JPH065608B2 - ガス放電パネルの製造方法 - Google Patents
ガス放電パネルの製造方法Info
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- JPH065608B2 JPH065608B2 JP60267689A JP26768985A JPH065608B2 JP H065608 B2 JPH065608 B2 JP H065608B2 JP 60267689 A JP60267689 A JP 60267689A JP 26768985 A JP26768985 A JP 26768985A JP H065608 B2 JPH065608 B2 JP H065608B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概要〕 本発明はフロート電極とコンデンサを利用して駆動回路
接続用の電極端子数を低減し、多重駆動を可能にしたA
C形ガス放電パネルにおいて、表示用フロート電極のク
ロスオーバ側における配線、すなわち該フロート電極と
容量結合電極とを接続する配線(引廻し電極という)の
上に設けた誘電体層が、他の部分より薄く形成され、絶
縁耐圧が不良となることを解決するため、前記引廻し電
極上と容量結合電極上に容量結合用誘電体層を形成した
後、フロート電極上に該容量結合用誘電体層よりも厚い
膜厚の誘電体層を形成する際に、前記引廻し電極上にも
該厚い膜厚の誘電体層を同時に形成するようにして、引
廻し電極上の誘電体層を、多容量結合電極上の誘電体層
の結合容量値を変動させることなく、合理的に厚く形成
し絶縁耐圧を高めるようにしたものである。
接続用の電極端子数を低減し、多重駆動を可能にしたA
C形ガス放電パネルにおいて、表示用フロート電極のク
ロスオーバ側における配線、すなわち該フロート電極と
容量結合電極とを接続する配線(引廻し電極という)の
上に設けた誘電体層が、他の部分より薄く形成され、絶
縁耐圧が不良となることを解決するため、前記引廻し電
極上と容量結合電極上に容量結合用誘電体層を形成した
後、フロート電極上に該容量結合用誘電体層よりも厚い
膜厚の誘電体層を形成する際に、前記引廻し電極上にも
該厚い膜厚の誘電体層を同時に形成するようにして、引
廻し電極上の誘電体層を、多容量結合電極上の誘電体層
の結合容量値を変動させることなく、合理的に厚く形成
し絶縁耐圧を高めるようにしたものである。
本発明はディスプレイ装置に用いられるAC形ガス放電
パネルの製造方法に係り、特にフロート電極とコンデン
サを利用して駆動回路接続用の電極端子数を低減すると
共に、多重駆動を可能にしたAC形ガス放電パネルにお
いて、フロート電極と容量結合する容量結合電極を延長
する引廻し電極上に設けた誘電体層の絶縁耐圧を向上さ
せる製造方法に関するものである。
パネルの製造方法に係り、特にフロート電極とコンデン
サを利用して駆動回路接続用の電極端子数を低減すると
共に、多重駆動を可能にしたAC形ガス放電パネルにお
いて、フロート電極と容量結合する容量結合電極を延長
する引廻し電極上に設けた誘電体層の絶縁耐圧を向上さ
せる製造方法に関するものである。
それぞれ誘電体層で被覆された複数のX電極と複数のY
電極を支持してなる1対のパネル構成基板をガス放電空
間を介して対向配置し、これらX電極とY電極に選択的
に電圧を印加しその交点をガス放電により発光させ、文
字・図形などの表示を行うAC形ガス放電パネルは周知
である。
電極を支持してなる1対のパネル構成基板をガス放電空
間を介して対向配置し、これらX電極とY電極に選択的
に電圧を印加しその交点をガス放電により発光させ、文
字・図形などの表示を行うAC形ガス放電パネルは周知
である。
この種のガス放電パネルに於いて表示量を増大し繊細な
表示を行うには、多数のX,Y電極が必要であるが、こ
れに伴って電極端子数、駆動回路数が増加してコスト高
を招く。
表示を行うには、多数のX,Y電極が必要であるが、こ
れに伴って電極端子数、駆動回路数が増加してコスト高
を招く。
そこでこのような問題を解決するために、フロート電極
とコンデンサを利用して駆動回路接続用の電極端子数を
低減するパネル構造が、特開昭61-61341(特公平2-1789
9)により提案されている。
