷ブロッキング層４４に酸素原子
をＳｉ＋Ｃ＋０の総原子数１００　ａｔｏｍｉｃ％に対
し、１〜２０　ａｔｏｍｉ　ｃ％金含有しめている。　
この含有量範囲の酸素によって、電荷ブロッキング層４
２のρＤが高温（又は高湿）下でも高くなり、感光体と
しての帯電電位保持能が安定に保持される。

電荷ブロッキング層４４の炭素原子含有量は３０〜７０
　ａｔｏｍｉｃ％（Ｓｉ＋Ｃの総原子数を１００　ａｔ
ｏｍｉｃ％とする。）であるのが望ましく、またその膜
厚は４００〜４０００人とするのが適切である。

また、上記した各層の厚みについては、電荷発生層４２
は１０〜３０μ譚、ブロッキング層４４は４００人〜４
０００　又とするのがよい。　電荷発生層４３が１０μ
扉未満であると帯電電位が充分でなく、また３０μ簿を
越えることは実用上不充分である。　ブロッキング層４
４も４００Ｘ未満であるとブロッキング効果が弱く、ま
た、４０００　Ｘを越えると電荷輸送能が不良となり易
い。

上記表面改質層４５は感光体の表面を改質してａ−ｓｉ
系悪感光体実用的に優れたものとするために設けるとよ
い。　即ち、表面での電荷保持と、光照射による表面電
位の減衰という電子写真感光体としての基本的な動作を
可能とするものである。

従って、帯電、光減衰の繰返し特性が非常に安定となり
、長期間（例えば１力月以−ヒ）放置しておいても良好
な電位特性を再現できる。　ａ−Ｓｔ：Ｈを表面とした
感光体の場合には、湿気、大気、オゾン雰囲気等の影響
を受け易く、電位特性の経時変化が生じ易くなる。　ま
た、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈからなる表面改
質層４５は表面硬度が高いために、現像、転写、クリー
ニング等の工程における耐摩耗性があり、更に耐熱性も
良いことから粘着転写等の如く熱を付与するプロセスを
適用することができる。

このような優れた効果を総合的に奏するためには、ａ−
８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ＩＮ：Ｈの炭素又は窒素組成を選
択することが重要である。　即ち、炭素又は窒素原子含
有附がｓｉ＋ｃ（又はＮ　）　−１００％としたとき１
０〜７０　ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。

Ｃ又はＮ含有量が１０％以上であると、」１記した比抵
抗が所望の値となり、かつ光学的エネルギーギャップが
ほぼ２．ＯａＶ以上となり、可視及び赤外光に対しいわ
ゆる光学的に透明な窓効果により照射光はａ−８１：Ｈ
層（電荷発生層）４３に到達し易くなる。　しかし、Ｃ
又はＮ含有量が１０％未満では、比抵抗が所望の値以下
となり易く、かつ一部分の光は表面層４５に吸収され、
感光体の光感度が低下し易くなる。　また、Ｃ又はＮ含
有量が７０％を越えると層の炭素又は窒素量が多くなり
、半導体特性が失なわれ易い上にａ−８ｉＣ：Ｈ膜又は
ａ−８ＩＮ：Ｈ膜をグロー放電法で形成するときの堆積
速度が低下し易いので、Ｃ又はＮ含有量は７０％以下と
するのがよい。

また、ａ−８ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈ層４５の膜厚
を４００Ｘ≦ｔ≦５０００Ｘの範囲内（特に４００５Ｌ
≦ｔ〈２０００Ｘ）に選択することも重要である。　即
ち、その膜厚が５０００　Ｘを越える場合には、残留電
位ｖＲが高くなりすぎかつ光感度の低下も生じ、ａ−８
１系感光体としての良好な特性を失い易い。　また、膜
厚な４００　Ｘ未満とした場合には、トンネル効果によ
って電荷が表面上に帯電されなくなるため、（１１） 暗減衰の増大や光感度の低下が生じてしまう。

