JPH0655285A - レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置Info
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- JPH0655285A JPH0655285A JP4211687A JP21168792A JPH0655285A JP H0655285 A JPH0655285 A JP H0655285A JP 4211687 A JP4211687 A JP 4211687A JP 21168792 A JP21168792 A JP 21168792A JP H0655285 A JPH0655285 A JP H0655285A
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣ内に設けられた切断加工すべき部分がＩ
Ｃ内の深部に設けられても、切断加工を確実に達するこ
とができるレーザ加工方法及びこの方法を用いたレーザ
加工装置を提供する。 【構成】 この発明では被加工体の目標とする部分に切
断すべき部分を液相化する程度のエネルギを持つ予備加
熱用光Ａを与えて予備加熱し、予備加熱後に切断用レー
ザビームＢを与えて目的とする部分を切断加工する。
Ｃ内の深部に設けられても、切断加工を確実に達するこ
とができるレーザ加工方法及びこの方法を用いたレーザ
加工装置を提供する。 【構成】 この発明では被加工体の目標とする部分に切
断すべき部分を液相化する程度のエネルギを持つ予備加
熱用光Ａを与えて予備加熱し、予備加熱後に切断用レー
ザビームＢを与えて目的とする部分を切断加工する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えばＩＣの製造現場
に利用することができるレーザ加工方法及びこの加工方
法を用いたレーザ加工装置に関する。
に利用することができるレーザ加工方法及びこの加工方
法を用いたレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ化されたメモリの分野ではメモリセ
ルの不良を救済するために、冗長部分を設け、不良セル
が発生したラインを冗長部分のラインに置換え、これに
より良品として実用できるように処置する方法がある。
この救済処置を実行するために、従来よりレーザ加工装
置が実用されている。レーザ加工装置によりＩＣ内に設
けられた溶断可能な部分（ヒューズ等）にレーザビーム
を収束させて照射し、ＩＣ内の溶断可能な部分を切断加
工し、救済処置を施している。
ルの不良を救済するために、冗長部分を設け、不良セル
が発生したラインを冗長部分のラインに置換え、これに
より良品として実用できるように処置する方法がある。
この救済処置を実行するために、従来よりレーザ加工装
置が実用されている。レーザ加工装置によりＩＣ内に設
けられた溶断可能な部分（ヒューズ等）にレーザビーム
を収束させて照射し、ＩＣ内の溶断可能な部分を切断加
工し、救済処置を施している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】メモリの記憶容量は日
夜増加の一途をたどり、ＩＣの集積度は益々高密度化さ
れている。従来は救済処置を行なうべく設けられる切断
加工を行なうべき部分は比較的ＩＣの表面近くに設けら
れていた、然し乍らこの高密度化の影響により切断加工
すべき部分は次第に深部に移行する傾向にある。切断す
べき溶断可能部分がＩＣの深部に移行するに従って切断
加工の確度が低下し、救済処置を実行できるか否かが問
われている。
夜増加の一途をたどり、ＩＣの集積度は益々高密度化さ
れている。従来は救済処置を行なうべく設けられる切断
加工を行なうべき部分は比較的ＩＣの表面近くに設けら
れていた、然し乍らこの高密度化の影響により切断加工
すべき部分は次第に深部に移行する傾向にある。切断す
べき溶断可能部分がＩＣの深部に移行するに従って切断
加工の確度が低下し、救済処置を実行できるか否かが問
われている。
【０００４】この課題を解決すべき一つの方法として被
加工体全体を予め加熱し、溶断可能部分の温度を上昇さ
せた状態でレーザビームにより切断加工を実行する方法
が考えられている。然し乍ら被加工体の全体を加熱する
には被加工体を搭載し、被加工体をＸ−Ｙ軸方向に移動
させ、被加工体の所望の位置にレーザビームを照射させ
るために設けられる移動台に、加熱装置を搭載しなけれ
ばならなくなる。移動台に加熱装置を搭載した場合には
移動台にも熱が加わり、移動する位置の精度が悪くなる
欠点がある。また被加工体の全体を加熱し所望の温度に
達するには時間が掛る欠点もある。また被加工体の全体
を加熱するから、加熱を不要とする部分も加熱してしま
い熱的衝撃を与えてしまう欠点もある。この発明の目的
は切断すべき部分がＩＣの深部に設けられても切断加工
を確実に実行でき、然も被加工体の全体に熱的衝撃を与
えることがなく、更にレーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ
移動台に熱を加えることがないレーザ加工方法及びこの
加工方法を利用したレーザ加工装置を提供しようとする
ものである。
加工体全体を予め加熱し、溶断可能部分の温度を上昇さ
せた状態でレーザビームにより切断加工を実行する方法
が考えられている。然し乍ら被加工体の全体を加熱する
には被加工体を搭載し、被加工体をＸ−Ｙ軸方向に移動
させ、被加工体の所望の位置にレーザビームを照射させ
るために設けられる移動台に、加熱装置を搭載しなけれ
ばならなくなる。移動台に加熱装置を搭載した場合には
移動台にも熱が加わり、移動する位置の精度が悪くなる
欠点がある。また被加工体の全体を加熱し所望の温度に
達するには時間が掛る欠点もある。また被加工体の全体
を加熱するから、加熱を不要とする部分も加熱してしま
い熱的衝撃を与えてしまう欠点もある。この発明の目的
は切断すべき部分がＩＣの深部に設けられても切断加工
を確実に実行でき、然も被加工体の全体に熱的衝撃を与
えることがなく、更にレーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ
移動台に熱を加えることがないレーザ加工方法及びこの
加工方法を利用したレーザ加工装置を提供しようとする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明では、レーザ発
振器又はその他の補助光源から切断加工には達しない低
レベルのレーザビーム又はその他の低レベルの光を予め
目標とする部分に収束させて照射し、目標とする部分の
温度を上昇させ予備加熱を行なわせる。この予備加熱に
より目標部分の温度を上昇させ、その後レーザビーム源
から高レベルのレーザビームを出射させて目的とする部
分を切断させる。
振器又はその他の補助光源から切断加工には達しない低
レベルのレーザビーム又はその他の低レベルの光を予め
目標とする部分に収束させて照射し、目標とする部分の
温度を上昇させ予備加熱を行なわせる。この予備加熱に
より目標部分の温度を上昇させ、その後レーザビーム源
から高レベルのレーザビームを出射させて目的とする部
分を切断させる。
【０００６】このレーザ加工方法によれば予備加熱によ
り目標部分だけを局部的に加熱することができ、溶断可
能部分を液状に相変化させることができる。よって溶断
可能部分がＩＣの深部に存在しても確実に切断させるこ
とができる。然もレーザビーム又は補助光源の光によっ
て予備加熱するから、目標部分だけ局部的に加熱するこ
とができる。よって被加工体の全体に熱的な衝撃を与え
なくて済むことと、レーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ移
動台に熱を加えなくて済む。この結果Ｘ−Ｙ移動台の位
置精度を悪化させることがなく、被加工体に対する位置
決精度を良好な状態に維持することができる。
り目標部分だけを局部的に加熱することができ、溶断可
能部分を液状に相変化させることができる。よって溶断
可能部分がＩＣの深部に存在しても確実に切断させるこ
とができる。然もレーザビーム又は補助光源の光によっ
て予備加熱するから、目標部分だけ局部的に加熱するこ
とができる。よって被加工体の全体に熱的な衝撃を与え
なくて済むことと、レーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ移
動台に熱を加えなくて済む。この結果Ｘ−Ｙ移動台の位
置精度を悪化させることがなく、被加工体に対する位置
決精度を良好な状態に維持することができる。
【０００７】
【実施例】図１にこの発明によるレーザ加工方法を説明
するための波形図を示す。横軸ｔは時間、縦軸Ｅはレー
ザビームのエネルギを示す。この発明では目標部分を溶
断させることのないエネルギＥ1 を持つ予備加熱用のレ
ーザビームＡを被加工体に照射し、予備加熱を行なう。
予備加熱後、被加工体の温度が低下しない時間の範囲内
（約１ｍｓ程度）に切断加工に必要なエネルギＥ2 を持
つ切断用レーザビームＢを照射し、目的とする部分を切
断させる。
するための波形図を示す。横軸ｔは時間、縦軸Ｅはレー
ザビームのエネルギを示す。この発明では目標部分を溶
断させることのないエネルギＥ1 を持つ予備加熱用のレ
ーザビームＡを被加工体に照射し、予備加熱を行なう。
予備加熱後、被加工体の温度が低下しない時間の範囲内
（約１ｍｓ程度）に切断加工に必要なエネルギＥ2 を持
つ切断用レーザビームＢを照射し、目的とする部分を切
断させる。
【０００８】図２にレーザ加工装置の一例を示す。図中
１０は被加工体を示す。この被加工体１０はＸ−Ｙ移動
台１１に搭載されＸ−Ｙ方向に精度よく移動され、レー
ザビーム１２の照射点を被加工体１０の任意の位置に移
動できるように構成される。レーザビーム１２はレーザ
発振器１３から出射され、ミラー１４と、ビームスプリ
ッタ１５及び対物レンズ１６を経て被加工体１０に照射
される。対物レンズ１６は被加工体１０の目標位置に焦
点が合致される。つまり例えば図３に示すＩＣの内部に
おいて深部に設けた溶解可能部分１０Ａに焦点が合致さ
れ、溶解可能部分１０Ａにエネルギを集中させる。この
エネルギの集中により溶解可能部分１０Ａとは異なる位
置に形成した配線パターンＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を破損させ
ることなく、溶解可能部分１０Ａを予備加熱し、切断加
工が可能となる。
１０は被加工体を示す。この被加工体１０はＸ−Ｙ移動
台１１に搭載されＸ−Ｙ方向に精度よく移動され、レー
ザビーム１２の照射点を被加工体１０の任意の位置に移
動できるように構成される。レーザビーム１２はレーザ
発振器１３から出射され、ミラー１４と、ビームスプリ
ッタ１５及び対物レンズ１６を経て被加工体１０に照射
される。対物レンズ１６は被加工体１０の目標位置に焦
点が合致される。つまり例えば図３に示すＩＣの内部に
おいて深部に設けた溶解可能部分１０Ａに焦点が合致さ
れ、溶解可能部分１０Ａにエネルギを集中させる。この
エネルギの集中により溶解可能部分１０Ａとは異なる位
置に形成した配線パターンＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 を破損させ
ることなく、溶解可能部分１０Ａを予備加熱し、切断加
工が可能となる。
【０００９】ビームスプリッタ１５はハーフミラーによ
って構成することができ、レーザ発振器１３から出射さ
れるレーザビームの一部を入射光量検出器１７で検出
し、バッファアンプ１８を通じてＡＤ変換器１９に与
え、ＡＤ変換出力を制御器２１に与え、制御器２１によ
ってレーザ発振器１３の発振強度を制御する。またビー
ムスプリッタ１５は被加工体１０からの反射光を分岐
し、反射光量検出器２２で反射光量を測定し、バッファ
アンプ２３を通じてＡＤ変換器２３に反射光量に比例し
た電圧信号を入力し、そのＡＤ変換出力を制御器２１に
与え、反射光量によってもレーザ発振器１３の発振強度
を制御している。
って構成することができ、レーザ発振器１３から出射さ
れるレーザビームの一部を入射光量検出器１７で検出
し、バッファアンプ１８を通じてＡＤ変換器１９に与
え、ＡＤ変換出力を制御器２１に与え、制御器２１によ
ってレーザ発振器１３の発振強度を制御する。またビー
ムスプリッタ１５は被加工体１０からの反射光を分岐
し、反射光量検出器２２で反射光量を測定し、バッファ
アンプ２３を通じてＡＤ変換器２３に反射光量に比例し
た電圧信号を入力し、そのＡＤ変換出力を制御器２１に
与え、反射光量によってもレーザ発振器１３の発振強度
を制御している。
【００１０】この発明によるレーザ加工装置では制御器
２１に設けたシーケンス制御部２１Ａによって予備加熱
用レーザビームＡに続いて所定の時間内に切断用レーザ
ビームＢを出射するようにレーザ発振器１３を制御す
る。このように予備加熱用レーザビームＡと切断用レー
ザビームＢを出射させることにより予備加熱用レーザビ
ームＡによって目的とする溶断可能部分１０Ａ（図３）
を予備加熱して温度を上昇させておくことができ、この
予備加熱に続いて切断用レーザビームＢを出射すること
により溶断可能部分１０Ａを確実に切断することができ
る。
２１に設けたシーケンス制御部２１Ａによって予備加熱
用レーザビームＡに続いて所定の時間内に切断用レーザ
ビームＢを出射するようにレーザ発振器１３を制御す
る。このように予備加熱用レーザビームＡと切断用レー
ザビームＢを出射させることにより予備加熱用レーザビ
ームＡによって目的とする溶断可能部分１０Ａ（図３）
を予備加熱して温度を上昇させておくことができ、この
予備加熱に続いて切断用レーザビームＢを出射すること
により溶断可能部分１０Ａを確実に切断することができ
る。
【００１１】図４はこの発明の変形実施例を示す。この
例では予備加熱用の光源に補助光源２５を用いた場合を
示す。従ってこの場合にはミラー１４はハーフミラーを
使用する。補助光源２５としては赤外線光源或は白色光
源等を利用することができる。またこの例では補助光源
２５とミラー１４との間にシャッタ２６を設け、シャッ
タ２６を開閉制御して予備加熱に必要なエネルギを被加
工体１０に与える構造とした場合を示す。従ってこの場
合には補助光源２５は連続発光状態に維持させればよ
い。レーザ発振器１３側にもシャッタを設けることもで
きる。レーザ発振器１３側にシャッタを設けた場合には
レーザ発振器１３はパルス状のレーザビームを発振する
レーザ発振器でなく連続レーザ発振器を用いることがで
きる。
例では予備加熱用の光源に補助光源２５を用いた場合を
示す。従ってこの場合にはミラー１４はハーフミラーを
使用する。補助光源２５としては赤外線光源或は白色光
源等を利用することができる。またこの例では補助光源
２５とミラー１４との間にシャッタ２６を設け、シャッ
タ２６を開閉制御して予備加熱に必要なエネルギを被加
工体１０に与える構造とした場合を示す。従ってこの場
合には補助光源２５は連続発光状態に維持させればよ
い。レーザ発振器１３側にもシャッタを設けることもで
きる。レーザ発振器１３側にシャッタを設けた場合には
レーザ発振器１３はパルス状のレーザビームを発振する
レーザ発振器でなく連続レーザ発振器を用いることがで
きる。
【００１２】図５はこの発明の更に他の実施例を示す。
この実施例では被加工体１０の温度検出器２７を設け、
予備加熱時に被加工体１０の表面温度を計測し、被加工
体１０の表面温度が所定の温度に達したことを検出し、
この検出信号を制御器２１に与え、レーザ発振器１３か
ら切断用レーザビームＢを出射させ切断加工を行なわせ
るように構成した場合を示す。
この実施例では被加工体１０の温度検出器２７を設け、
予備加熱時に被加工体１０の表面温度を計測し、被加工
体１０の表面温度が所定の温度に達したことを検出し、
この検出信号を制御器２１に与え、レーザ発振器１３か
ら切断用レーザビームＢを出射させ切断加工を行なわせ
るように構成した場合を示す。
【００１３】温度検出器２７は例えば赤外線センサを用
いることができる。反射光量検出器２２に入射する反射
光の一部をビームスプリッタ２８で温度検出器２７に分
岐するように構成する。この実施例のように温度検出器
２７を設けることにより予備加熱の適正状態を検出する
ことができる。よって予備加熱が不足の状態で切断加工
を行なうようなことがなく、切断加工の確度を高めるこ
とができる。
いることができる。反射光量検出器２２に入射する反射
光の一部をビームスプリッタ２８で温度検出器２７に分
岐するように構成する。この実施例のように温度検出器
２７を設けることにより予備加熱の適正状態を検出する
ことができる。よって予備加熱が不足の状態で切断加工
を行なうようなことがなく、切断加工の確度を高めるこ
とができる。
【００１４】図６はこの発明の更に他の実施例を示す。
この例では温度検出器２７に加えて膜厚計２９を設けた
場合を示す。膜厚計２９を設けた場合には被加工体１０
の表面に被着形成した透明な絶縁膜の膜厚を予め測定
し、絶縁膜の膜厚に応じて予備加熱用レーザビームＡ及
び切断用レーザビームＢのエネルギを制御するように構
成することができる。
この例では温度検出器２７に加えて膜厚計２９を設けた
場合を示す。膜厚計２９を設けた場合には被加工体１０
の表面に被着形成した透明な絶縁膜の膜厚を予め測定
し、絶縁膜の膜厚に応じて予備加熱用レーザビームＡ及
び切断用レーザビームＢのエネルギを制御するように構
成することができる。
【００１５】膜厚計２９を動作させるためには膜厚測定
用に白色光源３１を設ける。白色光源３１の光をハーフ
ミラー１４を通じて被加工体１０に照射し、その反射光
により膜厚を検出する。膜厚測定方法には顕微分光干渉
膜厚測定法又は消光法エリプソメトリ等の方法がある。
この実施例のように温度検出器２７と膜厚計２９を設け
ることにより、被加工体１０の表面に被着形成した絶縁
膜の厚みに応じて予備加熱用レーザビームＡ及び切断用
レーザビームＢの各エネルギを調整するから、絶縁膜の
膜厚が厚いために被加工体１０の温度が予備加熱時に所
定温度に上昇しないために切断が達せられないような事
故が起きることを防止することができる。
用に白色光源３１を設ける。白色光源３１の光をハーフ
ミラー１４を通じて被加工体１０に照射し、その反射光
により膜厚を検出する。膜厚測定方法には顕微分光干渉
膜厚測定法又は消光法エリプソメトリ等の方法がある。
この実施例のように温度検出器２７と膜厚計２９を設け
ることにより、被加工体１０の表面に被着形成した絶縁
膜の厚みに応じて予備加熱用レーザビームＡ及び切断用
レーザビームＢの各エネルギを調整するから、絶縁膜の
膜厚が厚いために被加工体１０の温度が予備加熱時に所
定温度に上昇しないために切断が達せられないような事
故が起きることを防止することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
ＩＣ内において切断加工すべき部分が存在し、この切断
加工すべき部分が高密度化のために深部に設けられたと
しても、光の照射による予備加熱を施し、この予備加熱
により切断加工すべき部分を予め液相化し、この状態で
切断用レーザビームＢを照射して切断加工するから、切
断を確実に行なうことができる。
ＩＣ内において切断加工すべき部分が存在し、この切断
加工すべき部分が高密度化のために深部に設けられたと
しても、光の照射による予備加熱を施し、この予備加熱
により切断加工すべき部分を予め液相化し、この状態で
切断用レーザビームＢを照射して切断加工するから、切
断を確実に行なうことができる。
【００１７】然も光のエネルギによって予備加熱したか
ら、レーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ移動台１１に熱を
加えることがない。この結果Ｘ−Ｙ移動台１１の移動停
止位置の精度を悪くすることがなく、切断加工すべき部
分をレーザビーム１２の焦点位置に合致させる作業を確
実に行なうことができる。また図５に示した実施例のよ
うに、温度検出器２７を設けた場合は予備加熱による被
加工体の温度を監視することができる。よってこの場合
には、たまたま被加工体１０の表面に厚い絶縁膜が形成
され、この絶縁膜のために目標部分の温度が予定した温
度に上昇しないまま切断加工し、切断が達せられない場
合が生じることを防止することができる。よって温度検
出器２７を設けた場合には更に加工の信頼性を向上する
ことができる。
ら、レーザ加工装置を構成するＸ−Ｙ移動台１１に熱を
加えることがない。この結果Ｘ−Ｙ移動台１１の移動停
止位置の精度を悪くすることがなく、切断加工すべき部
分をレーザビーム１２の焦点位置に合致させる作業を確
実に行なうことができる。また図５に示した実施例のよ
うに、温度検出器２７を設けた場合は予備加熱による被
加工体の温度を監視することができる。よってこの場合
には、たまたま被加工体１０の表面に厚い絶縁膜が形成
され、この絶縁膜のために目標部分の温度が予定した温
度に上昇しないまま切断加工し、切断が達せられない場
合が生じることを防止することができる。よって温度検
出器２７を設けた場合には更に加工の信頼性を向上する
ことができる。
【図１】この発明によるレーザ加工方法を説明するため
の波形図。
の波形図。
【図２】この発明によるレーザ加工装置の一実施例を示
すブロック図。
すブロック図。
【図３】この発明によるレーザ加工装置の動作を説明す
るための断面図。
るための断面図。
【図４】この発明の変形実施例を示すブロック図。
【図５】この発明の変形実施例を示すブロック図。
【図６】この発明の変形実施例を示すブロック図。
１０ 被加工体 １１ Ｘ−Ｙ移動台 １２ レーザビーム １３ レーザ発振器 １４ ミラー（又はハーフミラ） １５ ビームスプリッタ １６ 対物レンズ １７ 入射光量検出器 １８，２３ バッファアンプ １９，２４ ＡＤ変換器 ２５ 補助光源 ２６ シャッタ ２７ 温度検出器
Claims (4)
- 【請求項１】 レーザ発振器を具備し、このレーザ発振
器から出射されるレーザビームを被加工体に照射し、被
加工体に対してレーザビームを介してエネルギを与え、
目標体を切断する等の加工を行なうレーザ加工方法にお
いて、被加工体に予め低レベルの予備加熱用の光を与
え、この低レベルのレーザビームにより被加工体の目標
位置を局部的に予備加熱し、この予備加熱の後に高レベ
ルのレーザビームを与え、目的とする部分の切断加工を
実行するレーザ加工方法。 - 【請求項２】 レーザ発振器を具備し、このレーザ発振
器から出射されるレーザビームを被加工体に照射し、被
加工体に対してレーザビームを介してエネルギを与え、
目標体を切断する等の加工を行なうレーザ加工装置にお
いて、上記レーザ発振器は制御器により低レベルのレー
ザビームと高レベルのレーザビームを出射するように制
御され、低レベルのレーザビームにより被加工体の目標
位置を局部的に予備加熱し、この予備加熱の後に高レベ
ルのレーザビームを出射させ目的とする部分の切断加工
を実行するレーザ加工装置。 - 【請求項３】 レーザ発振器と、このレーザ発振器が出
射するレーザビームよりエネルギが小さい低レベルの光
を出射する補助光源とを具備し、この補助光源の光によ
って被加工体の目標位置を局部的に予備加熱し、この予
備加熱の後に上記レーザ発振器からレーザビームを出射
させ目的とする部分の切断加工を実行するレーザ加工装
置。 - 【請求項４】 請求項２及び３記載のレーザ加工装置に
おいて、被加工体から反射する光の量を測定して被加工
体の温度を測定する温度検出器を設け、予備加熱時に目
標位置の温度が所定温度に上昇したことを検出し、この
検出によりレーザ発振器から高レベルのレーザビームを
出射させ目的とする部分の切断加工を実行するレーザ加
工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211687A JPH0655285A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211687A JPH0655285A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0655285A true JPH0655285A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16609926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4211687A Pending JPH0655285A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | レーザ加工方法及びこの加工方法を用いたレーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0655285A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100707961B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2007-04-16 | 주식회사 쿠키혼 | 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 |
| US9272364B2 (en) | 2005-02-22 | 2016-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser irradiation device and laser induced thermal imaging method |
| CN108539060A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作oled显示面板的方法 |
| KR20180109280A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | (주)엔에스 | 레이저 가공 장치 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP4211687A patent/JPH0655285A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9272364B2 (en) | 2005-02-22 | 2016-03-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Laser irradiation device and laser induced thermal imaging method |
| KR100707961B1 (ko) * | 2006-07-12 | 2007-04-16 | 주식회사 쿠키혼 | 레이저 가공방법 및 레이저 가공장치 |
| KR20180109280A (ko) * | 2017-03-27 | 2018-10-08 | (주)엔에스 | 레이저 가공 장치 |
| CN108539060A (zh) * | 2018-06-19 | 2018-09-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作oled显示面板的方法 |
| CN108539060B (zh) * | 2018-06-19 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 制作oled显示面板的方法 |
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| Date | Code | Title | Description |
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