JPH065687A - Vacuum treatment device - Google Patents
Vacuum treatment deviceInfo
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- JPH065687A JPH065687A JP16320992A JP16320992A JPH065687A JP H065687 A JPH065687 A JP H065687A JP 16320992 A JP16320992 A JP 16320992A JP 16320992 A JP16320992 A JP 16320992A JP H065687 A JPH065687 A JP H065687A
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Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、真空容器内に半導体基
板を収納し薄膜形成、エッチング処理等の処理を行う真
空処理装置に関し、特に半導体基板を一枚ずつ収納して
処理する真空処理室の複数固を有する真空処理装置に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus for accommodating a semiconductor substrate in a vacuum container and performing a thin film forming process, an etching process, and the like. Related to a vacuum processing apparatus having a plurality of solids.
【0002】[0002]
【従来の技術】現在、半導体産業をはじめとする数多く
の分野で真空処理装置が用いられている。特に半導体製
造における真空処理装置には、半導体基板の表面に薄膜
を形成するためのスパッタリング装置やCVD装置があ
り、また逆に基板表面をエッチングするためのドライエ
ッチング装置等がある。2. Description of the Related Art At present, vacuum processing apparatuses are used in many fields including the semiconductor industry. Particularly, vacuum processing apparatuses in semiconductor manufacturing include a sputtering apparatus and a CVD apparatus for forming a thin film on the surface of a semiconductor substrate, and conversely, a dry etching apparatus for etching the surface of a substrate.
【0003】近年、LSIの高集積化による配線の微細
化、多層化に伴い、異なった材質の薄膜を各々異なった
条件下で、真空中で連続形成したり、あるいはスパッ
タ、CVD、ドライエッチング等の異種のプロセスを半
導体基板を大気にさらすことなく真空中で連続して処理
したいという要求が強くなってきた。In recent years, with the miniaturization and multi-layering of wiring due to high integration of LSI, thin films of different materials are continuously formed in vacuum under different conditions, or sputtering, CVD, dry etching, etc. There is an increasing demand for continuous processing of different types of processes in a vacuum without exposing the semiconductor substrate to the atmosphere.
【0004】これらの要求に対し、個々に独立した排気
系を有する真空処理室を複数個備えた多室構造型の真空
処理装置が開発され、実用化されるようになった。この
多室構造型の真空処理装置は、マルチチャンバ型装置と
も呼ばれ、各室が完全に独立しているためにスパッタ材
料や反応生成物プロセスガス等の相互のコンタミネーシ
ョンが起きないことと、各室ごとに異なった条件下で半
導体基板処理を行うことができるという利点を有してい
る。また、半導体基板の工程順に従って処理室を通る順
序も任意に選択することが可能であり、一台の装置で様
々な処理が連続して行い得るという利点がある。In response to these requirements, a multi-chamber type vacuum processing apparatus having a plurality of vacuum processing chambers each having an independent exhaust system has been developed and put into practical use. This multi-chamber structure type vacuum processing apparatus is also called a multi-chamber type apparatus, and since each chamber is completely independent, mutual contamination such as sputter material and reaction product process gas does not occur, It has the advantage that semiconductor substrates can be processed under different conditions for each chamber. Further, it is possible to arbitrarily select the order of passing through the processing chamber according to the order of steps of the semiconductor substrate, and there is an advantage that various kinds of processing can be continuously performed by one device.
【0005】図4(a)及び(b)は従来の真空処理装
置の一例を示す平面図及び真空処理室の断面図である。
通常、この種の真空処理装置は、例えば、図4(a)に
示すように、中央に位置する搬送室1の周囲に配置され
るとともに半導体基板の複数枚を積載する収納カセット
2が収納されるロードロック室3及び複数個の真空処理
室4a,4b,4c,4dと、各真空処理室4a〜4d
及びロードロック室3と搬送室1との間を仕切弁5a,
5b,5c,5d,5eと、各真空処理室4a〜4d,
ロードロック室3及び搬送室をそれぞれ独立して真空排
気する真空ポンプとで構成されている。4A and 4B are a plan view showing an example of a conventional vacuum processing apparatus and a sectional view of a vacuum processing chamber.