なお、上記の各層は水素を含有することが必要である。

　特に、電荷発生層４３中の水素含有■は、ダングリン
グボンドを補償して光導電性及び電荷保持性を向上させ
るために必須不可欠であって、１０〜３０　ａｔｏｍｉ
ｃ％であるのが望ましい。この含有量範囲は表面改質ｌ
Ｉ４４５、ブロッキング層４４も同様である。　また、
電荷発生層４３へのドーピング不純物として、ボロン以
外にもＡｔ、　Ｇａ、　Ｉｎ％Ｔｔ等の周期表第１ＩＩ
　ａ族元素を使用できる。

次に、上記した感光体（例えばドラム状）の製造方法及
びその装置（グロー放電装置）を第３図について悦明す
る。

この装置５１の真空槽５２内では、ドラム状の基板４１
が垂直に回転可能にセットされ、ヒーター５５で基板４
１を内側から所定温度にυ口熱し得るようになっている
。　基板４１に対向してその周囲に、ガス導出口５３付
きの円筒状高周波電極５７が配され、基板４１との間に
高周波電源５６によりグロー放電が生ぜしめられる。　
なお、図中の６２はＳｉＨ４又はガス（１２） 状シリコン化合物の供給源、６３はＯ７又はガス状酸素
化合物の供給源、６４はＣＨ，等の炭化水素ガス又はＮ
Ｈ，、Ｎ、等の窒素化合物ガスの供給源、６５はＡｒ等
のキャリアガス供給源、６６は不純物ガス（例えばＢ、
Ｈ，）供給源、６７は各流量計である。　このグロー放
電装置において、まず支持体である例えばＡｔ基板４１
の表面を清浄化した後に真空槽５２内に配置し、真空槽
５２内のガス圧１０　Ｔｏｒｒとなるように調節して排
気し、かつ基板４１を所定温度、特に１００〜３５０℃
（望ましくは１５０〜３００　℃）に加熱保持する。　
次いで、高純度の不活性ガスをキャリアガスとして、Ｓ
ｉＨ４又はガス状シリコン化合物、Ｂ、　Ｈ６、ＣＨ，
（又はＮＨ，、Ｎ、　）、Ｏ２を適宜真空槽５２内に導
入し、例えば０．０１〜１０Ｔｏｒｒの反応圧下で高周
波電源５６により高周波電圧（例えば１３．５６　ＭＨ
ｚ　）を印加する。　これによって、上記各反応ガスを
電極５７と基板４１との間でグロー放電分解し、０含有
ａ−８ｉＣ：Ｈ，ボロンドープドａ−８１：Ｈ，ａ−８
ｉＣ：Ｈ又はａ−８ｉＮ：Ｈを上記の層４４．４３．４
５として基板上に連続的に（即ち、第２図の例に対応し
て）堆積させる。

上記製造方法においては、支持体上にａ−８ｉ系の層を
製膜する工程で支持体温度を１００〜３５０℃としてい
るので、感光体の膜質（特に電気的特性）を良くするこ
とができる。

なお、上記ａ−８ｉ系感光体の各層の形成時に於て、ダ
ングリングボンドを補償するためには、」二重したＨの
代りに、或いはＨと併用してフッ素をＳｉＦ４等の形で
導入し、ａ−８ｉ：Ｆ、ａ−８ｌ：Ｈ：Ｆ。

ａ−８ＩＮ：Ｆ、　ａ−８ｉＮ：Ｈ：Ｆ　１　ａ−８ｉ
Ｃ二　Ｆ、ａ−８ｉＣ：Ｈ：Ｆとすることもできる。　
この場合のフッ素量は０．５〜１０ａｔｏｍｉｃ％が望
ましい。

なお、上記の製造方法はグロー放電分解法によるもので
あるが、これ以外にも、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法や、水素放電管で活性化又はイオン化され
た水素導入下でＳｔを蒸発させる方法（特に、本出願人
による特開昭５６−７８４１３号（特願昭５４−１５２
４５５号）の方法）等によっても上記感光体の製造が可
能である。

