JPH0654231B2 - 非接触変位計 - Google Patents
非接触変位計Info
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- JPH0654231B2 JPH0654231B2 JP61302230A JP30223086A JPH0654231B2 JP H0654231 B2 JPH0654231 B2 JP H0654231B2 JP 61302230 A JP61302230 A JP 61302230A JP 30223086 A JP30223086 A JP 30223086A JP H0654231 B2 JPH0654231 B2 JP H0654231B2
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- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Description
本発明は、非接触変位計に係り、特に、非接触粗さ計や
顕微鏡用オートフオーカス装置などに用いるに好適な、
測定対象物に微少スポツト光を照射する照明系と、該微
少スポツト光の像を形成する結像レンズとを含んで構成
され、測定対象物の合焦点からの偏位に応じた変化信号
を出力する非接触変位計に関する。
顕微鏡用オートフオーカス装置などに用いるに好適な、
測定対象物に微少スポツト光を照射する照明系と、該微
少スポツト光の像を形成する結像レンズとを含んで構成
され、測定対象物の合焦点からの偏位に応じた変化信号
を出力する非接触変位計に関する。
【従来の技術】 従来、加工面の粗さ測定は、触針式で行なわれていた。
しかしながら、測定対象物が軟質材である場合は傷がつ
く恐れがあるため、非接触式の粗さ計が開発されてい
る。これまで開発されてきた非接触式の粗さ計用の変位
検出器は、ビデオデイスク等の焦点検出装置の使用され
ている光学式センサを応用したものが多く、臨界角法及
び非点収差法などに分類される。 このうち臨界角法による変位検出器は、例えば実開昭６
１−６７０７に開示されているが、測定対象物に微少ス
ポツト光を照射する照明系と、測定対象物からの反射光
を平行光線化するコリメータレンズと、その平行光線を
全反射で伝える臨界角プリズムと、２個の受光素子とを
含んで構成されており、測定対象物が合焦面から偏位す
ると前記平行光線が発散又は収束傾向を示して反射率が
急変することを利用して変位信号を生成するものであ
る。 又、非点収差法は、測定対象物が合焦面から偏位すると
非点収差特性が楕円状になることを利用している。
しかしながら、測定対象物が軟質材である場合は傷がつ
く恐れがあるため、非接触式の粗さ計が開発されてい
る。これまで開発されてきた非接触式の粗さ計用の変位
検出器は、ビデオデイスク等の焦点検出装置の使用され
ている光学式センサを応用したものが多く、臨界角法及
び非点収差法などに分類される。 このうち臨界角法による変位検出器は、例えば実開昭６
１−６７０７に開示されているが、測定対象物に微少ス
ポツト光を照射する照明系と、測定対象物からの反射光
を平行光線化するコリメータレンズと、その平行光線を
全反射で伝える臨界角プリズムと、２個の受光素子とを
含んで構成されており、測定対象物が合焦面から偏位す
ると前記平行光線が発散又は収束傾向を示して反射率が
急変することを利用して変位信号を生成するものであ
る。 又、非点収差法は、測定対象物が合焦面から偏位すると
非点収差特性が楕円状になることを利用している。
しかしながら、前記従来の非接触式変位検出器は、いず
れも複雑な光学系を用いると共に、高精度な光学部品が
必要である。従つて調整が困難であり価格も高いという
問題点があり、より簡易な光学系を用いる変位検出器が
要求されていた。
れも複雑な光学系を用いると共に、高精度な光学部品が
必要である。従つて調整が困難であり価格も高いという
問題点があり、より簡易な光学系を用いる変位検出器が
要求されていた。
本発明は、前記従来の問題点を解消するべくなされたも
ので、簡易な光学系を用いて、高いＳＮ比で変位検出が