Usually, this type of vacuum processing apparatus, for example, as shown in FIG. 4A, accommodates a storage cassette 2 that is arranged around a transfer chamber 1 located in the center and that stores a plurality of semiconductor substrates. Load lock chamber 3 and a plurality of vacuum processing chambers 4a, 4b, 4c, 4d, and each vacuum processing chamber 4a-4d
And a gate valve 5a between the load lock chamber 3 and the transfer chamber 1
5b, 5c, 5d and 5e, and the vacuum processing chambers 4a to 4d,
The load lock chamber 3 and the transfer chamber are independently vacuum-evacuated.
【0006】また、この真空処理装置は、図面では真空
処理室の数は4室であるが、その数は用途に応じて変化
する。一般には真空処理室を3〜5室有する場合が多
い。さらに、搬送室1の内部には半導体基板であるウェ
ーハ6を搬送するための基板ハンドリングアーム7が備
えられており、この基板ハンドリングアーム7は図面の
鉛直線方向を中心軸とする回転運動、及び水平面内での
伸縮運動を行うことによりロードロック室3及び各真空
処理室4a〜4dに対してウェーハ6の搬出入を行う。In the vacuum processing apparatus, the number of vacuum processing chambers is four in the drawing, but the number changes depending on the application. Generally, there are many cases where there are 3 to 5 vacuum processing chambers. Further, inside the transfer chamber 1, there is provided a substrate handling arm 7 for transporting a wafer 6 which is a semiconductor substrate. The substrate handling arm 7 has a rotational movement about a vertical line in the drawing as a central axis, and The wafer 6 is loaded / unloaded into / from the load lock chamber 3 and each of the vacuum processing chambers 4a to 4d by performing expansion / contraction motions in a horizontal plane.
【0007】一方各真空処理室4a〜4dの内部にはウ
ェーハ6を載せるための基板ステージ8a,8b,8
c,8dがあり、各基板ステージには基板を裏面より支
持して上下方向に直線運動を行う基板リフター9a,9
b,9c,9dが内蔵されている。この基板リフター9
aは、図4(b)に示すようにαとβの2ケ所の高さ位
置で停止することにより基板ハンドリングアーム7との
間で基板の受け渡しを行うようになっている。On the other hand, inside the vacuum processing chambers 4a-4d, substrate stages 8a, 8b, 8 for mounting the wafer 6 thereon.
c and 8d, and the substrate lifters 9a and 9d that support the substrate from the back side and perform linear movement in the vertical direction on each substrate stage.
b, 9c, 9d are built in. This board lifter 9
As shown in FIG. 4B, the substrate a is transferred to and from the substrate handling arm 7 by stopping at two height positions α and β.
【0008】図5(a)及び(b)は図5の真空処理装
置での動作を説明するためのフローチャート、図6は各
真空処理室にウェーハが移送される状態を示す図であ
る。次に、真空処理室での処理終了後、処理済みウェー
ハを真空処理室から搬送室へ戻す動作、及び処理前のウ
ェーハを搬送室から真空処理室へ送り込む動作を説明す
る。ここで、図6における各室内に記載される数字はウ
ェーハの番号を示し、ウェーハは数字順、1,2,3・
・・の順で処理される。5A and 5B are flow charts for explaining the operation of the vacuum processing apparatus of FIG. 5, and FIG. 6 is a diagram showing a state in which a wafer is transferred to each vacuum processing chamber. Next, the operation of returning the processed wafer from the vacuum processing chamber to the transfer chamber after the processing in the vacuum processing chamber and the operation of feeding the unprocessed wafer from the transfer chamber to the vacuum processing chamber will be described. Here, the numbers shown in each chamber in FIG. 6 indicate the numbers of the wafers, and the wafers are numbered in the order of 1, 2, 3, ...
