JPH0655766A - イオンフロー記録ヘッド - Google Patents
イオンフロー記録ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0655766A JPH0655766A JP20897392A JP20897392A JPH0655766A JP H0655766 A JPH0655766 A JP H0655766A JP 20897392 A JP20897392 A JP 20897392A JP 20897392 A JP20897392 A JP 20897392A JP H0655766 A JPH0655766 A JP H0655766A
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- JP
- Japan
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- electrode
- matrix
- insulating layer
- shaped
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 加工が容易であるとともに、高精細化、高速
化に対応可能にする。 【構成】 絶縁層の一方の面に形成され、主走査方向に
延びるとともに、副走査方向に分割配置された複数の電
極群と、絶縁層の他方の面に形成され、副走査方向に延
びるとともに、主走査方向に分割配置された複数の電極
群とからなるマトリックス状分割電極と、マトリックス
状分割電極のマトリックス状交点において電極及び絶縁
層を貫通して形成されたイオン放出開口とを有し、マト
リックス状分割電極に印加される記録信号に応じて選択
されたマトリクス状交点のイオン放出開口からイオンを
放出するようにしたイオンフロー記録ヘッドにおいて、
前記マトリっクス状分割電極のうち、絶縁層の一方の面
に形成された電極群は、マトリックス状交点において電
極層を貫通して開口が形成された開口電極からなり、絶
縁層の他方の面に形成された電極群は、各電極の長さ方
向に渡って絶縁層と電極の複合層を貫通してスリットが
形成されたスリット状電極からなることを特徴とする。
化に対応可能にする。 【構成】 絶縁層の一方の面に形成され、主走査方向に
延びるとともに、副走査方向に分割配置された複数の電
極群と、絶縁層の他方の面に形成され、副走査方向に延
びるとともに、主走査方向に分割配置された複数の電極
群とからなるマトリックス状分割電極と、マトリックス
状分割電極のマトリックス状交点において電極及び絶縁
層を貫通して形成されたイオン放出開口とを有し、マト
リックス状分割電極に印加される記録信号に応じて選択
されたマトリクス状交点のイオン放出開口からイオンを
放出するようにしたイオンフロー記録ヘッドにおいて、
前記マトリっクス状分割電極のうち、絶縁層の一方の面
に形成された電極群は、マトリックス状交点において電
極層を貫通して開口が形成された開口電極からなり、絶
縁層の他方の面に形成された電極群は、各電極の長さ方
向に渡って絶縁層と電極の複合層を貫通してスリットが
形成されたスリット状電極からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記録信号に応じてイオ
ン流の放出制御を行なって記録を行なうイオンフロー記
録ヘッドに関するものである。
ン流の放出制御を行なって記録を行なうイオンフロー記
録ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】導電体層上に誘電体層を形成してなる静
電記録紙や静電記録ドラム上に静電潜像を形成するため
の静電記録ヘッドは従来から種々のものが知られてい
る。例えば、イオンフロー記録方式と呼ばれる静電記録
法に用いる記録ヘッドは、ホールを形成した絶縁層の両
面にコロナイオン流の通過を制御するホールに対応させ
て形成した開口を有する２枚の電極を設け、この２枚の
電極に記録信号を印加して静電潜像を形成するように構
成されたものであり、記録特性が安定しドット径の大き
さを可変できる等の多くの点を有している。
電記録紙や静電記録ドラム上に静電潜像を形成するため
の静電記録ヘッドは従来から種々のものが知られてい
る。例えば、イオンフロー記録方式と呼ばれる静電記録
法に用いる記録ヘッドは、ホールを形成した絶縁層の両
面にコロナイオン流の通過を制御するホールに対応させ
て形成した開口を有する２枚の電極を設け、この２枚の
電極に記録信号を印加して静電潜像を形成するように構
成されたものであり、記録特性が安定しドット径の大き
さを可変できる等の多くの点を有している。
【０００３】図３（ａ）、（ｂ）はこのような記録原理
を使ったイオンフロープリンタの概念図である。図にお
いて１はコロナイオン発生源、２は上部開口電極、３は
絶縁層、４は下部開口電極、５はホール、６は記録媒
体、７はコロナイオン発生用電源、８、９は制御信号電
源、１０はバイアス電源である。
を使ったイオンフロープリンタの概念図である。図にお
いて１はコロナイオン発生源、２は上部開口電極、３は
絶縁層、４は下部開口電極、５はホール、６は記録媒