可能であり、しかも、測定範囲の広い非接触変位計を提
供することを目的とする。
ので、簡易な光学系を用いて、高いＳＮ比で変位検出が
可能であり、しかも、測定範囲の広い非接触変位計を提
供することを目的とする。
本発明は、非接触変位計を、測定対象物に微少スポツト
光を照射する照明系と、該微少スポツト光の像を２つ形
成する結像レンズと、結像光路中に、中心が光軸と一致
するように挿入されたリング状マスクと、一方の像の合
焦結像面から偏位して、中心が光軸と一致するように配
設され、前記微少スポツト光による一方の焦点ずれ像が
前記リング状マスクで制限された像の、光軸を中心とし
て半径方向の光量分布重心位置に対応した信号を出力す
るための、受光部が円状又はリング状の第１のセンサ
と、他方の像の合焦結像面から前記第１のセンサとは異
なる偏位量で、中心が光軸と一致するように配設され、
前記微少スポツト光による他方の焦点ずれ像が前記リン
グ状マスクで制限された像の、光軸を中心とした半径方
向の光量重心位置に対応した信号を出力するための、受
光部が円状又はリング状の第２のセンサとを用いて構成
し、前記第１のセンサと第２のセンサの出力差に基づい
て、測定対象物の合焦面からの変位に応じた変位信号を
出力することにより、前記目的を達成したものである。
光を照射する照明系と、該微少スポツト光の像を２つ形
成する結像レンズと、結像光路中に、中心が光軸と一致
するように挿入されたリング状マスクと、一方の像の合
焦結像面から偏位して、中心が光軸と一致するように配
設され、前記微少スポツト光による一方の焦点ずれ像が
前記リング状マスクで制限された像の、光軸を中心とし
て半径方向の光量分布重心位置に対応した信号を出力す
るための、受光部が円状又はリング状の第１のセンサ
と、他方の像の合焦結像面から前記第１のセンサとは異
なる偏位量で、中心が光軸と一致するように配設され、
前記微少スポツト光による他方の焦点ずれ像が前記リン
グ状マスクで制限された像の、光軸を中心とした半径方
向の光量重心位置に対応した信号を出力するための、受
光部が円状又はリング状の第２のセンサとを用いて構成
し、前記第１のセンサと第２のセンサの出力差に基づい
て、測定対象物の合焦面からの変位に応じた変位信号を
出力することにより、前記目的を達成したものである。
本発明は、測定対象物に照射した微少スポツト光による
焦点ずれ像が、結像光路中に挿入されたリング状マスク
で制限された像の、光軸を中心とした半径方向の光量分
布重心位置に対応した信号を、該微少スポツト光の像の
合焦結像面から変位して配設したセンサで検出すること
により、測定対象物の合焦面からの偏位に応じた変位信
号を出力するようにしている。従つて、従来より簡易な
光学系を用いて、高いＳＮ比で変位検出が可能となる。 又、前記センサを同芯円状に配設された２個の受光素子
より構成し、該２個の受光素子の出力を差動増幅して前
記変位信号を生成するようにした場合には、センサを容
易に構成することができる。 又、前記センサを中央電極と周辺電極を有する円形の半
導体位置検出器より構成し、該２個の電極からの出力の
差信号をそれらの和信号で除することによつて前記変位
信号を生成するようにした場合には、センサを容易に小
型化できる。 又、測定対象物に照射した微少スポツト光の像を２つ形
成し、それぞれの焦点ずれ像が、前記リング状マスクで
制限された像の、光軸を中心とした半径方向の光量分布
重心位置に対応した信号を、各合焦結像面から異なる変
位量で配設した２つのセンサで出力し、各センサの出力
差に基づいて測定対象物の合焦面からの変位に応じた変
位信号を出力するようにした場合には、微少スポツト光
による焦点ずれ像のずれの方向を容易に識別することが
可能となり、測定範囲が拡張できる。
焦点ずれ像が、結像光路中に挿入されたリング状マスク
で制限された像の、光軸を中心とした半径方向の光量分
布重心位置に対応した信号を、該微少スポツト光の像の
合焦結像面から変位して配設したセンサで検出すること
により、測定対象物の合焦面からの偏位に応じた変位信
号を出力するようにしている。従つて、従来より簡易な
光学系を用いて、高いＳＮ比で変位検出が可能となる。 又、前記センサを同芯円状に配設された２個の受光素子
より構成し、該２個の受光素子の出力を差動増幅して前
記変位信号を生成するようにした場合には、センサを容
易に構成することができる。 又、前記センサを中央電極と周辺電極を有する円形の半
導体位置検出器より構成し、該２個の電極からの出力の
差信号をそれらの和信号で除することによつて前記変位
信号を生成するようにした場合には、センサを容易に小
型化できる。 又、測定対象物に照射した微少スポツト光の像を２つ形
成し、それぞれの焦点ずれ像が、前記リング状マスクで
制限された像の、光軸を中心とした半径方向の光量分布
重心位置に対応した信号を、各合焦結像面から異なる変
位量で配設した２つのセンサで出力し、各センサの出力
差に基づいて測定対象物の合焦面からの変位に応じた変
位信号を出力するようにした場合には、微少スポツト光
による焦点ずれ像のずれの方向を容易に識別することが
可能となり、測定範囲が拡張できる。
以下図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明す
る。 本発明の前提となる比較例では、第１図に示す如く、レ
ーザダイオード１２、コリメータレンズ１４、ビームス
プリツタ１６、対物レンズ１８よりなる照明系で測定対
象物１０に微少スポツト光２０を照射し、前記対物レン
ズ１８及び集光レンズ２２よりなる結像レンズでその微
少スポツト光２０の像を形成する。 前記集光レンズ２２の手前にはＳＮ比を向上させるため
のリング状マスク２４が設けられているが、このマスク
は省略することも可能である。 第１図は、測定対象物１０に微少スポツト光２０が集光
している状態、即ち、測定対象物１０が合焦面にある状
態を示している。このときの微少スポツト光２０の像が
形成される面を合集結像面と定義する。 この合集結像面から図の下方向に変化させてセンサ２６
が配設されており、このセンサ２６からは信号a 、b が
出力され、これらは差動増幅器２８に入力されて変位信
号d が生成されている。 前記センサ２６は、第２図に詳細に示す如く、同芯円状
に分割配設された内側受光素子３０と外側受光素子３２
とから構成されており、共通電極３４が例えば裏面に接
続されている。前記受光素子３０、３２としては、例え
ばフオトダイオードやフオトトランジスタ等を使用する
ことができる。 以下第３図と第４図を参照して比較例の作用を説明す
る。 測定対象物１０が合焦面からＺ方向に変位して、Ｐ１又
はＰ２の変位面に合致すると、微少スポツト光２０の像
の集光点はＱ１又はＱ２となる。このときセンサ２６に
は、微少スポツト光の焦点ずれした像のリンズ状マスク
２４で制限された像が第４図（Ａ）（変位面がＰ１で集
光点がＱ１の場合）又は第４図（Ｂ）（変位面がＰ２で
集光点がＱ２の場合）のように形成される。従つてセン
サ２６は、この焦点ずれした像の光軸を中心とした半径
方向の光量分布重心位置に対応した信号を出力すること
になり、測定対象物１０の変位Ｚと差動増幅器２８から
出力される変位信号d の関係は、例えば第５図に示す如
くとなる。従つて、この変位信号d が零であることから
変位面が合焦面であることを検出することができる。 この比較例によれば、非常に簡単に構成で変位検出が可
能となる。 この比較例では、リング状マスク２４が設けられている
ので、ＳＮ比が高い、即ち、マスクが全く無いと、中心
部の像が完全には抜けないため、特に、第４図（Ｂ）の
場合に、センサ２６の内側受光素子３０にも出力が発生
し、バツクグラウンド成分が大となつて、ＳＮ比が低下
する。又、特開昭６１−１２０９１２のような中心部の
みを遮蔽するデイスク状マスクの場合には、外側の像が
遮蔽されないため、特に、第４図（Ａ）の場合に、像
が、内側受光素子３０だけでなく外側受光素子３２にも
広がつて、バツクグラウンド成分となり、コントラスト
が低下して、ＳＮ比が低下してしまう。これらに対し
て、リング状マスク２４が存在する場合は、第４図
（Ａ）（Ｂ）のいずれの場合も、バツクグラウンド成分
が少なく、ＳＮ比が高い。 次に第６図を参照して、特に顕微鏡等のオートフオーカ
ス装置のセンサ部として用いるのに好適な、本発明の実