.. are processed in this order.
【0009】最初に、真空処理室から処理済みのウェー
ハを搬送室に戻す動作を説明する。まず、図5(a)の
ステップAで、基板リフター9aは、図4(b)に示す
ように、αの位置からβの位置に上昇する。次に、ステ
ップBで、仕切弁が開き、基板ハンドリングアーム7が
伸び真空処理室に入る。次に、ステップCで基板リフタ
9aがβの位置からαの位置に下降し、ウェーハを基板
ハンドリングアーム7に乗せる。次に、ステップDで基
板ハンドリングアーム7が後退し、ウェーハを搬送室に
戻す。First, the operation of returning the processed wafer from the vacuum processing chamber to the transfer chamber will be described. First, in step A of FIG. 5A, the substrate lifter 9a is raised from the position α to the position β, as shown in FIG. 4B. Next, in step B, the sluice valve is opened and the substrate handling arm 7 is extended to enter the vacuum processing chamber. Next, in step C, the substrate lifter 9a is lowered from the position β to the position α, and the wafer is placed on the substrate handling arm 7. Next, in step D, the substrate handling arm 7 retracts to return the wafer to the transfer chamber.
【0010】また、搬送室から真空処理室にウェーハを
移載する場合は、まず、図5(b)のステップAで、図
4の基板ハンドリングアーム7が伸び真空処理側から搬
送室に戻る。次に、ステップBで、基板リフターがαの
位置からβの位置に上昇させ、ウェーハを積載する。次
に、ステップCで、基板ハンドリングアーム7が伸び真
空処理室にウェーハを搬入する。次に、ステップDで、
基板リフタがβの位置からαの位置に下降し、基板ステ
ージにウェーハを載置する。When a wafer is transferred from the transfer chamber to the vacuum processing chamber, first, in step A of FIG. 5B, the substrate handling arm 7 of FIG. 4 extends and returns from the vacuum processing side to the transfer chamber. Next, in step B, the substrate lifter is raised from the position α to the position β to load the wafer. Next, in step C, the substrate handling arm 7 extends and the wafer is loaded into the vacuum processing chamber. Then, in step D,
The substrate lifter descends from the position β to the position α, and the wafer is placed on the substrate stage.
【0011】さらに、この処理済みのウェーハの搬出及
び未処理のウェーハの搬入のサイクル動作を説明する。
まず、図6(a)で、ロードロック室3に番号5,6の
ウェーハが待期しており、真空処理室4a,4b,4c
及び4dには番号4,3,2,1のウェーハが収納さ
れ、それぞれ異なる処理を行っている。次に、真空処理
室4dで1のウェーハの処理が終ると、基板ハンドリン
グアームにより前述した動作で、1番のウェーハは真空
処理室4dより搬出され、図6(b)のようにロードロ
ック室3に収納される。引き続き、図6(c)に示すよ
うに、真空処理室4cの2番ウェーハが真空処理室4d
に搬出される。以下、図6(d)から(f)に示すよう
に、ウェーハは時計回りに真空処理室で処理され、最終
的にはロードロック室に収容され、全べてのウェーハの
処理を完了していた。Further, the cycle operation of carrying out the processed wafer and carrying in the unprocessed wafer will be described.
First, in FIG. 6 (a), the wafers numbered 5 and 6 are waiting in the load lock chamber 3, and the vacuum processing chambers 4a, 4b, 4c.
Wafers numbered 4, 3, 2 and 1 are stored in 4 and 4d, respectively, and different treatments are performed. Next, when the processing of the first wafer is completed in the vacuum processing chamber 4d, the first wafer is unloaded from the vacuum processing chamber 4d by the above-described operation by the substrate handling arm, and the load lock chamber is moved as shown in FIG. 6B. It is stored in 3. Subsequently, as shown in FIG. 6C, the second wafer in the vacuum processing chamber 4c is moved to the vacuum processing chamber 4d.