体、７はコロナイオン発生用電源、８、９は制御信号電
源、１０はバイアス電源である。
【０００４】コロナイオン発生源１は、例えばケーシン
グ電極１ａ内にコロナワイヤ１ｂを張ったものであり、
ケーシング電極１ａとコロナワイヤ１ｂ間にコロナイオ
ン発生用電源７により直流高電圧を印加してコロナイオ
ンを発生するものである。絶縁層３を挟んでその両面に
形成された上部開口電極２、下部開口電極４は、絶縁層
に開けられたホール５に対応して開口が貫通形成されて
単位記録素子を形成しており、制御信号電源８、９によ
り加えられる制御信号電圧の極性によりイオン流をＯＮ
／ＯＦＦ制御している。絶縁層のホールを通過したコロ
ナイオンはバイアス電源１０によって記録媒体６との間
に形成される電界により導かれて記録媒体６上に潜像が
形成される。
グ電極１ａ内にコロナワイヤ１ｂを張ったものであり、
ケーシング電極１ａとコロナワイヤ１ｂ間にコロナイオ
ン発生用電源７により直流高電圧を印加してコロナイオ
ンを発生するものである。絶縁層３を挟んでその両面に
形成された上部開口電極２、下部開口電極４は、絶縁層
に開けられたホール５に対応して開口が貫通形成されて
単位記録素子を形成しており、制御信号電源８、９によ
り加えられる制御信号電圧の極性によりイオン流をＯＮ
／ＯＦＦ制御している。絶縁層のホールを通過したコロ
ナイオンはバイアス電源１０によって記録媒体６との間
に形成される電界により導かれて記録媒体６上に潜像が
形成される。
【０００５】このような構成において、図３（ａ）に示
すように下部電極４に対して上部開口電極２が正となる
ような信号電圧を印加すると、電極開口内に形成される
電界に沿ってコロナイオン流が記録媒体６上に飛翔して
潜像形成が行われる。一方図３（ｂ）のように信号電源
の極正が逆になるように信号電圧を印加すると、電極開
口内にはイオン流を阻止する方向に電界が形成されてイ
オンは開口を通過できなくなる。こうして、記録媒体６
上には制御信号に応じた潜像が形成される。
すように下部電極４に対して上部開口電極２が正となる
ような信号電圧を印加すると、電極開口内に形成される
電界に沿ってコロナイオン流が記録媒体６上に飛翔して
潜像形成が行われる。一方図３（ｂ）のように信号電源
の極正が逆になるように信号電圧を印加すると、電極開
口内にはイオン流を阻止する方向に電界が形成されてイ
オンは開口を通過できなくなる。こうして、記録媒体６
上には制御信号に応じた潜像が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
イオンフロープリンタにおいて高速かつ高精細の記録ヘ
ッドを構成するためには、図４に示すように、主走査方
向と副走査方向にそれぞれ分割配置された上部電極２
ａ、２ｂ……２ｇと、下部電極４ａ、４ｂ……４ｇに多
数の小孔１１を形成して対向させ、単位記録素子を多数
マトックス状に配列した構成とし、ある程度開口を小さ
くする必要がある。しかし、開口が小さくなればなるほ
ど、上部電極と下部電極のマトックス状交点上にあるイ
オン放出開口の位置合わせ精度が要求されて製造が困難
となり、もし開口位置が上部電極と下部電極とでずれて
いた場合、記録特性に影響する可能性がある。更に、ホ
─ルが小さくなってくるとコロナイオン発生源からのイ
オンがホールを通過しにくくなり、イオン量が減少する
ため高速化を妨げる要因となる。
イオンフロープリンタにおいて高速かつ高精細の記録ヘ
ッドを構成するためには、図４に示すように、主走査方
向と副走査方向にそれぞれ分割配置された上部電極２
ａ、２ｂ……２ｇと、下部電極４ａ、４ｂ……４ｇに多
数の小孔１１を形成して対向させ、単位記録素子を多数
マトックス状に配列した構成とし、ある程度開口を小さ
くする必要がある。しかし、開口が小さくなればなるほ
ど、上部電極と下部電極のマトックス状交点上にあるイ
オン放出開口の位置合わせ精度が要求されて製造が困難
となり、もし開口位置が上部電極と下部電極とでずれて
いた場合、記録特性に影響する可能性がある。更に、ホ
─ルが小さくなってくるとコロナイオン発生源からのイ
オンがホールを通過しにくくなり、イオン量が減少する
ため高速化を妨げる要因となる。
【０００７】本発明は上記課題を解決するためになされ
たもので、加工が容易であるとともに、高精細化、高速
化に対応することができるイオンフロー記録ヘッドを提
供することを目的とする。
たもので、加工が容易であるとともに、高精細化、高速
化に対応することができるイオンフロー記録ヘッドを提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁層の一方
の面に形成され、主走査方向に延びるとともに、副走査
方向に分割配置された複数の電極群と、絶縁層の他方の
面に形成され、副走査方向に延びるとともに、主走査方
向に分割配置された複数の電極群とからなるマトリック
ス状分割電極と、マトリックス状分割電極のマトリック
ス状交点において電極及び絶縁層を貫通して形成された
イオン放出開口とを有し、マトリックス状分割電極に印
加される記録信号に応じて選択されたマトリクス状交点
のイオン放出開口からイオンを放出するようにしたイオ
