JPH0654744B2 - ビスマス置換磁性ガーネットの製法 - Google Patents
ビスマス置換磁性ガーネットの製法Info
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- JPH0654744B2 JPH0654744B2 JP27557484A JP27557484A JPH0654744B2 JP H0654744 B2 JPH0654744 B2 JP H0654744B2 JP 27557484 A JP27557484 A JP 27557484A JP 27557484 A JP27557484 A JP 27557484A JP H0654744 B2 JPH0654744 B2 JP H0654744B2
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- magnetic garnet
- light
- garnet
- light absorption
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、例えば光アイソレータに適用する磁性ガーネ
ット、特に 0.8μｍの波長帯（ 0.8μｍの波長帯とは
0.8μｍの波長を中心とする0.75〜0.85μｍ程度の波長
範囲を一般に指称するものであり、本明細書においても
この波長範囲を指称するものとする）に関して光吸収を
小さくしたビスマス（Bi）置換の磁性ガーネットとその
製法に係わる。
ット、特に 0.8μｍの波長帯（ 0.8μｍの波長帯とは
0.8μｍの波長を中心とする0.75〜0.85μｍ程度の波長
範囲を一般に指称するものであり、本明細書においても
この波長範囲を指称するものとする）に関して光吸収を
小さくしたビスマス（Bi）置換の磁性ガーネットとその
製法に係わる。
例えば光ディスク、光磁気ディスク等における情報の記
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
録或いは（及び）読み出しをはじめとして、各種用途に
半導体レーザーの利用が広まっている。
ところが、このように半導体レーザーを用いる場合、こ
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
れに戻り光があるとモードホッピングノイズが生じるな
どの不都合があることから、できるだけ、半導体レーザ
ーから発振した光が、再び半導体レーザーに戻ることが
ないように、この戻り光を遮断する光アイソレータの必
要性が高まっている。
この光アイソレータは、第１図にその概略的構成を示す
ように、ファラデー回転素子(1)を挾んで偏光子(2)と検
光子(3)とが配置されて成る。ファラデー回転素子(1)
は、マグネット(4)によって光軸方向に磁場が与えられ
て、光源(5)例えば半導体レーザーから偏光子(2)を通じ
て入射する直線偏光をその偏光面が45゜回転するように
なされる。検光子(3)はこのファラデー回転素子(1)によ
って45゜回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面(6)からの反射光、すなわち戻り光がある場合、こ
の戻り光は、再び検光子(3)を通過してファラデー回転
素子(1)を通過し、この時再び45゜回転されて偏光子(2)
に向う。したがって、この偏光子(2)に向う戻り光は順
方向の入射光に対してその偏光面が90゜回転しているこ
とになり、この偏光子(2)を通過することができず、光
源(4)に向うことができない。このように光アイソレー
タによれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過
性を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏
することができる。
ように、ファラデー回転素子(1)を挾んで偏光子(2)と検
光子(3)とが配置されて成る。ファラデー回転素子(1)
は、マグネット(4)によって光軸方向に磁場が与えられ
て、光源(5)例えば半導体レーザーから偏光子(2)を通じ
て入射する直線偏光をその偏光面が45゜回転するように
なされる。検光子(3)はこのファラデー回転素子(1)によ
って45゜回転した偏光を通過することができるようにそ
の軸方向が選ばれていて、これを通過した光が被照射面
に照射するようになされている。そして、この場合被照
射面(6)からの反射光、すなわち戻り光がある場合、こ
の戻り光は、再び検光子(3)を通過してファラデー回転
素子(1)を通過し、この時再び45゜回転されて偏光子(2)
に向う。したがって、この偏光子(2)に向う戻り光は順
方向の入射光に対してその偏光面が90゜回転しているこ
とになり、この偏光子(2)を通過することができず、光
源(4)に向うことができない。このように光アイソレー
タによれば、一方向すなわち順方向に関しては、光透過
性を有するがこれとは逆の方向に関しては遮断効果を奏
することができる。
このように光アイソレータは、逆方向の光を遮断する機
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さｔは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述の例
では45゜の回転角を得るために、或る厚さを必要とす
る。
能を有するものであるが、順方向の光損失を小さくする
上でファラデー回転素子自体の光透過率はできるだけ大
きいことが望まれる。この光透過率を大きくするには、
ファラデー回転素子の厚さｔは、できるだけ小さいこと
が望まれるが、この厚さｔは、所要の回転角、上述の例
では45゜の回転角を得るために、或る厚さを必要とす
る。
45゜回転する間の順方向損失Ｌ（dB）は、 （但し、αは光吸収係数、Ｆはファラデー回転能）で与
えられるので、Ｌを小さくするには、光吸収係数αが小
さいものが必要となる。
えられるので、Ｌを小さくするには、光吸収係数αが小
さいものが必要となる。
この光吸収係数αは、波長に依存するものであり、 1.3
μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、 Y
IG（イットリウム・鉄・ガーネット）によるファラデー
回転素子によって可成り満足するものが得られている。
μｍ波長帯で代表されるような長波長帯については、 Y
IG（イットリウム・鉄・ガーネット）によるファラデー
回転素子によって可成り満足するものが得られている。
ところが、上述したような光ディスク、或いは光磁気デ
ィスク等の光源としては、AlGaAs形半導体レーザーのよ
うな 0.8μｍ波長帯の半導体レーザーが用いられんとす
る方向にあり、この 0.8μｍ波長帯についてのファラデ
ー回転素子の開発が望まれている。
ィスク等の光源としては、AlGaAs形半導体レーザーのよ
うな 0.8μｍ波長帯の半導体レーザーが用いられんとす
る方向にあり、この 0.8μｍ波長帯についてのファラデ
ー回転素子の開発が望まれている。
一方、このようなファラデー回転素子に用いる磁性ガー
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばGGG （ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基板を引
上げることによってこの基板上に磁性ガーネット膜を育
成するという方法が量産性にすぐれているものである
が、この場合、この液相エピタキシーの融液には、フラ
ックスが添加される。このフラックスとしては、通常 P
bOが用いられる。ところが、このPbO をフラックスとし
て用いた場合、その育成された結晶膜中にPb2+の一部が
混入することは避けられないものであり、これによって
光の吸収損失を低めることが難しくなる。尚、 PbOフラ
ックスによる場合においても、その結晶膜の育成温度を
コントロールすることによって光吸収を下げることがで
きるという報告もなされている（ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Journal of Applied Physic
s）Vol.45 P 2867〜2873 July 1974）ところであるが、
これについても、 0.8μｍ波長帯では有効なものではな
い。
ネット、すなわち希土類鉄ガーネットを育成する方法と
しては、液相エピタキシーによって結晶膜を得るという
方法、すなわち原料融液中に例えばGGG （ガドリニウム
・ガリウム・ガーネット）基板を浸漬し、この基板を引
上げることによってこの基板上に磁性ガーネット膜を育
成するという方法が量産性にすぐれているものである
が、この場合、この液相エピタキシーの融液には、フラ
ックスが添加される。このフラックスとしては、通常 P
bOが用いられる。ところが、このPbO をフラックスとし
て用いた場合、その育成された結晶膜中にPb2+の一部が
混入することは避けられないものであり、これによって
光の吸収損失を低めることが難しくなる。尚、 PbOフラ
ックスによる場合においても、その結晶膜の育成温度を
コントロールすることによって光吸収を下げることがで
きるという報告もなされている（ジャーナル オブ ア
プライド フィジックス（Journal of Applied Physic
s）Vol.45 P 2867〜2873 July 1974）ところであるが、
これについても、 0.8μｍ波長帯では有効なものではな
い。
そこでPb2+が混入することのないように、Bi2O3のみを
フラックスとする融液を用いて液相エピタキシーによっ
てBi置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土類の一部を
Biで置換した磁性ガーネット膜を育成することが考えら
れる（ジャーナル オブ エレクトロ ケミカル ソサ
イアテイ（Journal of Electrochemical Society）Vol.
123 P 1248〜1249 1976）。
フラックスとする融液を用いて液相エピタキシーによっ
てBi置換の磁性ガーネット膜、すなわち希土類の一部を
Biで置換した磁性ガーネット膜を育成することが考えら
れる（ジャーナル オブ エレクトロ ケミカル ソサ
イアテイ（Journal of Electrochemical Society）Vol.
123 P 1248〜1249 1976）。
ところが、実際上、このような方法によってBi置換の磁
性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得られ
ない。これは、本来Bi置換の磁性ガーネットの組成は、
例えば （Ｔ▲m3+ 2.3▼Ｂ▲i3+ 0.7▼）（Ｆ▲e3+ 4.0▼Ｇ▲a3+
1.0▼）Ｏ12 …(2) であるべきものが、実際には、 Ｔ▲m3+ 2.3▼Ｂ▲i3+ 0.7▼Ｆ▲e3+ 4.0-2 δ▼Ｇ▲a3+ 1.0
▼▲Ｏ2- 12- δ▼…(3) で示されるような酸素空席の発生によって２価のFeイオ
ンが発生してこれにより光吸収が生じるものと思われ
る。
性ガーネットを育成しても、光吸収の低下は充分得られ
ない。これは、本来Bi置換の磁性ガーネットの組成は、
例えば （Ｔ▲m3+ 2.3▼Ｂ▲i3+ 0.7▼）（Ｆ▲e3+ 4.0▼Ｇ▲a3+
1.0▼）Ｏ12 …(2) であるべきものが、実際には、 Ｔ▲m3+ 2.3▼Ｂ▲i3+ 0.7▼Ｆ▲e3+ 4.0-2 δ▼Ｇ▲a3+ 1.0
▼▲Ｏ2- 12- δ▼…(3) で示されるような酸素空席の発生によって２価のFeイオ
ンが発生してこれにより光吸収が生じるものと思われ
る。
尚、液相エピタキシーによって磁気異方性を有するガー
ネット膜を得る方法として、フラックスにCaCO３を添加
したものの報告（マティリアル リサーチ ブルテン
（Material Research Bulltein） VOl.11，PP337〜346
,1976）があるが、この場合、そのフラックスはBi2O３
単独のものではなく、Bi2O３と共に、CeO2／ K2O，或い
はSiO2／Na2O等が添加されるものであり、しかも光吸収
についての究明はなされていない。
ネット膜を得る方法として、フラックスにCaCO３を添加
したものの報告（マティリアル リサーチ ブルテン
（Material Research Bulltein） VOl.11，PP337〜346
,1976）があるが、この場合、そのフラックスはBi2O３
単独のものではなく、Bi2O３と共に、CeO2／ K2O，或い
はSiO2／Na2O等が添加されるものであり、しかも光吸収
についての究明はなされていない。
前述したように従来方法によって得られるBi置換磁性ガ
ーネットによっても、 0.8μｍ波長帯に関して光吸収が
充分小さいものが得られていないことに問題点がある。
ーネットによっても、 0.8μｍ波長帯に関して光吸収が
充分小さいものが得られていないことに問題点がある。
本発明は、このような問題点を解消するものであり、
0.8μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光デ
ィスク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、こ
の光源として 0.8μｍ波長帯の半導体レーザーを用いた
場合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転素
子として用いて好適ならしめたBi置換磁性ガーネットと
その製法を提供するものである。
0.8μｍ波長帯において高い透過率を有し、例えば光デ
ィスク、光磁気ディスクの記録・再生装置において、こ
の光源として 0.8μｍ波長帯の半導体レーザーを用いた
場合の戻り光防止の光アイソレータのファラデー回転素
子として用いて好適ならしめたBi置換磁性ガーネットと
その製法を提供するものである。
本発明においては、Bi2O３とガーネット構成元素のみか
らなる融液を用いて液相エピタキシャル成長によって形
成されたビスマス置換磁性ガーネットにおいて、 なる組成を有するBi置換磁性ガーネットを構成するもの
である。そして、そのｘを、 0.5≦ｘ≦2.0に選定し、
ｙを、０≦ｙ≦２に選定し、２δを、 0.8μｍ波長帯の
光吸収が極小となる値を中心にその±15％の範囲に選定
するものである。
らなる融液を用いて液相エピタキシャル成長によって形
成されたビスマス置換磁性ガーネットにおいて、 なる組成を有するBi置換磁性ガーネットを構成するもの
である。そして、そのｘを、 0.5≦ｘ≦2.0に選定し、
ｙを、０≦ｙ≦２に選定し、２δを、 0.8μｍ波長帯の
光吸収が極小となる値を中心にその±15％の範囲に選定
するものである。
また、本発明においては、上述したビスマス置換磁性ガ
ーネットを育成するに、光吸収の小さいガーネット基板
上にBi2O３とガーネット構成元素のみよりなる融液から
液相エピタキシャル成長によって磁性ガーネットを育成
するものであり、この液相エピタキシャル成長にあたっ
て、融液中にIIＡ族元素イオン例えばCa,Be のいずれか
１種以上をその含有量が 0.8μｍ波長帯で極小の光吸収
を与える量の近傍の量となるように添加する。
ーネットを育成するに、光吸収の小さいガーネット基板
上にBi2O３とガーネット構成元素のみよりなる融液から
液相エピタキシャル成長によって磁性ガーネットを育成
するものであり、この液相エピタキシャル成長にあたっ
て、融液中にIIＡ族元素イオン例えばCa,Be のいずれか
１種以上をその含有量が 0.8μｍ波長帯で極小の光吸収
を与える量の近傍の量となるように添加する。
このようにして本発明においては、最終的に例えば、 Ｔ▲m3+ 2.3-2 δ▼Ｂ▲i3+ 0.7▼Ｃ▲a2+ 2 δ▼Ｆ▲e3+ 4.0
▼Ｇ▲a3+ 1.0▼▲Ｏ12- δ▼…(4) のBi置換磁性ガーネットを得る。
▼Ｇ▲a3+ 1.0▼▲Ｏ12- δ▼…(4) のBi置換磁性ガーネットを得る。
本発明によれば、例えば上記(4)式でみられるように、F
e2+が存在しないBi置換磁性ガーネットを構成するもの
であり、このようにすることによってFe2+の存在による
0.8μｍ波長帯における光吸収の増加を回避できる。
e2+が存在しないBi置換磁性ガーネットを構成するもの
であり、このようにすることによってFe2+の存在による
0.8μｍ波長帯における光吸収の増加を回避できる。
実施例１ GGG基板上に液相エピタキシャル成長によってBi置換の
磁性ガーネット膜を育成した。この場合、用いた融液
は、 の融液にCaCO３を、TmとCaの偏折係数が同じであると仮
定したときの育成膜の組成が Tm2.3-2 δBi0.7Ca2 δ（Fe Ga）５O12 となるように添加した。この場合育成された結晶膜の厚
さは、40〜50μｍとした。この厚さは初期における GGG
基板の重量との重量変化による測定によって算出した。
そして、その組成において、２δを夫々 0.005，0.02
5，0.05,0.06,0.07,0.08,0.12に変えて夫々結晶膜、す
なわちBi置換の結晶膜を夫々成長させた。これら各組成
の結晶膜について夫々ゼーベック効果によって電気抵抗
率ρを測定した結果を第２図に示す。これにより２δ＝
0.07で抵抗ρは極大を示し、これを境にその電導型がｎ
型からｐ型に移行していることがわかった。これは、ｘ
＝0.07のとき、Fe2+イオンがCa2+イオンに置換されて、
電気補償組成になったと考えられる。また、第３図は、
波長λ＝0.81μｍに対する各組成の吸収係数αを測定し
た結果を示し、この吸収係数αは、ｘ＝0.07のとき、60
cm-1の極小値を示すものであることがわかる。これは、
電荷補償組成では、Fe2+が存在しないためFe2+による光
吸収がなくなって吸収係数αが低下するものと思われる
（ジャーナル オブ アブライド フィジックス（Jour
nal of Applied Physics）Vol. 41 P 1211〜1217,197
0）。尚、２δが0.07より充分大となるとき、ｐ型とな
って電気抵抗率ρが下がり、吸収係数も増大するが、こ
れは過剰なCa2+イオンよりFe4+が生じたためと考えられ
る。これよりすれば２δ＝0.07±0.01、すなわちCa2+が
0.06〜0.08モル／f.u（分子式当り）が低吸収係数を得
ることのできる望ましい範囲と言える。
磁性ガーネット膜を育成した。この場合、用いた融液
は、 の融液にCaCO３を、TmとCaの偏折係数が同じであると仮
定したときの育成膜の組成が Tm2.3-2 δBi0.7Ca2 δ（Fe Ga）５O12 となるように添加した。この場合育成された結晶膜の厚
さは、40〜50μｍとした。この厚さは初期における GGG
基板の重量との重量変化による測定によって算出した。
そして、その組成において、２δを夫々 0.005，0.02
5，0.05,0.06,0.07,0.08,0.12に変えて夫々結晶膜、す
なわちBi置換の結晶膜を夫々成長させた。これら各組成
の結晶膜について夫々ゼーベック効果によって電気抵抗
率ρを測定した結果を第２図に示す。これにより２δ＝
0.07で抵抗ρは極大を示し、これを境にその電導型がｎ
型からｐ型に移行していることがわかった。これは、ｘ
＝0.07のとき、Fe2+イオンがCa2+イオンに置換されて、
電気補償組成になったと考えられる。また、第３図は、
波長λ＝0.81μｍに対する各組成の吸収係数αを測定し
た結果を示し、この吸収係数αは、ｘ＝0.07のとき、60
cm-1の極小値を示すものであることがわかる。これは、
電荷補償組成では、Fe2+が存在しないためFe2+による光
吸収がなくなって吸収係数αが低下するものと思われる
（ジャーナル オブ アブライド フィジックス（Jour
nal of Applied Physics）Vol. 41 P 1211〜1217,197
0）。尚、２δが0.07より充分大となるとき、ｐ型とな
って電気抵抗率ρが下がり、吸収係数も増大するが、こ
れは過剰なCa2+イオンよりFe4+が生じたためと考えられ
る。これよりすれば２δ＝0.07±0.01、すなわちCa2+が
0.06〜0.08モル／f.u（分子式当り）が低吸収係数を得
ることのできる望ましい範囲と言える。
また、上述の実施例１についての現象は、Bi2O3のみを
フラックスとした希土類鉄ガーネットについて共通する
ことであり、したがって希土類としてTmに代えて他の希
土類を用い、Feと置換するGaに代えて他の３価のAlを使
用する場合においてもCa2+の添加によって同様の効果が
期待できる。この場合、一般にCa2+の偏折係数は融液の
組成によって変るので、吸収係数の極小を与えるCa2+量
は実施例１の場合と相違してくると考えられるが、Ca2+
量の選定によって必ず極小は得られるものであり、この
極小を与えるCa2+量の前後±15％のCa2+を添加すれば、
光吸収に顕著な減少を得られることができることが確認
された。
フラックスとした希土類鉄ガーネットについて共通する
ことであり、したがって希土類としてTmに代えて他の希
土類を用い、Feと置換するGaに代えて他の３価のAlを使
用する場合においてもCa2+の添加によって同様の効果が
期待できる。この場合、一般にCa2+の偏折係数は融液の
組成によって変るので、吸収係数の極小を与えるCa2+量
は実施例１の場合と相違してくると考えられるが、Ca2+
量の選定によって必ず極小は得られるものであり、この
極小を与えるCa2+量の前後±15％のCa2+を添加すれば、
光吸収に顕著な減少を得られることができることが確認
された。
比較例 GGG基板上に下記組成の融液を用いて液相エピタキシー
を行って結晶膜の育成を行った。
を行って結晶膜の育成を行った。
このとき膜厚は46.6μｍであり、波長λ＝0.81μｍにお
ける光吸収係数αは 300cm-1、電気抵抗率ρは1.39×10
５Ω・cm、ゼーベック効果で測定した導電性式はｎ型で
あった。このような高い光吸収と低い抵抗率は、酸素空
席によるFe2+イオンが発生していることによると思われ
る。
ける光吸収係数αは 300cm-1、電気抵抗率ρは1.39×10
５Ω・cm、ゼーベック効果で測定した導電性式はｎ型で
あった。このような高い光吸収と低い抵抗率は、酸素空
席によるFe2+イオンが発生していることによると思われ
る。
実施例２ 下記組成の融液によって GGG基板の両面に各面における
膜厚が96μｍの結晶膜を育成して後、これを直径６mmに
打ち抜き第１図で説明したファラデー回転素子(1)を作
製した。
膜厚が96μｍの結晶膜を育成して後、これを直径６mmに
打ち抜き第１図で説明したファラデー回転素子(1)を作
製した。
このときのフラデー回転角は45゜、ファラデー回転能Ｆ
は0.23゜／μｍ、光吸収係数αは59cm-1であった。この
ファラデー回転素子(1)を用いて第１図で説明した光ア
イソレータを構成したところ順方向の光吸収損は５dB，
アイソレーション（消光比）は34dBとなった。尚、ファ
ラデー回転能Ｆが更に大なる育成膜を形成することによ
って更に厚さｔの減少化がはかられるので、順方向の
1.8μｍ波長帯の光の損失を、より小とすることができ
る。
は0.23゜／μｍ、光吸収係数αは59cm-1であった。この
ファラデー回転素子(1)を用いて第１図で説明した光ア
イソレータを構成したところ順方向の光吸収損は５dB，
アイソレーション（消光比）は34dBとなった。尚、ファ
ラデー回転能Ｆが更に大なる育成膜を形成することによ
って更に厚さｔの減少化がはかられるので、順方向の
1.8μｍ波長帯の光の損失を、より小とすることができ
る。
上述したように本発明によれば、 0.8μｍ波長帯に対し
て光吸収の小さいBi置換磁性ガーネットを得るとができ
るので、これを例えば光アイソレータのファラデー回転
素子として用いることによって 0.8μｍ波長帯の半導体
レーザーを用いる場合において戻り光はこれを阻止して
半導体レーザーにおいて安定な動作をなさしめ、順方向
の光に関しては高い透過率、すなわち低光損失とするこ
とができるので、光ディスク、光磁気ディスク等の各種
情報の記録・再生光源系に用いることができ、実用上の
利益は大である。
て光吸収の小さいBi置換磁性ガーネットを得るとができ
るので、これを例えば光アイソレータのファラデー回転
素子として用いることによって 0.8μｍ波長帯の半導体
レーザーを用いる場合において戻り光はこれを阻止して
半導体レーザーにおいて安定な動作をなさしめ、順方向
の光に関しては高い透過率、すなわち低光損失とするこ
とができるので、光ディスク、光磁気ディスク等の各種
情報の記録・再生光源系に用いることができ、実用上の
利益は大である。
第１図は本発明によるBi置換磁性ガーネットを適用し得
る光アイソレータの構成図、第２図及び第３図は本発明
の説明に供する抵抗率ρ及び光吸収係数αの測定曲線図
である。 (1)はファラデー回転素子、(2)は偏光子、(3)は検光
子、(4)はマグネット、(5)は光源、(6)は被照射面であ
る。
る光アイソレータの構成図、第２図及び第３図は本発明
の説明に供する抵抗率ρ及び光吸収係数αの測定曲線図
である。 (1)はファラデー回転素子、(2)は偏光子、(3)は検光
子、(4)はマグネット、(5)は光源、(6)は被照射面であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 敏郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−22699（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−50407（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Bi2O３と磁性ガーネット構成元素のみから
なる融液を用い、 液相エピタキシャル成長によって なる組成を有し、上記ｘは、0.5 ≦ｘ≦2.0 に選定さ
れ、上記ｙは０≦ｙ≦２に選定され、上記２δは0.8 μ
ｍ波長帯の光吸収が極小となる値を中心にその±15％の
範囲に選定したビスマス置換磁性ガーネットを得ること
を特徴とするビスマス置換磁性ガーネットの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27557484A JPH0654744B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27557484A JPH0654744B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61150303A JPS61150303A (ja) | 1986-07-09 |
| JPH0654744B2 true JPH0654744B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=17557347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27557484A Expired - Fee Related JPH0654744B2 (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ビスマス置換磁性ガーネットの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH0654744B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1984
- 1984-12-25 JP JP27557484A patent/JPH0654744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61150303A (ja) | 1986-07-09 |
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