Be delivered to. Hereinafter, as shown in FIGS. 6D to 6F, the wafers are processed in the vacuum processing chamber in the clockwise direction and finally housed in the load lock chamber to complete the processing of all the wafers. It was
【0012】[0012]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多室構
造型の真空処理装置は、一つの装置で複数の処理工程が
自動的に処理出来るものの、以下に述べる問題があっ
た。The above-mentioned conventional multi-chamber structure type vacuum processing apparatus can automatically perform a plurality of processing steps with one apparatus, but has the following problems.
【0013】例えば、図4の真空処理装置では、ロード
ロック室あるいは一つの真空処理室から一枚のウェーハ
を取り出して次の真空処理室またはロードロック室へ送
り込むまでに基板ハンドリングアームが一回の搬出入動
作を必要とし、各室に位置するウェーハを全て次の室へ
搬送し終るまでの過程を1サイクル搬送過程とすると、
図6で説明したように1サイクル搬送過程には5回の搬
出入動作が必要とされる。ここで、基板ハンドリングア
ームは1回の搬出入動作に20秒程度の時間と仮定し、
次の搬出入動作へ移る際の回転動作等に5秒程度の時間
とすると、前述の1サイクル搬送過程には(20+5)
×5=125秒程度の搬送時間が必要になる。このため
真空処理室での処理時間が125秒より短い場合、例え
ば60秒処理の場合には処理終了後に65秒間の搬送待
ち時間が生じることになる。ここで4室の真空処理室で
のウェーハ処理時間を60秒とすると、この場合のスル
ープットは、ウェーハ20枚に対して約4時間になり、
バッチシステムに比し低い値となる。このことは、従来
の多室構造型の真空処理装置では、プロセス性能面では
多くの利点を有している反面、最っとも処理時間の長い
処理工程にスループットが影響され、搬送される迄ウェ
ーハが真空処理室で待期する時間が加算され、総じてス
ループットが低くなるという欠点がある。For example, in the vacuum processing apparatus of FIG. 4, the substrate handling arm is operated once until a wafer is taken out from the load lock chamber or one vacuum processing chamber and sent to the next vacuum processing chamber or load lock chamber. When the process of carrying in and out the wafers and moving all the wafers located in each chamber to the next chamber is regarded as a one-cycle transportation process,
As described with reference to FIG. 6, five cycles of loading and unloading operations are required in the one-cycle transport process. Here, it is assumed that the substrate handling arm takes about 20 seconds for one loading / unloading operation,
If it takes about 5 seconds for the rotation operation when moving to the next loading / unloading operation, (20 + 5) in the above-mentioned one-cycle transportation process.
A transport time of about × 5 = 125 seconds is required. Therefore, when the processing time in the vacuum processing chamber is shorter than 125 seconds, for example, in the case of processing for 60 seconds, there is a waiting time of 65 seconds for conveyance after the processing is completed. If the wafer processing time in the four vacuum processing chambers is 60 seconds, the throughput in this case is about 4 hours for 20 wafers,
The value is lower than that of the batch system. This means that the conventional multi-chamber type vacuum processing equipment has many advantages in terms of process performance, but the throughput is affected by the processing steps that require the longest processing time, and wafers are transferred until they are transferred. However, there is a drawback that the waiting time in the vacuum processing chamber is added, and the throughput becomes low as a whole.
【0014】本発明の目的はウェーハの搬送の効率を上
げることによりスループットの改善を図る真空処理装置
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a vacuum processing apparatus for improving throughput by increasing the efficiency of wafer transfer.
