JPH0656581A - 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成方法 - Google Patents
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成方法Info
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- JPH0656581A JPH0656581A JP4211169A JP21116992A JPH0656581A JP H0656581 A JPH0656581 A JP H0656581A JP 4211169 A JP4211169 A JP 4211169A JP 21116992 A JP21116992 A JP 21116992A JP H0656581 A JPH0656581 A JP H0656581A
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Containers, Films, And Cooling For Superconductive Devices (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高品質であり、従来よりも高い臨界温度、臨
界電流密度を有する酸化物超伝導体薄膜を形成すること
が可能な酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成
方法を提供することを目的とする。 【構成】 所定の温度に加熱された酸化物単結晶基板上
へ、酸化物超伝導体薄膜を形成する方法において、前記
加熱温度における前記酸化物超伝導体との格子不整合率
が１％以下であり、前記酸化物単結晶基板よりも結晶
性、表面平坦性に優れた酸化物単結晶薄膜がバッファー
層として形成されている基板を用いることを特徴とす
る。
界電流密度を有する酸化物超伝導体薄膜を形成すること
が可能な酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成
方法を提供することを目的とする。 【構成】 所定の温度に加熱された酸化物単結晶基板上
へ、酸化物超伝導体薄膜を形成する方法において、前記
加熱温度における前記酸化物超伝導体との格子不整合率
が１％以下であり、前記酸化物単結晶基板よりも結晶
性、表面平坦性に優れた酸化物単結晶薄膜がバッファー
層として形成されている基板を用いることを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物単結晶基板上
へ、高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜を得るために、
酸化物超伝導体との格子整合性に優れ、結晶構造の類似
したバッファー層を導入し高品質の基板とする酸化物高
温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに酸化物高温超伝導
体単結晶薄膜形成用基板及びその形成方法に関するもの
である。
へ、高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜を得るために、
酸化物超伝導体との格子整合性に優れ、結晶構造の類似
したバッファー層を導入し高品質の基板とする酸化物高
温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに酸化物高温超伝導
体単結晶薄膜形成用基板及びその形成方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】電子デバイスの高性能化を目的として、
異種材料の複合化に関する研究が近年盛んになってい
る。特に、超伝導転移温度が液体窒素の沸点を越えたＬ
ｎＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ系（Ｌｎ：Ｙあるいはランタノ
イド系元素）、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣａＣ
ｕＯ系酸化物超伝導体が発見されてからは、この新材料
の電子デバイス応用を目指し薄膜化の研究が様々な研究
機関で進められている。
異種材料の複合化に関する研究が近年盛んになってい
る。特に、超伝導転移温度が液体窒素の沸点を越えたＬ
ｎＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ系（Ｌｎ：Ｙあるいはランタノ
イド系元素）、ＢｉＳｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣａＣ
ｕＯ系酸化物超伝導体が発見されてからは、この新材料
の電子デバイス応用を目指し薄膜化の研究が様々な研究
機関で進められている。
【０００３】この場合、最も重要となることは、内部の
みならず基板と薄膜との界面付近においても高臨界温
度、高臨界電流密度である薄膜を実現することである。
そのためにはへテロエピタキシヤル成長した高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜を形成する事が必須となる。
みならず基板と薄膜との界面付近においても高臨界温
度、高臨界電流密度である薄膜を実現することである。
そのためにはへテロエピタキシヤル成長した高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜を形成する事が必須となる。
【０００４】特に、斜方晶構造を有する酸化物超伝導体
において良好なへテロエピタキシャル成長を実現するた
めのには、堆積させる基板と薄膜との間での薄膜形成温
度における格子定数の整合性を良好としただけでは不十
分であり、整合性のみならず、基板の結晶性（クラッ
ク、ツイン、サブグレイン、表面の劣化層の存在）、基
板表面の平坦性を良好にすることが非常に重要であるこ
とを知見した。
において良好なへテロエピタキシャル成長を実現するた
めのには、堆積させる基板と薄膜との間での薄膜形成温
度における格子定数の整合性を良好としただけでは不十
分であり、整合性のみならず、基板の結晶性（クラッ
ク、ツイン、サブグレイン、表面の劣化層の存在）、基
板表面の平坦性を良好にすることが非常に重要であるこ
とを知見した。
【０００５】かかる観点から従来の基板を検討した。
【０００６】現在、酸化物超伝導体薄膜の形成用基板と
して最も良く用いられているものはＳｒＴｉＯ３であ
る。しかし、この材料は、高融点材料であるため単結晶
の育成方法はべルヌイ法に限られ、ベルヌイ法で育成し
た単結晶中にはサブグレインが形成され結晶性は著しく
悪い。これらの理由から、この基板上ヘ形成した酸化物