とコンデンサを利用して駆動回路接続用の電極端子数を
低減するパネル構造が、特開昭61-61341(特公平2-1789
9)により提案されている。
かかる構造のガス放電パネルは、フロート電極と駆動電
極を容量結合するために該フロート電極を容量結合電極
に延長(接続)する引廻し電極が配設されるとともに、
該引廻し電極及び容量結合電極の上にそれぞれ絶縁層が
設けられて、引廻し電極上の絶縁層がクロスオーバ用、
容量結合電極上の絶縁層が容量結合用とされ、かつ該容
量結合用絶縁層上に前記駆動電極、クロスオーバ用絶縁
層上に駆動電極の配線が配設される。
極を容量結合するために該フロート電極を容量結合電極
に延長(接続)する引廻し電極が配設されるとともに、
該引廻し電極及び容量結合電極の上にそれぞれ絶縁層が
設けられて、引廻し電極上の絶縁層がクロスオーバ用、
容量結合電極上の絶縁層が容量結合用とされ、かつ該容
量結合用絶縁層上に前記駆動電極、クロスオーバ用絶縁
層上に駆動電極の配線が配設される。
ここでクロスオーバ用の絶縁層は、引廻し電極と駆動電
極の配線との間の絶縁耐圧を高めることが必要であるた
め、高い絶縁耐圧を有する絶縁層の製造方法が要求され
ている。
極の配線との間の絶縁耐圧を高めることが必要であるた
め、高い絶縁耐圧を有する絶縁層の製造方法が要求され
ている。
上述の特開昭61-61341に記載された従来のAC形ガス放
電パネルにつき第3図の要部断面図及び第4図の表示パ
ネル基板における電極配置構成図に示す。
電パネルにつき第3図の要部断面図及び第4図の表示パ
ネル基板における電極配置構成図に示す。
これら図面において、1aは表示側ガラス基板、2は背
面側ガラス基板である。表示側ガラス基板1a上には、
X軸方向(第3図では紙面の左右方向、第4図では紙面
の上下方向)に延びる表示用のフロート電極3が複数本
(図の場合16本)形成され、16本のフロート電極は
端から4本ずつの4つのグループ(群)に分割されてい
る。
面側ガラス基板である。表示側ガラス基板1a上には、
X軸方向(第3図では紙面の左右方向、第4図では紙面
の上下方向)に延びる表示用のフロート電極3が複数本
(図の場合16本)形成され、16本のフロート電極は
端から4本ずつの4つのグループ(群)に分割されてい
る。
前記フロート電極3の一端は、第4図で示されるよう
に、引廻し電極4を介してパネル周辺部に設けた容量結
合電極5に接続している。この引廻し電極4は、該フロ
ート電極3よりもピッチを狭くしかつ中央部を折り曲げ
Y方向に端部を導出している。前記容量結合電極5は、
引廻し電極の配列ピッチを狭くしたことによって形成さ
れた空間を利用し、グラープごとにX方向に並べて設け
ている。これら引廻し電極4及び容量結合電極5の上に
は、後述するように絶縁層(誘電体層)を介して4つの
クロスオーバ側駆動電極10がX方向に並設される。
に、引廻し電極4を介してパネル周辺部に設けた容量結
合電極5に接続している。この引廻し電極4は、該フロ
ート電極3よりもピッチを狭くしかつ中央部を折り曲げ
Y方向に端部を導出している。前記容量結合電極5は、
引廻し電極の配列ピッチを狭くしたことによって形成さ
れた空間を利用し、グラープごとにX方向に並べて設け
ている。これら引廻し電極4及び容量結合電極5の上に
は、後述するように絶縁層(誘電体層)を介して4つの
クロスオーバ側駆動電極10がX方向に並設される。
また、フロート電極3の他端は、真っ直ぐに延長されて
Y方向に並設された容量結合電極6に接続している。こ
れら容量結合電極6の上には、後述するように絶縁層
(誘電体層)を介して4つのショート側駆動電極11がY
方向に並設される。
Y方向に並設された容量結合電極6に接続している。こ
れら容量結合電極6の上には、後述するように絶縁層
(誘電体層)を介して4つのショート側駆動電極11がY
方向に並設される。
そして該各引廻し電極4と容量結合電極5,6の配設領
域上には、第5図(a)の平面図及び第5図(a)のA−A切
断線に沿った第5図(b)の要部断面図で示すように、例
えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペーストを
選択的に塗着した後、焼成処理して第2誘電体層7を斜
鎖線で示すように選択的に形成する。この容量結合電極
5,6上の誘電体層7は後述する駆動電極10,11と容量
結合させるための絶縁層となり、引廻し電極4上の誘電
体層7は該駆動電極の配線と絶縁するための絶縁層とな
る。
域上には、第5図(a)の平面図及び第5図(a)のA−A切
断線に沿った第5図(b)の要部断面図で示すように、例
えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペーストを
選択的に塗着した後、焼成処理して第2誘電体層7を斜
鎖線で示すように選択的に形成する。この容量結合電極
5,6上の誘電体層7は後述する駆動電極10,11と容量
結合させるための絶縁層となり、引廻し電極4上の誘電
体層7は該駆動電極の配線と絶縁するための絶縁層とな
る。
次に表示領域における前記複数本のフロート電極3上
に、第6図(a)の平面図及び第6図(a)のA−A切断線に
沿った第6図(b)の要部断面図で示すように、例えば酸
化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペーストを、前
記容量結合用の第2誘電体層7の膜厚よりも厚く選択的
に塗着し、焼成処理して厚い膜厚の第1誘電体層8を形
成する。
に、第6図(a)の平面図及び第6図(a)のA−A切断線に
沿った第6図(b)の要部断面図で示すように、例えば酸
化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペーストを、前
記容量結合用の第2誘電体層7の膜厚よりも厚く選択的
に塗着し、焼成処理して厚い膜厚の第1誘電体層8を形
成する。
更に前記各フロート電極3の一方より延長された引廻し
電極4と容量結合電極5に被覆した前記第2誘電体層7
上には、これを介して各群の同順位容量結合電極同士を
共通に接続する複数のクロスオーバ側駆動電極10が形成
される。この駆動電極10は、第4図に示すように、引廻
し電極4と接続された容量結合電極5に対応する部分が
ランド形状の太い線幅に形成され、かつそれ以外の配線
となる部分がクロストーク低減のために細い線幅に形成
されている。
電極4と容量結合電極5に被覆した前記第2誘電体層7
上には、これを介して各群の同順位容量結合電極同士を
共通に接続する複数のクロスオーバ側駆動電極10が形成
される。この駆動電極10は、第4図に示すように、引廻
し電極4と接続された容量結合電極5に対応する部分が
ランド形状の太い線幅に形成され、かつそれ以外の配線
となる部分がクロストーク低減のために細い線幅に形成
されている。
また各フロート電極3の他方に設けられた前記第2誘電
体層7の表面には、該容量結合電極6を群毎に共通に接
続する複数の駆動電極11を形成した後、これらの表面に
保護膜9を被着形成している。なお、図では見易くする
ために引廻し電極4と駆動電極10の接続リード部とを位
置をずらして示したが、実際は平面的に重なり合ってい
る。
体層7の表面には、該容量結合電極6を群毎に共通に接
続する複数の駆動電極11を形成した後、これらの表面に
保護膜9を被着形成している。なお、図では見易くする
ために引廻し電極4と駆動電極10の接続リード部とを位
置をずらして示したが、実際は平面的に重なり合ってい
る。
一方、背面側ガラス基板2上にはY軸方向に複数本の放
電電極12が形成され、その上面に誘電体層13及び保護層
14が順に積層形成されている。
電電極12が形成され、その上面に誘電体層13及び保護層
14が順に積層形成されている。
これらの2枚のガラス基板1,2は、それぞれの基板上
の電極、即ち各フロート電極3と放電電極12が直交し、
かつ一定のガス放電空間15を介して対向配置され、周囲
を封着材16により封止すると共に、前記ガス放電空間15
にはネオン(Ne)を主体とする放電ガスが封入されてい
る。
の電極、即ち各フロート電極3と放電電極12が直交し、
かつ一定のガス放電空間15を介して対向配置され、周囲
を封着材16により封止すると共に、前記ガス放電空間15
にはネオン(Ne)を主体とする放電ガスが封入されてい
る。
かくしたフロート電極3と駆動電極10,11とを第2誘電
体層7を介して容量結合する構造の採用により、駆動回
路接続用の電極端子数を低減することを可能にしてい
る。
体層7を介して容量結合する構造の採用により、駆動回
路接続用の電極端子数を低減することを可能にしてい
る。