【0015】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明の真空処理装置
は、半導体基板を複数枚を収納するロードロック室と、
この半導体基板を一枚ずつ処理する複数真空処理室を周
囲に囲むように配置する搬送室を上下に分割し、これら
分割される搬送室に収容されるとともに各前記真空処理
室及び前記ロードロック室間における前記半導体基板の
搬入・載置及び搬出を行う基板ハンドリングアームと、
各前記真空処理室内にあって、これら基板ハンドリング
アームと協動し上下動することで前記半導体基板の移載
を行う基板リフターとを備えている。A vacuum processing apparatus according to the present invention comprises a load lock chamber for accommodating a plurality of semiconductor substrates,
A transfer chamber arranged so as to surround a plurality of vacuum processing chambers for processing the semiconductor substrates one by one is divided into upper and lower parts, and each of the vacuum processing chambers and the load lock chambers are accommodated in the divided transfer chambers. A substrate handling arm for carrying in, placing and carrying out the semiconductor substrate between
Each of the vacuum processing chambers is provided with a substrate lifter that moves the semiconductor substrate by moving up and down in cooperation with these substrate handling arms.
【0016】[0016]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。The present invention will be described below with reference to the drawings.
【0017】図1(a),(b)はそれぞれ本発明の一
実施例を示す真空処理装置の平面図及び断面図である。
この真空処理装置は、中央に位置する搬送室を上下に分
離して2つの搬送室1a,1bとし、これら搬送室1
a,1bに収納されるとともに搬送室の中心を軸として
独立に回転割出してウェーハの搬入・搬出する基板ハン
ドリングアーム7a,7bと、搬送室の周囲に配置され
る真空処理室4a,4b,4c,4d及びロードロック
室と搬送室1a,1bとの間を仕切る仕切弁5a〜5d
及び10a〜10dと、各真空処理室4a,4b,4
c,4dにあって基板ハンドリングアーム7a,7bの
それぞれの高さ位置に対応する位置で上下動させ基板ス
テージ8a,8b,8c,8dと共動してウェーハ6の
移載を行う基板リフター9a,9b,9c,9dを設け
たことである。FIGS. 1A and 1B are a plan view and a sectional view of a vacuum processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
In this vacuum processing apparatus, a transfer chamber located at the center is vertically separated into two transfer chambers 1a and 1b.
substrate handling arms 7a and 7b that are housed in a and 1b and are independently rotated and indexed around the center of the transfer chamber to load and unload wafers, and vacuum processing chambers 4a and 4b arranged around the transfer chamber. Gate valves 4a, 5b for partitioning the load lock chambers 4c, 4d and the transfer chambers 1a, 1b.
And 10a to 10d, and each vacuum processing chamber 4a, 4b, 4
Substrate lifter 9a for moving the wafer 6 in cooperation with the substrate stages 8a, 8b, 8c and 8d by moving the substrate handling arms 7a and 7b up and down at positions corresponding to the respective height positions of the substrate handling arms 7a and 7b. , 9b, 9c, 9d are provided.
【0018】図2は図1の基板リフターの動作を説明す
るための図である。次に、基板ハンドリングアームに対
応する基板リフターの動作を説明する。ここで説明し易
いように、真空処理室4aにおけるウェーハ6の搬入・
搬出の例を掲げる。基板リフター9aは、図2に示すよ
うに、α,β,γの位置で停止し、上下に移動する。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the substrate lifter of FIG. Next, the operation of the substrate lifter corresponding to the substrate handling arm will be described. For ease of explanation here, the loading of the wafer 6 in the vacuum processing chamber 4a
Here is an example of unloading. As shown in FIG. 2, the board lifter 9a stops at the positions of α, β, γ and moves up and down.