超伝導体薄膜の界面付近での結晶性は悪い。
して最も良く用いられているものはＳｒＴｉＯ３であ
る。しかし、この材料は、高融点材料であるため単結晶
の育成方法はべルヌイ法に限られ、ベルヌイ法で育成し
た単結晶中にはサブグレインが形成され結晶性は著しく
悪い。これらの理由から、この基板上ヘ形成した酸化物
超伝導体薄膜の界面付近での結晶性は悪い。
【０００７】最近、ヘテロエピタキシャル成長の観点か
ら、新基板材料として酸化物超伝導体との格子整合性に
優れたＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３が注目され始め、引
き上げ法によるバルク単結晶成長の研究が行われてい
る。
ら、新基板材料として酸化物超伝導体との格子整合性に
優れたＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３が注目され始め、引
き上げ法によるバルク単結晶成長の研究が行われてい
る。
【０００８】しかしながら、ＰｒＧａＯ３においては、
その単結晶育成時にツイン、サブグレイン、クラックが
形成され、結晶性の良い単結晶が得られない。
その単結晶育成時にツイン、サブグレイン、クラックが
形成され、結晶性の良い単結晶が得られない。
【０００９】また、ＮｄＧａＯ３においては、ツインフ
リーの単結晶が得られるが、その基板表面の平滑化は機
械研磨により行われる。そのため、ＮｄＧａＯ３単結晶
基板の表面には、機械研磨時に受けた応力により生じた
転位あるいは表面反応物を含む劣化層が存在し、これ
が、界面付近の酸化物超伝導体薄膜の結晶性を劣化させ
る。このように、ＰｒＧａＯ３，ＮｄＧａＯ３のよう
な、形成しようとする酸化物超伝導体との間における、
格子整合性に優れた酸化物超伝導体形成用の基板材料は
存在するが、直接基板として利用できる材料は存在しな
いのが現状である。
リーの単結晶が得られるが、その基板表面の平滑化は機
械研磨により行われる。そのため、ＮｄＧａＯ３単結晶
基板の表面には、機械研磨時に受けた応力により生じた
転位あるいは表面反応物を含む劣化層が存在し、これ
が、界面付近の酸化物超伝導体薄膜の結晶性を劣化させ
る。このように、ＰｒＧａＯ３，ＮｄＧａＯ３のよう
な、形成しようとする酸化物超伝導体との間における、
格子整合性に優れた酸化物超伝導体形成用の基板材料は
存在するが、直接基板として利用できる材料は存在しな
いのが現状である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、基板の結晶
性、表面平坦性に起因して、酸化物超伝導体薄膜（特に
界面付近）の結晶性、超伝導特性が劣化するという問題
を解決し、高品質であり、従来よりも高い臨界温度、臨
界電流密度を有する酸化物超伝導体薄膜を形成すること
が可能な酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成
方法を提供することを目的とする。
性、表面平坦性に起因して、酸化物超伝導体薄膜（特に
界面付近）の結晶性、超伝導特性が劣化するという問題
を解決し、高品質であり、従来よりも高い臨界温度、臨
界電流密度を有する酸化物超伝導体薄膜を形成すること
が可能な酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法並びに
酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板及びその形成
方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の酸化物高温超伝
導体単結晶薄膜形成方法は、所定の温度に加熱された酸
化物単結晶基板上へ、酸化物超伝導体薄膜を形成する方
法において、前記加熱温度における前記酸化物超伝導体
との格子不整合率が１％以下であり、前記酸化物単結晶
基板よりも結晶性、表面平坦性に優れた酸化物単結晶薄
膜がバッファー層として形成されている基板を用いるこ
とを特徴とする。
導体単結晶薄膜形成方法は、所定の温度に加熱された酸
化物単結晶基板上へ、酸化物超伝導体薄膜を形成する方
法において、前記加熱温度における前記酸化物超伝導体
との格子不整合率が１％以下であり、前記酸化物単結晶
基板よりも結晶性、表面平坦性に優れた酸化物単結晶薄
膜がバッファー層として形成されている基板を用いるこ
とを特徴とする。
【００１２】本発明の酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形
成用基板は、酸化物単結晶基板と前記酸化物単結晶基板
上に形成された酸化物単結晶薄膜を有する酸化物高温超
伝導体単結晶薄膜形成用基板であって、前記酸化物単結
晶薄膜の格子と前記酸化物高温超伝導体の内のｌ種の酸
化物高温超伝導体の格子との不整合が、前記ｌ種の酸化
物高温超伝導体のエピタキシヤル成長温度以上の所定の
温度範囲においてｌ％以下であり、前記酸化物単結晶薄
膜の平坦性と結晶性が前記酸化物単結晶基板のそれより
優れていることを特徴とする。
成用基板は、酸化物単結晶基板と前記酸化物単結晶基板
上に形成された酸化物単結晶薄膜を有する酸化物高温超
伝導体単結晶薄膜形成用基板であって、前記酸化物単結
晶薄膜の格子と前記酸化物高温超伝導体の内のｌ種の酸
化物高温超伝導体の格子との不整合が、前記ｌ種の酸化
物高温超伝導体のエピタキシヤル成長温度以上の所定の
温度範囲においてｌ％以下であり、前記酸化物単結晶薄
膜の平坦性と結晶性が前記酸化物単結晶基板のそれより
優れていることを特徴とする。
【００１３】上記酸化物高温超伝導体単結晶薄膜は、Ｒ
Ｆマグネトロンスパッタ法において、アルゴンと酸素
を、それぞれ、０．１ｍＴｏｒｒから１Ｔｏｒｒ、０Ｔ
ｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲で混合したガスをスパッタ
リングガスとし、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗ（パワー
密度１．９〜７．６Ｗ／ｃｍ２）、基板温度が５５０℃
から９５０℃の範囲である薄膜形成条件で上記バッファ
ー層を形成することが好ましい。
Ｆマグネトロンスパッタ法において、アルゴンと酸素
を、それぞれ、０．１ｍＴｏｒｒから１Ｔｏｒｒ、０Ｔ
ｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲で混合したガスをスパッタ
リングガスとし、ＲＦパワーが５０〜２００Ｗ（パワー
密度１．９〜７．６Ｗ／ｃｍ２）、基板温度が５５０℃
から９５０℃の範囲である薄膜形成条件で上記バッファ
ー層を形成することが好ましい。
【００１４】ここで、アルゴンの圧力を０．１ｍＴｏｒ
ｒ未満にするとターゲットをスパッタするために十分な
プラズマが発生しない。一方、１Ｔｏｒｒを越えると、