施例を詳細に説明する。 この実施例においても、前記比較例と同様に、合焦結像
面から変位して第１センサ２６が配設されている。 更に、前記比較例に対して、比較例と同様の対物レンズ
１８、第２ビームスプリツタ４０、第２集光レンズ４２
よりなる、微少スポツト光２０の像を別位に形成する光
学系が付加されている。 又、前記比較例と同様の第１センサ２６の変位方向とは
逆方向に合焦結像面から変位させて第２センサ４４が設
けられている。 前記第１センサ２６、第２センサ４４とも前記比較例の
センサ２６と同じ構造であり、検出回路４６には、前記
第１センサ２６の出力信号a １、b １及び第２センサ４
４の出力信号a ２、b ２の差動増幅をそれぞれ行う差動
増幅器４６Ａ、４６Ｂと、該差動増幅器４６Ａ、４６Ｂ
の出力d １、d ２を入力して変位信号（合焦信号）e を
生成する差動増幅器４６Ｃから構成されている。 他の点については前記比較例と同様であるので説明は省
略する。 以下実施例の作用を説明する。 今比較例のようにセンサ２６が１個しか設けられていな
い場合、第７図に示す如く、測定対象物１０の変位Ｚに
よつてセンサ２６に形成される微少スポツト光による焦
点ずれ像が、収束光Ａの場合と収束光Ｂの場合で識別が
不可能である。しかしながら、第２センサ４４の出力と
の差動を取つている変位信号e は異なつた値となり、こ
の２つの場合は区別される。従つて、この実施例によれ
ば、比較例に比べて測定範囲が拡張できる。 この実施例では、集光レンズをボイスコイル等で振動さ
せて平均化の効果を得ることも可能である。 次に、第８図及び第９図を参照して、センサと検出回路
の他の例を説明する。 このセンサ５０は、第９図に詳細に示す如く、Ｐ型半導
体層５０Ａ、Ｉ型層（真性半導体層）５０Ｂ、Ｎ型半導
体層５０Ｃからなる三層半導体の上面に、中央電極５０
Ｄ及びそれを中心として円形に形成された周辺電極５０
Ｅを有し、下面に共通電極５０Ｆが形成された半導体位
置検出器とされている。各電極は、例えばニツケル薄層
で構成されている。又、半導体材料としては、シリコン
Ｓi 、ガリウム・アルミニウム・リンＧa ＡｌＰ等が使
用できる。 検出回路５２は、第８図に詳細に示した如く、周辺電極
５０Ｅの出力信号i 及び中心電極５０Ｄの出力信号j を
電流電圧変換する電流電圧変換器５２Ａ、５２Ｂと、該
電流電圧変換器５２Ａ、５２Ｂの出力信号i ′、j ′の
差信号k （＝i ′−j ′）、和信号ｌ（＝i ′＋j ′）
をそれぞれ出力する差演算器５２Ｃ、和演算器５２Ｄ
と、差信号k を和信号ｌで除することによつて変位信号
m （＝k ／ｌ）を得る除算器５２Ｅとから構成されてい
る。この変位信号m は、センサ５０への入射光の半径方
向での光量分布重心位置に対応した信号となるので、本
発明のセンサとして用いることができる。
る。 本発明の前提となる比較例では、第１図に示す如く、レ
ーザダイオード１２、コリメータレンズ１４、ビームス
プリツタ１６、対物レンズ１８よりなる照明系で測定対
象物１０に微少スポツト光２０を照射し、前記対物レン
ズ１８及び集光レンズ２２よりなる結像レンズでその微
少スポツト光２０の像を形成する。 前記集光レンズ２２の手前にはＳＮ比を向上させるため
のリング状マスク２４が設けられているが、このマスク
は省略することも可能である。 第１図は、測定対象物１０に微少スポツト光２０が集光
している状態、即ち、測定対象物１０が合焦面にある状
態を示している。このときの微少スポツト光２０の像が
形成される面を合集結像面と定義する。 この合集結像面から図の下方向に変化させてセンサ２６
が配設されており、このセンサ２６からは信号a 、b が
出力され、これらは差動増幅器２８に入力されて変位信
号d が生成されている。 前記センサ２６は、第２図に詳細に示す如く、同芯円状
に分割配設された内側受光素子３０と外側受光素子３２
とから構成されており、共通電極３４が例えば裏面に接
続されている。前記受光素子３０、３２としては、例え
ばフオトダイオードやフオトトランジスタ等を使用する
ことができる。 以下第３図と第４図を参照して比較例の作用を説明す
る。 測定対象物１０が合焦面からＺ方向に変位して、Ｐ１又
はＰ２の変位面に合致すると、微少スポツト光２０の像
の集光点はＱ１又はＱ２となる。このときセンサ２６に
は、微少スポツト光の焦点ずれした像のリンズ状マスク
２４で制限された像が第４図（Ａ）（変位面がＰ１で集
光点がＱ１の場合）又は第４図（Ｂ）（変位面がＰ２で
集光点がＱ２の場合）のように形成される。従つてセン
サ２６は、この焦点ずれした像の光軸を中心とした半径
方向の光量分布重心位置に対応した信号を出力すること
になり、測定対象物１０の変位Ｚと差動増幅器２８から
出力される変位信号d の関係は、例えば第５図に示す如
くとなる。従つて、この変位信号d が零であることから
変位面が合焦面であることを検出することができる。 この比較例によれば、非常に簡単に構成で変位検出が可
能となる。 この比較例では、リング状マスク２４が設けられている
ので、ＳＮ比が高い、即ち、マスクが全く無いと、中心
部の像が完全には抜けないため、特に、第４図（Ｂ）の
場合に、センサ２６の内側受光素子３０にも出力が発生
し、バツクグラウンド成分が大となつて、ＳＮ比が低下
する。又、特開昭６１−１２０９１２のような中心部の
みを遮蔽するデイスク状マスクの場合には、外側の像が
遮蔽されないため、特に、第４図（Ａ）の場合に、像
が、内側受光素子３０だけでなく外側受光素子３２にも
広がつて、バツクグラウンド成分となり、コントラスト
が低下して、ＳＮ比が低下してしまう。これらに対し
て、リング状マスク２４が存在する場合は、第４図
（Ａ）（Ｂ）のいずれの場合も、バツクグラウンド成分
が少なく、ＳＮ比が高い。 次に第６図を参照して、特に顕微鏡等のオートフオーカ
ス装置のセンサ部として用いるのに好適な、本発明の実
施例を詳細に説明する。 この実施例においても、前記比較例と同様に、合焦結像
面から変位して第１センサ２６が配設されている。 更に、前記比較例に対して、比較例と同様の対物レンズ
１８、第２ビームスプリツタ４０、第２集光レンズ４２
よりなる、微少スポツト光２０の像を別位に形成する光
学系が付加されている。 又、前記比較例と同様の第１センサ２６の変位方向とは
逆方向に合焦結像面から変位させて第２センサ４４が設
けられている。 前記第１センサ２６、第２センサ４４とも前記比較例の
センサ２６と同じ構造であり、検出回路４６には、前記
第１センサ２６の出力信号a １、b １及び第２センサ４
４の出力信号a ２、b ２の差動増幅をそれぞれ行う差動
増幅器４６Ａ、４６Ｂと、該差動増幅器４６Ａ、４６Ｂ
の出力d １、d ２を入力して変位信号（合焦信号）e を
生成する差動増幅器４６Ｃから構成されている。 他の点については前記比較例と同様であるので説明は省
略する。 以下実施例の作用を説明する。 今比較例のようにセンサ２６が１個しか設けられていな
い場合、第７図に示す如く、測定対象物１０の変位Ｚに
よつてセンサ２６に形成される微少スポツト光による焦
点ずれ像が、収束光Ａの場合と収束光Ｂの場合で識別が
不可能である。しかしながら、第２センサ４４の出力と
の差動を取つている変位信号e は異なつた値となり、こ
の２つの場合は区別される。従つて、この実施例によれ
ば、比較例に比べて測定範囲が拡張できる。 この実施例では、集光レンズをボイスコイル等で振動さ
せて平均化の効果を得ることも可能である。 次に、第８図及び第９図を参照して、センサと検出回路
の他の例を説明する。 このセンサ５０は、第９図に詳細に示す如く、Ｐ型半導
体層５０Ａ、Ｉ型層（真性半導体層）５０Ｂ、Ｎ型半導
体層５０Ｃからなる三層半導体の上面に、中央電極５０
Ｄ及びそれを中心として円形に形成された周辺電極５０
Ｅを有し、下面に共通電極５０Ｆが形成された半導体位
置検出器とされている。各電極は、例えばニツケル薄層
で構成されている。又、半導体材料としては、シリコン
Ｓi 、ガリウム・アルミニウム・リンＧa ＡｌＰ等が使
用できる。 検出回路５２は、第８図に詳細に示した如く、周辺電極
５０Ｅの出力信号i 及び中心電極５０Ｄの出力信号j を
電流電圧変換する電流電圧変換器５２Ａ、５２Ｂと、該
電流電圧変換器５２Ａ、５２Ｂの出力信号i ′、j ′の
差信号k （＝i ′−j ′）、和信号ｌ（＝i ′＋j ′）
をそれぞれ出力する差演算器５２Ｃ、和演算器５２Ｄ
と、差信号k を和信号ｌで除することによつて変位信号
m （＝k ／ｌ）を得る除算器５２Ｅとから構成されてい
る。この変位信号m は、センサ５０への入射光の半径方
向での光量分布重心位置に対応した信号となるので、本
発明のセンサとして用いることができる。
以上説明した通り、本発明によれば、簡単な光学系を用
いて、高いＳＮ比で変位検出が可能となる。又、非接触
式変位検出の分野における技術の多様化に寄与する。更
に、センサを２組設けたので、測定範囲を拡張すること
ができる等の優れた効果を有する。
いて、高いＳＮ比で変位検出が可能となる。又、非接触
式変位検出の分野における技術の多様化に寄与する。更
に、センサを２組設けたので、測定範囲を拡張すること
ができる等の優れた効果を有する。
第１図は、本発明に係る非接触変位計の前提となる比較
例の構成を示す正面図、第２図は、第１図のII−II線に
沿う横断面図、第３図は、比較例の作用を説明するため
の光学系の正面図、第４図は、同じくセンサに形成され
る像を示す平面図、第５図は、比較例の変位信号の一例
を示す線図、第６図は、本発明の実施例の構成を示す正
面図、第７図は、実施例の作用を説明するための線図、
第８図は、前記実施例で用いられているセンサと検出回
路の変形例を示す正面図、第９図は、第８図のIX−IX線
に沿う横断面図である。 １０……測定対象物、 １２……レーザダイオード、 １４……コリメータレンズ、 １６、４０……ビームスプリツタ、 １８……対物レンズ、２０……微少スポツト光、 ２２、４２……集光レンズ、 ２４……リング状マスク、 ２６、４４、５０……センサ、 ２８、４６Ａ、４６Ｂ、４６Ｃ……差動増幅器、 d 、e 、m ……変位信号、 ３０……内側受光素子、 ３２……外側受光素子、 ４６、５２……検出回路、 ５０Ｄ……中央電極、５０Ｅ……周辺電極、 ５２Ｃ……差演算器、５２Ｄ……和演算器、 ５２Ｅ……除算器。
例の構成を示す正面図、第２図は、第１図のII−II線に
沿う横断面図、第３図は、比較例の作用を説明するため
の光学系の正面図、第４図は、同じくセンサに形成され
る像を示す平面図、第５図は、比較例の変位信号の一例
を示す線図、第６図は、本発明の実施例の構成を示す正
面図、第７図は、実施例の作用を説明するための線図、
第８図は、前記実施例で用いられているセンサと検出回
路の変形例を示す正面図、第９図は、第８図のIX−IX線
に沿う横断面図である。 １０……測定対象物、 １２……レーザダイオード、 １４……コリメータレンズ、 １６、４０……ビームスプリツタ、 １８……対物レンズ、２０……微少スポツト光、 ２２、４２……集光レンズ、 ２４……リング状マスク、 ２６、４４、５０……センサ、 ２８、４６Ａ、４６Ｂ、４６Ｃ……差動増幅器、 d 、e 、m ……変位信号、 ３０……内側受光素子、 ３２……外側受光素子、 ４６、５２……検出回路、 ５０Ｄ……中央電極、５０Ｅ……周辺電極、 ５２Ｃ……差演算器、５２Ｄ……和演算器、 ５２Ｅ……除算器。
Claims (1)
- 【請求項１】測定対象物に微少スポツト光を照射する照
明系と、 該微少スポツト光の像を２つ形成する結像レンズと、 結像光路中に、中心が光軸と一致するように挿入された
リング状マスクと、 一方の像の合焦結像面から偏位して、中心が光軸と一致
するように配設され、前記微少スポツト光による一方の
焦点ずれ像が前記リング状マスクで制限された像の、光
軸を中心とした半径方向の光量分布重心位置に対応した
信号を出力するための、受光部が円状又はリング状の第
１のセンサと、 他方の像の合焦結像面から前記第１のセンサとは異なる
偏位量で、中心が光軸と一致するように配設され、前記
微少スポツト光による他方の焦点ずれ像が前記リング状
マスクで制限された像の、光軸を中心とした半径方向の
光量重心位置に対応した信号を出力するための、受光部
が円状又はリング状の第２のセンサとを含み、 前記第１のセンサと第２のセンサの出力差に基づいて、
測定対象物の合焦面からの変位に応じた変位信号を出力