第４図は、本発明による感光体を上記特開昭５６−７８
４１３号の蒸着法により作成するのに用いる蒸着装置を
示すものである。

ペルジャー７１は、バタフライバルブ７２を有する排気
管７３を介して真空ポンプ（図示せず）を接続し、これ
により当該ペルジャー７１内を例えば１０〜１０Ｔｏｒ
ｒの高真空状態とする。　当該ペルジャー７１内には基
板４１を配置してこれをヒーター７５により温度１００
〜３５０℃、好ましくは１５０〜３００℃に加熱すると
共に、直流電源７６により基板１にθ〜−ｉｏ　ＫＶ。

好ましくは−１〜−６ＫＶの直流負電圧を印加する。

ａ−８ｉ：Ｈ層４３を形成するには、出口が基板４１と
対向するようペルジャー７１に接続して設けた水素ガス
放電管７７より活性水素及び水素イオンをペルジャー７
１内に導入しながら、基板４１と対向するよう設けたシ
リコン蒸発源７８及びアルミニウム蒸発源７９を加熱す
ると共に上方のシャッターＳを開く。　ａ−８ｉＣ：Ｈ
＠４５を形成するには、ＣＨ，の供給下で、シリコンを
蒸発させる。　また、電荷ブロッキング層４４は、更に
０２の供給下でシリコン７８を蒸発させればよい。　Ｃ
Ｈ４，０２は放電管７０を介して活性化（１５） して適宜導入するとよい。

」二重の放電管７７．７０の構造を例えば放電管７７：
二ついて示すと、第５図の如く、ガス人口８１を有する
筒状の一方の電極部材８２と、この一方の電極部組８２
を一端に設けた、放電空間８３を囲む例えば筒状ガラス
製の放電空間部材８４と、この放電空間部材８４の他端
に設けた、出口８５を有するリング状の他方の電極部材
８６とより成り、前記一方の電極部材８２と他方の電極
部材８６との間に直流又は交流の電圧が印加されること
により、ガス人口８１を介して供給された例えば水素ガ
スが放電空間８３（二おし）てグロー放電を生じ、これ
により電子エネルギー的に賦活された水素原子若しくは
分子より成る活性水素及びイオン化された水素イオンが
出口８５よ１）排出される。　この図示の例の放電空間
部材８２は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る
構成を有し、８７．８８が冷却水人口及び出口を示す。

８９は一方の電極部材８２の冷却用フィンである。

上記の水素ガス放電管７７における電極間距離は１０〜
１５ｃｒｎであり、印加電圧は６００Ｖ、放電空間８３
の（１６） 圧力は１０　Ｔｏｒｒ程度とされる。

以下、本発明を具体的な実施例について説明する。

グロー放電分解法により、ドラム状Ａｔ支持体上に第２
図の構造の電子写真感光体を作製した。

即ち、まず、支持体である例えば平滑な表面をもつドラ
ム状Ａｔ基板４１の表面を清浄化した後に、第３図の真
空槽５２内に配置し、真空槽５２内のガス圧か１０　Ｔ
ｏｒｒとなるように調節して排気し、かつ基板４１を所
定温度、特に１００〜３５０℃（望ましくは１５０〜３
００℃）に加熱保持する。　次いで、高純度のＡｒガス
をキャリアガスとして導入し、０．５Ｔｏｒｒの背圧の
もとで周波数１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加し、
１０分間の予備放電を行った。　次いで、Ｓ　ｉ　ＩＩ
、とＣＨ，と０．からなる反応ガスを導入し、流量比４
：１：６：１の（Ａｒ　＋　ＳｉＨ，＋　ＣＨ４＋Ｏ，
）混合ガスをグロー放電分解することにより、０含有電
荷ブロッキング機能を担うブロッキング層４４を形成す
る。　引き続き、ＣＨ４，０，を供給停止し、Ｂ、Ｈ，
を−人しなからＳｉＨ４を放電分解し、所定厚さのａ−
８ｔ：Ｈ層４３を形成した。　引続いて、流量比４：１
：６の（Ａｒ＋ＳｉＨ４＋ＣＨ，）混合ガスと共にグロ
ー放電分解し、所定厚さのａ−８ｉＣ：１（表面保護層
４５を更に設け、電子写真感光体を完成させた。

この感光体を用いて、複写機（Ｕ　−Ｂｉｘ　３０００
改造機：小西六写真工業■製）により画像出しを行なっ
た結果、解像度、階調性がよく、画像濃度が高く、カブ
リのない鮮明な画像が得られた。　また、２０万回の繰
り返し複写を行なっても、安定した良質な画像が続けて
得られた。

即ち、試験に際しては、Ｌ記のようにして作成した電子
写真感光体をエレクトロメーター５Ｐ−４２８型（川口
電機（掬製）に装着し、帯電器の放電電極に対する印加
電圧を＋あるいは一６ＫＶとし、１０秒間帯電操作を行
ない、この帯電操作直後における感光体表面の帯電電位
なりｏ（ｖ）とし、２秒間の暗減衰後、帯電電位を偽に
減資せしめるために必要な照射光量を半減露光ｆｉ：　
Ｅ　’／２　（１ｕｘ−ｓｅｅ　）とした。　表面電位
の光減衰曲線はある有限の電位でフラットとなり、完全
にゼロとならない場合（１９） があるが、この電位を残留電位ＶＲ（Ｖ）と称する。

各層の組成を種々変化させたところ、下記表に示す結果
が得られた。　これによれば、電荷ブロッキング層のＯ
含有酸を１〜２０　ａｔｏｍｉｃ％とし、電荷発生層を
Ｂドープにより真性化すれば、感光体の電子写真特性が
大きく向上し、温度依存性が減少することが分る。　な
お画質については、◎は画像鮮明、○は画像良好、△は
画質が実用上採用可能、×は画質が実用上採用不可を夫
々示す。

（以下余白、次頁へつづく。） （２０）

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電子写真複写機の概略断面図である。 第２図〜第５図は本発明の実施例を示すものであって、 第２図はａ−８ｔ系悪感光の断面図、 第３図はグロー放電装置の概略断面図、第４図は真空蒸
着装置の概略断面図、 第５図はガス放電管の断面図 である。 なお、図面に示された符号において、 ３９・・・・・・・・・・ａ−８１系感光体４１・・・
・・・・・・・支持体（基板）４３・・・・・・・・・
・電荷発生層 ４４・・・・・・・・・・電荷ブロッキング層４５・・
・・・・・・・・表面改質層 ５５・・・・・・・・・・ヒーター ５６・・・・・・・・・・高周波電源 ５７・・・・・・・・・・電　極 ６２〜６６・−・・・・各ガス供給源 （２２） ７０．７７・・・・・・ガス放電管 ７８．７９・・・・・・蒸発源 である。 代理人　弁理士　逢　坂　宏 （２３）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はフッ素化シリコンか
   らなる電荷発生層下に、アモルファス水素化及び／フッ
   素化炭化シリコンからなる電荷ブロッキング層が設けら
   れている感光体において、前記電荷発生層が周期表第１
   １１　ａ族元素の含有によって真性化されており、かつ
   前記電荷ブロッキング層が１〜２０ａｔｏｍｉｃ％の酸
   素（但、シリコン原子と炭素原子と酸素原子との合計原
   子数を１００１００ａｔｏ％とする。）を含有している
   ことを特徴とする感光体。 ２、電荷発生層が、ジボランとモノシランとをジボラン
   ／モノシラン＝１〜１００　ｐｐｍの流璧比で供給する
   条件下でのグロー放電分解によって形成されたものであ
   る、特許請求の範囲の第１項記載した感光体。 ３、電荷ブロッキング層が３０〜７０ａｔｏｍｉｃ％の
   炭素（但、シリコン原子と炭素原子との合計原子数を１
   ００　ａｔｏｍｉｃ％とする。）を特徴する特許請求の
   範囲の第１項又は第２項に記載した感光体。 ４、電荷発生層上に、アモルファス水素化及び／又はフ
   ッ素化炭化（又は窒化）シリコンからなりかつ炭素又は
   窒素含有量が１０〜７０ａｔｏｍｉｃ％（但、シリコン
   原子と炭素又は窒素原子との合計原子数を１００　ａｔ
   ｏｍｉｃ％とする。）である表面改質層が設けられてい
   る、特許請求の範囲の第１項〜第３項のいずれか１項に
   記載した感光体。