ところでフロート電極3のクロスオーバ側における引廻
し電極4及び容量結合電極5,6の上に第2誘電体層7
を形成する工程では、それら引廻し電極及び容量結合電
極の配設領域上に例えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融
点ガラスペーストを選択的に塗着した後、熱処理を施す
が、このとき引廻し電極と容量結合電極5,6との表面
積、熱容量の違いや、ガラス基板1面との濡れ特性の違
い等に起因して、引廻し電極4上の誘電体層は容量結合
電極5上の誘電体層7よりも膜厚が極端に薄く形成さ
れ、そのためこの薄い第2誘電体層7を介して対向する
引廻し電極4とクロスオーバ側駆動電極10との間の絶縁
耐圧が不良になる問題があった。
し電極4及び容量結合電極5,6の上に第2誘電体層7
を形成する工程では、それら引廻し電極及び容量結合電
極の配設領域上に例えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融
点ガラスペーストを選択的に塗着した後、熱処理を施す
が、このとき引廻し電極と容量結合電極5,6との表面
積、熱容量の違いや、ガラス基板1面との濡れ特性の違
い等に起因して、引廻し電極4上の誘電体層は容量結合
電極5上の誘電体層7よりも膜厚が極端に薄く形成さ
れ、そのためこの薄い第2誘電体層7を介して対向する
引廻し電極4とクロスオーバ側駆動電極10との間の絶縁
耐圧が不良になる問題があった。
そこでかかる問題を解決するために、第2誘電体層7を
従来よりも単純に厚く形成することも考えられるが、駆
動電極10,11と容量結合するための容量値が小さくな
り、ガス放電に必要とする電圧を充分に供給することが
できなくなる欠点があった。
従来よりも単純に厚く形成することも考えられるが、駆
動電極10,11と容量結合するための容量値が小さくな
り、ガス放電に必要とする電圧を充分に供給することが
できなくなる欠点があった。
本発明は、このような従来の欠点に鑑み、各フロート電
極より延長した引廻し電極上の誘電体層7のみを、工程
数を増加させることなく合理的に厚く形成することを可
能とし、もって絶縁耐圧の向上を図ったAC形ガス放電
パネルの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
極より延長した引廻し電極上の誘電体層7のみを、工程
数を増加させることなく合理的に厚く形成することを可
能とし、もって絶縁耐圧の向上を図ったAC形ガス放電
パネルの製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
本発明は、上記目的を達成するため、第1図(a)の平面
図及びそれのA−A切断線に沿った第1図(b)の要部断
面図で示すように、例えば表示側ガラス基板1a上に、先
ず一端に引廻し電極4及び容量結合電極5、他端に容量
結合電極6を備えた複数本のフロート電極3をX軸方向
に形成した後、各引廻し電極4と容量結合電極5,6の
配設領域上にのみ、駆動電極と容量結合するための誘電
体材料層を選択的に塗着する。
図及びそれのA−A切断線に沿った第1図(b)の要部断
面図で示すように、例えば表示側ガラス基板1a上に、先
ず一端に引廻し電極4及び容量結合電極5、他端に容量
結合電極6を備えた複数本のフロート電極3をX軸方向
に形成した後、各引廻し電極4と容量結合電極5,6の
配設領域上にのみ、駆動電極と容量結合するための誘電
体材料層を選択的に塗着する。
次に、第2図(a)の平面図及びそれのA−A切断線に沿
った第2図(b)の要部断面図で示すように、前記複数本
のフロート電極3上と、その各フロート電極3より延長
する引廻し電極4上の前記誘電体材料層の表面に、前記
容量結合用の誘電体材料層よりも厚い誘電体材料層を塗
着した後、前記容量結合用の誘電体材料層及び厚い誘電
体材料層を熱処理によって焼成することにより、それぞ
れ容量結合用第2誘電体層7及び厚い第1誘電体層8と
を同時に形成する。
った第2図(b)の要部断面図で示すように、前記複数本
のフロート電極3上と、その各フロート電極3より延長
する引廻し電極4上の前記誘電体材料層の表面に、前記
容量結合用の誘電体材料層よりも厚い誘電体材料層を塗
着した後、前記容量結合用の誘電体材料層及び厚い誘電
体材料層を熱処理によって焼成することにより、それぞ
れ容量結合用第2誘電体層7及び厚い第1誘電体層8と
を同時に形成する。
以上要するに本発明では、フロート電極のクロスオーバ
側における引廻し電極、容量結合電極の各形成領域が互
いに区分けされていて個別に誘電体層を形成できること
に着目し、当該引廻し電極上におけるクロスオーバ用誘
電体層の製造を、前記容量結合電極上に容量結合用誘電
体層を被覆する工程、フロート電極上に誘電体層を被覆
する工程を利用して行う。
側における引廻し電極、容量結合電極の各形成領域が互
いに区分けされていて個別に誘電体層を形成できること
に着目し、当該引廻し電極上におけるクロスオーバ用誘
電体層の製造を、前記容量結合電極上に容量結合用誘電
体層を被覆する工程、フロート電極上に誘電体層を被覆
する工程を利用して行う。
本発明の製造方法により形成された各フロート電極3よ
り延長する引廻し電極4上の誘電体層21としては、前記
容量結合用第2誘電体層7上に、複数本のフロート電極
3上に形成する厚い第1誘電体層8が部分的に積層形成
されているため、前記各容量結合電極5,6上の容量結
合よう第1誘電体層7の結合容量値を変動させることが
なく、かつ形成工程数を増加させずに容易に形成するこ
とが可能となり、従来の如き絶縁耐圧が不良となる問題
が解消する。
り延長する引廻し電極4上の誘電体層21としては、前記
容量結合用第2誘電体層7上に、複数本のフロート電極
3上に形成する厚い第1誘電体層8が部分的に積層形成
されているため、前記各容量結合電極5,6上の容量結
合よう第1誘電体層7の結合容量値を変動させることが
なく、かつ形成工程数を増加させずに容易に形成するこ
とが可能となり、従来の如き絶縁耐圧が不良となる問題
が解消する。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第1図(a),(b)及び第2図(a),(b)は、本発明に係るA
C形ガス放電パネルの製造方法を工程順に示す図であ
り、(a)は平面図、(b)は要部断面図である。
C形ガス放電パネルの製造方法を工程順に示す図であ
り、(a)は平面図、(b)は要部断面図である。
第1図(a),(b)において、1aは例えば表示用ガラス基板
であり、先ず該ガラス基板1a上に蒸着法、またはスパッ
タ法、及びフォトリソグラフィ工程等によって、一端に
各引廻し電極4及び容量結合電極5、他端に容量結合電
極6を備えたクロム(Cr)薄膜等からなる複数本のフロ
ート電極3を図示のようにX軸方向に形成する。
であり、先ず該ガラス基板1a上に蒸着法、またはスパッ
タ法、及びフォトリソグラフィ工程等によって、一端に
各引廻し電極4及び容量結合電極5、他端に容量結合電
極6を備えたクロム(Cr)薄膜等からなる複数本のフロ
ート電極3を図示のようにX軸方向に形成する。
次に、それらのフロート電極3より延長する引廻し電極
4と容量結合電極5,6の配設域(図面に向かって右上
がり斜鎖線部分)上にのみ、駆動電極と容量結合するた
めの、例えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペ
ースト等からなる誘電体材料層を所定の厚さに選択的に
塗着する。
4と容量結合電極5,6の配設域(図面に向かって右上
がり斜鎖線部分)上にのみ、駆動電極と容量結合するた
めの、例えば酸化鉛(PbO)を主体とする低融点ガラスペ
ースト等からなる誘電体材料層を所定の厚さに選択的に
塗着する。
引き続いて第2図(a),(b)に示すように、前記複数本の
フロート電極3上と、複数の引廻し電極4上の前記誘電
体材料層(図面に向かって左上がり斜鎖線部分)の表面
に、該誘電体材料層よりも厚い膜厚の、例えば酸化鉛(P
bO)を主体とする低融点ガラスペースト等からなる誘電
体材料層を塗着する。
フロート電極3上と、複数の引廻し電極4上の前記誘電
体材料層(図面に向かって左上がり斜鎖線部分)の表面
に、該誘電体材料層よりも厚い膜厚の、例えば酸化鉛(P
bO)を主体とする低融点ガラスペースト等からなる誘電
体材料層を塗着する。
その後、前記容量結合用の誘電体材料層及び厚い誘電体
材料層を熱処理により焼成して、それぞれ容量結合用第
2誘電体層7及び厚い第1誘電体層8を形成する。
材料層を熱処理により焼成して、それぞれ容量結合用第
2誘電体層7及び厚い第1誘電体層8を形成する。
このようにして形成されたパネル基板1では、各容量結
合電極5,6上の容量結合用第1誘電体層7の結合容量
値を変動させることなく、引廻し電極4上のクロスオー
バ用誘電体層21を、容易に各容量結合電極5,6上の容
量結合用第2誘電体層7よりも厚く形成することが可能
となる。
合電極5,6上の容量結合用第1誘電体層7の結合容量
値を変動させることなく、引廻し電極4上のクロスオー
バ用誘電体層21を、容易に各容量結合電極5,6上の容
量結合用第2誘電体層7よりも厚く形成することが可能
となる。
なお、以上の実施例では、表示用ガラス基板上に複数の
フロート電極及びこれより延長する引廻し電極、容量結
合電極を設けた場合の例について説明したが、本発明は
この例に限定されるものではなく、例えば表示用ガラス
基板と対向する裏面側ガラス基板上に複数のフロート電
極及びこれより延長する引廻し電極、容量結合電極を設
けた構成のAC形ガス放電パネルなどにも適用可能なこ
とは言うまでもない。
フロート電極及びこれより延長する引廻し電極、容量結
合電極を設けた場合の例について説明したが、本発明は
この例に限定されるものではなく、例えば表示用ガラス
基板と対向する裏面側ガラス基板上に複数のフロート電
極及びこれより延長する引廻し電極、容量結合電極を設
けた構成のAC形ガス放電パネルなどにも適用可能なこ
とは言うまでもない。
〔発明の効果〕 以上の説明から明らかなように、本発明に係るAC形ガ
ス放電パネルの製造方法によれば、各フロート電極より
延長する引廻し電極上の誘電体層を、形成工程を増加さ
せることなく、また各容量結合電極上の第2誘電体層の
結合容量値を変動させずに、該容量結合用誘電体層より
も厚く形成することが可能となる利点を有する。
ス放電パネルの製造方法によれば、各フロート電極より
延長する引廻し電極上の誘電体層を、形成工程を増加さ
せることなく、また各容量結合電極上の第2誘電体層の
結合容量値を変動させずに、該容量結合用誘電体層より
も厚く形成することが可能となる利点を有する。
従って、これら第2誘電体層上に、前記各容量結合電極
と対向して容量結合を行う駆動電極を配置した際の、各
引廻し電極と、該各引廻し電極とクロスオーバする駆動
電極間の絶縁耐圧が高められ、従来のような耐圧不良、
絶縁不良などが簡単に防止できる。
と対向して容量結合を行う駆動電極を配置した際の、各
引廻し電極と、該各引廻し電極とクロスオーバする駆動
電極間の絶縁耐圧が高められ、従来のような耐圧不良、
絶縁不良などが簡単に防止できる。
第1図(a),(b)及び第2図(a),(b)は、本発明に係るA
C形ガス放電パネルの製造方法を工程順に示す図であ
り、(a)は平面図、(b)は要部断面図、 第3図は、従来のフロート電極を用いたAC形ガス放電
パネルを説明するための要部断面図、 第4図は、第3図の従来パネルにおける表示側パネル基
板の電極配置構成を示す平面図、 第5図(a),(b)及び第6図(a),(b)は、同じく従来パネ
ルの製造方法を工程順に示す図であり、(a)は平面図、
(b)は要部断面図である。 第1図及び第2図において、 1はガラス基板、3はフロート電極、4は引廻し電極、
5,6は容量結合電極、7は容量結合用誘電体層、8は
厚い誘電体層、21は引廻し電極上の部分的誘電体層をそ
れぞれ示す。
C形ガス放電パネルの製造方法を工程順に示す図であ
り、(a)は平面図、(b)は要部断面図、 第3図は、従来のフロート電極を用いたAC形ガス放電
パネルを説明するための要部断面図、 第4図は、第3図の従来パネルにおける表示側パネル基
板の電極配置構成を示す平面図、 第5図(a),(b)及び第6図(a),(b)は、同じく従来パネ
ルの製造方法を工程順に示す図であり、(a)は平面図、
(b)は要部断面図である。 第1図及び第2図において、 1はガラス基板、3はフロート電極、4は引廻し電極、
5,6は容量結合電極、7は容量結合用誘電体層、8は
厚い誘電体層、21は引廻し電極上の部分的誘電体層をそ
れぞれ示す。
フロントページの続き (72)発明者 南都 利之 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 大塚 晃 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−182636(JP,A) 実開 昭51−55263(JP,U)
Claims (1)
- 【請求項1】パネル周辺部のクロスオーバ側駆動電極形
成部及びショート側駆動電極形成部にてフロート電極と
駆動電極が容量結合を形成して多重駆動されるように、
基板上に前記フロート電極が端からクロスオーバ側駆動
電極数ごとに複数グループにまとめられて形成され、し
かも該フロート電極のクロスオーバ側が、空間が形成さ
れるように表示部よりピッチを狭くしかつ引廻し電極で
第1の容量結合電極にこれを接続し、該第1の容量結合
電極は前記空間を利用して各グループの同じ駆動電極に
対応する部分が直線に並ぶようにかつ各グループ内にお
いてこれに直交して配置されており、該フロート電極の
ショート側が、フロート電極をそのまま延長して該延長
部で接続した各フロート電極ごとに第2の容量結合電極
を形成して構成され、またクロスオーバ側駆動電極を、
対応する前記フロート電極の第1の容量結合電極上に容
量結合用絶縁層を介して設けかつクロスオーバ配線部を
細い線幅で形成して構成され、さらにショート側駆動電
極の容量結合部が、前記フロート電極の各グループごと
に前記第2の容量結合電極上に容量結合用絶縁層を介し
て形成され、そして前記フロート電極のクロスオーバ側
の引廻し電極と前記クロスオーバ側駆動電極の配線部と
の間に、絶縁耐圧を高めるように前記容量結合用絶縁層
よりも厚い絶縁層を設けてなるAC形ガス放電パネルの
製造において、 前 記フロート電極(3)のクロスオーバ側の引廻し電極(4)
上における厚い絶縁層を次の2工程、すなわち該フロー
ト電極(3)を除く部分を前記容量結合用絶縁層(7)で被
覆する第1の工程と、該フロート電極(3)引廻し電極
(4)上の前記容量結合用絶縁層(7)を同時に該容量結合
用絶縁層よりも厚い膜厚の絶縁層(8)で被覆する第2の
工程とにより形成することを特徴とするAC形ガス放電
パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267689A JPH065608B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガス放電パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60267689A JPH065608B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガス放電パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62126522A JPS62126522A (ja) | 1987-06-08 |
| JPH065608B2 true JPH065608B2 (ja) | 1994-01-19 |
Family
ID=17448163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60267689A Expired - Fee Related JPH065608B2 (ja) | 1985-11-27 | 1985-11-27 | ガス放電パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065608B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5155263U (ja) * | 1974-10-23 | 1976-04-28 | ||
| JPS60182636A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Fujitsu Ltd | ガス放電パネルの製造方法 |
-
1985
- 1985-11-27 JP JP60267689A patent/JPH065608B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62126522A (ja) | 1987-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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