JPH065768A - リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH065768A JPH065768A JP4159287A JP15928792A JPH065768A JP H065768 A JPH065768 A JP H065768A JP 4159287 A JP4159287 A JP 4159287A JP 15928792 A JP15928792 A JP 15928792A JP H065768 A JPH065768 A JP H065768A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 リードフレームを用いた樹脂封止半導体装置
において、半導体素子の搭載時の位置出しを安定化し、
かつアイランドおよび半導体素子への熱応力を低減する
ものである。 【構成】 突部１２ａを設けたアイランドサポート１
２、この突部１２ａに嵌合する嵌入部１３ａを設け、搭
載する半導体素子１４の底面積とほぼ同じ大きさのアイ
ランド１３、およびインナーリードを備えたものであ
る。
において、半導体素子の搭載時の位置出しを安定化し、
かつアイランドおよび半導体素子への熱応力を低減する
ものである。 【構成】 突部１２ａを設けたアイランドサポート１
２、この突部１２ａに嵌合する嵌入部１３ａを設け、搭
載する半導体素子１４の底面積とほぼ同じ大きさのアイ
ランド１３、およびインナーリードを備えたものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は樹脂封止半導体装置に用
いられるリードフレームおよびその製造方法に関するも
のである。
いられるリードフレームおよびその製造方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリードフレームを備えた
樹脂封止半導体装置は、例えば特開平３−３２０４８号
公報に開示されており、その構成を図５に示す。図にお
いて、１は半導体素子、２はこの半導体素子１を搭載し
たリードフレームのアイランドであり、このアイランド
２の面積は、半導体素子１の底面積より小さく形成され
ている。３はリード、４は半導体素子１の端子５（図２
参照）とリード３とを電気的に接続するワイヤ、６は半
導体素子１、アイランド２、リード３およびワイヤ４等
をモールドした封止樹脂である。
樹脂封止半導体装置は、例えば特開平３−３２０４８号
公報に開示されており、その構成を図５に示す。図にお
いて、１は半導体素子、２はこの半導体素子１を搭載し
たリードフレームのアイランドであり、このアイランド
２の面積は、半導体素子１の底面積より小さく形成され
ている。３はリード、４は半導体素子１の端子５（図２
参照）とリード３とを電気的に接続するワイヤ、６は半
導体素子１、アイランド２、リード３およびワイヤ４等
をモールドした封止樹脂である。
【０００３】図６は図５に示す樹脂封止半導体装置の製
造方法を示す断面図である。図において、７はワイヤボ
ンディング時、ワイヤをガイドするキャピラリであり、
図示しないボンディングアームに取り付けられている。
８はこのキャピラリ７を通って、その先端には図示せぬ
放電トーチによってボール９が形成されたワイヤ、１０
はワイヤボンディング時に、半導体素子１、アイランド
２、およびリード３を支持すると共に、それらを加熱す
るためのヒートブロック、１１はワイヤボンディング
時、アイランド２が入り込み、半導体素子１の裏面外周
部分を直接支持（加熱）することができる凹部である。
造方法を示す断面図である。図において、７はワイヤボ
ンディング時、ワイヤをガイドするキャピラリであり、
図示しないボンディングアームに取り付けられている。
８はこのキャピラリ７を通って、その先端には図示せぬ
放電トーチによってボール９が形成されたワイヤ、１０
はワイヤボンディング時に、半導体素子１、アイランド
２、およびリード３を支持すると共に、それらを加熱す
るためのヒートブロック、１１はワイヤボンディング
時、アイランド２が入り込み、半導体素子１の裏面外周
部分を直接支持（加熱）することができる凹部である。
【０００４】次に、上記構成による樹脂封止半導体装置
の製造工程について説明する。まず、アイランド２に半
導体素子１を載置してワイヤボンディング部に搬送す
る。そして、ヒートブロック１０が上昇して、半導体素
子１、アイランド２、およびリード３の裏面外周部分を
支持して加熱する。そして、半導体素子１およびリード
３が所定温度まで加熱されると、キャピラリ７が下降
し、第１ボンディング点である半導体素子１の端子５に
ワイヤ８の一端を圧着することができる。同様にして、
ワイヤボンディングが繰り返される。そして、モールド
工程で、封止樹脂６をモールドして、樹脂封止半導体装
置を製造することができる。
の製造工程について説明する。まず、アイランド２に半
導体素子１を載置してワイヤボンディング部に搬送す
る。そして、ヒートブロック１０が上昇して、半導体素
子１、アイランド２、およびリード３の裏面外周部分を
支持して加熱する。そして、半導体素子１およびリード
３が所定温度まで加熱されると、キャピラリ７が下降
し、第１ボンディング点である半導体素子１の端子５に
ワイヤ８の一端を圧着することができる。同様にして、
ワイヤボンディングが繰り返される。そして、モールド
工程で、封止樹脂６をモールドして、樹脂封止半導体装
置を製造することができる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成のリードフレームのアイランドの形状では、ダイスボ
ンドおよびワイヤボンド工程において、半導体素子の底
面積よりアイランドの面積が小さいことから、半導体素
子の搭載時の位置出しが不安定であり、ダイスボンドの
作業性が悪い。また、ワイヤボンド工程時に、アイラン
ドをヒートブロックの凹部に挿入しなければならないの
で、リードフレームを順次送るピッチの精度を高くする
必要があり、作業性が悪いという問題点があった。
成のリードフレームのアイランドの形状では、ダイスボ
ンドおよびワイヤボンド工程において、半導体素子の底
面積よりアイランドの面積が小さいことから、半導体素
子の搭載時の位置出しが不安定であり、ダイスボンドの
作業性が悪い。また、ワイヤボンド工程時に、アイラン
ドをヒートブロックの凹部に挿入しなければならないの
で、リードフレームを順次送るピッチの精度を高くする
必要があり、作業性が悪いという問題点があった。
【０００６】本発明は、以上述べたダイスボンド工程に
おいて半導体素子の底面積よりアイランドの面積が小さ
いことから、半導体素子搭載時の位置出しが不安定であ
ること、ワイヤボンド工程時のリードフレームの所定の
ピッチでの搬送時の精度が必要であること、搬送時のピ
ッチズレによる不具合により、半導体素子がアイランド
からはがれるという問題点を除去するため、２つの部材
で構成することにより、信頼性、作業性の優れた半導体
装置のリードフレームを提供することを目的とする。
おいて半導体素子の底面積よりアイランドの面積が小さ
いことから、半導体素子搭載時の位置出しが不安定であ
ること、ワイヤボンド工程時のリードフレームの所定の
ピッチでの搬送時の精度が必要であること、搬送時のピ
ッチズレによる不具合により、半導体素子がアイランド
からはがれるという問題点を除去するため、２つの部材
で構成することにより、信頼性、作業性の優れた半導体
装置のリードフレームを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るリードフレ
ームは、突部を設けたアイランドサポート、この突部に
嵌合する嵌入部を設けたアイランド、および、インナー
リードから構成したものである。
ームは、突部を設けたアイランドサポート、この突部に
嵌合する嵌入部を設けたアイランド、および、インナー
リードから構成したものである。
【０００８】また、本発明に係るリードフレームの製造
方法は、アイランドサポートの略中央部に突部を形成す
る工程と、アイライドの略中央部に嵌入部を形成する工
程と、アイランドサポートの突部に、アイランドの嵌入
部を嵌合し、一体に形成する工程とを備えたものであ
る。
方法は、アイランドサポートの略中央部に突部を形成す
る工程と、アイライドの略中央部に嵌入部を形成する工
程と、アイランドサポートの突部に、アイランドの嵌入
部を嵌合し、一体に形成する工程とを備えたものであ
る。
【０００９】
【作用】本発明はアイランドおよび半導体素子への熱応
力を低減することができ、しかも、半導体素子をアイラ
ンドに搭載するときの位置出しを安定化することができ
る。
力を低減することができ、しかも、半導体素子をアイラ
ンドに搭載するときの位置出しを安定化することができ
る。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に係るリードフレームの一実施
例を備えた樹脂封止半導体装置を示す断面図であり、図
２はその平面図である。図において、１２はその詳細な
構成を図３および図４に示すように、突部１２ａを有す
るアイランドサポート、１３はその詳細な構成を図３お
よび図４に示すように、アイランドサポート１２の突部
１２ａに嵌合する嵌入部１３ａを有し、搭載される半導
体素子の底面積とほぼ同じ大きさのアイランド、１４は
このアイランド１３上にＡｇペースト１５で固着搭載し
た半導体素子、１６は部分メッキ１７（図３参照）を施
したリード、１８は半導体素子１４の電極とインナーリ
ード１６とを電気的に接続する金属細線、１９は封止樹
脂である。
例を備えた樹脂封止半導体装置を示す断面図であり、図
２はその平面図である。図において、１２はその詳細な
構成を図３および図４に示すように、突部１２ａを有す
るアイランドサポート、１３はその詳細な構成を図３お
よび図４に示すように、アイランドサポート１２の突部
１２ａに嵌合する嵌入部１３ａを有し、搭載される半導
体素子の底面積とほぼ同じ大きさのアイランド、１４は
このアイランド１３上にＡｇペースト１５で固着搭載し
た半導体素子、１６は部分メッキ１７（図３参照）を施
したリード、１８は半導体素子１４の電極とインナーリ
ード１６とを電気的に接続する金属細線、１９は封止樹
脂である。
【００１１】なお、封止樹脂１９は、その膨張係数が、
例えば１７×１０-6／℃である。アイランド１３はその
膨張係数が、例えば１７×１０-6／℃の銅合金または封
止樹脂の膨張係数に近似した物性値を有する部材で作ら
れる。
例えば１７×１０-6／℃である。アイランド１３はその
膨張係数が、例えば１７×１０-6／℃の銅合金または封
止樹脂の膨張係数に近似した物性値を有する部材で作ら
れる。
【００１２】また、アイランドサポート１２およびイン
ナーリード１６を含むリードフレームは、機械的強度、
メッキ作業性等の優れた４２合金（４２％ Ｎｉ・鉄合
金、膨張係数４．３×１０-6／℃）が用いられる。
ナーリード１６を含むリードフレームは、機械的強度、
メッキ作業性等の優れた４２合金（４２％ Ｎｉ・鉄合
金、膨張係数４．３×１０-6／℃）が用いられる。
【００１３】次に、上記構成によるリードフレームの製
造工程について説明する。まず、突起１２ａを有するア
イランドサポート１２および所定パターンのインナーリ
ード１６を、リードフレームの一般的な製造方法である
エッチングまたはプレス等の方法により、金属薄板材か
ら、リードフレームの外枠（図示せず）と一体に形成す
る。そして、封止樹脂の膨張係数に同一または近似した
物性値を有する部材から嵌入部１３ａを有するアイラン
ド１３を作成する。このアイランド１３の大きさは、搭
載する半導体素子１４とほぼ同じ大きさに形成する。ま
た、アイランド１３の略中央部に形成する嵌入部１３ａ
は、プレスまたは機械切削加工により形成する。そこ
で、アイランドサポート１２の突部１２ａに、アイラン
ド１３の裏面の略中央部に形成した嵌入部１３ａを嵌合
して一体化する。
造工程について説明する。まず、突起１２ａを有するア
イランドサポート１２および所定パターンのインナーリ
ード１６を、リードフレームの一般的な製造方法である
エッチングまたはプレス等の方法により、金属薄板材か
ら、リードフレームの外枠（図示せず）と一体に形成す
る。そして、封止樹脂の膨張係数に同一または近似した
物性値を有する部材から嵌入部１３ａを有するアイラン
ド１３を作成する。このアイランド１３の大きさは、搭
載する半導体素子１４とほぼ同じ大きさに形成する。ま
た、アイランド１３の略中央部に形成する嵌入部１３ａ
は、プレスまたは機械切削加工により形成する。そこ
で、アイランドサポート１２の突部１２ａに、アイラン
ド１３の裏面の略中央部に形成した嵌入部１３ａを嵌合
して一体化する。
【００１４】このように、各部材の長所を組合せて一体
化し、信頼性の優れた樹脂封止半導体装置用リードフレ
ームを提供することができる。
化し、信頼性の優れた樹脂封止半導体装置用リードフレ
ームを提供することができる。
【００１５】なお、アイランドサポート１２の突部１２
ａ、およびアイランド１３の嵌入部１３ａの形状を、角
状としたが、これに限定せず、円形など、任意の形状と
してもよいことはもちろんであり、また、貫通孔として
もよいことはもちろんである。
ａ、およびアイランド１３の嵌入部１３ａの形状を、角
状としたが、これに限定せず、円形など、任意の形状と
してもよいことはもちろんであり、また、貫通孔として
もよいことはもちろんである。
【００１６】また、アイランド１３のアイランドサポー
ト１２への取り付けを、嵌入、嵌合によって行なった
が、これに限定せず、接着剤あるいはスポット溶接等で
固定取り付けてもよいことはもちろんである。
ト１２への取り付けを、嵌入、嵌合によって行なった
が、これに限定せず、接着剤あるいはスポット溶接等で
固定取り付けてもよいことはもちろんである。
【００１７】また、アイランドは、メッキを必要とする
場合には、アイランド部材として形成する前に、帯状部
材の時点でメッキしておき、プレス等の打ち抜き技術に
よって形成してから嵌合してもよいことはもちろんであ
る。
場合には、アイランド部材として形成する前に、帯状部
材の時点でメッキしておき、プレス等の打ち抜き技術に
よって形成してから嵌合してもよいことはもちろんであ
る。
【００１８】また、封止樹脂と膨張係数を近似させた部
材で形成し、半導体素子への熱的応力を低減化し、半導
体装置の外部リードを機械的な強度の大きな鉄ニッケル
合金で形成し、取り扱い作業性の向上、また、インナー
リード内方端のみ、金属細線接続用の部分メッキを行な
っておいてから、アイランド部材を嵌合し取り付けても
よいことはもちろんである。このようにすることによ
り、インナーリード内方端の部分メッキのマスキングが
容易化し、部分メッキエリアの精度が向上し、部分メッ
キ作業性も向上することができる。
材で形成し、半導体素子への熱的応力を低減化し、半導
体装置の外部リードを機械的な強度の大きな鉄ニッケル
合金で形成し、取り扱い作業性の向上、また、インナー
リード内方端のみ、金属細線接続用の部分メッキを行な
っておいてから、アイランド部材を嵌合し取り付けても
よいことはもちろんである。このようにすることによ
り、インナーリード内方端の部分メッキのマスキングが
容易化し、部分メッキエリアの精度が向上し、部分メッ
キ作業性も向上することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明に係
るリードフレームおよびその製造方法によれば、リード
フレーム部材およびアイランド部材を各要求される機能
によって選定し、要求される機械的強度、物性値などを
考慮して組合せることによって、樹脂封止工程によるア
イランドおよび半導体素子への熱応力を低減することが
できる。しかも、アイランドと半導体素子の底面積がほ
ぼ同じ大きさのため、半導体素子の搭載時の位置出しが
安定し、信頼性および作業性を向上することができる効
果がある。
るリードフレームおよびその製造方法によれば、リード
フレーム部材およびアイランド部材を各要求される機能
によって選定し、要求される機械的強度、物性値などを
考慮して組合せることによって、樹脂封止工程によるア
イランドおよび半導体素子への熱応力を低減することが
できる。しかも、アイランドと半導体素子の底面積がほ
ぼ同じ大きさのため、半導体素子の搭載時の位置出しが
安定し、信頼性および作業性を向上することができる効
果がある。
【図１】本発明に係るリードフレームの一実施例を備え
た樹脂封止半導体装置を示す断面図である。
た樹脂封止半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１の平面図である。
【図３】図のアイランドとリードフレームの関係を示す
平面図である。
平面図である。
【図４】図３のＡ１−Ａ２断面図である。
【図５】従来の樹脂封止半導体装置を示す断面図であ
る。
る。
【図６】従来の樹脂封止半導体装置の製造方法を示す側
面図である。
面図である。
１２ アイランドサポート １３ アイランド １４ 半導体素子 １６ インナーリード １８ 金属細線 １９ 封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 リードフレームを用いた樹脂封止半導体
装置において、突部を設けたアイランドサポート、この
突部に嵌合する嵌入部を設けたアイランド、およびイン
ナーリードから構成したことを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項２】 リードフレームを用いた樹脂封止半導体
装置において、アイランドサポートの略中央部に突部を
形成する工程と、アイライドの略中央部に嵌入部を形成
する工程と、アイランドサポートの突部に、アイランド
の嵌入部を嵌合し一体に形成する工程とを備えたことを
特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159287A JPH065768A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4159287A JPH065768A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065768A true JPH065768A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=15690504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4159287A Pending JPH065768A (ja) | 1992-06-18 | 1992-06-18 | リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065768A (ja) |
-
1992
- 1992-06-18 JP JP4159287A patent/JPH065768A/ja active Pending
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