JPH065559A - オゾンプラズマ処理 - Google Patents
オゾンプラズマ処理Info
- Publication number
- JPH065559A JPH065559A JP4156470A JP15647092A JPH065559A JP H065559 A JPH065559 A JP H065559A JP 4156470 A JP4156470 A JP 4156470A JP 15647092 A JP15647092 A JP 15647092A JP H065559 A JPH065559 A JP H065559A
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- JP
- Japan
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- ozone
- gas
- organic
- plasma
- sample
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低温で酸化処理が出来、一層効率良く有機ホ
トレジスト膜や有機汚染物質を除去する方法を提供す
る。 【構成】 オゾンプラズマ処理に関し、（１）オゾン発
生器からのオゾンガスに高周波を印加し、オゾンプラズ
マガスを発生し、該オゾンプラズマガスに試料を曝し、
試料表面を酸化処理するか、あるいは有機ホトレジスト
膜や有機汚染物質を酸化除去処理する事、及び、（２）
酸素ガス又はオゾンガスに高周波を印加してプラズマガ
ス化すると共に、該酸素ガス又はオゾンガスのプラズマ
ガスに試料を曝しながら紫外線を照射して、試料表面を
酸化処理するか、あるいは有機ホトレジスト膜や有機汚
染物質を酸化除去処理する事等である。 【効果】 ３００度以下の低温酸化が可能と成り、重合
した有機ホトレジスト膜や有機汚染物質迄も効率良く完
全に除去する事が出来る効果がある。
トレジスト膜や有機汚染物質を除去する方法を提供す
る。 【構成】 オゾンプラズマ処理に関し、（１）オゾン発
生器からのオゾンガスに高周波を印加し、オゾンプラズ
マガスを発生し、該オゾンプラズマガスに試料を曝し、
試料表面を酸化処理するか、あるいは有機ホトレジスト
膜や有機汚染物質を酸化除去処理する事、及び、（２）
酸素ガス又はオゾンガスに高周波を印加してプラズマガ
ス化すると共に、該酸素ガス又はオゾンガスのプラズマ
ガスに試料を曝しながら紫外線を照射して、試料表面を
酸化処理するか、あるいは有機ホトレジスト膜や有機汚
染物質を酸化除去処理する事等である。 【効果】 ３００度以下の低温酸化が可能と成り、重合
した有機ホトレジスト膜や有機汚染物質迄も効率良く完
全に除去する事が出来る効果がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化処理法あるいは有
機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処理法に関
する。
機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処理法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】従来、酸化処理としては酸素ガス雰囲気
中で試料を加熱して酸化する方法が最も一般的に用いら
れて居り、その他酸素プラズマ雰囲気で酸化する方法
や、オゾン雰囲気で酸化する方法（岩松ら、”オゾン酸
化膜の特性”、第５１回応用物理学会学術講演会・講演
予稿集、ｐ．６２６（１９９０）。）が用いられてい
た。又、従来、有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸
化除去処理する方法として、酸素プラズマガスに曝す方
法、オゾン硫酸や過酸化水素硫酸あるいはベンゼンスル
ホン酸溶液等に浸漬する方法が用いられていた。
中で試料を加熱して酸化する方法が最も一般的に用いら
れて居り、その他酸素プラズマ雰囲気で酸化する方法
や、オゾン雰囲気で酸化する方法（岩松ら、”オゾン酸
化膜の特性”、第５１回応用物理学会学術講演会・講演
予稿集、ｐ．６２６（１９９０）。）が用いられてい
た。又、従来、有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸
化除去処理する方法として、酸素プラズマガスに曝す方
法、オゾン硫酸や過酸化水素硫酸あるいはベンゼンスル
ホン酸溶液等に浸漬する方法が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、酸化温度に３００度以上を要したり、有機ホ
トレジスト膜や有機汚染物質を完全に除去する事が出来
ない等の課題があった。本発明は、かかる従来技術の課
題を解決し、一層低温でも酸化処理が出来たり、一層効
率良く有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を除去する、
新しい方法を提供する事を目的とする。
によると、酸化温度に３００度以上を要したり、有機ホ
トレジスト膜や有機汚染物質を完全に除去する事が出来
ない等の課題があった。本発明は、かかる従来技術の課
題を解決し、一層低温でも酸化処理が出来たり、一層効
率良く有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を除去する、
新しい方法を提供する事を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成する為に、本発明はオゾンプラズマ処理に関
し、（１） オゾン発生器からのオゾンガスに高周波を
印加し、オゾンプラズマガスを発生し、該オゾンプラズ
マガスに試料を曝し、試料表面を酸化処理するか、ある
いは有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処理
する手段を取る事、及び、（２） 酸素ガス又はオゾン
ガスに高周波を印加してプラズマガス化すると共に、該
酸素ガス又はオゾンガスのプラズマガスに試料を曝しな
がら紫外線を照射して、試料表面を酸化処理するか、あ
るいは有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処
理する手段を取る事、等の手段を取る。
目的を達成する為に、本発明はオゾンプラズマ処理に関
し、（１） オゾン発生器からのオゾンガスに高周波を
印加し、オゾンプラズマガスを発生し、該オゾンプラズ
マガスに試料を曝し、試料表面を酸化処理するか、ある
いは有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処理
する手段を取る事、及び、（２） 酸素ガス又はオゾン
ガスに高周波を印加してプラズマガス化すると共に、該
酸素ガス又はオゾンガスのプラズマガスに試料を曝しな
がら紫外線を照射して、試料表面を酸化処理するか、あ
るいは有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処
理する手段を取る事、等の手段を取る。
【０００５】
【実施例】以下、実施例により、本発明を詳述する。
【０００６】いま、シリコンウエーハの酸化処理に関
し、酸素ボンベからの酸素ガスを紫外線照射型あるいは
コロナ放電型のオゾン発生装置を通してオゾン化し、該
オゾンガスをプラズマ発生装置内に導きオゾンプラズマ
ガスを発生させると共に、該オゾンプラズマガスにプラ
ズマ発生装置内に予め設置され２００度程度に加熱され
ているシリコンウエーハ表面を曝す事により、２ｎｍ厚
さ程度のシリコン酸化膜を５分程度で形成する事が出
来、この様にして形成した酸化膜の界面準位密度は１０
9／ｃｍ2と充分に小さく、且つ内部応力も小さな良質の
酸化膜を形成する事が出来る。又、シリコンウエーハ表
面にホトレジスト膜を塗布し、該ホトレジスト膜にアル
ゴンプラズマ処理や燐、ボロンあるいは砒素等のイオン
打ち込みを施して重合を促進させたものを、上記オゾン
プラズマガスに曝す事により、容易に酸化除去する事が
出来る。この事は、又、シリコンウエーハ表面に付着し
た重合が促進された有機汚染物質を酸化除去処理する洗
浄処理に関しても同様に、上記オゾンプラズマガスに曝
す事により容易に酸化除去する事が出来る。尚、本発明
は、上記シリコンウエーハの酸化処理や、シリコンウエ
ーハ上のホトレジスト除去処理や、あるいはシリコンウ
エーハの洗浄処理に限らず、その他の金属等の材料の酸
化処理や、その他の金属等の材料上のホトレジスト除去
処理や、洗浄処理等にも適用する事が出来る。
し、酸素ボンベからの酸素ガスを紫外線照射型あるいは
コロナ放電型のオゾン発生装置を通してオゾン化し、該
オゾンガスをプラズマ発生装置内に導きオゾンプラズマ
ガスを発生させると共に、該オゾンプラズマガスにプラ
ズマ発生装置内に予め設置され２００度程度に加熱され
ているシリコンウエーハ表面を曝す事により、２ｎｍ厚
さ程度のシリコン酸化膜を５分程度で形成する事が出
来、この様にして形成した酸化膜の界面準位密度は１０
9／ｃｍ2と充分に小さく、且つ内部応力も小さな良質の
酸化膜を形成する事が出来る。又、シリコンウエーハ表
面にホトレジスト膜を塗布し、該ホトレジスト膜にアル
ゴンプラズマ処理や燐、ボロンあるいは砒素等のイオン
打ち込みを施して重合を促進させたものを、上記オゾン
プラズマガスに曝す事により、容易に酸化除去する事が
出来る。この事は、又、シリコンウエーハ表面に付着し
た重合が促進された有機汚染物質を酸化除去処理する洗
浄処理に関しても同様に、上記オゾンプラズマガスに曝
す事により容易に酸化除去する事が出来る。尚、本発明
は、上記シリコンウエーハの酸化処理や、シリコンウエ
ーハ上のホトレジスト除去処理や、あるいはシリコンウ
エーハの洗浄処理に限らず、その他の金属等の材料の酸
化処理や、その他の金属等の材料上のホトレジスト除去
処理や、洗浄処理等にも適用する事が出来る。
【０００７】次に、酸素ボンベからの酸素ガスを直接
か、或は紫外線照射型あるいはコロナ放電型のオゾン発
生装置を通してオゾン化し、プラズマ発生装置内に導き
プラズマ化すると共に、該プラズマ発生装置に設けた石
英或はサファイア窓から紫外線を照射して、プラズマ発
生装置内に予め設置され、酸素ガスプラズマに紫外線を
照射する場合には常温に、オゾンプラズマに紫外線を照
射する場合には２００度程度に加熱されているシリコン
ウエーハ表面を曝す事によっても、２ｎｍ厚さ程度のシ
リコン酸化膜を５分程度で形成する事が出来、この様に
して形成した酸化膜の界面準位密度も１０9／ｃｍ2と充
分に小さく、且つ内部応力も小さな良質の酸化膜を形成
する事が出来る。又、シリコンウエーハ表面にホトレジ
スト膜を塗布し、該ホトレジスト膜にアルゴンプラズマ
処理や燐、ボロンあるいは砒素等のイオン打ち込みを施
して重合を促進させたものを、該方法で処理しても、容
易に酸化除去する事が出来る。この事は、又、シリコン
ウエーハ表面に付着した重合が促進された有機汚染物質
を酸化除去処理する洗浄処理に関しても、同様に容易に
酸化除去する事が出来る。尚、本発明は、上記シリコン
ウエーハの酸化処理や、シリコンウエーハ上のホトレジ
スト除去処理や、あるいはシリコンウエーハの洗浄処理
に限らず、その他の金属等の材料の酸化処理や、その他
の金属等の材料上のホトレジスト除去処理や、洗浄処理
等にも適用する事が出来る事は前記実施例と同様であ
る。
か、或は紫外線照射型あるいはコロナ放電型のオゾン発
生装置を通してオゾン化し、プラズマ発生装置内に導き
プラズマ化すると共に、該プラズマ発生装置に設けた石
英或はサファイア窓から紫外線を照射して、プラズマ発
生装置内に予め設置され、酸素ガスプラズマに紫外線を
照射する場合には常温に、オゾンプラズマに紫外線を照
射する場合には２００度程度に加熱されているシリコン
ウエーハ表面を曝す事によっても、２ｎｍ厚さ程度のシ
リコン酸化膜を５分程度で形成する事が出来、この様に
して形成した酸化膜の界面準位密度も１０9／ｃｍ2と充
分に小さく、且つ内部応力も小さな良質の酸化膜を形成
する事が出来る。又、シリコンウエーハ表面にホトレジ
スト膜を塗布し、該ホトレジスト膜にアルゴンプラズマ
処理や燐、ボロンあるいは砒素等のイオン打ち込みを施
して重合を促進させたものを、該方法で処理しても、容
易に酸化除去する事が出来る。この事は、又、シリコン
ウエーハ表面に付着した重合が促進された有機汚染物質
を酸化除去処理する洗浄処理に関しても、同様に容易に
酸化除去する事が出来る。尚、本発明は、上記シリコン
ウエーハの酸化処理や、シリコンウエーハ上のホトレジ
スト除去処理や、あるいはシリコンウエーハの洗浄処理
に限らず、その他の金属等の材料の酸化処理や、その他
の金属等の材料上のホトレジスト除去処理や、洗浄処理
等にも適用する事が出来る事は前記実施例と同様であ
る。
【０００８】
【発明の効果】本発明により、３００度以下の低温酸化
が可能と成り、重合した有機ホトレジスト膜や有機汚染
物質迄も効率良く完全に除去する事が出来る効果があ
る。
が可能と成り、重合した有機ホトレジスト膜や有機汚染
物質迄も効率良く完全に除去する事が出来る効果があ
る。
Claims (2)
- 【請求項１】 オゾン発生器からのオゾンガスに高周波
を印加し、オゾンプラズマガスを発生し、該オゾンプラ
ズマガスに試料を曝し、試料表面を酸化処理するか、あ
るいは有機ホトレジスト膜や有機汚染物質を酸化除去処
理する事を特徴とするオゾンプラズマ処理。 - 【請求項２】 酸素ガス又はオゾンガスに高周波を印加
してプラズマガス化すると共に、該酸素ガス又はオゾン
ガスのプラズマガスに試料を曝しながら紫外線を照射し
て、試料表面を酸化処理するか、あるいは有機ホトレジ
スト膜や有機汚染物質を酸化除去処理する事を特徴とす
るオゾンプラズマ処理。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156470A JPH065559A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | オゾンプラズマ処理 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4156470A JPH065559A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | オゾンプラズマ処理 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065559A true JPH065559A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15628456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4156470A Pending JPH065559A (ja) | 1992-06-16 | 1992-06-16 | オゾンプラズマ処理 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065559A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674357A (en) * | 1995-08-30 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor substrate cleaning process |
| KR100329787B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-03-25 | 박종섭 | 반도체 소자의 감광막 제거방법 |
-
1992
- 1992-06-16 JP JP4156470A patent/JPH065559A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5674357A (en) * | 1995-08-30 | 1997-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor substrate cleaning process |
| KR100329787B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-03-25 | 박종섭 | 반도체 소자의 감광막 제거방법 |
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