【0019】まず、真空処理室4aに基板ハンドリング
アーム7aによりウェーハに収納して基板ステージ8a
にウェーハ6を載置する場合は、基板リフター9aはβ
の位置にある。次に、ウェーハ6を先端部に乗せた基板
ハンドリングアーム7aが伸び真空処理室4aに挿入さ
れる。次に、基板リフター7aが上昇し、γの位置に到
達すると、基板リフター9aは基板ハンドリングアーム
7aのウェーハ6を乗せる。次に、基板ハンドリングア
ーム7aは後退し、搬送室1aに戻る。一方、基板リフ
ター9aはαの位置まで下り、ウェーハ6を基板ステー
ジ8aに移載する。First, the wafer is housed in the vacuum processing chamber 4a by the substrate handling arm 7a, and the substrate stage 8a.
If the wafer 6 is placed on the substrate lifter 9a,
In the position. Next, the substrate handling arm 7a on which the wafer 6 is placed on the tip is extended and inserted into the vacuum processing chamber 4a. Next, when the substrate lifter 7a rises and reaches the position of γ, the substrate lifter 9a places the wafer 6 on the substrate handling arm 7a. Next, the substrate handling arm 7a retracts and returns to the transfer chamber 1a. On the other hand, the substrate lifter 9a moves down to the position α, and the wafer 6 is transferred onto the substrate stage 8a.
【0020】次に、逆に真空処理室4aより基板ハンド
リングアーム7aによりウェーハを搬出する場合を説明
する。まず、基板リフター9aがαの位置からγの位置
まで上昇し、ウェーハ6を突き上げる。次に、搬送室よ
り基板ハンドリングアーム7aが伸び、γの位置よりや
や下の位置で停止する。次に、基板リフター9aがγの
位置より下降し、ウェーハ6を基板ハンドリングアーム
7aに移載するとともに原位置であるαの位置まで下
る。一方、基板ハンドリングアーム7aはウェーハ6を
乗せた状態で搬送室に戻る。Next, the case where the wafer is unloaded from the vacuum processing chamber 4a by the substrate handling arm 7a will be described. First, the substrate lifter 9a is raised from the position α to the position γ, and the wafer 6 is pushed up. Next, the substrate handling arm 7a extends from the transfer chamber and stops at a position slightly below the γ position. Next, the substrate lifter 9a descends from the position γ, transfers the wafer 6 to the substrate handling arm 7a, and descends to the position α which is the original position. On the other hand, the substrate handling arm 7a returns to the transfer chamber with the wafer 6 placed thereon.
【0021】一方、下側の搬送室1bにある基板ハンド
リングアーム7bによるウェーハ6の搬入及び搬出は、
基板リフター9aがβの位置とを上下することで、前述
したようにウェーハの搬入及び搬出を行う。On the other hand, the loading and unloading of the wafer 6 by the substrate handling arm 7b in the lower transfer chamber 1b is performed as follows.
As the substrate lifter 9a moves up and down with respect to the position of β, the wafer is loaded and unloaded as described above.
【0022】図3は各真空処理室にウェーハが移送され
る状態を示す図である。次に、この真空処理装置におけ
る各真空処理室で処理されるウェーハの搬入・搬出サイ
クル例について説明する。ここで、各室に記載されてい
る番号はウェーハの番号を示す。FIG. 3 is a view showing a state in which a wafer is transferred to each vacuum processing chamber. Next, an example of loading / unloading cycle of wafers processed in each vacuum processing chamber in this vacuum processing apparatus will be described. Here, the number described in each chamber indicates the wafer number.
【0023】まず、図3(a)の状態、すなわち、ロー
ドロック室3には5番以上の番号のウェーハが収納さ
れ、真空処理室4a,4b,4c,4dのそれぞれに4
番から1番のウェーハが収納され、処理中と仮定する。
所定時間経過後、真空処理室4aに収納された番号1の
ウェーハが処理を終了すると、2つの基板ハンドリング
アームが独立して動き、図3(b)に示すように、1番
のウェーハはロードロック室3へ、2番のウェーハは真
空処理室4cから4dに移送される。次に、所定時間経
過すると、図3(c)に示すように、真空処理室4bの
3番のウェーハが真空処理室4cに、真空処理室4aの
4番のウェーハが真空処理室4bにそれぞれ搬入され
る。次に、図3(d)及び図3(e)に示すように、処
理の終了したウェーハは、次の処理工程の真空処理室に
搬入される。そして、図3(f)に示すように、処理が
終了したウェーハは2つの基板ハンドリングアームによ
りロードロック室3にあるカセットに収納される。ま
た、これと同時にロードロック室3にある未処理のウェ
ーハ6は最初の真空処理室4aに入れられる。First, in the state shown in FIG. 3 (a), that is, the load lock chamber 3 accommodates wafers numbered 5 or more, and 4 wafers are provided in each of the vacuum processing chambers 4a, 4b, 4c, 4d.
It is assumed that wafers # 1 to # 1 are stored and are being processed.
After the lapse of a predetermined time, when the wafer No. 1 stored in the vacuum processing chamber 4a finishes processing, the two substrate handling arms move independently, and the wafer No. 1 is loaded as shown in FIG. 3 (b). The second wafer is transferred to the lock chamber 3 from the vacuum processing chambers 4c to 4d. Next, when a predetermined time elapses, as shown in FIG. 3C, the third wafer in the vacuum processing chamber 4b is in the vacuum processing chamber 4c, and the fourth wafer in the vacuum processing chamber 4a is in the vacuum processing chamber 4b. Is brought in. Next, as shown in FIGS. 3D and 3E, the processed wafer is loaded into the vacuum processing chamber of the next processing step. Then, as shown in FIG. 3F, the processed wafer is stored in the cassette in the load lock chamber 3 by the two substrate handling arms. At the same time, the unprocessed wafer 6 in the load lock chamber 3 is put in the first vacuum processing chamber 4a.
【0024】この実施例では、真空処理室間のウェーハ
の移送を時計回り方向に行うことで説明したが、この搬
送方法に限らず、例えばロードロック室内のウェーハを
真空処理室4a,4bの順序で搬送する区分と、真空処
理室4c,4dの順序で搬送する区分とに分けて、前者
を図1の基板ハンドリングアーム7aに任せ、後者を第
2の基板ハンドリングアーム7bの搬送分担とする搬送
シーケンスも組むことも出来る。このように処理室数や
その処理順所に応じて2組の基板ハンドリングアームに
よる様々な搬送シーケンスを設定することが可能であ
る。In this embodiment, the wafer is transferred between the vacuum processing chambers in the clockwise direction. However, the transfer method is not limited to this, and for example, the wafers in the load lock chamber may be transferred to the vacuum processing chambers 4a and 4b in this order. 1 and the vacuum processing chambers 4c and 4d in that order, the former is left to the substrate handling arm 7a in FIG. 1, and the latter is assigned to the second substrate handling arm 7b. Sequences can also be assembled. In this way, it is possible to set various transfer sequences by two sets of substrate handling arms according to the number of processing chambers and the processing order.
【0025】[0025]
【発明の効果】以上説明したように本発明の多室構造型
の真空処理装置は、複数の真空処理室に囲まれる搬送室
を上下二つの室に分離し、分離された搬送室のそれぞれ
に独立して動作する複数のウェーハ搬入・搬出用のハン
ドリングアームを設け、各真空処理室間のウェーハの搬
入・搬出を複数の前記ハンドリングアームで行うことに
よって各真空処理室での処理時間の不均衡によるロス時
間を有効に利用し搬送効率を改善し、総じてスループッ
トの向上が図れるという効果がある。As described above, in the multi-chamber type vacuum processing apparatus of the present invention, a transfer chamber surrounded by a plurality of vacuum processing chambers is separated into two chambers, an upper chamber and a lower chamber, respectively. An unbalanced processing time in each vacuum processing chamber is provided by providing a plurality of independently operating handling arms for loading and unloading wafers, and loading and unloading wafers between each vacuum processing chamber by multiple handling arms. There is an effect that the loss time due to is effectively used to improve the transport efficiency and the throughput can be improved as a whole.
【図1】本発明の一実施例を示す真空処理装置の平面図
及び断面図である。FIG. 1 is a plan view and a cross-sectional view of a vacuum processing apparatus showing an embodiment of the present invention.
【図2】図1の基板リフターの動作を説明するための図
である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the substrate lifter of FIG.
【図3】各真空処理室にウェーハが移送される状態を示
す図である。FIG. 3 is a diagram showing a state in which a wafer is transferred to each vacuum processing chamber.
【図4】従来の一例を示す真空処理装置の平面図及び真
空処理室の断面図である。FIG. 4 is a plan view of a vacuum processing apparatus showing a conventional example and a cross-sectional view of a vacuum processing chamber.
【図5】図5の真空処理室での動作を説明するためのフ
ローチャートである。5 is a flowchart for explaining the operation in the vacuum processing chamber of FIG.
【図6】各真空処理室にウェーハが移送される状態を示
す図である。FIG. 6 is a diagram showing a state in which a wafer is transferred to each vacuum processing chamber.
1,1a,1b 搬送室 2 収納カセット 3 ロードロック室 4a,4b,4c,4d 真空処理室 5a,5b,5c,5d,5e,10a,10d 仕
切弁 6 ウェーハ 7a,7b,7 基板ハンドリングアーム 8a,8b,8c,8d 基板ステージ 9a,9b,9c,9d 基板リフター1, 1a, 1b Transfer chamber 2 Storage cassette 3 Load lock chamber 4a, 4b, 4c, 4d Vacuum processing chamber 5a, 5b, 5c, 5d, 5e, 10a, 10d Gate valve 6 Wafer 7a, 7b, 7 Substrate handling arm 8a , 8b, 8c, 8d substrate stage 9a, 9b, 9c, 9d substrate lifter
Claims (1)
ック室と、この半導体基板を一枚ずつ処理する複数真空
処理室を周囲に囲むように配置する搬送室を上下に分割
し、これら分割される搬送室に収容されるとともに各前
記真空処理室及び前記ロードロック室間における前記半
導体基板の搬入・載置及び搬出を行う基板ハンドリング
アームと、各前記真空処理室内にあって、これら基板ハ
ンドリングアームと協動し上下動することで前記半導体
基板の移載を行う基板リフターとを備えることを特徴と
する真空処理装置。1. A load lock chamber for accommodating a plurality of semiconductor substrates and a transfer chamber arranged so as to surround a plurality of vacuum processing chambers for processing the semiconductor substrates one by one are vertically divided, and these are divided. Substrate handling arms that are housed in the transfer chambers and that carry in, carry out, and carry out the semiconductor substrates between the vacuum processing chambers and the load lock chambers, and the substrate handling arms in the vacuum processing chambers. And a substrate lifter for transferring the semiconductor substrate by moving up and down in cooperation with the vacuum processing apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320992A JPH065687A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Vacuum treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16320992A JPH065687A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Vacuum treatment device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065687A true JPH065687A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=15769369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16320992A Withdrawn JPH065687A (en) | 1992-06-23 | 1992-06-23 | Vacuum treatment device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065687A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595135B1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Wafer transfer unit with two wafer transfer modules |
| JP2008178946A (en) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Ulvac Japan Ltd | Transfer robot, vacuum device |
| JP2015088694A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Vacuum processing apparatus |
-
1992
- 1992-06-23 JP JP16320992A patent/JPH065687A/en not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595135B1 (en) * | 2004-12-29 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | Wafer transfer unit with two wafer transfer modules |
| JP2008178946A (en) * | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Ulvac Japan Ltd | Transfer robot, vacuum device |
| JP2015088694A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Vacuum processing apparatus |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |