JPH0150905B2 - - Google Patents
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- JPH0150905B2 JPH0150905B2 JP55127490A JP12749080A JPH0150905B2 JP H0150905 B2 JPH0150905 B2 JP H0150905B2 JP 55127490 A JP55127490 A JP 55127490A JP 12749080 A JP12749080 A JP 12749080A JP H0150905 B2 JPH0150905 B2 JP H0150905B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
- H10F30/15—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors comprising amorphous semiconductors
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、光（ここでは広義の光で、紫外光
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 ［従来の技術］ 像形成分野に於ける電子写真用像形成部材を構
成する光導電材料としては、高感度で、SN比
〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照射する
電磁波のスペクトル特性を有すること、光応答性
が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、使用時
に於いて人体に対して無公害である事等の特性が
要求される。殊に、事務機としてオフイスで使用
される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像
形成部材の場合には、上記の使用時に於ける無公
害性は重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Siと記す）
があり、例えば、独国公開第2746967号公報、同
第2855718号公報には電子写真用像形成部材とし
て、特開昭55−39404号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されてある。 ［発明が解決しようとする問題点］ 而乍ら、従来のａ―Siで構成された光導電層を
有する電子写真用光導電部材は、暗抵抗値、光感
度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性
及び耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な電子写真用像
形成部材には、生産性、量産性をも加味して仲々
有効に使用し得ないのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、この様な種の電子写真用光導電部
材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用に
よる疲労の蓄積が起る。残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ―Siは、従来のSe，CdS，ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機電子写真用光導
電部材）に較べて、数多くの利点を有するが、従
来の太陽電池用として使用する為の特性が付与さ
れたａ―Siから成る単層構成の光導電層を有する
電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形
成の為の帯電処理を施しても暗減衰（dark
decay）が著しく速く、通常の電子写真法が仲々
適用され難い事、及び多湿雰囲気中に於いては上
記傾向が著しく、場合によつては現像時間まで帯
電々荷を全く保持し得ない事がある等、解決され
得る可き点が存在している事が判明している。 従つて、ａ―Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材に使用される電
子写真用光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括性に鋭意研究検討を続けた結
果、シリコン原子を母体とし水素原子を含有する
アモルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリ
コン（以後ａ―Si；Ｈと記す）から成る光導電層
と、該光導電層を支持する支持体との間に特定の
中間層を介在させる層構成に設計されて作製され
た電子写真用光導電部材は実用的に充分使用し得
るばかりでなく、従来の電子写真用光導電部材と
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用光導電部材として著しく優れ
た特性を有していることを見出した点に基いてい
る。 ［本発明の目的］ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する電子写真用光導電
部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の電子写真
用光導電部材を提供することである。 ［本発明の構成］ 本発明の電子写真用光導電部材は、支持体とシ
リコン原子を母体とし、水素原子を含むアモルフ
アス材料で構成されている光導電層と、これ等の
間に設けられ、支持体側から光導電層中へのキヤ
リアの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記
光導電層中に生じ支持体側に向つて移動するキヤ
リアの光導電層側から支持体側への通過を許す機
能を有する中間層とを備えた電子写真用光導電部
材に於いて、 前記中間層を、シリコン原子及び40乃至
90atomic％の量の炭素原子とを母体とし、ハロ
ゲン原子を１乃至20atomic％の量又はハロゲン
原子と水素原子とを両者の和として１乃至
20atomic％の量含む非光導電性のアモルフアス
材料で構成する事を特徴とする。 以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の電子写真用光導電部材の基
本的な構成例を説明する為に模式的に示した模式
的構成図である。 第１図に示す電子写真用光導電部材１００は、
電子写真用光導電部材用としての支持体１０１の
上に、中間層１０２、該中間層１０２に直接接触
した状態に設けられている光導電層１０３とで構
成される層構造を有し、本発明の最も基本的な例
である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，
Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr，Al，
Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を
設けることによつて導電処理され、或いはポリエ
ステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，
Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の電子写真用光導電部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの電子写真
用光導電部材が形成される様に適宜決定される
が、電子写真用光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、10μm以上とさ
れる。 中間層１０２は、シリコン原子及び炭素原子と
を母体とし、ハロゲン原子（Ｘと記す）を含む非
光導電性のアモルフアス材料〔ａ―（SixC1-x）
ｙ：X1-yと略記する。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１〕で構成され、支持体１０１の側から光導電層
１０３中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且
つ電磁波の照射によつて光導電層１０３中に生
じ、支持体１０１の側に向つて移動するフオトキ
ヤリアの光導電層１０３の側から支持体１０１の
側への通過を容易に許す機能を有するものであ
る。 ａ―（SixC1-x）y：X1-yで構成される中間層１
０２の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される電子写
真用光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるのが、所望する特性
を有する電子写真用光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する中
間層中に導入するのが容易に行える等の利点から
グロー放電法或いはスパツターリング法が好適に
採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ―（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放
電を生起させることでガスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ―（SixC1-x）y：X1-yを堆積さ
せれば良い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y：X1-y形成
用の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なく
とも１つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて、中間層１０２はａ―（Six
C1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、中間層
１０２には更に水素原子を含有させることが出来
る。 中間層１０２への水素原子の含有は、光導電層
１０３との連続層形成の際に原料ガス種の一部共
通化を計ることが出来るので生産コスト面の上で
好都合である。 本発明に於いて、中間層１０２を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとして
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な中間層形成用の物質としては、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水
素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
―ブタン（ｎ―C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテ
ン―２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、
ハロゲン化硅素としては、SiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化
アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の中間層形成物質は、形成される中間層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有
される様に、中間層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の中間層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2或
いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で中間
層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによつてａ―SixC1-x：Cl：Ｈから成
る中間層を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
ハロゲンと必要に応じて水素を構成要素として含
む種々のガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては、先述し
たグロー放電の例で示した中間層形成用の物質が
スパツターリング法の場合にも有効な物質として
使用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち，Si，Ｃ、及びＸ、必要に応じてＨを構成
原子とする物質は、その作成条件によつて構造的
には結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電
気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於
いては非光導電性のａ―（SixC1-x）y：X1-yが形
成される様に、その作成条件の選択が厳密に成さ
れる。 本発明の中間層１０２を構成するａ―（Six
C1-x）y：X1-yは、中間層１０２の機能が支持体１
０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの流入
を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフオ
トキヤリアが移動して支持体１０１側に通過する
のを容易に許すことを果すものであることから、
電気絶縁性的挙動を示すものとして形成される。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に、通過するキヤリアに対
する易動度（mobility）の値を有するものとして
ａ―（SixC1-x）y：X1-yが作成条件の中の重要な
要素として、作成時の支持体温度を挙げる事が出
来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ―（SixC1-x）
ｙ：X1-yからなる中間層１０２を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明に於
いては、目的とする特性を有するａ―（SixC1-x）
y：X1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時
の支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける所望の目的が効果的に達成され
る為の中間層１０２を形成する際の支持体温度と
しては、中間層１０２の形成法に併せて適宜最適
範囲が選択されて、中間層１０２の形成が実行さ
れるが、通常の場合100℃〜300℃、好適には150
℃〜250℃とされるのが望ましいものである。中
間層１０２の形成には、同一系内で中間層１０２
から光導電層１０３、更には必要に応じて光導電
層１０３上に形成される第３の層まで連続的に形
成することが出来る、各層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等の為に、グロー放電法やス
パツターリング法の採用が有利であるが、これ等
の層形成法で中間層１０２を形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ーが作成されるａ―（SixC1-x）y：X1-yの特性を
左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ―（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的
に作成される為の放電パワー条件としては、通常
10〜200W、好適には20〜100Wである。 堆積室内のガス圧は、通常0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の電子写真用光導電部材に於ける中間層
１０２に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、中間層１０２の作製条件と同様、本発明の
目的を達成する所望の特性が得られる中間層が形
成される重要な因子である。 本発明に於ける中間層１０２に含有される炭素
原子の量は、通常は40〜90atomic％、好適には
50〜90atomic％、最適には60〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合１〜20atomic％、好
適には２〜15atomic％とされるのが望ましく、
これ等の範囲にハロゲン含有量がある場合に作成
される電子写真用光導電部材を実際面に充分適用
させ得るものである。必要に応じて含有される水
素原子の含有量としては、通常の場合19atomic
％以下、好適には13atomic％以下とされるのが
望ましいものである。即ち、先のａ―（SixC1-x）
y：X1-yの表示で行えばｘが通常は0.1〜0.47、好
適には0.1〜0.35、最適には0.15〜0.30、ｙが通常
0.99〜0.80、好適には0.99〜0.82、最適には0.98〜
0.85である。 ハロゲン原子と水素原子の両方が含まれる場合
先と同様のａ―（SixC1-x）y：（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示
で行えば、この場合のｘ，ｙの数値範囲もａ―
（SixC1-x）y：X1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 中間層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの光導電層１０３へのキヤ
リアの流入を阻止する働きが充分果たし得なくな
り、又、充分過ぎる程以上に厚いと、光導電層１
０３中に於いて生ずるフオトキヤリアの支持体１
０１の側への通過する確率が極めて小さくなり、
従つて、いずれの場合にも、本発明の目的を効果
的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては通常の場合30〜1000Å、好適
には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成る為
に、中間層１０２上に積層される光導電層１０３
は下記に示す半導体特性を有するａ―Siで構成さ
れる。 ｐ型ａ―Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 p-型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてアクセ
プターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物を
ライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ー濃度の（Nd）が高いもの。 n-型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてドナー
の濃度（Nd）が低い、所謂ｎ型不純物をライ
トリードープしたもの。 ｉ型ａ―Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記した様に光導電層１０３を構成する
ａ―Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のもの
も使用され得るものであるが、一層良好な結果を
得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵抗
が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ωcm
以上となる様に光導電層１０３が形成されるのが
望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
電子写真用光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合には重要な要素である。 本発明に於ける電子写真用光導電部材の光導電
層の層厚としては、目的に適合させて所望に従つ
て適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上のの層厚とされるのが好
ましいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μm、好適に
は２〜50μmの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ―Si：Ｈで構
成された層とするには、これ等の層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中にＨが含有されている」
ということは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈが
イオン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何ら
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリ
コン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によ
つて、それらの化合物を分解して、層の成長に併
せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Siを形成する出発物質がSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素ガスが分
解して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含
有される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトとしてス
パツターリングを行う際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素
化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6，PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の知見によれば、ａ―Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された電子
写真用光導電部材が実際面に於いて充分適用され
得るか否かを左右する大きな要因の一つであつて
極めて重要であることが判明した。 本発明に於いて、形成される電子写真用光導電
部材が実際面に充分適用され得る為には、光導電
層中に含有されるＨの量は通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、或いは両不純
物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば，Ｂ、Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えばＮ，Ｐ，As，
Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
等の不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必隣はないが、出来る限り公
害性のないものを使用するのが好ましい。この様
な観点からすれば、形成される層の電気的・光学
的特性を加味して、例えば，Ｂ，As，Ｐ，Sb等
が最適である。この他に、例えば熱拡散やイオプ
ランテーシヨンによつてLi等がインターステイア
シルドーピングされることでｎ型に制御すること
も可能である。 光導電層中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合には通
常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の電子写真用光導電部材の
別の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成
図が示される。 第２図に示される電子写真用光導電部材２００
は、光導電層２０３の上に、中間層２０２と同様
の機能を有する上部層２０５を設けた以外は、第
１図に示す電子写真用光導電部材１００と同様の
層構造を有するものである。 即ち、電子写真用光導電部材２００は、支持体
２０１の上に中間層１０２と同様の材料で同様の
機能を有する様に形成された中間層２０２と、ａ
―Si：Ｈで構成される光導電層２０３と、該光導
電層２０３上に設けられ自由表面２０４を有する
上部層２０５を具備している。 上部層２０５は、例えば電子写真用光導電部材
２００を自由表面２０４に帯電処理を施して電荷
像を形成する場合の様な使い方をする際、自由表
面２０４に保持される可き電荷が光導電層２０３
中に流入するのを阻止し且つ、電磁波の照射を受
けた際には、光導電層２０３中に発生したフオト
キヤリアと、電磁波の照射を受けた部分の帯電電
荷とがリコンビネーシヨンを起す様に、フオトキ
ヤリアの通過又は帯電電荷の通過を容易に許す機
能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有する必要に応じて水素原子を含むａ―（Six
C1-x）y：X1-yで構成される他ａ―SiaN1-a，ａ―
（SiaN1-a）b：H1-b，ａ―（SiaN1-a）b：（Ｈ＋Ｘ）1
−ｂ，ａ―SicO1-c，ａ―（SicO1-c）d：H1-d，ａ―
（SicO1-c）d：（Ｈ＋Ｘ）1-d等の光導電層を構成する
母体原子であるシリコン原子と窒素原子又は酸素
原子とで構成されるか又は、これ等の原子を母体
とし水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
含むアモルフアス材料、SiNO、Al3O3等の無機
絶縁性材料、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料で構成する
ことも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料として
は、生産性、量産性及び形成された層の電気的及
び使用環境的安定性等の点から、中間層２０２と
同様の特性を有するａ―（SixC1-x）y：X1-yで構
成するか又は、ハロゲン原子を含まないａ―Six
C1-xで構成するのが望ましい。上部層２０５を構
成する材料としては、上記に挙げた物質の他好適
なものとしては、シリコン原子と、Ｃ，Ｎ，Ｏの
中の少なくとも２つの原子を母体とし、ハロゲン
原子か又はハロゲン原子と水素原子とを含むアモ
ルフアス材料を挙げることが出来る。ハロゲン原
子としては、Ｆ，Cl，Br等が挙げられるが、熱
的安定性の点から上記アモルフアス材料の中Ｆを
含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波を照射する様にして電子写真用
光導電部材２００を使用する場合には、照射され
る電磁波が光導電層２０３に充分量到達して、効
率良く、フオトキヤリアの発生を引き起させ得る
様に注意深く成される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合30〜1000Å、好適には50〜600Åとさ
れるのが望ましいものである。 本発明の電子写真用光導電部材を電子写真用像
形成部材として使用する場合にある種の電子写真
プロセスを採用するのであれば、第１図又は第２
図に示される層構成の光導電材の自由表面上に更
に表面被覆層を設ける必要がある。この場合の表
面被覆層は、例えば、特公昭42―23910号公報、
同43―24748号公報に記載されているNP方式の
様な電子写真プロセスを適用するのであれば、電
気的絶縁性であつて、帯電処理を受けた際の静電
荷保持能が充分あつて、ある程度以上の厚みがあ
ることが要求されるが、例えば、カールソンプロ
セスの如き電子写真プロセスを適用するのであれ
ば、静電像形成後の明部の電位は非常に小さいこ
とが望ましいので表面被覆層の厚さとしては非常
に薄いことが要求される。表面被覆層は、その所
望される電気的特性を満足するのに加えて、光導
電層又は上部層に化学的・物理的に悪影響を与え
ないこと、光導電層又は上部層との電気的接触及
び接着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニン
グ性等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成部材として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ピニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ピニリデン、六弗化プ
ロピレン―四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン―弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜40μm程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合10μm以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μm以上とされる。而乍ら、
この保護層と電気絶縁層とを差別する層厚は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる像形成部材の構造によつて、変動するもの
で、先の10μmという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ブ３１０を全開して、堆積室３０１内が排気さ
れ、約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒ
ーター３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン
基板温度を検知しながら入力電圧を変化させ、
200℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７，３２９、及び流入バル
ブ３２０，３２１，３２２，３２４を全開し、フ
ローメーター３１６，３１７，３１８，３２０内
を十分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４
０、バルブ３２５，３２６，３２７，３２９，３
２０，３２１，３２２，３２４を閉じた後、H2
で70vol％に稀釈されたSiF4ガス（純度99.999％）
ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に稀
釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１
を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiF6ガス、C2H4ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで
補助バルブ３４０を徐々に開けた。このときSiF4
ガス流量とC2H4ガス流量比が１：60になるよう
に流入バルブ３２０，３２１を調整した。次にピ
ラニーゲージ３４１の読みを注視しながら補助バ
ルブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１×
10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開けた。
堆積室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認した。続いて高
周波電源３４２のスイツチをON状態にして、誘
導コイル３４３に13.56MHzの高周波電力を投入
し、コイル部（室上部）の堆積室３０１内にグロ
ー放電を発生させ、60Wの入力電力とした。上記
条件で基板上に堆積させる為に１分間条件を保つ
て中間層を形成した。その後、高周波電源３４２
をoff状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２５，３２６を閉じ、次にH2で
50volppmに希釈されたB2H6ガスボンベ３１３の
バルブ３３２、H2で10vol％に希釈されたSiH4ボ
ンベ３１５のバルブ３３４を開け、出口圧ゲージ
３３７，３３９の圧力を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２２，３２４を徐々に開けてフローメー
ター３１８，３２０内へB2H6ガス，SiH4ガスを
流入させた。引続いて流出バルブ３２７，３２９
を徐々に開けた。このときB2H6ガス流量とSiH4
ガス流量比が１：50になるように流入バルブ３２
２，３２４を調整した。次に中間層の形成時と同
様にピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrにな
る様に補助バルブ３４０、メインバルブ３１０の
開口を調整し、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。このときの入力
電力を10Wにし以前より減少させた。こうしてグ
ロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２７，３２９
及び流入バルブ３２０，３２１，３２２，３２４
を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、堆積
室３０１内を10-3Torr以下にした後、メインバ
ルブ３１０を閉じ、堆積室３０１内をリークバル
ブ３４３によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μmであ
つた。こうして得られた電子写真用像形成部材
を、帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで
0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射し
た。光像は、タングステンランプ光源を用い、
0.8lux・secの光量を透過型のテストチヤートを
通して照射させた。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は帯電極地に対する依存性が
なく、両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に種々
変化させた以外は実施例１と全く同様の条件及び
手順によつて試料No.〜で示される電子写真用
像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電
露光実験装置に設置して同様の画像形成を行つた
ところ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に、本発明の
目的を達成するには中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
線、可視光線、赤外光線、Ｘ線、γ線等を示す）
の様な電磁波に感受性のある電子写真用光導電部
材に関する。 ［従来の技術］ 像形成分野に於ける電子写真用像形成部材を構
成する光導電材料としては、高感度で、SN比
〔光電流（Ip）／暗電流（Id）〕が高く、照射する
電磁波のスペクトル特性を有すること、光応答性
が良好で、所望の暗抵抗値を有すること、使用時
に於いて人体に対して無公害である事等の特性が
要求される。殊に、事務機としてオフイスで使用
される電子写真装置内に組込まれる電子写真用像
形成部材の場合には、上記の使用時に於ける無公
害性は重要な点である。 この様な点に立脚して最近注目されている光導
電材料にアモルフアスシリコン（以後Siと記す）
があり、例えば、独国公開第2746967号公報、同
第2855718号公報には電子写真用像形成部材とし
て、特開昭55−39404号公報には光電変換読取装
置への応用が記載されてある。 ［発明が解決しようとする問題点］ 而乍ら、従来のａ―Siで構成された光導電層を
有する電子写真用光導電部材は、暗抵抗値、光感
度、光応答性等の電気的、光学的、光導電的特性
及び耐湿性等の使用環境特性の点に於いて、更に
改良される可き点が存し、実用的な電子写真用像
形成部材には、生産性、量産性をも加味して仲々
有効に使用し得ないのが実情である。 例えば、電子写真用像形成部材に適用した場合
に、その使用時に於いて残留電位が残る場合が
度々観測され、この様な種の電子写真用光導電部
材は繰返し長時間使用し続けると、繰返し使用に
よる疲労の蓄積が起る。残像が生ずる所謂ゴース
ト現象を発する様になる等の不都合な点が少なく
なかつた。 更には例えば、本発明者等の多くの実験によれ
ば、電子写真用像形成部材の光導電層を構成する
材料としてのａ―Siは、従来のSe，CdS，ZnO或
いはPVCzやTNF等のOPC（有機電子写真用光導
電部材）に較べて、数多くの利点を有するが、従
来の太陽電池用として使用する為の特性が付与さ
れたａ―Siから成る単層構成の光導電層を有する
電子写真用像形成部材の上記光導電層に静電像形
成の為の帯電処理を施しても暗減衰（dark
decay）が著しく速く、通常の電子写真法が仲々
適用され難い事、及び多湿雰囲気中に於いては上
記傾向が著しく、場合によつては現像時間まで帯
電々荷を全く保持し得ない事がある等、解決され
得る可き点が存在している事が判明している。 従つて、ａ―Si材料そのものの特性改良が計ら
れる一方で電子写真用光導電部材を設計する際
に、所望の電気的、光学的及び光導電的特性が得
られる様に工夫される必要がある。 本発明は上記の諸点に鑑み成されたもので、ａ
―Siに就て電子写真用像形成部材に使用される電
子写真用光導電部材としての適用性とその応用性
という観点から総括性に鋭意研究検討を続けた結
果、シリコン原子を母体とし水素原子を含有する
アモルフアス材料、所謂水素化アモルフアスシリ
コン（以後ａ―Si；Ｈと記す）から成る光導電層
と、該光導電層を支持する支持体との間に特定の
中間層を介在させる層構成に設計されて作製され
た電子写真用光導電部材は実用的に充分使用し得
るばかりでなく、従来の電子写真用光導電部材と
較べてみても殆んどの点に於いて凌駕しているこ
と、殊に電子写真用光導電部材として著しく優れ
た特性を有していることを見出した点に基いてい
る。 ［本発明の目的］ 本発明は電気的、光学的、光導電的特性が常時
安定していて、殆んど使用環境に制限を受けない
全環境型であり、耐光疲労に著しく長け、繰返し
使用に際しても劣化現象を起さず、残留電位が全
く又は殆んど観測されない電子写真用光導電部材
を提供することを主たる目的とする。 本発明の別の目的は、光感度が高く、分光感度
領域も略々全可視光域を覆つていて、且つ光応答
性の速い電子写真用光導電部材を提供することで
ある。 本発明の他の目的は、電子写真用の像形成部材
として適用させた場合、通常の電子写真法が極め
て有効に適用され得る程度に、静電像形成の為の
帯電処理の際の電荷保持能が充分あり、且つ多湿
雰囲気中でもその特性の低下が殆んど観測されな
い優れた電子写真特性を有する電子写真用光導電
部材を提供することである。 本発明の更に他の目的は、濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画
像を得る事が容易に出来る電子写真用の電子写真
用光導電部材を提供することである。 ［本発明の構成］ 本発明の電子写真用光導電部材は、支持体とシ
リコン原子を母体とし、水素原子を含むアモルフ
アス材料で構成されている光導電層と、これ等の
間に設けられ、支持体側から光導電層中へのキヤ
リアの流入を阻止し且つ電磁波照射によつて前記
光導電層中に生じ支持体側に向つて移動するキヤ
リアの光導電層側から支持体側への通過を許す機
能を有する中間層とを備えた電子写真用光導電部
材に於いて、 前記中間層を、シリコン原子及び40乃至
90atomic％の量の炭素原子とを母体とし、ハロ
ゲン原子を１乃至20atomic％の量又はハロゲン
原子と水素原子とを両者の和として１乃至
20atomic％の量含む非光導電性のアモルフアス
材料で構成する事を特徴とする。 以下、図面に従つて、本発明の電子写真用光導
電部材に就て詳細に説明する。 第１図は、本発明の電子写真用光導電部材の基
本的な構成例を説明する為に模式的に示した模式
的構成図である。 第１図に示す電子写真用光導電部材１００は、
電子写真用光導電部材用としての支持体１０１の
上に、中間層１０２、該中間層１０２に直接接触
した状態に設けられている光導電層１０３とで構
成される層構造を有し、本発明の最も基本的な例
である。 支持体１０１としては、導電性でも電気性でも
電気絶縁性であつても良い。導電性支持体として
は、例えば、NiCr、ステンレス、Al，Cr，Mo，
Au，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd等の金属又はこ
れ等の合金が挙げられる。 電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポ
リエチレン、ポリカーボネート、セルローズ、ア
セテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド等
の合成樹脂のフイルム又はシート、ガラス、セラ
ミツク、紙等が通常使用される。これ等の電気絶
縁性支持体は、好適には少なくともその一方の表
面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。 例えば、ガラスであればその表面にNiCr，Al，
Cr，Mo，Au，Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt，Pd，
In2O3，SnO2，ITO（In2O3＋SnO2）等の薄膜を
設けることによつて導電処理され、或いはポリエ
ステルフイルム等の合成樹脂フイルムであれば、
NiCr，Al，Ag，Pb，Zn，Ni，Au，Cr，Mo，
Ir，Nb，Ta，Ｖ，Ti，Pt等の金属で真空蒸着、
電子ビーム蒸着、スパツタリング等で処理し、又
は前記金属でラミネート処理して、その表面が導
電処理される。支持体の形状としては、円筒状、
ベルト状、板状等、任意の形状として得、所望に
よつて、その形状は決定されるが、例えば、第１
図の電子写真用光導電部材１００を電子写真用像
形成部材として使用するのであれば連続高速複写
の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい。支持体の厚さは、所望通りの電子写真
用光導電部材が形成される様に適宜決定される
が、電子写真用光導電部材として可撓性が要求さ
れる場合には、支持体としての機能が充分発揮さ
れる範囲内であれば可能な限り薄くされる。而乍
ら、この様な場合支持体の製造上及び取扱い上、
機械的強度等の点から、通常は、10μm以上とさ
れる。 中間層１０２は、シリコン原子及び炭素原子と
を母体とし、ハロゲン原子（Ｘと記す）を含む非
光導電性のアモルフアス材料〔ａ―（SixC1-x）
ｙ：X1-yと略記する。但し０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜
１〕で構成され、支持体１０１の側から光導電層
１０３中へのキヤリアの流入を効果的に阻止し且
つ電磁波の照射によつて光導電層１０３中に生
じ、支持体１０１の側に向つて移動するフオトキ
ヤリアの光導電層１０３の側から支持体１０１の
側への通過を容易に許す機能を有するものであ
る。 ａ―（SixC1-x）y：X1-yで構成される中間層１
０２の形成はグロー放電法、スパツターリング
法、イオンインプランテーシヨン法、イオンプレ
ーテイング法、エレクトロンビーム法等によつて
成される。これ等の製造法は、製造条件、設備資
本投下の負荷程度、製造規模、作製される電子写
真用光導電部材に所望される特性等の要因によつ
て適宜選択されて採用されるのが、所望する特性
を有する電子写真用光導電部材を製造する為の作
製条件の制御が比較的容易である、シリコン原子
と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する中
間層中に導入するのが容易に行える等の利点から
グロー放電法或いはスパツターリング法が好適に
採用される。 更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパ
ツターリング法とを同一装置系内で併用して中間
層１０２を形成しても良い。 グロー放電法によつて中間層１０２を形成する
には、ａ―（SixC1-x）y：X1-y形成用の原料ガス
を、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混合比で混
合して、支持体１０１の設置してある真空堆積用
の堆積室に導入し、導入されたガスを、グロー放
電を生起させることでガスプラズマ化して前記支
持体１０１上にａ―（SixC1-x）y：X1-yを堆積さ
せれば良い。 本発明に於いて、ａ―（SixC1-x）y：X1-y形成
用の原料ガスとしては、Si，Ｃ，Ｘの中の少なく
とも１つを構成原子とするガス状の物質又はガス
化し得る物質をガス化したものの中の大概のもの
が使用され得る。 Si，Ｃ，Ｘの中の１つとしてSiを構成原子とす
る原料ガスを使用する場合は、例えばSiを構成原
子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガ
スと、Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混
合比で混合して使用するか、又は、Siを構成原子
とする原料ガスと、Ｃ及びＸを構成原子とする原
料ガスとを、これも又所望の混合比で混合する
か、或いは、Siを構成原子とする原料ガスと、
Si，Ｃ及びＸの３つを構成原子とする原料ガスと
を混合して使用することが出来る。 又、別には、SiとＸとを構成原子とする原料ガ
スにＣを構成原子とする原料ガスを混合して使用
しても良い。 本発明に於いて、ハロゲン原子Ｘとして好適な
のはＦ，Cl，Br，Ｉであり、殊にＦ，Clが望ま