ンフロー記録ヘッドにおいて、前記マトリっクス状分割
電極のうち、絶縁層の一方の面に形成された電極群は、
マトリックス状交点において電極層を貫通して開口が形
成された開口電極からなり、絶縁層の他方の面に形成さ
れた電極群は、各電極の長さ方向に渡って絶縁層と電極
の複合層を貫通してスリットが形成されたスリット状電
極からなることを特徴とする。
の面に形成され、主走査方向に延びるとともに、副走査
方向に分割配置された複数の電極群と、絶縁層の他方の
面に形成され、副走査方向に延びるとともに、主走査方
向に分割配置された複数の電極群とからなるマトリック
ス状分割電極と、マトリックス状分割電極のマトリック
ス状交点において電極及び絶縁層を貫通して形成された
イオン放出開口とを有し、マトリックス状分割電極に印
加される記録信号に応じて選択されたマトリクス状交点
のイオン放出開口からイオンを放出するようにしたイオ
ンフロー記録ヘッドにおいて、前記マトリっクス状分割
電極のうち、絶縁層の一方の面に形成された電極群は、
マトリックス状交点において電極層を貫通して開口が形
成された開口電極からなり、絶縁層の他方の面に形成さ
れた電極群は、各電極の長さ方向に渡って絶縁層と電極
の複合層を貫通してスリットが形成されたスリット状電
極からなることを特徴とする。
【０００９】
【作用】本発明は、マトリクス状分割電極の内、一方を
絶縁層と電極層の複合層を貫通してスリットが形成され
たスリット状電極で構成し、他方をスリット状電極と交
差する位置に開口を形成した開口電極とすることによっ
て上部電極と下部電極の位置合わせがあまり問題となら
ず、高精細の素子配列となった場合の加工が従来型に比
べ容易となる。また、ホールをスリット形状としたため
イオン発生源からのイオン量を多く制御部に誘導できホ
─ルが小さくなった場合でも従来型よりイオン放出量を
確保でき、その結果、高速化にも対応可能となる。
絶縁層と電極層の複合層を貫通してスリットが形成され
たスリット状電極で構成し、他方をスリット状電極と交
差する位置に開口を形成した開口電極とすることによっ
て上部電極と下部電極の位置合わせがあまり問題となら
ず、高精細の素子配列となった場合の加工が従来型に比
べ容易となる。また、ホールをスリット形状としたため
イオン発生源からのイオン量を多く制御部に誘導できホ
─ルが小さくなった場合でも従来型よりイオン放出量を
確保でき、その結果、高速化にも対応可能となる。
【００１０】
【実施例】以下にこの発明を添付図面に示す実施例に基
づいて説明する。図１は、この発明に係わるイオンフロ
ー記録ヘッドの一実施例を示す図である。図において、
１４はコロナワイヤ、１５はケーシング電極、１６は開
口、１７は静電記録ドラム、１８、１８ａ、１８ｂ……
１８ｆは上部スリット状電極、１９は絶縁層、２０、２
０ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０
ｇ´は下部開口電極、２１は制御部、２２はコロナイオ
ン発生源である。
づいて説明する。図１は、この発明に係わるイオンフロ
ー記録ヘッドの一実施例を示す図である。図において、
１４はコロナワイヤ、１５はケーシング電極、１６は開
口、１７は静電記録ドラム、１８、１８ａ、１８ｂ……
１８ｆは上部スリット状電極、１９は絶縁層、２０、２
０ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０
ｇ´は下部開口電極、２１は制御部、２２はコロナイオ
ン発生源である。
【００１１】図１において、例えば、絶縁層上に銅パタ
ーンを形成し、このパターンと絶縁層を通してスリット
状にエッチングすることにより、上部電極１８、絶縁層
１９には電極の長さ方向に渡ってスリット状の貫通孔が
形成されている。絶縁層の下面には開口が形成された下
部電極２０が設けられている。この点について、下部電
極側からみた図２により説明すると、交互に反対側に端
子が引き出された下部開口電極２０ａ、２０ｂ……２０
ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ´には、これと直交
方向に所定ピッチで設けられている上部スリット状電極
１８ａ、１８ｂ……１８ｆに対応して複数の開口が形成
され、上部スリット状電極１８ａ、１８ｂ……１８ｆと
絶縁層２０には、その長さ方向に渡ってスリット状の貫
通孔が設けられ、各開口とスリット状の貫通孔との交点
にイオンフローを制御する単位記録素子をマトリックス
状に形成している。
ーンを形成し、このパターンと絶縁層を通してスリット
状にエッチングすることにより、上部電極１８、絶縁層
１９には電極の長さ方向に渡ってスリット状の貫通孔が
形成されている。絶縁層の下面には開口が形成された下
部電極２０が設けられている。この点について、下部電
極側からみた図２により説明すると、交互に反対側に端
子が引き出された下部開口電極２０ａ、２０ｂ……２０
ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ´には、これと直交
方向に所定ピッチで設けられている上部スリット状電極
１８ａ、１８ｂ……１８ｆに対応して複数の開口が形成
され、上部スリット状電極１８ａ、１８ｂ……１８ｆと
絶縁層２０には、その長さ方向に渡ってスリット状の貫
通孔が設けられ、各開口とスリット状の貫通孔との交点
にイオンフローを制御する単位記録素子をマトリックス
状に形成している。
【００１２】このような構成において、コロナワイヤ１
４とケ─シング電極１５間に直流高電圧を印加すること
によってコロナイオンを発生し、発生したイオンをコロ
ナワイヤ１４と上部電極１８間に形成した電界によりイ
オン制御部２１へ誘導する。イオン制御部２１の上部電
極１８、絶縁層１７には、貫通スリットが形成されてお
り、誘導されたイオンは有効にスリットを通って下部開
口電極２０に導かれる。したがって、図２の上部スリッ
ト状電極１８ａ、１８ｂ……１８ｆ、下部開口電極２０
ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ
´への電圧印加を画像信号に応じて制御し、マトリック
ス状に形成された単位記録素子におけるイオン流をＯＮ
／ＯＦＦ制御することにより静電記録ドラム１７上に画
像に応じた潜像が形成される。
４とケ─シング電極１５間に直流高電圧を印加すること
によってコロナイオンを発生し、発生したイオンをコロ
ナワイヤ１４と上部電極１８間に形成した電界によりイ
オン制御部２１へ誘導する。イオン制御部２１の上部電
極１８、絶縁層１７には、貫通スリットが形成されてお
り、誘導されたイオンは有効にスリットを通って下部開
口電極２０に導かれる。したがって、図２の上部スリッ
ト状電極１８ａ、１８ｂ……１８ｆ、下部開口電極２０
ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ
´への電圧印加を画像信号に応じて制御し、マトリック
ス状に形成された単位記録素子におけるイオン流をＯＮ
／ＯＦＦ制御することにより静電記録ドラム１７上に画
像に応じた潜像が形成される。
【００１３】前述したように高精細の記録ヘッドとする
ためには単位記録素子の配列を密にする必要があり、そ
のためには上部スリット状電極の配列ピッチ、下部電極
の開口を小さくしなければならないが、上部電極及び絶
縁層には貫通したスリットが形成されているので、有効
に発生イオンを導き入れることができる。したがって、
イオン量の低下を軽減することができ、その結果、高精
細化、高速化に対応することが可能である。
ためには単位記録素子の配列を密にする必要があり、そ
のためには上部スリット状電極の配列ピッチ、下部電極
の開口を小さくしなければならないが、上部電極及び絶
縁層には貫通したスリットが形成されているので、有効
に発生イオンを導き入れることができる。したがって、
イオン量の低下を軽減することができ、その結果、高精
細化、高速化に対応することが可能である。
【００１４】また、上部電極及び絶縁層にはスリットが
形成されているので、高精細となった場合でも、従来の
記録ヘッドほどには電極の位置合わせ精度が要求されず
加工が容易となる利点を有する。
形成されているので、高精細となった場合でも、従来の
記録ヘッドほどには電極の位置合わせ精度が要求されず
加工が容易となる利点を有する。
【００１５】なお、上記実施例では上部電極をスリット
状にしたが、下部電極をスリット状とし、上部電極を開
口電極としても、高精細化したときにイオン量の低下は
生ずるものの電極の位置合わせ精度が要求されず、加工
が容易となる利点が得られる。
状にしたが、下部電極をスリット状とし、上部電極を開
口電極としても、高精細化したときにイオン量の低下は
生ずるものの電極の位置合わせ精度が要求されず、加工
が容易となる利点が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、マトリッ
クス状に単位記録素子を形成してイオンフローを制御す
る絶縁層を挟んで設けられた上部電極と下部電極の一方
及び絶縁層にスリット状に貫通孔を形成し、他方の電極
を開口電極とすることにより、電極の位置合わせ精度が
要求されず加工を容易にすることができ、また、上部電
極側をスリット状電極とすることにより、高精細化によ
り開口を小さく密にしてもイオン量の低下を防いで、そ
の結果高速化を図ることも可能となる。
クス状に単位記録素子を形成してイオンフローを制御す
る絶縁層を挟んで設けられた上部電極と下部電極の一方
及び絶縁層にスリット状に貫通孔を形成し、他方の電極
を開口電極とすることにより、電極の位置合わせ精度が
要求されず加工を容易にすることができ、また、上部電
極側をスリット状電極とすることにより、高精細化によ
り開口を小さく密にしてもイオン量の低下を防いで、そ
の結果高速化を図ることも可能となる。
【図１】 本発明のイオンフロー記録ヘッドの斜視図で
ある。
ある。
【図２】 本発明のイオンフロー記録ヘッドの要部図で
ある。
ある。
【図３】 従来のイオンフロー記録の概念図である。
【図４】 従来のイオンフロー記録ヘッドのマトリクス
状分割電極を示す図である。
状分割電極を示す図である。
１４…コロナワイヤ、１５…ケーシング電極、１６…開
口、１７…静電記録ドラム、１８、１８ａ、１８ｂ……
１８ｆ…上部スリット電極、１９…絶縁層、２０、２０
ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ
´…下部開口電極、２１…制御部、２２…コロナイオン
発生源。
口、１７…静電記録ドラム、１８、１８ａ、１８ｂ……
１８ｆ…上部スリット電極、１９…絶縁層、２０、２０
ａ、２０ｂ……２０ｇ、２０ａ´、２０ｂ´……２０ｇ
´…下部開口電極、２１…制御部、２２…コロナイオン
発生源。
Claims (1)
- 【請求項１】 絶縁層の一方の面に形成され、主走査方
向に延びるとともに、副走査方向に分割配置された複数
の電極群と、絶縁層の他方の面に形成され、副走査方向
に延びるとともに、主走査方向に分割配置された複数の
電極群とからなるマトリックス状分割電極と、マトリッ
クス状分割電極のマトリックス状交点において電極及び
絶縁層を貫通して形成されたイオン放出開口とを有し、
マトリックス状分割電極に印加される記録信号に応じて
選択されたマトリクス状交点のイオン放出開口からイオ
ンを放出するようにしたイオンフロー記録ヘッドにおい
て、 前記マトリっクス状分割電極のうち、絶縁層の一方の面
に形成された電極群は、マトリックス状交点において電
極層を貫通して開口が形成された開口電極からなり、絶
縁層の他方の面に形成された電極群は、各電極の長さ方
向に渡って絶縁層と電極の複合層を貫通してスリットが
形成されたスリット状電極からなることを特徴とするイ
オンフロー記録ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20897392A JPH0655766A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | イオンフロー記録ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20897392A JPH0655766A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | イオンフロー記録ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0655766A true JPH0655766A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16565230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20897392A Pending JPH0655766A (ja) | 1992-08-05 | 1992-08-05 | イオンフロー記録ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0655766A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887122A (en) * | 1987-11-04 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Copying machine |
| DE10016743B4 (de) * | 1999-03-30 | 2007-04-26 | Nec Corp. | Steuervorrichtung zur Verbesserung der Anlaufzeitcharakteristik einer Lichtquelle |
| KR20160146790A (ko) | 2014-05-02 | 2016-12-21 | 가부시키가이샤 야쿠르트 혼샤 | 4''-gl 고순도 조성물의 조제법 |
-
1992
- 1992-08-05 JP JP20897392A patent/JPH0655766A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887122A (en) * | 1987-11-04 | 1989-12-12 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Copying machine |
| DE10016743B4 (de) * | 1999-03-30 | 2007-04-26 | Nec Corp. | Steuervorrichtung zur Verbesserung der Anlaufzeitcharakteristik einer Lichtquelle |
| DE10016743B8 (de) * | 1999-03-30 | 2007-08-30 | Nec Corp. | Steuervorrichtung zur Verbesserung der Anlaufzeitcharakteristik einer Lichtquelle |
| KR20160146790A (ko) | 2014-05-02 | 2016-12-21 | 가부시키가이샤 야쿠르트 혼샤 | 4''-gl 고순도 조성물의 조제법 |
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