プラズマが不安定となり、薄膜が不均一となってしま
う。酸素は、０Ｔｏｒｒ（すなわち酸素を含有しない）
でもよい。これは、ターゲットが酸素供給源となるから
である。しかし、酸素を１Ｔｏｒｒ以下で混合せしめる
ことが好ましい。酸素を混合せしめた場合、薄膜の結晶
性が良好となる（特に平坦性が良好になる。）。
ｒ未満にするとターゲットをスパッタするために十分な
プラズマが発生しない。一方、１Ｔｏｒｒを越えると、
プラズマが不安定となり、薄膜が不均一となってしま
う。酸素は、０Ｔｏｒｒ（すなわち酸素を含有しない）
でもよい。これは、ターゲットが酸素供給源となるから
である。しかし、酸素を１Ｔｏｒｒ以下で混合せしめる
ことが好ましい。酸素を混合せしめた場合、薄膜の結晶
性が良好となる（特に平坦性が良好になる。）。
【００１５】ＲＦパワーが５０Ｗ未満あるいは２００Ｗ
を越えるとプラズマの発生が十分ではなくなる。
を越えるとプラズマの発生が十分ではなくなる。
【００１６】基板温度が５５０℃未満では超伝導体薄膜
がアモルファス化してしまう。一方、９５０℃を越える
と組成が不均一な超伝導体薄膜が形成されてしまう。こ
れは一旦堆積した原子（特に低融点のもの）が再蒸発し
てしまうためと考えられる。
がアモルファス化してしまう。一方、９５０℃を越える
と組成が不均一な超伝導体薄膜が形成されてしまう。こ
れは一旦堆積した原子（特に低融点のもの）が再蒸発し
てしまうためと考えられる。
【００１７】なお、バッファー層の層厚は１００Å〜２
００Åとすることが好ましく、その平坦性は表面粗度を
Ｒmax数Å〜数十Åとすることが、高臨界温度、高臨界
電流密度を有する超伝導薄膜を基板板上に形成する上か
ら好ましい。
００Åとすることが好ましく、その平坦性は表面粗度を
Ｒmax数Å〜数十Åとすることが、高臨界温度、高臨界
電流密度を有する超伝導薄膜を基板板上に形成する上か
ら好ましい。
【００１８】また、酸化物単結晶薄膜が酸化物単結晶基
板よりも結晶性に優れるとは、酸化物単結晶薄膜が酸化
物単結晶基板よりもクラック、ツイン、サブグレイン、
表面の劣化層が少ないことを意味し、酸化物単結晶薄膜
が酸化物単結晶基板よりも表面平坦性に優れるとは、酸
化物単結晶薄膜の表面粗度が酸化物単結晶基板の表面粗
度よりも細かいことを意味する。
板よりも結晶性に優れるとは、酸化物単結晶薄膜が酸化
物単結晶基板よりもクラック、ツイン、サブグレイン、
表面の劣化層が少ないことを意味し、酸化物単結晶薄膜
が酸化物単結晶基板よりも表面平坦性に優れるとは、酸
化物単結晶薄膜の表面粗度が酸化物単結晶基板の表面粗
度よりも細かいことを意味する。
【００１９】格子不整合率は、次の式により算出され
る。
る。
【００２０】 １００（ｄ1−ｄ2）／｛（ｄ1＋ｄ2）÷２｝ ｄ1は酸化物単結晶基板のａ軸あるいはｂ軸の格子定
数、ｄ2は酸化物単結晶薄膜のａ軸あるいはｂ軸の格子
定数である。
数、ｄ2は酸化物単結晶薄膜のａ軸あるいはｂ軸の格子
定数である。
【００２１】
【作用】従来、酸化物超伝導体薄膜形成用の基板として
は、バルクの単結晶が用いられてきた。しかし、単結晶
基板の結晶性、表面平坦性が、その基板上に形成された
酸化物超伝導体薄膜の結晶性を劣化させる（特に界面付
近での結晶性を劣化させる）ため本来の超伝導特性は得
られていない。
は、バルクの単結晶が用いられてきた。しかし、単結晶
基板の結晶性、表面平坦性が、その基板上に形成された
酸化物超伝導体薄膜の結晶性を劣化させる（特に界面付
近での結晶性を劣化させる）ため本来の超伝導特性は得
られていない。
【００２２】本発明では、酸化物単結晶基板上に酸化物
超伝導体との薄膜形成温度における格子不整合率が１％
以下であり、結晶性、表面平坦性に優れた酸化物からな
るバッファー層薄膜が形成されているため、単結晶基板
の結晶性、表面平坦性に起因する、界面付近での酸化物
超伝導体薄膜の結晶性、超伝導特性の劣化を防ぐことが
でき、従来よりも高い臨界温度、臨界電流密度を有する
酸化物超伝導体薄膜を形成することができる。
超伝導体との薄膜形成温度における格子不整合率が１％
以下であり、結晶性、表面平坦性に優れた酸化物からな
るバッファー層薄膜が形成されているため、単結晶基板
の結晶性、表面平坦性に起因する、界面付近での酸化物
超伝導体薄膜の結晶性、超伝導特性の劣化を防ぐことが
でき、従来よりも高い臨界温度、臨界電流密度を有する
酸化物超伝導体薄膜を形成することができる。
【００２３】
【実施態様例】以下図面を参照して本発明の実施態様例
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【００２４】図１は本発明によって形成された酸化物薄
膜形成用基板の基本構成を示す概念図である。ｌは酸化
物単結晶基板、２はバッファー層である。
膜形成用基板の基本構成を示す概念図である。ｌは酸化
物単結晶基板、２はバッファー層である。
【００２５】酸化物単結晶基板ｌは結晶性、表面平坦性
に劣っているため、直接この基板上に酸化物超伝導体薄
膜を形成した場合、界面付近での結晶性、超伝導特性を
劣化させる。この問題を解決するために、この酸化物単
結晶基板ｌ上ヘ薄膜結晶成長によりバッファー層２を形
成する。バッファー層２は結晶性、表面平坦性に優れた
高品質の酸化物単結晶薄膜である。これら酸化物単結晶
基板ｌ、バッファー層２とにより、結晶性、表面平坦性
が優れている酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３が
構成されている。従って、酸化物超伝導体単結晶薄膜形
成用基板３上には界面付近においても結晶性、超伝導特
性の優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜４が形成されてい
る。
に劣っているため、直接この基板上に酸化物超伝導体薄
膜を形成した場合、界面付近での結晶性、超伝導特性を
劣化させる。この問題を解決するために、この酸化物単
結晶基板ｌ上ヘ薄膜結晶成長によりバッファー層２を形
成する。バッファー層２は結晶性、表面平坦性に優れた
高品質の酸化物単結晶薄膜である。これら酸化物単結晶
基板ｌ、バッファー層２とにより、結晶性、表面平坦性
が優れている酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３が
構成されている。従って、酸化物超伝導体単結晶薄膜形
成用基板３上には界面付近においても結晶性、超伝導特
性の優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜４が形成されてい
る。
【００２６】バッファー層２の材料系をへテロエピタキ
シャル成長の観点から明確にする。ヘテロエピタキシャ
ル成長を考える場合、基本条件の一つに薄膜形成温度に
おける格子定数の整合性がある。特に界面付近での薄膜
の結晶性を優れたものにするためには、これが重要とな
る。酸化物超伝導体との薄膜形成温度における格子不整
合率が〜１．０％であるＳｒＴｉＯ３をバッファー層２
としたときに表面平坦性、結晶性に優れた酸化物超伝導
体単結晶薄膜４が得られている事から、本発明において
許容されうるバッファー層２と酸化物超伝導体との格子
不整合率はｌ％以下とする。
シャル成長の観点から明確にする。ヘテロエピタキシャ
ル成長を考える場合、基本条件の一つに薄膜形成温度に
おける格子定数の整合性がある。特に界面付近での薄膜
の結晶性を優れたものにするためには、これが重要とな
る。酸化物超伝導体との薄膜形成温度における格子不整
合率が〜１．０％であるＳｒＴｉＯ３をバッファー層２
としたときに表面平坦性、結晶性に優れた酸化物超伝導
体単結晶薄膜４が得られている事から、本発明において
許容されうるバッファー層２と酸化物超伝導体との格子
不整合率はｌ％以下とする。
【００２７】従って、酸化物単結晶基板ｌと、酸化物超
伝導体単結晶薄膜４との格子不整合率が薄膜形成温度に
おいてｌ％以下であるバッファー層２とによって、結晶
性、表面平坦性に優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜形成
用基板３が構成される。酸化物超伝導体単結晶薄膜形成
用基板３と酸化物超伝導体単結晶薄膜４との格子整合性
は極めて優れているため、この酸化物超伝導体単結晶薄
膜形成用基板３上にエピタキシャル成長した高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜４が形成される。
伝導体単結晶薄膜４との格子不整合率が薄膜形成温度に
おいてｌ％以下であるバッファー層２とによって、結晶
性、表面平坦性に優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜形成
用基板３が構成される。酸化物超伝導体単結晶薄膜形成
用基板３と酸化物超伝導体単結晶薄膜４との格子整合性
は極めて優れているため、この酸化物超伝導体単結晶薄
膜形成用基板３上にエピタキシャル成長した高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜４が形成される。
【００２８】（第２実施態様例）第ｌの実施態様例で示
したように、酸化物単結晶基板ｌ上に形成されるバッフ
ァー層２は基本的には酸化物超伝導体単結晶薄膜４との
格子定数の不整合が薄膜形成温度においてｌ％以下の酸
化物であれば良い。しかしながら、酸化物超伝導体単結
晶薄膜形成用基板３上に形成した酸化物超伝導体単結晶
薄膜４を実際の電子デバイスに用いる場合には、界面に
トラップ準位の無い、急峻な界面を持った薄膜である必
要がある。そのためにはバッファー層２は酸化物超伝導
体薄膜４の結晶構造と類似した材料で有ることが好まし
い。
したように、酸化物単結晶基板ｌ上に形成されるバッフ
ァー層２は基本的には酸化物超伝導体単結晶薄膜４との
格子定数の不整合が薄膜形成温度においてｌ％以下の酸
化物であれば良い。しかしながら、酸化物超伝導体単結
晶薄膜形成用基板３上に形成した酸化物超伝導体単結晶
薄膜４を実際の電子デバイスに用いる場合には、界面に
トラップ準位の無い、急峻な界面を持った薄膜である必
要がある。そのためにはバッファー層２は酸化物超伝導
体薄膜４の結晶構造と類似した材料で有ることが好まし
い。
【００２９】第２の実施態様例ではバッファー層２を酸
化物超伝導体単結晶薄膜４の結晶構造であるぺロウスカ
イト構造、あるいはこれに類似したＧｄＦｅＯ３構造を
持つ複酸化物とする。複酸化物は、熱的、化学的に安定
であるため、酸化物超伝導体との界面反応を防ぐ効果も
ある。したがって、バッファー層２は酸化物超伝導体単
結晶薄膜４との格子定数の不整合率が薄膜形成温度にお
いてｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるいはＧ
ｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物となる。このバッファー
層２と酸化物単結晶基板ｌとによって、結晶性、表面平
坦性に優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３が
構成される。この酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板
３と酸化物超伝導体単結晶薄膜４は、格子整合性に優れ
結晶構造も類似しているため、理想的なエピタキシャル
成長の関係となり酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板
３上に高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜４を形成する
ことが出来る。
化物超伝導体単結晶薄膜４の結晶構造であるぺロウスカ
イト構造、あるいはこれに類似したＧｄＦｅＯ３構造を
持つ複酸化物とする。複酸化物は、熱的、化学的に安定
であるため、酸化物超伝導体との界面反応を防ぐ効果も
ある。したがって、バッファー層２は酸化物超伝導体単
結晶薄膜４との格子定数の不整合率が薄膜形成温度にお
いてｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるいはＧ
ｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物となる。このバッファー
層２と酸化物単結晶基板ｌとによって、結晶性、表面平
坦性に優れた酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３が
構成される。この酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板
３と酸化物超伝導体単結晶薄膜４は、格子整合性に優れ
結晶構造も類似しているため、理想的なエピタキシャル
成長の関係となり酸化物超伝導体単結晶薄膜形成用基板
３上に高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜４を形成する
ことが出来る。
【００３０】（第３実施態様例）第２の実施態様例で示
したように、酸化物単結晶基板ｌ上に形成されるバッフ
ァー層２は酸化物超伝導体単結晶薄膜４との格子定数の
不整合がｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるい
は、ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物である。この材料
系を用いて、結晶性、表面平坦性の優れたバッファー層
２を形成するためには、酸化物単結晶基板ｌはバッファ
ー層２と格子整合性に優れた材料で有ることが必要とな
る。第ｌの実施態様例で示したように、薄膜と基板の薄
膜形成温度における絡子不整合率が１％以下のとき、表
面の平坦性、結晶性に優れた酸化物超伝導体が形成され
ていることから、第３の実施態様例では、許容される酸
化物単結晶基板ｌとバッファー層２との格子定数の不整
合率は、薄膜形成温度においてｌ％以下とする。
したように、酸化物単結晶基板ｌ上に形成されるバッフ
ァー層２は酸化物超伝導体単結晶薄膜４との格子定数の
不整合がｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるい
は、ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物である。この材料
系を用いて、結晶性、表面平坦性の優れたバッファー層
２を形成するためには、酸化物単結晶基板ｌはバッファ
ー層２と格子整合性に優れた材料で有ることが必要とな
る。第ｌの実施態様例で示したように、薄膜と基板の薄
膜形成温度における絡子不整合率が１％以下のとき、表
面の平坦性、結晶性に優れた酸化物超伝導体が形成され
ていることから、第３の実施態様例では、許容される酸
化物単結晶基板ｌとバッファー層２との格子定数の不整
合率は、薄膜形成温度においてｌ％以下とする。
【００３１】（第４の実施態様例）第３の実施態様例で
示したように、基本的には酸化物単結晶基板ｌはバッフ
ァー層２との格子定数の不整合が薄膜形成温度において
ｌ％以下の酸化物であれば良い。しかしながら、エピタ
キシャル成長の観点から考えると、優れた結晶性、表面
平坦性をもつバッファー層２を形成するためには、結晶
構造が類似した酸化物単結晶基板１を用いる方が好まし
い。そこで、第４の実施態様例では、酸化物単結晶基板
ｌは薄膜形成温度におけるバッファー層２との格子不整
合率がｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるいは
ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物とする。
示したように、基本的には酸化物単結晶基板ｌはバッフ
ァー層２との格子定数の不整合が薄膜形成温度において
ｌ％以下の酸化物であれば良い。しかしながら、エピタ
キシャル成長の観点から考えると、優れた結晶性、表面
平坦性をもつバッファー層２を形成するためには、結晶
構造が類似した酸化物単結晶基板１を用いる方が好まし
い。そこで、第４の実施態様例では、酸化物単結晶基板
ｌは薄膜形成温度におけるバッファー層２との格子不整
合率がｌ％以下であり、ペロウスカイト構造、あるいは
ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸化物とする。
【００３２】（第５の実施態様例）第５の実施態様例で
はバッファー層２の材料系を限定する。高品質の酸化物
超伝導体単結晶薄膜４を実現するためには、バツフアー
層２と、酸化物超伝導体の構成元素の相互拡散を考慮す
る必要がある。この観点から考えると、ペロウスカイト
構造、あるいはＧｄＦｅＯ３構造を持ち、酸化物超伝導
体薄膜形成温度における格子整合率がｌ％以下である複
酸化物の中で、酸化物超伝導体の構成元素である希土類
元素を含む材料の方がバッファー層２として好ましい事
になる。
はバッファー層２の材料系を限定する。高品質の酸化物
超伝導体単結晶薄膜４を実現するためには、バツフアー
層２と、酸化物超伝導体の構成元素の相互拡散を考慮す
る必要がある。この観点から考えると、ペロウスカイト
構造、あるいはＧｄＦｅＯ３構造を持ち、酸化物超伝導
体薄膜形成温度における格子整合率がｌ％以下である複
酸化物の中で、酸化物超伝導体の構成元素である希土類
元素を含む材料の方がバッファー層２として好ましい事
になる。
【００３３】このことから、第４の実施態様例ではバッ
ファー層２を、薄膜形成温度において、酸化物超伝導体
との格子不整合率が０．０２％であるＰｒＧａＯ３、
０．２７％であるＮｄＧａＯ３にする。この様に、酸化
物単結晶基板ｌ上へ、バッファー層２としてＰｒＧａＯ
３、あるいは、ＮｄＧａＯ３が形成されている酸化物超
伝導体単結晶薄膜形成用基板３が構成される。この酸化
物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３によって、この上に
エピタキシャル成長した高品質の酸化物超伝導体単結晶
薄膜４を得ることができる。
ファー層２を、薄膜形成温度において、酸化物超伝導体
との格子不整合率が０．０２％であるＰｒＧａＯ３、
０．２７％であるＮｄＧａＯ３にする。この様に、酸化
物単結晶基板ｌ上へ、バッファー層２としてＰｒＧａＯ
３、あるいは、ＮｄＧａＯ３が形成されている酸化物超
伝導体単結晶薄膜形成用基板３が構成される。この酸化
物超伝導体単結晶薄膜形成用基板３によって、この上に
エピタキシャル成長した高品質の酸化物超伝導体単結晶
薄膜４を得ることができる。
【００３４】（第６実施態様例）第６の実施態様例では
酸化物単結晶基板ｌの材料系を限定する。第４の実施態
様例で示したように、酸化物単結晶基板ｌはバッファー
層２との格子定数の不整合率が１％以下であり、ペロウ
スカイト構造、あるいは、ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸
化物である。また、第５の実施態様例ではバッファー層
２をＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３とした。
酸化物単結晶基板ｌの材料系を限定する。第４の実施態
様例で示したように、酸化物単結晶基板ｌはバッファー
層２との格子定数の不整合率が１％以下であり、ペロウ
スカイト構造、あるいは、ＧｄＦｅＯ３構造を持つ複酸
化物である。また、第５の実施態様例ではバッファー層
２をＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３とした。
【００３５】これらのことから、第６の実施態様例では
酸化物単結晶基板ｌを、薄膜形成温度におけるＰｒＧａ
Ｏ３、ＮｄＧａＯ３との格子不整合率が、１％以下の、
ペロウスカイト構造、あるいは、ＧｄＦｅＯ３構造を持
つ複酸化物であり、かつ、その単結晶基板が存在する材
料とする。すなわち、ＳｒＴｉＯ３、ＰｒＧａＯ３、Ｎ
ｄＧａＯ３単結晶基板が適当となる。この様に、ＳｒＴ
ｉＯ３、ＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３からなる酸化物単
結晶基板１上ヘ、バッファー層２としてＰｒＧａＯ３、
あるいは、ＮｄＧａＯ３が形成されている酸化物超伝導
体単結晶薄膜形成用基板３が構成される。この酸化物超
伝導体単結晶薄膜形成用基板３によって、この上にエピ
タキシャル成長した高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜
４を得ることができる。
酸化物単結晶基板ｌを、薄膜形成温度におけるＰｒＧａ
Ｏ３、ＮｄＧａＯ３との格子不整合率が、１％以下の、
ペロウスカイト構造、あるいは、ＧｄＦｅＯ３構造を持
つ複酸化物であり、かつ、その単結晶基板が存在する材
料とする。すなわち、ＳｒＴｉＯ３、ＰｒＧａＯ３、Ｎ
ｄＧａＯ３単結晶基板が適当となる。この様に、ＳｒＴ
ｉＯ３、ＰｒＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３からなる酸化物単
結晶基板１上ヘ、バッファー層２としてＰｒＧａＯ３、
あるいは、ＮｄＧａＯ３が形成されている酸化物超伝導
体単結晶薄膜形成用基板３が構成される。この酸化物超
伝導体単結晶薄膜形成用基板３によって、この上にエピ
タキシャル成長した高品質の酸化物超伝導体単結晶薄膜
４を得ることができる。
【００３６】
【実施例】本実施例では、第６の実施態様例で限定した
ＮｄＧａＯ３、ＰｒＧａＯ３薄膜のＳｒＴｉＯ３、Ｐｒ
ＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３単結晶基板上への形成方法を具
体的に説明する。
ＮｄＧａＯ３、ＰｒＧａＯ３薄膜のＳｒＴｉＯ３、Ｐｒ
ＧａＯ３、ＮｄＧａＯ３単結晶基板上への形成方法を具
体的に説明する。
【００３７】ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｙ酸化物超伝導体の
単結晶薄膜形成を目的として、図１に示した酸化物単結
晶基板ｌ上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いてバ
ッファー層２を形成した。薄膜形成の方法は以下の通り
である。ここで酸化物単結晶基板ｌはＮｄＧａＯ３、バ
ッファー層２は薄膜形成温度においてＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７−ｙ酸化物超伝導体との格子不整合率が０．０２％で
あるＰｒＧａＯ３とした。ターゲットは厚み５ｍｍ、直
径４インチである化学量論組成のＰｒＧａＯ３焼結体と
し、チャンバー内の銅製パッキングプレートにメタルボ
ンデイングによって装着した。
単結晶薄膜形成を目的として、図１に示した酸化物単結
晶基板ｌ上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法を用いてバ
ッファー層２を形成した。薄膜形成の方法は以下の通り
である。ここで酸化物単結晶基板ｌはＮｄＧａＯ３、バ
ッファー層２は薄膜形成温度においてＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７−ｙ酸化物超伝導体との格子不整合率が０．０２％で
あるＰｒＧａＯ３とした。ターゲットは厚み５ｍｍ、直
径４インチである化学量論組成のＰｒＧａＯ３焼結体と
し、チャンバー内の銅製パッキングプレートにメタルボ
ンデイングによって装着した。
【００３８】基板はＮｄＧａＯ３（１１０）基板を用い
ターゲットから５ｃｍの位置に、シャッタを介してター
ゲットと平行に設置した。
ターゲットから５ｃｍの位置に、シャッタを介してター
ゲットと平行に設置した。
【００３９】チャンバー内をロータリーポンプとクライ
オポンプによって真空引きし、１０ −５Ｔｏｒｒ以下の
真空度が達成された後、スパッタリングガスを導入し
た。スパッタリングガスは、アルゴン、あるいは、アル
ゴンと酸素の混合ガスとし、マスフローコントロラーで
流量を制御してチャンバー内に導入した。
オポンプによって真空引きし、１０ −５Ｔｏｒｒ以下の
真空度が達成された後、スパッタリングガスを導入し
た。スパッタリングガスは、アルゴン、あるいは、アル
ゴンと酸素の混合ガスとし、マスフローコントロラーで
流量を制御してチャンバー内に導入した。
【００４０】アルゴンガスの流量は４０ＳＣＣＭ程度と
し、バルブの調整により圧力を０．１ｍＴｏｒｒから１
Ｔｏｒｒの間に設定した。また、酸素ガスの流量は０Ｓ
ＣＣＭから４０ＳＣＣＭの範囲とした。この時、酸素の
圧力は、０Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒの間に設定した。こ
れらのスパッタリングガスに５０Ｗから２００Ｗの間の
ＲＦパワーを印加し放電を開始した。この時のＲＦパワ
ー密度は、入力パワーとスパッタリングガスによってス
パッタされるターゲットの面積から算出すると１．９Ｗ
／ｃｍ２から７．６Ｗ／ｃｍ２となった。
し、バルブの調整により圧力を０．１ｍＴｏｒｒから１
Ｔｏｒｒの間に設定した。また、酸素ガスの流量は０Ｓ
ＣＣＭから４０ＳＣＣＭの範囲とした。この時、酸素の
圧力は、０Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒの間に設定した。こ
れらのスパッタリングガスに５０Ｗから２００Ｗの間の
ＲＦパワーを印加し放電を開始した。この時のＲＦパワ
ー密度は、入力パワーとスパッタリングガスによってス
パッタされるターゲットの面積から算出すると１．９Ｗ
／ｃｍ２から７．６Ｗ／ｃｍ２となった。
【００４１】基板加熱は直接通電加熱方式によって加熱
されたＳｉ上ヘＮｄＧａＯ３基板をはりつけることによ
って行った。基板温度は５５０℃から９００℃の間とし
た。ターゲット表面の汚れ（空気中の水分とターゲット
が反応して生成した水酸化物など）を除去する目的で、
プレスパッタを１０分間行い、その後、シャッターを開
けＮｄＧａＯ３基板上ヘＰｒＧａＯ３薄膜形成を開始し
た。
されたＳｉ上ヘＮｄＧａＯ３基板をはりつけることによ
って行った。基板温度は５５０℃から９００℃の間とし
た。ターゲット表面の汚れ（空気中の水分とターゲット
が反応して生成した水酸化物など）を除去する目的で、
プレスパッタを１０分間行い、その後、シャッターを開
けＮｄＧａＯ３基板上ヘＰｒＧａＯ３薄膜形成を開始し
た。
【００４２】蒸着終了後、基板温度を室温まで降ろし薄
膜をチヤンバーから取り出した。
膜をチヤンバーから取り出した。
【００４３】この方法で形成したＰｒＧａＯ３薄膜の結
晶性は、酸素分圧、及び基板温度の上昇と共に良好にな
る傾向を示した。前述した薄膜形成条件のなかで、基板
温度が６５０℃以上、酸素分圧が１×ｌ０−３Ｔｏｒｒ
以上で形成されたＰｒＧａ０ ３薄膜は、Ｒｕｔｈｅｆｏ
ｒｄ−Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＲＢＳ法によ
り得られるχｍｉｎの値が４％以下と、非常に優れた結
晶性を示した。
晶性は、酸素分圧、及び基板温度の上昇と共に良好にな
る傾向を示した。前述した薄膜形成条件のなかで、基板
温度が６５０℃以上、酸素分圧が１×ｌ０−３Ｔｏｒｒ
以上で形成されたＰｒＧａ０ ３薄膜は、Ｒｕｔｈｅｆｏ
ｒｄ−Ｂａｃｋ Ｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ（ＲＢＳ法によ
り得られるχｍｉｎの値が４％以下と、非常に優れた結
晶性を示した。
【００４４】この薄膜のＸ−Ｒａｙ Ｄｉｆｆｒａｃｔ
ｏｍｅｔｒｙ（ＸＲＤ）、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＴＥＭ）、
Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（Ａ
ＦＭ）の結果について以下に述ベる。
ｏｍｅｔｒｙ（ＸＲＤ）、Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（ＴＥＭ）、
Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ（Ａ
ＦＭ）の結果について以下に述ベる。
【００４５】図２に、２θ／θ法により得られたＸＲＤ
パターンを示す。このパターンには、ＰｒＧａＯ３の
（１１０）面に相当する回折ピークのみが観測されてお
り、＜１１０＞の結晶軸が基板と垂直方向に配向した薄
膜である事がわかる。この回折ピークの半値幅は０．０
７゜と狭い。これは結晶性が優れていることを示してい
る。また、ＴＥＭ観察により得られた制限視野回折像は
ＰｒＧａＯ３の（１１０）逆格子面に相当しており、Ｎ
ｄＧａＯ３基板表面と平行な面内においても結晶軸が配
向していることを示している。したがって、このＰｒＧ
ａ０３薄膜は、結晶軸が一定方向に規則的に配向したエ
ピタキシャル成長膜であるといえる。
パターンを示す。このパターンには、ＰｒＧａＯ３の
（１１０）面に相当する回折ピークのみが観測されてお
り、＜１１０＞の結晶軸が基板と垂直方向に配向した薄
膜である事がわかる。この回折ピークの半値幅は０．０
７゜と狭い。これは結晶性が優れていることを示してい
る。また、ＴＥＭ観察により得られた制限視野回折像は
ＰｒＧａＯ３の（１１０）逆格子面に相当しており、Ｎ
ｄＧａＯ３基板表面と平行な面内においても結晶軸が配
向していることを示している。したがって、このＰｒＧ
ａ０３薄膜は、結晶軸が一定方向に規則的に配向したエ
ピタキシャル成長膜であるといえる。
【００４６】また、ＡＦＭの結果から、この薄膜は表面
の凹凸が１０Å程度である非常に平坦な薄膜であること
が認められた。
の凹凸が１０Å程度である非常に平坦な薄膜であること
が認められた。
【００４７】これらの結果から、（１１０）面ＮｄＧａ
０３基板上に、表面平坦性に優れた（１１０）面配向の
エピタキシャル成長したＰｒＧａＯ３薄膜が形成されて
いると結論できる。したがって、酸化物単結晶基板ｌ上
に結晶性、表面平坦性に優れたバッファー層２がエピタ
キシャル成長した酸化物薄膜形成用基板３が形成され
る。
０３基板上に、表面平坦性に優れた（１１０）面配向の
エピタキシャル成長したＰｒＧａＯ３薄膜が形成されて
いると結論できる。したがって、酸化物単結晶基板ｌ上
に結晶性、表面平坦性に優れたバッファー層２がエピタ
キシャル成長した酸化物薄膜形成用基板３が形成され
る。
【００４８】この酸化物薄膜形成用基板３上に、酸化物
超伝導体単結晶薄膜４を形成した。
超伝導体単結晶薄膜４を形成した。
【００４９】薄膜形成温度におけるＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ
７−ｙ酸化物超伝導体とＰｒＧａＯ３との格子不整合度
は０．０２％と極めて小さく、結晶構造がともにぺロウ
スカイト構造であるため理想的なエピタキシャル成長の
関係になり、さらに、基板表面の結晶性、表面平坦性も
極めて優れているため、急峻な界面を持った高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜４が形成された。
７−ｙ酸化物超伝導体とＰｒＧａＯ３との格子不整合度
は０．０２％と極めて小さく、結晶構造がともにぺロウ
スカイト構造であるため理想的なエピタキシャル成長の
関係になり、さらに、基板表面の結晶性、表面平坦性も
極めて優れているため、急峻な界面を持った高品質の酸
化物超伝導体単結晶薄膜４が形成された。
【００５０】
【発明の効果】このように本発明によって、基板と薄膜
との格子不整合率、また、単結晶基板の結晶性、表面平
坦性に起因する酸化物超伝導体薄膜の結晶性、超伝導特
性の劣化を防ぐことが可能となり、高品質の酸化物超伝
導体単結晶薄膜を形成することができるようになった。
との格子不整合率、また、単結晶基板の結晶性、表面平
坦性に起因する酸化物超伝導体薄膜の結晶性、超伝導特
性の劣化を防ぐことが可能となり、高品質の酸化物超伝
導体単結晶薄膜を形成することができるようになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によって形成された酸化物薄膜形成用基
板の基本構成を示す概念図である。
板の基本構成を示す概念図である。
【図２】２θ／θ法により得られたＸＲＤパターンであ
る。
る。
【符号の説明】 １ 酸化物単結晶基板、 ２ バッファー層、 ３ 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板、 ４ 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の温度に加熱された酸化物単結晶基
板上へ、酸化物超伝導体薄膜を形成する方法において、
前記加熱温度における前記酸化物超伝導体との格子不整
合率が１％以下であり、前記酸化物単結晶基板よりも結
晶性、表面平坦性に優れた酸化物単結晶薄膜がバッファ
ー層として形成されている基板を用いることを特徴とす
る酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法。 - 【請求項２】 酸化物単結晶基板と前記酸化物単結晶基
板上に形成された酸化物単結晶薄膜を有する酸化物高温
超伝導体単結晶薄膜形成用基板であって、前記酸化物単
結晶薄膜の格子と前記酸化物高温超伝導体の内のｌ種の
酸化物高温超伝導体の格子との不整合率が、前記ｌ種の
酸化物高温超伝導体のエピタキシヤル成長温度以上の所
定の温度範囲においてｌ％以下であり、前記酸化物単結
晶薄膜の平坦性と結晶性が前記酸化物単結晶基板のそれ
より優れていることを特徴とする酸化物高温超伝導体単
結晶薄膜形成用基板。 - 【請求項３】 ＲＦマグネトロンスパッタ法において、
アルゴンと酸素を、それぞれ、０．１ｍＴｏｒｒから１
Ｔｏｒｒ、０Ｔｏｒｒから１Ｔｏｒｒの範囲で混合した
ガスをスパッタリングガスとし、ＲＦパワーが５０〜２
００ｗ（パワー密度１．９〜７．６ｗ／ｃｍ２）、基板
温度が５５０℃から９５０℃の範囲である薄膜形成条件
で上記酸化物単結晶薄膜を形成することを特徴とする請
求項２記載の酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成用基板
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211169A JP2747173B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4211169A JP2747173B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0656581A true JPH0656581A (ja) | 1994-03-01 |
| JP2747173B2 JP2747173B2 (ja) | 1998-05-06 |
Family
ID=16601558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4211169A Expired - Fee Related JP2747173B2 (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 酸化物高温超伝導体単結晶薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2747173B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011017112A3 (en) * | 2009-07-28 | 2011-04-28 | University Of Houston System | Superconducting article with prefabricated nanostructure for improved flux pinning |
| JP2012031468A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜の製造方法 |
| WO2012165563A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜および超電導限流器 |
| CN103184513A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-03 | 清华大学 | 高温超导薄膜的制备方法 |
| JP2014077166A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜超電導線材用の中間層付基板とその製造方法、および薄膜超電導線材 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0317000A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-24 | Toshiba Corp | 酸化物薄膜の気相成長方法 |
| JPH0467692A (ja) * | 1990-07-09 | 1992-03-03 | Komatsu Ltd | 超伝導素子 |
| JPH04263480A (ja) * | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 酸化物超伝導体単結晶薄膜の形成用基板及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP4211169A patent/JP2747173B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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| WO2011017112A3 (en) * | 2009-07-28 | 2011-04-28 | University Of Houston System | Superconducting article with prefabricated nanostructure for improved flux pinning |
| US8926868B2 (en) | 2009-07-28 | 2015-01-06 | University Of Houston System | Superconductive article with prefabricated nanostructure for improved flux pinning |
| KR101485060B1 (ko) * | 2009-07-28 | 2015-01-21 | 유니버시티 오브 휴스턴 시스템 | 향상된 자속 고정을 위한 예비 제작된 나노 구조물을 구비한 초전도 물품 |
| JP2012031468A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 超伝導体薄膜の製造方法 |
| WO2012165563A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜および超電導限流器 |
| JPWO2012165563A1 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-02-23 | 古河電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜および超電導限流器 |
| US9159898B2 (en) | 2011-05-31 | 2015-10-13 | Furukawa Electric Co., Ltd. | Oxide superconductor thin film and superconducting fault current limiter |
| JP2014077166A (ja) * | 2012-10-10 | 2014-05-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 薄膜超電導線材用の中間層付基板とその製造方法、および薄膜超電導線材 |
| CN103184513A (zh) * | 2013-03-13 | 2013-07-03 | 清华大学 | 高温超导薄膜的制备方法 |
| CN103184513B (zh) * | 2013-03-13 | 2016-04-27 | 清华大学 | 高温超导薄膜的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2747173B2 (ja) | 1998-05-06 |
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