しいものである。 本発明に於いて、中間層１０２はａ―（Six
C1-x）y：X1-yで構成されるものであるが、中間層
１０２には更に水素原子を含有させることが出来
る。 中間層１０２への水素原子の含有は、光導電層
１０３との連続層形成の際に原料ガス種の一部共
通化を計ることが出来るので生産コスト面の上で
好都合である。 本発明に於いて、中間層１０２を形成するのに
有効に使用される原料ガスと成り得るものとして
は、常温常圧に於いてガス状態のもの又は容易に
ガス化し得る物質を挙げることが出来る。 この様な中間層形成用の物質としては、例えば
炭素数１〜４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエ
チレン系炭化水素、炭素数２〜３のアセチレン系
炭化水素、ハロゲン単体、ハロゲン化水素、ハロ
ゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハロゲン置換水
素化硅素、水素化硅素等を挙げる事が出来る。 具体的には、飽和炭化水素としては、メタン
（CH4）、エタン（C2H6）、プロパン（C3H8）、ｎ
―ブタン（ｎ―C4H10）、ペンタン（C5H12）、エ
チレン系炭化水素としては、エチレン（C2H4）、
プロピレン（C3H6）、ブテン―１（C4H8）、ブテ
ン―２（C4H8）、イソブチレン（C4H8）、ペンテ
ン（C5H10）、アセチレン系炭化水素としては、
アセチレン（C2H2）、メチルアセチレン
（C3H4）、ブチン（C4H6）、ハロゲン単体として
は、フツ素、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガ
ス、ハロゲン化水素としては、FH，HI，HCl，
HBr、ハロゲン間化合物としては、BrF，ClF，
ClF3，ClF5，BrF5，BrF3，IF7，IF5，ICl，IBr、
ハロゲン化硅素としては、SiF4，Si2F6，SiCl4，
SiCl3Br，SiCl2Br2，SiClBr3，SiCl3I，SiBr4、
ハロゲン置換水素化硅素としては、SiH2F2，
SiH2Cl2，SiHCl3，SiH3Cl，SiH3Br，SiH2Br2，
SiHBr3、水素化硅素としては、SiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類、等々を
挙げることが出来る。 これ等の他に、CCl4，CHF3，CH2F2，CH3F，
CH3Cl，CH3Br，CH3I，C2H5Cl等のハロゲン置
換パラフイン系炭化水素、SF4，SF6等のフツ素
化硫黄化合物、Si（CH3）4，Si（C2H5）4等のケイ化
アルキルやSiCl（CH3）3，SiCl2（CH3）2，
SiCl3CH3等のハロゲン含有ケイ化アルキル等の
シランの誘導体も有効なものとして挙げることが
出来る。 これ等の中間層形成物質は、形成される中間層
中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子及
びハロゲン原子と必要に応じて水素原子とが含有
される様に、中間層形成の際に所望に従つて選択
されて使用される。 例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子と
の含有が容易に成し得て且つ所望の特性の中間層
が形成され得るSi（CH3）4とハロゲン原子を含有
させるものとしてのSiHCl3，SiCl4，SiH2Cl2或
いはSiH3Cl等を所定の混合比でガス状態で中間
層形成用の装置系内に導入してグロー放電を生起
させることによつてａ―SixC1-x：Cl：Ｈから成
る中間層を形成することが出来る。 スパツターリング法によつて中間層１０２を形
成するには、単結晶又は多結晶のSiウエーハー又
はＣウエーハー又はSiとＣが混合されて含有され
ているウエーハーをターゲツトとして、これ等を
ハロゲンと必要に応じて水素を構成要素として含
む種々のガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて行えば良い。 例えば、Siウエーハーをターゲツトとして使用
すれば、ＣとＸを導入する為の原料ガスを、必要
に応じて稀釈ガスで稀釈して、スパツター用の堆
積室中に導入し、これ等のガスのガスプラズマを
形成して前記Siウエーハーをスパツターリングす
れば良い。 又、別には、SiとＣとは別々のターゲツトとし
て、又はSiとＣの混合した一枚のターゲツトを使
用することによつて、少なくともハロゲン原子を
含有するガス雰囲気中でスパツターリングするこ
とによつて成される。Ｃ及びＸ、必要に応じてＨ
の導入用の原料ガスとなる物質としては、先述し
たグロー放電の例で示した中間層形成用の物質が
スパツターリング法の場合にも有効な物質として
使用され得る。 本発明に於いて、中間層１０２をグロー放電法
又はスパツターリング法で形成する際に使用され
る稀釈ガスとしては、所謂・希ガス、例えばHe，
Ne，Ar等が好適なものとして挙げることが出来
る。 本発明に於ける中間層１０２は、その要求され
る特性が所望通りに与えられる様に注意深く形成
される。 即ち，Si，Ｃ、及びＸ、必要に応じてＨを構成
原子とする物質は、その作成条件によつて構造的
には結晶からアモルフアスまでの形態を取り、電
気物性的には、導電性から半導体性、絶縁性まで
の間の性質を、又光導電的性質から非光導電的性
質までの間の性質を、各々示すので、本発明に於
いては非光導電性のａ―（SixC1-x）y：X1-yが形
成される様に、その作成条件の選択が厳密に成さ
れる。 本発明の中間層１０２を構成するａ―（Six
C1-x）y：X1-yは、中間層１０２の機能が支持体１
０１側から光導電層１０３中へのキヤリアの流入
を阻止し、且つ光導電層１０３中で発生したフオ
トキヤリアが移動して支持体１０１側に通過する
のを容易に許すことを果すものであることから、
電気絶縁性的挙動を示すものとして形成される。 又、光導電層１０３中で発生したフオトキヤリ
アが中間層１０２中を通過する際、その通過がス
ムーズに成される程度に、通過するキヤリアに対
する易動度（mobility）の値を有するものとして
ａ―（SixC1-x）y：X1-yが作成条件の中の重要な
要素として、作成時の支持体温度を挙げる事が出
来る。 即ち、支持体１０１の表面にａ―（SixC1-x）
ｙ：X1-yからなる中間層１０２を形成する際、層
形成中の支持体温度は、形成される層の構造及び
特性を左右する重要な因子であつて、本発明に於
いては、目的とする特性を有するａ―（SixC1-x）
y：X1-yが所望通りに作成され得る様に層作成時
の支持体温度が厳密に制御される。 本発明に於ける所望の目的が効果的に達成され
る為の中間層１０２を形成する際の支持体温度と
しては、中間層１０２の形成法に併せて適宜最適
範囲が選択されて、中間層１０２の形成が実行さ
れるが、通常の場合100℃〜300℃、好適には150
℃〜250℃とされるのが望ましいものである。中
間層１０２の形成には、同一系内で中間層１０２
から光導電層１０３、更には必要に応じて光導電
層１０３上に形成される第３の層まで連続的に形
成することが出来る、各層を構成する原子の組成
比の微妙な制御や層厚の制御が他の方法に較べて
比較的容易である事等の為に、グロー放電法やス
パツターリング法の採用が有利であるが、これ等
の層形成法で中間層１０２を形成する場合には、
前記の支持体温度と同様に層形成の際の放電パワ
ーが作成されるａ―（SixC1-x）y：X1-yの特性を
左右する重要な因子の１つである。 本発明に於ける目的が達成される為の特性を有
するａ―（SixC1-x）y：X1-yが生産性良く効果的
に作成される為の放電パワー条件としては、通常
10〜200W、好適には20〜100Wである。 堆積室内のガス圧は、通常0.01〜1Torr、好適
には0.1〜0.5Torr程度とされるのが望ましい。 本発明の電子写真用光導電部材に於ける中間層
１０２に含有される炭素原子及びハロゲン原子の
量は、中間層１０２の作製条件と同様、本発明の
目的を達成する所望の特性が得られる中間層が形
成される重要な因子である。 本発明に於ける中間層１０２に含有される炭素
原子の量は、通常は40〜90atomic％、好適には
50〜90atomic％、最適には60〜80atomic％とさ
れるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含
有量としては、通常の場合１〜20atomic％、好
適には２〜15atomic％とされるのが望ましく、
これ等の範囲にハロゲン含有量がある場合に作成
される電子写真用光導電部材を実際面に充分適用
させ得るものである。必要に応じて含有される水
素原子の含有量としては、通常の場合19atomic
％以下、好適には13atomic％以下とされるのが
望ましいものである。即ち、先のａ―（SixC1-x）
y：X1-yの表示で行えばｘが通常は0.1〜0.47、好
適には0.1〜0.35、最適には0.15〜0.30、ｙが通常
0.99〜0.80、好適には0.99〜0.82、最適には0.98〜
0.85である。 ハロゲン原子と水素原子の両方が含まれる場合
先と同様のａ―（SixC1-x）y：（Ｈ＋Ｘ）1-yの表示
で行えば、この場合のｘ，ｙの数値範囲もａ―
（SixC1-x）y：X1-yの場合と、略々同様である。 本発明に於ける中間層１０２の層厚の数値範囲
は、本発明の目的を効果的に達成する為の重要な
因子の１つである。 中間層１０２の層厚が充分過ぎる程に薄いと、
支持体１０１の側からの光導電層１０３へのキヤ
リアの流入を阻止する働きが充分果たし得なくな
り、又、充分過ぎる程以上に厚いと、光導電層１
０３中に於いて生ずるフオトキヤリアの支持体１
０１の側への通過する確率が極めて小さくなり、
従つて、いずれの場合にも、本発明の目的を効果
的に達成され得なくなる。 本発明の目的を効果的に達成する為の中間層１
０２の層厚としては通常の場合30〜1000Å、好適
には50〜600Åである。 本発明に於いて、その目的を効果的に達成る為
に、中間層１０２上に積層される光導電層１０３
は下記に示す半導体特性を有するａ―Siで構成さ
れる。 ｐ型ａ―Si：Ｈ…アクセプターのみを含むも
の。或いは、ドナーとアクセプターとの両方を
含み、アクセプターの濃度（Na）が高いもの。 p-型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてアクセ
プターの濃度（Na）が低い所謂ｐ型不純物を
ライトリードープしたもの。 ｎ型ａ―Si：Ｈ…ドナーのみを含むもの。或
いはドナーとアクセプターの両方を含み、ドナ
ー濃度の（Nd）が高いもの。 n-型ａ―Si：Ｈ…のタイプに於いてドナー
の濃度（Nd）が低い、所謂ｎ型不純物をライ
トリードープしたもの。 ｉ型ａ―Si：Ｈ…NaNdＯのもの又は、
NaNdのもの。 本発明に於いては、中間層１０２を設けること
によつて前記した様に光導電層１０３を構成する
ａ―Si：Ｈは、従来に較べて比較的低抵抗のもの
も使用され得るものであるが、一層良好な結果を
得る為には、形成される光導電層１０３の暗抵抗
が好適には５×109Ωcm以上、最適には1010Ωcm
以上となる様に光導電層１０３が形成されるのが
望ましいものである。 殊に、この暗抵抗値の数値条件は、作製された
電子写真用光導電部材を電子写真用像形成部材と
して使用する場合には重要な要素である。 本発明に於ける電子写真用光導電部材の光導電
層の層厚としては、目的に適合させて所望に従つ
て適宜決定される。 本発明に於いては、光導電層の層厚としては、
光導電層の機能及び中間層の機能が各々有効に活
されて本発明の目的が効果的に達成される様に中
間層との層厚関係に於いて適宜所望に従つて決め
られるものであり、通常の場合、中間層の層厚に
対して数百〜数千倍以上のの層厚とされるのが好
ましいものである。 具体的な値としては、通常１〜100μm、好適に
は２〜50μmの範囲とされるのが望ましい。 本発明に於いて、光導電層を、ａ―Si：Ｈで構
成された層とするには、これ等の層を形成する
際、次の様な方法によつてＨを層中に含有させ
る。 ここに於いて、「層中にＨが含有されている」
ということは、「Ｈが、Siと結合した状態」「Ｈが
イオン化して層中に取り込まれている状態」又は
「H2として層中に取り込まれている状態」の何ら
かの又はこれ等の複合されている状態を意味す
る。 光導電層へのＨの含有法としては、例えば層を
形成する際、堆積装置系内にSiH4，Si2H6，
Si3H8，Si4H10等のシラン（Silane）類等のシリ
コン化合物の形で導入し、グロー放電分解法によ
つて、それらの化合物を分解して、層の成長に併
せて含有される。 このグロー放電法によつて、光導電層を形成す
る場合には、ａ―Siを形成する出発物質がSiH4，
Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素化硅素ガスが分
解して層が形成される際、Ｈは自動的に層中に含
有される。 反応スパツターリング法による場合にはHeや
Ar等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースと
した混合ガス雰囲気中でSiをターゲツトとしてス
パツターリングを行う際にH2ガスを導入してや
るか又はSiH4，Si2H6，Si3H8，Si4H10等の水素
化硅素ガス、或いは、不純物のドーピングも兼ね
てB2H6，PH3等のガスを導入してやれば良い。 本発明者等の知見によれば、ａ―Si：Ｈで構成
される光導電層のＨの含有量は、形成された電子
写真用光導電部材が実際面に於いて充分適用され
得るか否かを左右する大きな要因の一つであつて
極めて重要であることが判明した。 本発明に於いて、形成される電子写真用光導電
部材が実際面に充分適用され得る為には、光導電
層中に含有されるＨの量は通常の場合１〜
40atomic％、好適には５〜30atomic％とされる
のが望ましい。 層中に含有されるＨの量を制御するには、例え
ば堆積支持体温度又は／及びＨを含有させる為に
使用される出発物質の堆積装置系内へ導入する
量、放電々力等を制御してやれば良い。 光導電層をｎ型又はｐ型とするには、グロー放
電法や反応スパツターリング法等による層形成の
際に、ｎ型不純物又はｐ型不純物、或いは両不純
物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピ
ングしてやる事によつて成される。 光導電層中にドーピングされる不純物として
は、光導電層をｐ型にするには、周期律表第族
Ａの元素、例えば，Ｂ、Al，Ga，In，Tl等が好
適なものとして挙げられ、ｎ型にする場合には、
周期律表第族Ａの元素、例えばＮ，Ｐ，As，
Sb，Bi等が好適なものとして挙げられる。これ
等の不純物は、層中に含有される量がppmオーダ
ーであるので、光導電層を構成する主物質程その
公害性に注意を払う必隣はないが、出来る限り公
害性のないものを使用するのが好ましい。この様
な観点からすれば、形成される層の電気的・光学
的特性を加味して、例えば，Ｂ，As，Ｐ，Sb等
が最適である。この他に、例えば熱拡散やイオプ
ランテーシヨンによつてLi等がインターステイア
シルドーピングされることでｎ型に制御すること
も可能である。 光導電層中にドーピングされる不純物の量は、
所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決定
されるが、周期律表第族Ａの不純物の場合に
は、通常10-6〜10-3atomic％、好適には10-5〜
10-4atomic％、周期律表第族Ａの場合には通
常10-8〜10-3atomic％、好適には10-8〜
10-4atomic％とされるのが望ましい。 第２図には、本発明の電子写真用光導電部材の
別の実施態様例の構成を説明する為の模式的構成
図が示される。 第２図に示される電子写真用光導電部材２００
は、光導電層２０３の上に、中間層２０２と同様
の機能を有する上部層２０５を設けた以外は、第
１図に示す電子写真用光導電部材１００と同様の
層構造を有するものである。 即ち、電子写真用光導電部材２００は、支持体
２０１の上に中間層１０２と同様の材料で同様の
機能を有する様に形成された中間層２０２と、ａ
―Si：Ｈで構成される光導電層２０３と、該光導
電層２０３上に設けられ自由表面２０４を有する
上部層２０５を具備している。 上部層２０５は、例えば電子写真用光導電部材
２００を自由表面２０４に帯電処理を施して電荷
像を形成する場合の様な使い方をする際、自由表
面２０４に保持される可き電荷が光導電層２０３
中に流入するのを阻止し且つ、電磁波の照射を受
けた際には、光導電層２０３中に発生したフオト
キヤリアと、電磁波の照射を受けた部分の帯電電
荷とがリコンビネーシヨンを起す様に、フオトキ
ヤリアの通過又は帯電電荷の通過を容易に許す機
能を有する。 上部層２０５は、中間層２０２と同様の特性を
有する必要に応じて水素原子を含むａ―（Six
C1-x）y：X1-yで構成される他ａ―SiaN1-a，ａ―
（SiaN1-a）b：H1-b，ａ―（SiaN1-a）b：（Ｈ＋Ｘ）1
−ｂ，ａ―SicO1-c，ａ―（SicO1-c）d：H1-d，ａ―
（SicO1-c）d：（Ｈ＋Ｘ）1-d等の光導電層を構成する
母体原子であるシリコン原子と窒素原子又は酸素
原子とで構成されるか又は、これ等の原子を母体
とし水素原子(H)又は／及びハロゲン原子（Ｘ）を
含むアモルフアス材料、SiNO、Al3O3等の無機
絶縁性材料、ポリエステル、ポリパラキシリレ
ン、ポリウレタン等の有機絶縁性材料で構成する
ことも出来る。 而乍ら、上部層２０５を構成する材料として
は、生産性、量産性及び形成された層の電気的及
び使用環境的安定性等の点から、中間層２０２と
同様の特性を有するａ―（SixC1-x）y：X1-yで構
成するか又は、ハロゲン原子を含まないａ―Six
C1-xで構成するのが望ましい。上部層２０５を構
成する材料としては、上記に挙げた物質の他好適
なものとしては、シリコン原子と、Ｃ，Ｎ，Ｏの
中の少なくとも２つの原子を母体とし、ハロゲン
原子か又はハロゲン原子と水素原子とを含むアモ
ルフアス材料を挙げることが出来る。ハロゲン原
子としては、Ｆ，Cl，Br等が挙げられるが、熱
的安定性の点から上記アモルフアス材料の中Ｆを
含有するものが有効である。 上部層２０５を構成する材料の選択及びその層
厚の決定は、上部層２０５側より光導電層２０３
の感受する電磁波を照射する様にして電子写真用
光導電部材２００を使用する場合には、照射され
る電磁波が光導電層２０３に充分量到達して、効
率良く、フオトキヤリアの発生を引き起させ得る
様に注意深く成される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
前述した機能が充分発揮される様に、層を構成す
る材料、層形成条件等によつて所望に従つて適宜
決定される。 本発明に於ける上部層２０５の層厚としては、
通常の場合30〜1000Å、好適には50〜600Åとさ
れるのが望ましいものである。 本発明の電子写真用光導電部材を電子写真用像
形成部材として使用する場合にある種の電子写真
プロセスを採用するのであれば、第１図又は第２
図に示される層構成の光導電材の自由表面上に更
に表面被覆層を設ける必要がある。この場合の表
面被覆層は、例えば、特公昭42―23910号公報、
同43―24748号公報に記載されているNP方式の
様な電子写真プロセスを適用するのであれば、電
気的絶縁性であつて、帯電処理を受けた際の静電
荷保持能が充分あつて、ある程度以上の厚みがあ
ることが要求されるが、例えば、カールソンプロ
セスの如き電子写真プロセスを適用するのであれ
ば、静電像形成後の明部の電位は非常に小さいこ
とが望ましいので表面被覆層の厚さとしては非常
に薄いことが要求される。表面被覆層は、その所
望される電気的特性を満足するのに加えて、光導
電層又は上部層に化学的・物理的に悪影響を与え
ないこと、光導電層又は上部層との電気的接触及
び接着性、更には耐湿性、耐摩耗性、クリーニン
グ性等を考慮して形成される。 表面被覆層の形成部材として有効に使用される
ものとして、その代表的なのは、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリプロピレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ピニリデン、ポリ
ビニルアルコール、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリ四弗化エチレン、ポリ三弗化塩化エチレン、
ポリ弗化ビニル、ポリ弗化ピニリデン、六弗化プ
ロピレン―四弗化エチレンコポリマー、三弗化エ
チレン―弗化ビニリデンコポリマー、ポリブデ
ン、ポリビニルブチラール、ポリウレタン、ポリ
パラキシリレン等の有機絶縁体、シリコン窒化
物、シリコン酸化物等の無機絶縁体等が挙げられ
る。これ等の合成樹脂又はセルロース誘導体はフ
イルム状とされて光導電層又は上部層の上に貼合
されても良く、又、それ等の塗布液を形成して、
光導電層又は上部層上に塗布し、層形成しても良
い。表面被覆層の層厚は、所望される特性に応じ
て、又、使用される材質によつて適宜決定される
が、通常の場合、0.5〜40μm程度とされる。殊に
表面被覆層が先述した保護層としての機能が要求
される場合には、通常の場合10μm以下とされ、
逆に電気的絶縁層としての機能が要求される場合
には、通常の場合10μm以上とされる。而乍ら、
この保護層と電気絶縁層とを差別する層厚は、使
用材料及び適用される電子写真プロセス、設計さ
れる像形成部材の構造によつて、変動するもの
で、先の10μmという値は絶対的なものではない。 又、この表面被覆層は、反射防止層としての役
目も荷わせれば、その機能が一層拡大されて効果
的となる。 実施例 １ 完全にシールドされたクリーンルーム中に設置
された第３図に示す装置を用い、以下の如き操作
によつて電子写真用像形成部材を作製した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）３０９を支持台３０２上に静置され
たグロー放電堆積室３０１内の所定位置にある固
定部材３０３に堅固に固定した。基板３０９は、
固定部材３０３内の加熱ヒーター３０８によつて
±0.5℃の精度で加熱される。温度は、熱電対
（アルメルークロメル）によつて基板裏面を直接
測定されるようになされた。次いで系内の全バル
ブが閉じられていることを確認してからメインバ
ブ３１０を全開して、堆積室３０１内が排気さ
れ、約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒ
ーター３０８の入力電圧を上昇させ、モリブデン
基板温度を検知しながら入力電圧を変化させ、
200℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ３４０、次いで流出バルブ
３２５，３２６，３２７，３２９、及び流入バル
ブ３２０，３２１，３２２，３２４を全開し、フ
ローメーター３１６，３１７，３１８，３２０内
を十分脱気真空状態にされた。補助バルブ３４
０、バルブ３２５，３２６，３２７，３２９，３
２０，３２１，３２２，３２４を閉じた後、H2
で70vol％に稀釈されたSiF4ガス（純度99.999％）
ボンベ３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に稀
釈されたC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１
を開け、出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１
Kg／cm2に調整し、流入バルブ３２０，３２１を
徐々に開けてフローメーター３１６，３１７内へ
SiF6ガス、C2H4ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２５，３２６を徐々に開け、次いで
補助バルブ３４０を徐々に開けた。このときSiF4
ガス流量とC2H4ガス流量比が１：60になるよう
に流入バルブ３２０，３２１を調整した。次にピ
ラニーゲージ３４１の読みを注視しながら補助バ
ルブ３４０の開口を調整し、室３０１内が１×
10-2Torrになるまで補助バルブ３４０を開けた。
堆積室３０１内圧が安定してから、メインバルブ
３１０を徐々に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指
示が0.5Torrになるまで開口を絞つた。ガス流入
が安定し内圧が安定するのを確認した。続いて高
周波電源３４２のスイツチをON状態にして、誘
導コイル３４３に13.56MHzの高周波電力を投入
し、コイル部（室上部）の堆積室３０１内にグロ
ー放電を発生させ、60Wの入力電力とした。上記
条件で基板上に堆積させる為に１分間条件を保つ
て中間層を形成した。その後、高周波電源３４２
をoff状態とし、グロー放電を中止させた状態で、
流出バルブ３２５，３２６を閉じ、次にH2で
50volppmに希釈されたB2H6ガスボンベ３１３の
バルブ３３２、H2で10vol％に希釈されたSiH4ボ
ンベ３１５のバルブ３３４を開け、出口圧ゲージ
３３７，３３９の圧力を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２２，３２４を徐々に開けてフローメー
ター３１８，３２０内へB2H6ガス，SiH4ガスを
流入させた。引続いて流出バルブ３２７，３２９
を徐々に開けた。このときB2H6ガス流量とSiH4
ガス流量比が１：50になるように流入バルブ３２
２，３２４を調整した。次に中間層の形成時と同
様にピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrにな
る様に補助バルブ３４０、メインバルブ３１０の
開口を調整し、安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。このときの入力
電力を10Wにし以前より減少させた。こうしてグ
ロー放電を更に３時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２７，３２９
及び流入バルブ３２０，３２１，３２２，３２４
を閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、堆積
室３０１内を10-3Torr以下にした後、メインバ
ルブ３１０を閉じ、堆積室３０１内をリークバル
ブ３４３によつて大気圧として基板を取り出し
た。この場合、形成された層の全厚は約9μmであ
つた。こうして得られた電子写真用像形成部材
を、帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで
0.2sec間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射し
た。光像は、タングステンランプ光源を用い、
0.8lux・secの光量を透過型のテストチヤートを
通して照射させた。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果と先の結果から本実施例で得られた電
子写真用像形成部材は帯電極地に対する依存性が
なく、両極性像形成部材の特性を具備しているこ
とが判つた。 実施例 ２ モリブデン基板上に中間層を形成する際のグロ
ー放電保持時間を、下記の第１表に示す様に種々
変化させた以外は実施例１と全く同様の条件及び
手順によつて試料No.〜で示される電子写真用
像形成部材を作成し、実施例１と全く同様の帯電
露光実験装置に設置して同様の画像形成を行つた
ところ下記の第１表に示す如き結果を得た。 第１表に示される結果から判る様に、本発明の
目的を達成するには中間層の膜厚を30Å〜1000Å
の範囲で形成する必要がある。
【表】
◎：優 ○：良 △：実用上使用し得る ×：不可
中間層の膜堆積速度：１Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際に，
SiF4ガス流量とC2H4ガス流量比を下記の第２表
に示す様に種々変化させた以外は実施例１と全く
同様の条件及び手順によつて試料No.〜で示さ
れる電子写真用像形成部材を作成し、実施例１と
全く同様の帯電露光実験装置に設置して同様の画
像形成を行つたところ、下記の第２表に示す如き
結果を得た。試料No.〜に関して、electron
microprobe法により分析したところ、第３表に
示す如き結果を得た。第２表、第３表の結果から
本発明の目的を達成するには中間層におけるSiと
Ｃの組成比ｘを0.1〜0.35の範囲内で形成する必
要がある。
中間層の膜堆積速度：１Å／sec
実施例 ３ モリブデン基板上に中間層を形成する際に，
SiF4ガス流量とC2H4ガス流量比を下記の第２表
に示す様に種々変化させた以外は実施例１と全く
同様の条件及び手順によつて試料No.〜で示さ
れる電子写真用像形成部材を作成し、実施例１と
全く同様の帯電露光実験装置に設置して同様の画
像形成を行つたところ、下記の第２表に示す如き
結果を得た。試料No.〜に関して、electron
microprobe法により分析したところ、第３表に
示す如き結果を得た。第２表、第３表の結果から
本発明の目的を達成するには中間層におけるSiと
Ｃの組成比ｘを0.1〜0.35の範囲内で形成する必
要がある。
【表】
【表】
実施例 ４
実施例１と同様にモリブデン基板を設置し、続
いて実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆
積室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基
板温度は200℃に保たれた後、実施例１と同様の
操作によつてSiF4，C2H4，SiH4のガス流入系を
５×10-6Torrの真空となし、その後、補助バル
ブ３４０及び各流出バルブ３２５，３２６，３２
９、各流入バルブ３２０，３２１，３２４を閉じ
た後、H2で70vol％で希釈されたSiF4ガスボンベ
３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に希釈され
たC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開け、
出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ３２０，３２１を徐々に開けて
フローメーター３１６，３１７内へSiF4ガス，
C2H4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２５，３２６を徐々に開け、次いで補助バルブ
３４０を徐々に開けた。このときSiF4ガス流量と
C2H4ガス流量比が１：60になるように流入バル
ブ３２０，３２１を調整した。次にピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１内
圧が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に
閉じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrに
なるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し室内圧
が一定となり、基板温度が200℃に安定してから、
実施例１と同様に高周波電源３４２をon状態と
して、60Wの入力電力でグロー放電を開始させ、
１分間同条件を保つて基板上に中間層を形成した
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で流出バルブ３２５，３２
６，３２２を閉じ、次にH2で10vol％に希釈され
たSiH4ボンベ３１５のバルブ３３４を開け、出
口圧ゲージ３３９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２４を徐々に開けてフローメーター３２
０内へSiH4ガスを流入させた。引続いて、流出
バルブ３２９を徐々に開けた。次に中間層の形成
時と同様にピラニーゲージ３４１の指示が
0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メインバ
ルブ３１０の開口を調整し安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし以前より減少させた。こうしてグ
ロー放電を更に５時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２９及び流入
バルブ３２０，３２１，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４によつて
大気圧として基板を取り出した。この場合、形成
された層の全厚は約15μmであつた。この電子写
真用像形成部材に就て、実施例１と同様の条件及
び手順で転写紙上に画像を形成したところコロ
ナ帯電を行つて画像形成した方が、コロナ帯電
を行つて画像形成したよりもその画質が優れてお
り、極めて鮮明であつた。この結果より本実施例
で得られた電子写真用像形成部材には帯電機能の
依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成を行つた後、
高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放電を
中止させた状態で流出バルブ３２５，３２６を閉
じ、次にH2で25volppmに希釈されたPH3ガスボ
ンベ３１４のバルブ３３３、H2で10vol％に希釈
されたSiH4ボンベ３１５のバルブ３３４を開け、
出口圧ゲージ３３８，３３９の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ３２３，３２４を徐々に開けて
フローメーター３１９，３２０内へPH3ガス，
SiH4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２８，３２９を徐々に開けた。このときPH3ガ
ス流量とSiH4ガス流量比が１：50になる様に流
入バルブ３２３，３２４を調整した。 次に中間層の形成時と同様にピラニーゲージ３
４１の指示が0.5Torrになる様に補助バルブ３４
０、メインバルブ３１０の開口を調整し安定化さ
せた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２８，３２９及び流入バルブ３
２０，３２１，３２３，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４によつて
大気圧として基板を取り出した。この場合、形成
された層の全厚は約11μmであつた。こうして得
られた電子写真用像形成部材を、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ、コロナ放電を行つて画像形成した方が、
コロナ放電を行つて画像形成したよりもその画質
が優れており、極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた電子写真用像形成部材には
帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ モリブデン基板上に中間層を形成した後、引続
いて光導電層を形成する際B2H6ガス流量をSiH4
ガス流量の1/10になるようにした以外は実施例１
と同様な条件及び手順によつて中間層、光導電層
をモリブデン基板上に形成した。このようにして
得られた電子写真用像形成部材を実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ＋コロナ放電を行つて画像形成した方が、コ
ロナ放電を行つて画像形成したよりもその画質が
優れており、極めて鮮明であつた。この結果より
本実施例で得られた感光体には帯電極性の依存性
が認められた。而し、その帯電極性依存性は実施
例３，４で得られた電子写真用像形成部材とは逆
であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の光
導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態としてグロー放電を中止させた状態で流
出バルブ３２７，３２９を閉じ、そして再び流出
バルブ３２５，３２６を開き、中間層の形成時と
同様の条件になるようにした。引き続き、再び高
周波電源をon状態にしてグロー放電を再開させ
た。そのときの入力電力も中間層形成時と同様の
60Wとした。こうしてグロー放電を２分間持続さ
せて光導電層上に上部層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５，３２６及び流入バルブ３
２０，３２１，３２２，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４３によつて
大気圧として基板を取り出した。こうして得られ
た電子写真用像形成部材を実施例１と同様の帯電
露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、
タングステンランプ光源を用い、1.0lux・secの
光量を透過型のテストチヤートを通して照射させ
た。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 電子写真用像形成部材の形成に先立つて第３図
に示される装置のH2で10vol％に希釈された
C2H4ボンベ３１２をH2で10vol％に希釈させた
SiCl（CH3）ガス（純度99.999％）ボンベに変え
た。次に表面が清浄された、コーニング7059ガラ
ス（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面
の一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000
Å蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作基板
を設置し続によつてグロー放電堆積室３０１内を
５×10-6Torrの真空となし、基板温度は150℃に
保持された後、補助バルブ３４０、次いで流出バ
ルブ３２６，３２７，３２９、及び流入バルブ３
２１，３２２，３２４を全開し、フローメーター
３１７，３１８，３２０内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ３４０、バルブ３２６，３２
７，３２９，３１７，３１８，３２０を閉じた
後、H2で10vol％に希釈されたSiCl（CH3）3ガス
（純度99.999％）ボンベ３１２バルブ３３１を開
け、出口圧ゲージの圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２１を徐々に開けてフローメーター３１
７内へSiCl（CH3）3ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２６を徐々に開けた。ピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１の
内圧が安定してから、メインバルブ３１０を徐々
に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torr
になるまでに開口を絞つた。ガス流入が安定し内
圧が安定するのを確認し、続いて高周波電源３４
のスイツチをon状態にして誘導コイル３４３に
13.56MHzの高周波電力を投入し、コイル部（室
上部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、
20Wの入力電力とした。１分間同条件を保つて中
間層を形成した後、高周波電源３４２をoff状態
とし、グロー放電を中止させた状態で、しばらく
して流出バルブ３２９、流入バルブ３２６を閉
じ、基板温度を200℃に上げた。次にH2で10vol
％に希釈されさSiH4ガスボンベ３１５のバルブ
３３４、H2で50volppmに希釈されたB2H4ガス
ボンベ３１３のバルブ３３２を開け、出口圧ゲー
ジ３３９，３３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２４，３２２を徐々に開けてフロメータ
ー３２０，３１８内へSiH4ガス，B2H6ガスを
各々流入させた。引続いて流出バルブ３２９，３
２７を徐々に開けた。このときのSiH4ガス流量
とB2H6ガス流量の比が50：１になるように流入
バルブ３２４，３２２の開口を定め安定化させ
た。尚、室３０１内の内圧が0.5Torrになる様に
バルブ調整操作を中間層形成時と同様に行つた。 その後引き続き、再び高周波電源３４２をon
状態にして、グロー放電を再開させた。そのとき
の入力電力を10Wにし以前より減少させた。こう
してグロー放電を更に３時間持続させて光導電層
を形成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態に
し、高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度
100℃になるのを待つてから流出バルブ３２７，
３２９及び流入バルブ３２１，３２２，３２４を
閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室３０
１内を10-5Torr以下にした後、メインバルブ３
１０を閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４に
よつて大気圧として基板を取り出した。この場
合、形成された層の全厚は約9μmであつた。こう
して得られた電子写真用像形成部材を帯電露光実
験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した。光像は、タング
ステンランプ光源を用い、1.0lux・secの光量を
透過型のテストチヤートを通して照射された。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ H2で10vol％に希釈されたSiH4ボンド３１５を
希釈されていないSi2H6ボンベに、H2で
50volppmに希釈されたB2H6ボンベ３１３を、
H2で500volppmに希釈されたB2H6ボンベに変え
た以外は実施例１と同様の条件及び手順によつて
中間層、光導電層をモリブデン基板上に形成した
後、堆積室３０１外に取り出し、実施例１と同様
に帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験
をした処、5.5KVのコロナ帯電、荷電性現像
剤の組み合せの場合に、極めて良質の、コントラ
ストの高いトナー画像が転写紙上に得られた。 実施例 10 第４図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つてモリブデン基板上に中間層を形成した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）４０２を堆積室４０１内の所定位置
にある固定部材４０６に堅固に固定した。基板４
０２は、固定部材４０６内の加熱ヒーター４０７
によつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は熱
電対（アルメルークロメル）によつて基板裏面を
直接測定されるようになされた。次いで系内の全
バルブが閉じられていることを確認してからメイ
ンバルブ４２７を全開して、室４０１内が排気さ
れ、約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒ
ーター４０７の入力電圧を上昇させ、モリブデン
基板温度を検知しながら入力電圧を変化させ、
200℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ４２５、次いで流出バルブ
４２１，４２４及び４１７，４２０を全開し、フ
ローメーター４３２，３４５内も十分脱気真空状
態にされた。補助バルブ４２５、バルブ４１７，
４２０，４２１，４２４を閉じた後，SiF4ガス
（純度99.999％）ボンベ４１２のバルブ４１６及
びArガスボンベ４０９のバルブ４１３を開け、
出口圧ゲージ４２８，４３１の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ４１７，４２０を徐々に開けて
フローメーター４３２，４３５内へ各々SiF4ガ
ス、Arガスを流入させた。引続いて、流出バル
ブ４２１，４２４を徐々に開け、次いで補助バル
ブ４２５を徐々に開けた。この時SiF4ガス流量と
Arガス流量比が１：20になるように流入バルブ
４１７，４２０を調整した。次にピラニーゲージ
４３６の読みを注視しながら補助バルブ４２５の
開口を調整し、室４０１内が１×10-2Torrにな
るまで補助バルブ４２５を開けた。室４０１内圧
が安定してからメインバルブ４２７を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ４３６の指示が0.5Torrにな
るまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４３２，４３５が安定するのを確認してから、高
周波電源４３７をon状態にし、面積比が１：９
である単結晶又は多結晶純度シリコンと高純度グ
ラフアイトからなるターゲツト４０３，４０４お
よび固定部材４０６間に13.56MHz，100Wの交流
電力が入力された。この条件で安定した放電を続
ける様にマツチングを取りながら層を形成した。
この様にして２分間放電を続けて100Å厚のａ―
SixC1-x：Ｆを形成した。その後高周波電源４３
７をoff状態にし放電を一旦中止させた。引き続
いて流出バルブ４２１，４２４を閉じメインバル
ブ４２７を全開して室４０１内のガスを抜き、５
×10-7Torrまで真空にした。次にH2で10vol％に
希釈したSiH4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０
のバルブ４１４、H2で50volppmに希釈した
B2H6ガスボンベ４１１のバルブ４１５を開け、
出口圧ゲージ４２８，４３０の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ４１７，４１９を徐々に開けて
フローメーター４３２，４３４内へSiH4ガス，
B2H6ガスを流入させた。引続いて流出バルブ４
２１，４２３を徐々に開け、次いで補助バルブ４
２５を徐々に開けた。このときSiH4ガス流量と
B2H6ガス流量比が50：１になるように流入バル
ブ４１７，４１９を調整した。次にピラニーゲー
ジ４３６の読みを注視しながら補助バルブ４２５
の開口を調整し、室４０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ４２５を開けた。室４０１内
圧が安定してから、メインバルブ４２７を徐々に
閉じ、ピラニーゲージ４３６の指示が0.5Torrに
なるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が
安定するのを確認し、シヤツター４０８を閉と
し、続いて高周波電源４３７のスイツチをon状
態にして、電極４０７，４０８間に13.56MHzの
高周波電力を投入し、室４０１内にグロー放電を
発生させ、10Wの入力電力とした。グロー放電を
３時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒ
ーター４０７をoff状態にし、高周波電源４３７
もoff状態とし、基板温度が100℃になるのを待つ
てから流出バルブ４２２，４２３及び流入バルブ
４１８，４１９を閉じ、メインバルブ４２７を全
開にして、室４０１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ４２７を閉じ、室４０１内をリーク
バルブ４２６によつて大気圧として基板を取り出
した。この場合、形成された層の全厚は約9μmで
あつた。こうして得られた電子写真用像形成部材
を帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec
間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光
像はタングステンランプ光源を用い、0.8lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果を先の結果から本実施例で得られた電
子写真感光体は帯電極地に対する依存性がなく、
両極性像形成部材の特性を具備していることが判
つた。 ［発明の効果］ 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の電子写真用光導電部材は、極めてすぐれ
た電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特
性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、多湿雰囲気
中でもその電気的特性が安定しており高感度で、
高SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し
使用性に著しく長け、更には濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質
の可視画像を得る事が出来る。 又、高暗抵抗のａ―Si：Ｈは光感度が低く、逆
に光感度の高いａ―Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前
後と低く、いずれの場合にも、従来の層構成の光
導電層のままでは電子写真用の像形成部材には適
用されなかつたのに対して、本発明の場合には、
比較的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ―Si：Ｈ
層でも電子写真用の光導電層を構成することがで
きるので、抵抗は比較的低いが高感度であるａ―
Si：Ｈも充分使用し得、ａ―Si：Ｈの特性面から
の制約が軽減され得る。
いて実施例１と同様の操作によつてグロー放電堆
積室３０１内を５×10-6Torrの真空となし、基
板温度は200℃に保たれた後、実施例１と同様の
操作によつてSiF4，C2H4，SiH4のガス流入系を
５×10-6Torrの真空となし、その後、補助バル
ブ３４０及び各流出バルブ３２５，３２６，３２
９、各流入バルブ３２０，３２１，３２４を閉じ
た後、H2で70vol％で希釈されたSiF4ガスボンベ
３１１のバルブ３３０、H2で10vol％に希釈され
たC2H4ガスボンベ３１２のバルブ３３１を開け、
出口圧ゲージ３３５，３３６の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ３２０，３２１を徐々に開けて
フローメーター３１６，３１７内へSiF4ガス，
C2H4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２５，３２６を徐々に開け、次いで補助バルブ
３４０を徐々に開けた。このときSiF4ガス流量と
C2H4ガス流量比が１：60になるように流入バル
ブ３２０，３２１を調整した。次にピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１内
圧が安定してから、メインバルブ３１０を徐々に
閉じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torrに
なるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し室内圧
が一定となり、基板温度が200℃に安定してから、
実施例１と同様に高周波電源３４２をon状態と
して、60Wの入力電力でグロー放電を開始させ、
１分間同条件を保つて基板上に中間層を形成した
後、高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放
電を中止させた状態で流出バルブ３２５，３２
６，３２２を閉じ、次にH2で10vol％に希釈され
たSiH4ボンベ３１５のバルブ３３４を開け、出
口圧ゲージ３３９の圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２４を徐々に開けてフローメーター３２
０内へSiH4ガスを流入させた。引続いて、流出
バルブ３２９を徐々に開けた。次に中間層の形成
時と同様にピラニーゲージ３４１の指示が
0.5Torrになる様に補助バルブ３４０、メインバ
ルブ３１０の開口を調整し安定化させた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにし以前より減少させた。こうしてグ
ロー放電を更に５時間持続させて光導電層を形成
した後、加熱ヒーター３０８をoff状態にし、高
周波電源３４２もoff状態とし、基板温度が100℃
になるのを待つてから流出バルブ３２９及び流入
バルブ３２０，３２１，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４によつて
大気圧として基板を取り出した。この場合、形成
された層の全厚は約15μmであつた。この電子写
真用像形成部材に就て、実施例１と同様の条件及
び手順で転写紙上に画像を形成したところコロ
ナ帯電を行つて画像形成した方が、コロナ帯電
を行つて画像形成したよりもその画質が優れてお
り、極めて鮮明であつた。この結果より本実施例
で得られた電子写真用像形成部材には帯電機能の
依存性が認められた。 実施例 ５ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成を行つた後、
高周波電源３４２をoff状態とし、グロー放電を
中止させた状態で流出バルブ３２５，３２６を閉
じ、次にH2で25volppmに希釈されたPH3ガスボ
ンベ３１４のバルブ３３３、H2で10vol％に希釈
されたSiH4ボンベ３１５のバルブ３３４を開け、
出口圧ゲージ３３８，３３９の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ３２３，３２４を徐々に開けて
フローメーター３１９，３２０内へPH3ガス，
SiH4ガスを流入させた。引続いて、流出バルブ
３２８，３２９を徐々に開けた。このときPH3ガ
ス流量とSiH4ガス流量比が１：50になる様に流
入バルブ３２３，３２４を調整した。 次に中間層の形成時と同様にピラニーゲージ３
４１の指示が0.5Torrになる様に補助バルブ３４
０、メインバルブ３１０の開口を調整し安定化さ
せた。 引き続き、再び高周波電源３４２をon状態に
して、グロー放電を再開させた。そのときの入力
電力を10Wにした。こうしてグロー放電を更に４
時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２８，３２９及び流入バルブ３
２０，３２１，３２３，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４によつて
大気圧として基板を取り出した。この場合、形成
された層の全厚は約11μmであつた。こうして得
られた電子写真用像形成部材を、実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ、コロナ放電を行つて画像形成した方が、
コロナ放電を行つて画像形成したよりもその画質
が優れており、極めて鮮明であつた。この結果よ
り本実施例で得られた電子写真用像形成部材には
帯電極性の依存性が認められた。 実施例 ６ モリブデン基板上に中間層を形成した後、引続
いて光導電層を形成する際B2H6ガス流量をSiH4
ガス流量の1/10になるようにした以外は実施例１
と同様な条件及び手順によつて中間層、光導電層
をモリブデン基板上に形成した。このようにして
得られた電子写真用像形成部材を実施例１と同様
の条件及び手順で転写紙上に画像を形成したとこ
ろ＋コロナ放電を行つて画像形成した方が、コ
ロナ放電を行つて画像形成したよりもその画質が
優れており、極めて鮮明であつた。この結果より
本実施例で得られた感光体には帯電極性の依存性
が認められた。而し、その帯電極性依存性は実施
例３，４で得られた電子写真用像形成部材とは逆
であつた。 実施例 ７ 実施例１と同様な条件及び手順によつてモリブ
デン基板上に１分間の中間層の形成、５時間の光
導電層の形成を行つた後、高周波電源３４２を
off状態としてグロー放電を中止させた状態で流
出バルブ３２７，３２９を閉じ、そして再び流出
バルブ３２５，３２６を開き、中間層の形成時と
同様の条件になるようにした。引き続き、再び高
周波電源をon状態にしてグロー放電を再開させ
た。そのときの入力電力も中間層形成時と同様の
60Wとした。こうしてグロー放電を２分間持続さ
せて光導電層上に上部層を形成した後、加熱ヒー
ター３０８をoff状態にし、高周波電源３４２も
off状態とし、基板温度が100℃になるのを待つて
から流出バルブ３２５，３２６及び流入バルブ３
２０，３２１，３２２，３２４を閉じ、メインバ
ルブ３１０を全開にして、室３０１内を
10-5Torr以下にした後、メインバルブ３１０を
閉じ、室３０１内をリークバルブ３４３によつて
大気圧として基板を取り出した。こうして得られ
た電子写真用像形成部材を実施例１と同様の帯電
露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロ
ナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光像は、
タングステンランプ光源を用い、1.0lux・secの
光量を透過型のテストチヤートを通して照射させ
た。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 実施例 ８ 電子写真用像形成部材の形成に先立つて第３図
に示される装置のH2で10vol％に希釈された
C2H4ボンベ３１２をH2で10vol％に希釈させた
SiCl（CH3）ガス（純度99.999％）ボンベに変え
た。次に表面が清浄された、コーニング7059ガラ
ス（１mm厚、４×４cm、両面研磨したもの）表面
の一方に、電子ビーム蒸着法によつてITOを1000
Å蒸着したものを、実施例１と同様の装置（第３
図）の固定部材３０３上にITO蒸着面を上面にし
て設置した。続いて、実施例１と同様の操作基板
を設置し続によつてグロー放電堆積室３０１内を
５×10-6Torrの真空となし、基板温度は150℃に
保持された後、補助バルブ３４０、次いで流出バ
ルブ３２６，３２７，３２９、及び流入バルブ３
２１，３２２，３２４を全開し、フローメーター
３１７，３１８，３２０内も十分脱気真空状態に
された。補助バルブ３４０、バルブ３２６，３２
７，３２９，３１７，３１８，３２０を閉じた
後、H2で10vol％に希釈されたSiCl（CH3）3ガス
（純度99.999％）ボンベ３１２バルブ３３１を開
け、出口圧ゲージの圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２１を徐々に開けてフローメーター３１
７内へSiCl（CH3）3ガスを流入させた。引続いて、
流出バルブ３２６を徐々に開けた。ピラニーゲー
ジ３４１の読みを注視しながら補助バルブ３４０
の開口を調整し、室３０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ３４０を開けた。室３０１の
内圧が安定してから、メインバルブ３１０を徐々
に閉じ、ピラニーゲージ３４１の指示が0.5Torr
になるまでに開口を絞つた。ガス流入が安定し内
圧が安定するのを確認し、続いて高周波電源３４
のスイツチをon状態にして誘導コイル３４３に
13.56MHzの高周波電力を投入し、コイル部（室
上部）の室３０１内にグロー放電を発生させ、
20Wの入力電力とした。１分間同条件を保つて中
間層を形成した後、高周波電源３４２をoff状態
とし、グロー放電を中止させた状態で、しばらく
して流出バルブ３２９、流入バルブ３２６を閉
じ、基板温度を200℃に上げた。次にH2で10vol
％に希釈されさSiH4ガスボンベ３１５のバルブ
３３４、H2で50volppmに希釈されたB2H4ガス
ボンベ３１３のバルブ３３２を開け、出口圧ゲー
ジ３３９，３３７の圧を１Kg／cm2に調整し、流入
バルブ３２４，３２２を徐々に開けてフロメータ
ー３２０，３１８内へSiH4ガス，B2H6ガスを
各々流入させた。引続いて流出バルブ３２９，３
２７を徐々に開けた。このときのSiH4ガス流量
とB2H6ガス流量の比が50：１になるように流入
バルブ３２４，３２２の開口を定め安定化させ
た。尚、室３０１内の内圧が0.5Torrになる様に
バルブ調整操作を中間層形成時と同様に行つた。 その後引き続き、再び高周波電源３４２をon
状態にして、グロー放電を再開させた。そのとき
の入力電力を10Wにし以前より減少させた。こう
してグロー放電を更に３時間持続させて光導電層
を形成した後、加熱ヒーター３０８をoff状態に
し、高周波電源３４２もoff状態とし、基板温度
100℃になるのを待つてから流出バルブ３２７，
３２９及び流入バルブ３２１，３２２，３２４を
閉じ、メインバルブ３１０を全開にして、室３０
１内を10-5Torr以下にした後、メインバルブ３
１０を閉じ、室３０１内をリークバルブ３４４に
よつて大気圧として基板を取り出した。この場
合、形成された層の全厚は約9μmであつた。こう
して得られた電子写真用像形成部材を帯電露光実
験装置に設置し、6.0KVで0.2sec間コロナ帯電
を行い、直ちに光像を照射した。光像は、タング
ステンランプ光源を用い、1.0lux・secの光量を
透過型のテストチヤートを通して照射された。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 又、コロナ帯電極性をに、現像剤極性をに
変えても同様に鮮明で良好な画像が実施例１と同
様に得られた。 実施例 ９ H2で10vol％に希釈されたSiH4ボンド３１５を
希釈されていないSi2H6ボンベに、H2で
50volppmに希釈されたB2H6ボンベ３１３を、
H2で500volppmに希釈されたB2H6ボンベに変え
た以外は実施例１と同様の条件及び手順によつて
中間層、光導電層をモリブデン基板上に形成した
後、堆積室３０１外に取り出し、実施例１と同様
に帯電露光の実験装置に静置して画像形成の試験
をした処、5.5KVのコロナ帯電、荷電性現像
剤の組み合せの場合に、極めて良質の、コントラ
ストの高いトナー画像が転写紙上に得られた。 実施例 10 第４図に示す装置を用い、以下の如き操作によ
つてモリブデン基板上に中間層を形成した。 表面が清浄にされた0.5mm厚10cm角のモリブデ
ン板（基板）４０２を堆積室４０１内の所定位置
にある固定部材４０６に堅固に固定した。基板４
０２は、固定部材４０６内の加熱ヒーター４０７
によつて±0.5℃の精度で加熱される。温度は熱
電対（アルメルークロメル）によつて基板裏面を
直接測定されるようになされた。次いで系内の全
バルブが閉じられていることを確認してからメイ
ンバルブ４２７を全開して、室４０１内が排気さ
れ、約５×10-6Torrの真空度にした。その後ヒ
ーター４０７の入力電圧を上昇させ、モリブデン
基板温度を検知しながら入力電圧を変化させ、
200℃の一定値になるまで安定させた。 その後、補助バルブ４２５、次いで流出バルブ
４２１，４２４及び４１７，４２０を全開し、フ
ローメーター４３２，３４５内も十分脱気真空状
態にされた。補助バルブ４２５、バルブ４１７，
４２０，４２１，４２４を閉じた後，SiF4ガス
（純度99.999％）ボンベ４１２のバルブ４１６及
びArガスボンベ４０９のバルブ４１３を開け、
出口圧ゲージ４２８，４３１の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ４１７，４２０を徐々に開けて
フローメーター４３２，４３５内へ各々SiF4ガ
ス、Arガスを流入させた。引続いて、流出バル
ブ４２１，４２４を徐々に開け、次いで補助バル
ブ４２５を徐々に開けた。この時SiF4ガス流量と
Arガス流量比が１：20になるように流入バルブ
４１７，４２０を調整した。次にピラニーゲージ
４３６の読みを注視しながら補助バルブ４２５の
開口を調整し、室４０１内が１×10-2Torrにな
るまで補助バルブ４２５を開けた。室４０１内圧
が安定してからメインバルブ４２７を徐々に閉
じ、ピラニーゲージ４３６の指示が0.5Torrにな
るまで開口を絞つた。 シヤツター４０８を開として、フローメーター
４３２，４３５が安定するのを確認してから、高
周波電源４３７をon状態にし、面積比が１：９
である単結晶又は多結晶純度シリコンと高純度グ
ラフアイトからなるターゲツト４０３，４０４お
よび固定部材４０６間に13.56MHz，100Wの交流
電力が入力された。この条件で安定した放電を続
ける様にマツチングを取りながら層を形成した。
この様にして２分間放電を続けて100Å厚のａ―
SixC1-x：Ｆを形成した。その後高周波電源４３
７をoff状態にし放電を一旦中止させた。引き続
いて流出バルブ４２１，４２４を閉じメインバル
ブ４２７を全開して室４０１内のガスを抜き、５
×10-7Torrまで真空にした。次にH2で10vol％に
希釈したSiH4ガス（純度99.999％）ボンベ４１０
のバルブ４１４、H2で50volppmに希釈した
B2H6ガスボンベ４１１のバルブ４１５を開け、
出口圧ゲージ４２８，４３０の圧を１Kg／cm2に調
整し、流入バルブ４１７，４１９を徐々に開けて
フローメーター４３２，４３４内へSiH4ガス，
B2H6ガスを流入させた。引続いて流出バルブ４
２１，４２３を徐々に開け、次いで補助バルブ４
２５を徐々に開けた。このときSiH4ガス流量と
B2H6ガス流量比が50：１になるように流入バル
ブ４１７，４１９を調整した。次にピラニーゲー
ジ４３６の読みを注視しながら補助バルブ４２５
の開口を調整し、室４０１内が１×10-2Torrに
なるまで補助バルブ４２５を開けた。室４０１内
圧が安定してから、メインバルブ４２７を徐々に
閉じ、ピラニーゲージ４３６の指示が0.5Torrに
なるまで開口を絞つた。ガス流入が安定し内圧が
安定するのを確認し、シヤツター４０８を閉と
し、続いて高周波電源４３７のスイツチをon状
態にして、電極４０７，４０８間に13.56MHzの
高周波電力を投入し、室４０１内にグロー放電を
発生させ、10Wの入力電力とした。グロー放電を
３時間持続させて光導電層を形成した後、加熱ヒ
ーター４０７をoff状態にし、高周波電源４３７
もoff状態とし、基板温度が100℃になるのを待つ
てから流出バルブ４２２，４２３及び流入バルブ
４１８，４１９を閉じ、メインバルブ４２７を全
開にして、室４０１内を10-5Torr以下にした後、
メインバルブ４２７を閉じ、室４０１内をリーク
バルブ４２６によつて大気圧として基板を取り出
した。この場合、形成された層の全厚は約9μmで
あつた。こうして得られた電子写真用像形成部材
を帯電露光実験装置に設置し、6.0KVで0.2sec
間コロナ帯電を行い、直ちに光像を照射した。光
像はタングステンランプ光源を用い、0.8lux・
secの光量を透過型のテストチヤートを通して照
射させた。 その後、直ちに、荷電性の現像剤（トナーと
キヤリアーを含む）を部材表面にカスケードする
ことによつて、部材表面上に良好なトナー画像を
得た。部材上のトナー画像を、5.0KVのコロナ
帯電で転写紙上に転写した処、解像力に優れ、階
調再現性のよい鮮明な高濃度の画像が得られた。 次に上記像形成部材に就て、帯電露光実験装置
で5.5KVで0.2sec間のコロナ帯電を行い、直ち
に0.8lux・secの光量で画像露光を行い、その後
直ちに荷電性の現像剤を部材表面にカスケード
し、次に転写紙上に転写・定着したところ極めて
鮮明な画像が得られた。 この結果を先の結果から本実施例で得られた電
子写真感光体は帯電極地に対する依存性がなく、
両極性像形成部材の特性を具備していることが判
つた。 ［発明の効果］ 上記した様な層構成を取る様にして設計された
本発明の電子写真用光導電部材は、極めてすぐれ
た電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特
性を示す。 殊に、電子写真用像形成部材として適用させた
場合には帯電処理の際の電荷保持能に長け、画像
形成への残留電位の影響が全くなく、多湿雰囲気
中でもその電気的特性が安定しており高感度で、
高SN比を有するものであつて耐光疲労、繰返し
使用性に著しく長け、更には濃度が高く、ハーフ
トーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品質
の可視画像を得る事が出来る。 又、高暗抵抗のａ―Si：Ｈは光感度が低く、逆
に光感度の高いａ―Si：Ｈは暗抵抗が108Ωcm前
後と低く、いずれの場合にも、従来の層構成の光
導電層のままでは電子写真用の像形成部材には適
用されなかつたのに対して、本発明の場合には、
比較的低抵抗（５×109Ωcm以上）のａ―Si：Ｈ
層でも電子写真用の光導電層を構成することがで
きるので、抵抗は比較的低いが高感度であるａ―
Si：Ｈも充分使用し得、ａ―Si：Ｈの特性面から
の制約が軽減され得る。
第１図及び第２図は各々本発明の電子写真用光
導電部材の好適な実施態様例の構成を説明する為
の模式的構成図、第３図、第４図は各々本発明の
電子写真用光導電部材を製造する場合の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００，２００…電子写真用光導電部材、１０
１，２０１…支持体、１０２，２０２…中間層、
１０３，２０３…光導電層、１０４，２０４…自
由表面、２０５…上部層。
導電部材の好適な実施態様例の構成を説明する為
の模式的構成図、第３図、第４図は各々本発明の
電子写真用光導電部材を製造する場合の装置の一
例を示す模式的説明図である。 １００，２００…電子写真用光導電部材、１０
１，２０１…支持体、１０２，２０２…中間層、
１０３，２０３…光導電層、１０４，２０４…自
由表面、２０５…上部層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 支持体と、シリコン原子を母体とし、水素原
子を含むアモルフアス材料で構成されている光導
電層と、これ等の間に設けられ、支持体側から光
導電層中へのキヤリアの流入を阻止し且つ電磁波
照射によつて前記光導電層中に生じ支持体側に向
つて移動するキヤリアの光導電層側から支持体側
への通過を許す機能を有する中間層とを備えた電
子写真用光導電部材に於いて、 前記中間層を、シリコン原子及び40乃至
90atomic％の量の炭素原子とを母体とし、ハロ
ゲン原子を１乃至20atomic％の量又はハロゲン
原子と水素原子とを両者の和として１乃至
20atomic％の量含む非光導電性のアモルフアス
材料で構成する事を特徴とする電子写真用光導電
部材。 ２ 光導電層の上部表面に、シリコン原子を母体
とし、水素原子又はハロゲン原子のいずれか一方
を少なくとも含む非光導電性のアモルフアス材料
で構成された上部層を更に有する特許請求の範囲
第１項の電子写真用光導電部材。 ３ 光導電層の上部表面に無機絶縁材料又は有機
絶縁材料から成る上部層を更に有する特許請求の
範囲第１項の電子写真用光導電部材。 ４ 中間層の層厚が30乃至1000Åである特許請求
の範囲第１項の電子写真用光導電部材。 ５ 上部層中に炭素原子が含有されている特許請
求の範囲第２項の電子写真用光導電部材。 ６ 上部層中に窒素原子が含有されている特許請
求の範囲第２項の電子写真用光導電部材。 ７ 上部層中に炭素原子と窒素原子と酸素原子の
中少なくとも２つが含有されている特許請求の範
囲第２項の電子写真用光導電部材。 ８ 上部層の層厚が30乃至1000Åである特許請求
の範囲第２項乃至第３項の電子写真用光導電部
材。 ９ 電荷像形成面となる自由表面を有し、0.5乃
至70μの層厚を有する表面被覆層が更に設けてあ
る特許請求の範囲第１項乃至第３項の電子写真用
光導電部材。 １０ 中間層に含まれる水素原子の量が
19atomic％以下である特許請求の範囲第１項の
電子写真用光導電部材。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55127490A JPS5752178A (en) | 1980-09-13 | 1980-09-13 | Photoconductive member |
| US06/299,576 US4394425A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-04 | Photoconductive member with α-Si(C) barrier layer |
| CA000385692A CA1181630A (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member including non-photoconductive layer containing amorphous silicon matrix containing carbon |
| DE19813136141 DE3136141A1 (de) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoleitfaehiges element |
| GB8127479A GB2086133B (en) | 1980-09-12 | 1981-09-11 | Photoconductive member |
| FR8117327A FR2490359B1 (fr) | 1980-09-12 | 1981-09-14 | Element photoconducteur |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55127490A JPS5752178A (en) | 1980-09-13 | 1980-09-13 | Photoconductive member |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5752178A JPS5752178A (en) | 1982-03-27 |
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Family
ID=14961237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55127490A Granted JPS5752178A (en) | 1980-09-12 | 1980-09-13 | Photoconductive member |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5752178A (ja) |
Families Citing this family (8)
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|---|---|---|---|---|
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| US4675263A (en) | 1984-03-12 | 1987-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having substrate and light-receiving layer of A-Si:Ge film and A-Si film with non-parallel interface with substrate |
| US4678733A (en) | 1984-10-15 | 1987-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Member having light receiving layer of A-Si: Ge (C,N,O) A-Si/surface antireflection layer with non-parallel interfaces |
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| JPS62106468A (ja) | 1985-11-01 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62106470A (ja) | 1985-11-02 | 1987-05-16 | Canon Inc | 光受容部材 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4196438A (en) * | 1976-09-29 | 1980-04-01 | Rca Corporation | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication |
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-
1980
- 1980-09-13 JP JP55127490A patent/JPS5752178A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5752178A (en) | 1982-03-27 |