JPH0831304B2 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、IF
層等の中間層を500〜600℃で焼成した際にガラス基板が
所定量収縮し電極パターン等の下位層も収縮するので、
その下位層パターンを当該収縮量を見込した寸法で形成
することにより、位置合わせして形成されるクロストー
ク防止用隔壁等の上位層パターンとの位置合わせ精度を
向上し得る。

〔産業上の利用分野〕

この発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法
に係り、さらに詳しく言えば電極の絶縁層やクロストー
ク防止用隔壁の焼成工程におけるガラス基板の収縮を補
償した電極あるいはクロストーク防止用隔壁のパターン
形成法に関する。

プラズマディスプレイパネル（以下PDPと記す）のガ
ラス基板には、所定パターンの電極、ガラスの絶縁層
（以下IF層と略す）、隣接放電セルのクロストーク防止
用隔壁を順次積層したものや、前記クロストーク防止用
隔壁上にさらに電極を形成したものがある。一方、それ
ら電極、クロストーク防止用隔壁のパターンは高密度
化、多素子化が進み、ピッチ360μｍ、パターン幅100μ
ｍ、パターン総数640本におよんでいる。

したがって、精度が高く、作業効率の良いパネルの製
造方法が要望されていた。

〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕

PDPのガラス基板にはソーダライムガラスが用いられ
るが、この材質はクロストーク防止用隔壁やIF層の焼成
温度である500〜600℃を経過後、第２図に代表例にて示
す如く焼成前の寸法にたいし、焼成１回で収縮代0.0323
％、収縮後0.999679、同じく２回でそれぞれ0.0537％、
0.999473になる。尚、これら収縮代は焼成条件により、
それぞれ0.0261〜0.0398％、0.0407〜0.0549％のばらつ
きがある。

この収縮は230mmのガラス基板ではそれぞれ74μｍ、1
24μｍにおよぶ。従来ピッチが大きく、パターン幅も大
きく、総本数が少ない場合には、この程度の誤差は無視
出来たが、既述の如く最近はピッチ360μｍ、電極幅100
μｍ、総数640本の微小、多数パターンが用いられるよ
うになり、これらの収縮値は無視出来ない値となってき
た。

本発明はこのような点にかんがみて考案されたもの
で、簡易な方法で精度の高いパターン形成が可能なPDP
の製造方法を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

基板をソーダライムガラスで構成するとともに、該基
板上に電極層を所定ピッチで相互に平行な複数本の線状
電極として形成する際、当該電極層の幅方向のピッチと
電極幅が前記絶縁層を焼成する時のガラス基板の収縮量
を見込んだ寸法分だけ所定寸法よりも大きな寸法となる
パターンで形成し、この後前記絶縁層をガラスペースト
を塗布し焼成することにより形成し、さらに該絶縁層上
に電極パターンの間に位置する関係で所定間隔の平行な
パターンによりクロストーク防止用隔壁層をプリント形
成することを特徴としている。

〔作 用〕

ガラス基板上に形成された電極層のパターンは、その
上に絶縁層を形成した時に所定量収縮するけれども、そ
の収縮パターンが絶縁層上に形成されるクロストーク防
止用隔壁層のパターンと適度な位置関係になるので、ク
ロストーク防止用隔壁層および電極層のパターン間の位
置ずれは皆無になる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の好ましい実施例を詳細に
説明する。

第１図は本発明を適用したメモリ形のPDPにおける一
方の電極支持基板の構成を示すもので、１はガラス基
板、２は線状パターンの電極、３はIF層、４はクロスト
ーク防止用隔壁である。

電極パターン２はガラス基板１上に蒸着、スパッタ等
の方法により形成される。IF層３は電極パターン２上に
ガラスペーストを塗布した後、500〜600℃にて焼成する
ことで、形成される。クロストーク防止用隔壁４は、上
記IF層焼成後の電極パターン２に位置合わせ、すなわち
隔壁４のピッチの中央に電極パターン２が正しく配置さ
れるようにしてプリント法により形成される。

今、これらパターンの寸法を具体的な数値により説明
する。完成後の電極パターンピッチ360μｍ、総数640本
の場合、ガラス基板上のこの全パターンが占める幅は0.
36×（640−１）＝230.04mmである。従って、IF層焼３
を焼成する前の電極パターン２の、ピッチおよびガラス
基板１の占有幅は、IF層焼成条件により0.9996〜0.9998
倍にばらついて収縮するので、実際の焼成条件に適応し
た収縮比を選択して適用するが、いまその代表的な値と
して、収縮率の中心値0.9997を用いると次のように求め
られる。即ち、 ピッチ＝360/0.9997＝360.11μｍ 占有幅＝230.04/0.9997＝230.11mm である。この寸法による電極パターン２を形成後、IF層
形成のためにIF層用ガラス３を塗布し、500〜600℃の所
定の温度で焼成すると、前述したように電極パターンは
ガラス基板１と共に収縮するが、収縮後のピッチおよび
全パターン幅はこの上に位置合わせされるクロストーク
防止用隔壁パターン４のピッチおよび全パターン幅と一
致する。

なお収縮には、焼成条件により2.30〜3.98×10⁴のば
らつきがあるので、その焼成条件に従った最適値が上記
範囲から決定される。

他方、本発明者らが先に特願昭60−160952号により提
案した面放電型ガス電パネルにおいては、一方のガラス
基板に電極、IF層、クロストーク防止用隔壁、電極が順
次積層して形成されており、IF層およびクロストーク防
止用隔壁の形成において500〜600℃の焼成工程が含まれ
る。このように焼成工程が２回の場合、第２図に示す如
く更に収縮が進み、第１回目焼成前の寸法から0.0537％
収縮する。従って、２回の焼成工程を有する場合は、該
２回目の焼成後に位置合わせされるパターンの寸法を0.
9993〜0.9996の中から、焼成条件に適して選ばれた収縮
比で割った値を第１回目焼成前の寸法とする。

焼成工程が３回以上におよぶ場合も、同様の考え方を
適用する。

〔発明の効果〕 以上述べたように、本発明によれば、極めて簡易な方
法で、高精度の電極およびクロストーク防止用隔壁パタ
ーンが、効率よく形成できるので、PDPの品質向上と原
価低減に寄与しその工業的効果は頗る大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の１実施例を示す要部断面図、 第２図は焼成によるガラス基板の収縮測定値を説明する
ための図である。 図において、 １はガラス基板、 ２は電極パターン、 ３はIF層、 ４はクロストーク防止用隔壁である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 篠田 傳 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 昭56−109431（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−188030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−121125（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】プラズマディスプレイパネルの一方の基板
   を構成するガラス基板上に所定パターンの電極層を形成
   し、さらにその上に所定温度で焼成される絶縁層を形成
   した後、所定パターンのクロストーク防止用隔壁を形成
   する方法において、 前記基板をソーダライムガラスで構成するとともに、該
   基板上に前記電極層を所定ピッチで相互に平行な複数本
   の線状電極として形成する際、当該電極層の幅方向のピ
   ッチと電極幅が前記絶縁層を焼成する時のガラス基板の
   収縮量を見込んだ寸法分だけ所定寸法よりも大きな寸法
   となるパターンで形成し、この後前記絶縁層をガラスペ
   ーストを塗布し焼成することにより形成し、さらに該絶
   縁層上に前記電極パターンの間に位置する関係で所定間
   隔の平行なパターンによりクロストーク防止用隔壁層を
   プリント形成する ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
   法。