することを特徴とする非接触変位計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302230A JPH0654231B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 非接触変位計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61302230A JPH0654231B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 非接触変位計 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153419A JPS63153419A (ja) | 1988-06-25 |
| JPH0654231B2 true JPH0654231B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=17906514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61302230A Expired - Fee Related JPH0654231B2 (ja) | 1986-12-18 | 1986-12-18 | 非接触変位計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654231B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110813U (ja) * | 1989-02-22 | 1990-09-05 | ||
| JP3255703B2 (ja) * | 1992-05-15 | 2002-02-12 | オリンパス光学工業株式会社 | 焦点検出装置 |
| JP5925390B1 (ja) | 2014-12-02 | 2016-05-25 | 三菱電機株式会社 | 変位センサ、変位検出装置及び変位検出方法 |
| WO2018207255A1 (ja) * | 2017-05-09 | 2018-11-15 | オリンパス株式会社 | 合焦機能を備えた標本観察装置 |
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Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52107855A (en) * | 1976-03-05 | 1977-09-09 | Koito Mfg Co Ltd | Noncontact type position detector |
| JPS5979805A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 距離センサ |
| JPS61120912A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-09 | Canon Inc | 距離測定装置 |
| JPS61247910A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-05 | Canon Inc | 距離測定方法 |
| EP0248479B1 (en) * | 1986-06-04 | 1991-11-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Arrangement for optically measuring a distance between a surface and a reference plane |
-
1986
- 1986-12-18 JP JP61302230A patent/JPH0654231B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63153419A (ja) | 1988-06-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |