JPH065917A - 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 - Google Patents
発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH065917A JPH065917A JP18475092A JP18475092A JPH065917A JP H065917 A JPH065917 A JP H065917A JP 18475092 A JP18475092 A JP 18475092A JP 18475092 A JP18475092 A JP 18475092A JP H065917 A JPH065917 A JP H065917A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- gaas
- epitaxial growth
- epitaxial
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 各層の厚みが高精度で制御され、エネルギー
禁制帯幅が広く、発光効率及びピーク波長制御性に優れ
た発光ダイオードを得る。 【構成】 Ｓｉを除くＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパ
ント及び混晶成分としてのＡｌを含むＧａ融液を８５０
℃以下の温度でＧａＡｓ基板結晶１に接触させ、ＧａＡ
ｓ基板結晶１上にｎ型Ｇａ１ − x Ａｌx Ａｓエピタキシ
ャル成長層２を設ける。Ｇａ融液を成長面から除去した
後、０．５原子％以上のＳｉを含む融液を８５０℃以下
の温度でｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層
２に接触させ、ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層３を
成長させる。 【効果】 発光再結合領域がｐ−ｎ接合に近いｐ型領域
に限られ、このｐ型層からの発光をエネルギー禁制帯幅
の広いｎ型層を反射面として利用することができるた
め、発光効率が大きく向上する。また、ｎ型層及びｐ型
層をそれぞれ別個の融液を使用して８５０℃以下の比較
的低温で成長させているため、ドーピングレベルが高い
自由度で調整され、高精度で各層の厚みが制御される。
禁制帯幅が広く、発光効率及びピーク波長制御性に優れ
た発光ダイオードを得る。 【構成】 Ｓｉを除くＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパ
ント及び混晶成分としてのＡｌを含むＧａ融液を８５０
℃以下の温度でＧａＡｓ基板結晶１に接触させ、ＧａＡ
ｓ基板結晶１上にｎ型Ｇａ１ − x Ａｌx Ａｓエピタキシ
ャル成長層２を設ける。Ｇａ融液を成長面から除去した
後、０．５原子％以上のＳｉを含む融液を８５０℃以下
の温度でｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層
２に接触させ、ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層３を
成長させる。 【効果】 発光再結合領域がｐ−ｎ接合に近いｐ型領域
に限られ、このｐ型層からの発光をエネルギー禁制帯幅
の広いｎ型層を反射面として利用することができるた
め、発光効率が大きく向上する。また、ｎ型層及びｐ型
層をそれぞれ別個の融液を使用して８５０℃以下の比較
的低温で成長させているため、ドーピングレベルが高い
自由度で調整され、高精度で各層の厚みが制御される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧａＡｓ基板結晶の上
にｎ型層及びｐ型層を積層した発光ダイオード用エピタ
キシャルウエハ及びその製造方法に関する。
にｎ型層及びｐ型層を積層した発光ダイオード用エピタ
キシャルウエハ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線を用いた遠隔操作や警戒システ
ム，距離測定装置，自動焦点装置，フォトカプラー，フ
ォトインタラプター等の光源として、高い光出力をもつ
発光ダイオードが使用されている。発光ダイオードは、
たとえばＧａＡｓ基板に液相エピタキシャル成長させた
ものを使用し、低電圧及び低電流で駆動することがで
き、小型で実装密度が高く、寿命が長い等の長所をもっ
ている。また、ＧａＡｓ中で二つのアクセプターレベル
と一つのドナーレベルを示すＳｉの両性不純物特性を利
用し、内部にｐ−ｎ接合を含むエピタキシャル成長層を
形成することも知られている。不純物としてＳｉをヘビ
ードープしたＧａＡｓをｎ型ＧａＡｓ基板結晶の上に融
液からエピタキシャル成長させると、ＧａＡｓ結晶格子
に導入されるＳｉの位置が融液の温度によって異なる。
たとえば、０．５〜７．０原子％程度でＳｉをヘビード
ープしたＧａＡｓ飽和Ｇａ融液をＧａＡｓ基板結晶に接
触させて８５０〜９５０℃の高温域から徐冷するとき、
高温で最初に晶出した層がｎ型になり、引き続き比較的
低温で晶出した層がｐ型になり、ｎ型層とｐ型層との間
にｐ−ｎ接合が形成される。その結果１回の操作で同一
溶液から晶出させたエピタキシャル成長層の内部にｐ−
ｎ接合が自然に形成される。
ム，距離測定装置，自動焦点装置，フォトカプラー，フ
ォトインタラプター等の光源として、高い光出力をもつ
発光ダイオードが使用されている。発光ダイオードは、
たとえばＧａＡｓ基板に液相エピタキシャル成長させた
ものを使用し、低電圧及び低電流で駆動することがで
き、小型で実装密度が高く、寿命が長い等の長所をもっ
ている。また、ＧａＡｓ中で二つのアクセプターレベル
と一つのドナーレベルを示すＳｉの両性不純物特性を利
用し、内部にｐ−ｎ接合を含むエピタキシャル成長層を
形成することも知られている。不純物としてＳｉをヘビ
ードープしたＧａＡｓをｎ型ＧａＡｓ基板結晶の上に融
液からエピタキシャル成長させると、ＧａＡｓ結晶格子
に導入されるＳｉの位置が融液の温度によって異なる。
たとえば、０．５〜７．０原子％程度でＳｉをヘビード
ープしたＧａＡｓ飽和Ｇａ融液をＧａＡｓ基板結晶に接
触させて８５０〜９５０℃の高温域から徐冷するとき、
高温で最初に晶出した層がｎ型になり、引き続き比較的
低温で晶出した層がｐ型になり、ｎ型層とｐ型層との間
にｐ−ｎ接合が形成される。その結果１回の操作で同一
溶液から晶出させたエピタキシャル成長層の内部にｐ−
ｎ接合が自然に形成される。
【０００３】ｐ−ｎ接合を形成するＳｉの両性不純物特
性は、次のように説明されている。ＧａＡｓで飽和した
Ｇａ融液が徐冷されてＧａＡｓ結晶が晶出するとき、Ａ
ｓの活量が高い高温状態ではＡｓ格子点をＳｉが置換す
ることはなく、Ｇａ格子点をＳｉが置換する。その結
果、浅いドナー準位のｎ型層が形成される。融液が８５
０℃を下回る比較的低温になると、Ａｓの活量が低下
し、Ａｓ格子点もＳｉで置換され、浅いアクセプター準
位となる。このとき、Ｇａ融液中に高い濃度でＳｉが含
まれていると、Ｇａ格子点を置換したＳｉ（以下、Ｓｉ
Gaという）及びＡｓ格子点を置換したＳｉ（以下、Ｓｉ
Asという）とが最近接格子点を占めるようになり、Ｓｉ
GaとＳｉAsとのペアリングによって深いアクセプター準
位となる。その結果、Ｓｉをヘビードープした融液を使
用した液相エピタキシャル成長では、先にｎ型ＧａＡｓ
基板結晶上に成長してくるのがＳｉGaを含むｎ型層とな
り、続いて比較的低温になってから成長した表面に近い
部分がＳｉGaーＳｉAsのペアを含むｐ型層となる。Ｓｉ
のヘビードープによってｎ型ＧａＡｓ層及びｐ型ＧａＡ
ｓ層を液相からＧａＡｓ基板結晶上に連続成長させたｐ
−ｎ接合を利用して、発光ダイオードが製造される。得
られた発光ダイオードは、放射される光の波長がＧａＡ
ｓ基板結晶を良く透過し、しかも接合界面近傍に結晶欠
陥が発生する機会が少ないことから、内部発光効率及び
外部発光効率共に高い値を示す。この特性を活用し、比
較的高い光出力が要求されるオプトエレクトロニクス分
野の光源として使用されている。
性は、次のように説明されている。ＧａＡｓで飽和した
Ｇａ融液が徐冷されてＧａＡｓ結晶が晶出するとき、Ａ
ｓの活量が高い高温状態ではＡｓ格子点をＳｉが置換す
ることはなく、Ｇａ格子点をＳｉが置換する。その結
果、浅いドナー準位のｎ型層が形成される。融液が８５
０℃を下回る比較的低温になると、Ａｓの活量が低下
し、Ａｓ格子点もＳｉで置換され、浅いアクセプター準
位となる。このとき、Ｇａ融液中に高い濃度でＳｉが含
まれていると、Ｇａ格子点を置換したＳｉ（以下、Ｓｉ
Gaという）及びＡｓ格子点を置換したＳｉ（以下、Ｓｉ
Asという）とが最近接格子点を占めるようになり、Ｓｉ
GaとＳｉAsとのペアリングによって深いアクセプター準
位となる。その結果、Ｓｉをヘビードープした融液を使
用した液相エピタキシャル成長では、先にｎ型ＧａＡｓ
基板結晶上に成長してくるのがＳｉGaを含むｎ型層とな
り、続いて比較的低温になってから成長した表面に近い
部分がＳｉGaーＳｉAsのペアを含むｐ型層となる。Ｓｉ
のヘビードープによってｎ型ＧａＡｓ層及びｐ型ＧａＡ
ｓ層を液相からＧａＡｓ基板結晶上に連続成長させたｐ
−ｎ接合を利用して、発光ダイオードが製造される。得
られた発光ダイオードは、放射される光の波長がＧａＡ
ｓ基板結晶を良く透過し、しかも接合界面近傍に結晶欠
陥が発生する機会が少ないことから、内部発光効率及び
外部発光効率共に高い値を示す。この特性を活用し、比
較的高い光出力が要求されるオプトエレクトロニクス分
野の光源として使用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｓｉをヘビードープし
たＧａＡｓ発光ダイオードは、Ｓｉの両性不純物特性を
利用してｐ−ｎ接合を容易に形成できるものの、次に掲
げる問題がある。 ｎ型領域及びｐ型領域共にＧａＡｓであることか
ら、ｐ−ｎ接合は、ホモジャンクションとなる。そのた
め、ｎ型領域及びｐ型領域共にほぼ等しい光屈折率をも
ち、両者の界面を光の反射面として光のコンファインメ
ント等に利用することが困難である。 浅いアクセプター及び深いアクセプターの双方が存
在するｐ型領域だけでなく、浅いドナーが存在するｎ型
領域に向かっても少数キャリアーの注入が生じる。その
ため、発光スペクトルの半値幅が著しく広がり、単色光
性が少ない。その結果、発光ダイオードの応用分野が制
約され、また有効波長成分が減少されることになる。 多数キャリアーとして浅いドナーが存在するｎ型領
域に注入されたホールの再結合による短波長発光は、深
いアクセプター及び浅いアクセプターの両方が多数キャ
リアーであるｐ型領域に注入された電子の再結合による
短波長発光及び長波長発光と同時に起こる。しかも、Ｓ
ｉのドープ量と晶出温度との関係は、ドーパント以外の
残留不純物濃度と複雑に関わり合っている。そのため、
発光のピーク波長を正確に設定することが困難である。
その結果、発光ダイオードは、液相エピタキシャル成長
に溶媒として使用するＧａの純度や融液の繰返し使用回
数等に応じて異なった発光ピーク波長を示し、安定した
品質をもつ製品が得られない。 ｐ−ｎ接合が形成される位置は、液相エピタキシー
の成長条件や原料純度等の微妙な変化を受けて変動し易
い。そして、成長層内部の所定位置にｐ−ｎ接合が形成
されるように操作条件を制御することが困難であるた
め、最表面部にあるｐ型層の厚みを制御することができ
ない。その結果、発光ダイオードのチップ構造によって
は必要となるフォトエッチング工程におけるエッチング
深さ等をエピタキシャルウエハごとに調整することが要
求され、生産性が著しく阻害される。 駆動電流によって発光を変調させるときの応答速度
が極めて遅く、通常−３ｄＢで示す遮断周波数が数百キ
ロＨｚ以下である。これは、ＳｉGa−ＳｉAsのペアによ
る深いアクセプター準位の他に、ＳｉAsによる浅いアク
セプター準位，ＳｉGaによる浅いドナー準位等、種々の
不純物準位での再結合が伴われることに起因するものと
考えられている。 ｎ型層の形成を促進させる上で、８５０℃以上の高
い温度、通常は９００〜９５０℃の高い温度で結晶成長
を行わせる。そのため、基板結晶の表面や成長層に欠陥
が生じ易く、また有害不純物も混入し易くなる。 本発明は、このような問題を解消すべく案出されたもの
であり、ｐ−ｎ接合をヘテロ化することにより、ｎ型領
域とｐ型領域との界面を光反射面として使用することが
でき、且つ有効波長成分を減少させることなく発光のピ
ーク波長が正確に制御され、しかもｐ型領域の厚みを高
精度で調整することができる発光ダイオードを提供する
ことを目的とする。
たＧａＡｓ発光ダイオードは、Ｓｉの両性不純物特性を
利用してｐ−ｎ接合を容易に形成できるものの、次に掲
げる問題がある。 ｎ型領域及びｐ型領域共にＧａＡｓであることか
ら、ｐ−ｎ接合は、ホモジャンクションとなる。そのた
め、ｎ型領域及びｐ型領域共にほぼ等しい光屈折率をも
ち、両者の界面を光の反射面として光のコンファインメ
ント等に利用することが困難である。 浅いアクセプター及び深いアクセプターの双方が存
在するｐ型領域だけでなく、浅いドナーが存在するｎ型
領域に向かっても少数キャリアーの注入が生じる。その
ため、発光スペクトルの半値幅が著しく広がり、単色光
性が少ない。その結果、発光ダイオードの応用分野が制
約され、また有効波長成分が減少されることになる。 多数キャリアーとして浅いドナーが存在するｎ型領
域に注入されたホールの再結合による短波長発光は、深
いアクセプター及び浅いアクセプターの両方が多数キャ
リアーであるｐ型領域に注入された電子の再結合による
短波長発光及び長波長発光と同時に起こる。しかも、Ｓ
ｉのドープ量と晶出温度との関係は、ドーパント以外の
残留不純物濃度と複雑に関わり合っている。そのため、
発光のピーク波長を正確に設定することが困難である。
その結果、発光ダイオードは、液相エピタキシャル成長
に溶媒として使用するＧａの純度や融液の繰返し使用回
数等に応じて異なった発光ピーク波長を示し、安定した
品質をもつ製品が得られない。 ｐ−ｎ接合が形成される位置は、液相エピタキシー
の成長条件や原料純度等の微妙な変化を受けて変動し易
い。そして、成長層内部の所定位置にｐ−ｎ接合が形成
されるように操作条件を制御することが困難であるた
め、最表面部にあるｐ型層の厚みを制御することができ
ない。その結果、発光ダイオードのチップ構造によって
は必要となるフォトエッチング工程におけるエッチング
深さ等をエピタキシャルウエハごとに調整することが要
求され、生産性が著しく阻害される。 駆動電流によって発光を変調させるときの応答速度
が極めて遅く、通常−３ｄＢで示す遮断周波数が数百キ
ロＨｚ以下である。これは、ＳｉGa−ＳｉAsのペアによ
る深いアクセプター準位の他に、ＳｉAsによる浅いアク
セプター準位，ＳｉGaによる浅いドナー準位等、種々の
不純物準位での再結合が伴われることに起因するものと
考えられている。 ｎ型層の形成を促進させる上で、８５０℃以上の高
い温度、通常は９００〜９５０℃の高い温度で結晶成長
を行わせる。そのため、基板結晶の表面や成長層に欠陥
が生じ易く、また有害不純物も混入し易くなる。 本発明は、このような問題を解消すべく案出されたもの
であり、ｐ−ｎ接合をヘテロ化することにより、ｎ型領
域とｐ型領域との界面を光反射面として使用することが
でき、且つ有効波長成分を減少させることなく発光のピ
ーク波長が正確に制御され、しかもｐ型領域の厚みを高
精度で調整することができる発光ダイオードを提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
用エピタキシャルウエハは、その目的を達成するため、
ＧａＡｓ基板結晶と、該ＧａＡｓ基板結晶の上に晶出さ
れ、Ｓｉを除くＴｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパ
ントをドナー不純物としてドープさせたｎ型Ｇａ1-x Ａ
ｌx Ａｓエピタキシャル成長層と、該ｎ型Ｇａ1-x Ａｌ
x Ａｓエピタキシャル成長層の上に重畳され、Ｓｉをヘ
ビードープしたｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層とを
備え、前記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長
層と前記ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層との間にｐ
−ｎ接合が形成されていることを特徴とする。この発光
ダイオード用エピタキシャルウエハは、Ｓｉを除くＴ
ｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパント及び混晶成分として
のＡｌを含むＧａ融液を８５０℃以下の温度でＧａＡｓ
基板結晶に接触させ、前記ＧａＡｓ基板結晶上にｎ型Ｇ
ａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層を設けた後、前
記Ｇａ融液を成長面から除去し、次いで０．５原子％以
上のＳｉを含む融液を８５０℃以下の温度で前記ｎ型Ｇ
ａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層に接触させ、前
記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上に
ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層を成長させることに
より製造される。
用エピタキシャルウエハは、その目的を達成するため、
ＧａＡｓ基板結晶と、該ＧａＡｓ基板結晶の上に晶出さ
れ、Ｓｉを除くＴｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパ
ントをドナー不純物としてドープさせたｎ型Ｇａ1-x Ａ
ｌx Ａｓエピタキシャル成長層と、該ｎ型Ｇａ1-x Ａｌ
x Ａｓエピタキシャル成長層の上に重畳され、Ｓｉをヘ
ビードープしたｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層とを
備え、前記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長
層と前記ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層との間にｐ
−ｎ接合が形成されていることを特徴とする。この発光
ダイオード用エピタキシャルウエハは、Ｓｉを除くＴ
ｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパント及び混晶成分として
のＡｌを含むＧａ融液を８５０℃以下の温度でＧａＡｓ
基板結晶に接触させ、前記ＧａＡｓ基板結晶上にｎ型Ｇ
ａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層を設けた後、前
記Ｇａ融液を成長面から除去し、次いで０．５原子％以
上のＳｉを含む融液を８５０℃以下の温度で前記ｎ型Ｇ
ａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層に接触させ、前
記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上に
ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層を成長させることに
より製造される。
【０００６】
【作 用】本発明においては、ＧａＡｓ基板結晶の上に
形成されるｎ型の第１層を、ＧａＡｓからＧａ1-x Ａｌ
x Ａｓに代えている。Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓをｎ型層とす
るとき、ＧａＡｓに比較して光屈折率が小さくなると共
に、エネルギー禁制帯幅が広くなる。すなわち、エネル
ギー禁制帯幅が約１．４ｅＶのＧａＡｓに、これより大
きなエネルギー禁制帯幅をもつＡｌＡｓ（ガンマ谷では
約２．８ｅＶ，エックス谷でも約２．２ｅＶ）が混合さ
れるため、ＧａＡｓに対するＡｌＡｓの混合割合を示す
混晶比ｘに比例的に禁制帯幅が増加する。また、同様な
誘電率の変化から、光の屈折率も低下する。ｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓ層は、ｐ型ＧａＡｓ層よりもエネルギー
禁制帯が広幅となっているので、ホールよりも電子の方
が圧倒的に高い少数キャリアの注入効率を示す。また、
ホールは、ｐ型層内に閉じ込められ、ｎ型層内に注入さ
れることがない。そのため、ｐ型のＧａＡｓ層内部にお
いて、高い内部量子効率で注入発光が生起される。しか
も、発生した光の大部分がｎ型層との界面で全反射され
上方に向かうため、従来の発光ダイオードにみられたよ
うに厚いＧａＡｓ基板結晶内部を透過して金属膜電極で
吸収されることがない。したがって、発光の外部量子効
率も高くなる。
形成されるｎ型の第１層を、ＧａＡｓからＧａ1-x Ａｌ
x Ａｓに代えている。Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓをｎ型層とす
るとき、ＧａＡｓに比較して光屈折率が小さくなると共
に、エネルギー禁制帯幅が広くなる。すなわち、エネル
ギー禁制帯幅が約１．４ｅＶのＧａＡｓに、これより大
きなエネルギー禁制帯幅をもつＡｌＡｓ（ガンマ谷では
約２．８ｅＶ，エックス谷でも約２．２ｅＶ）が混合さ
れるため、ＧａＡｓに対するＡｌＡｓの混合割合を示す
混晶比ｘに比例的に禁制帯幅が増加する。また、同様な
誘電率の変化から、光の屈折率も低下する。ｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓ層は、ｐ型ＧａＡｓ層よりもエネルギー
禁制帯が広幅となっているので、ホールよりも電子の方
が圧倒的に高い少数キャリアの注入効率を示す。また、
ホールは、ｐ型層内に閉じ込められ、ｎ型層内に注入さ
れることがない。そのため、ｐ型のＧａＡｓ層内部にお
いて、高い内部量子効率で注入発光が生起される。しか
も、発生した光の大部分がｎ型層との界面で全反射され
上方に向かうため、従来の発光ダイオードにみられたよ
うに厚いＧａＡｓ基板結晶内部を透過して金属膜電極で
吸収されることがない。したがって、発光の外部量子効
率も高くなる。
【０００７】注入発光における発光再結合領域は、エネ
ルギー禁制帯幅の広いｎ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ層によっ
てｐ型層内のホールが閉じ込められた狭い領域、すなわ
ちｐ−ｎヘテロ接合に近いｐ型領域に限られる。そのた
め、電流変調に対する発光の応答速度が高く、たとえば
少数キャリアの注入がｐ型領域及びｎ型領域の双方に生
じ且つ電子やホールが長く拡散する従来の発光ダイオー
ドに比較して、変調の遮断周波数が約１．５〜２倍まで
向上する。従来の方法で作られたｎ型層では、ＳｉGaに
よる浅いドナー準位が存在し、ここでの発光が随伴す
る。しかし、本発明に従った素子では、ｎ型層内にキャ
リアが注入されず、ｎ型層における再結合が生じないた
め、それに相当する分だけ発光のスペクトル半値幅が狭
くなり、発光のピーク波長が極めて高い精度で制御され
る。
ルギー禁制帯幅の広いｎ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ層によっ
てｐ型層内のホールが閉じ込められた狭い領域、すなわ
ちｐ−ｎヘテロ接合に近いｐ型領域に限られる。そのた
め、電流変調に対する発光の応答速度が高く、たとえば
少数キャリアの注入がｐ型領域及びｎ型領域の双方に生
じ且つ電子やホールが長く拡散する従来の発光ダイオー
ドに比較して、変調の遮断周波数が約１．５〜２倍まで
向上する。従来の方法で作られたｎ型層では、ＳｉGaに
よる浅いドナー準位が存在し、ここでの発光が随伴す
る。しかし、本発明に従った素子では、ｎ型層内にキャ
リアが注入されず、ｎ型層における再結合が生じないた
め、それに相当する分だけ発光のスペクトル半値幅が狭
くなり、発光のピーク波長が極めて高い精度で制御され
る。
【０００８】Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓに対するドーパントと
しては、Ｓｉでない限り特に限定されるものではない
が、Ｔｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドナー不純物を単独で或
いは複合させて使用することができる。これらドナー不
純物は、その溶解度もエピタキシャル成長が行われる温
度範囲では十分に大きいことから、ドーピングレベルの
調整に対する自由度が向上する。しかも、これらドナー
不純物は、Ｓｉと異なり低温でもアクセプターにならな
いため、８５０℃以下の比較的低温でｎ型層をエピタキ
シャル成長させることができる。Ｓｉの両性不純物特性
を利用してｎ型層を晶出させる従来の方法では、晶出温
度を８５０〜９５０℃，実際的には９００℃以上に維持
している。このような高温の融液がＧａＡｓ基板結晶に
接触すると、基板表面からＡｓが解離し易く、結晶欠陥
が発生する傾向が大きくなる。また、反応管，治具類等
からの不純物汚染も顕著になる。この点、本発明におい
ては、ｐ型層は勿論、ｎ型層を晶出させる温度を８５０
℃以下に抑えているため、結晶欠陥の発生や不純物汚染
等が著しく少なくなる。
しては、Ｓｉでない限り特に限定されるものではない
が、Ｔｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドナー不純物を単独で或
いは複合させて使用することができる。これらドナー不
純物は、その溶解度もエピタキシャル成長が行われる温
度範囲では十分に大きいことから、ドーピングレベルの
調整に対する自由度が向上する。しかも、これらドナー
不純物は、Ｓｉと異なり低温でもアクセプターにならな
いため、８５０℃以下の比較的低温でｎ型層をエピタキ
シャル成長させることができる。Ｓｉの両性不純物特性
を利用してｎ型層を晶出させる従来の方法では、晶出温
度を８５０〜９５０℃，実際的には９００℃以上に維持
している。このような高温の融液がＧａＡｓ基板結晶に
接触すると、基板表面からＡｓが解離し易く、結晶欠陥
が発生する傾向が大きくなる。また、反応管，治具類等
からの不純物汚染も顕著になる。この点、本発明におい
ては、ｐ型層は勿論、ｎ型層を晶出させる温度を８５０
℃以下に抑えているため、結晶欠陥の発生や不純物汚染
等が著しく少なくなる。
【０００９】更に、ｎ型層及びｐ型層を形成するための
融液として、それぞれ別個の融液を使用している。その
ため、各層の厚み制御を高い自由度で行えると共に、両
層の光屈折率が異なることから界面を光反射率が高い反
射面として利用することも可能となる。このようにして
得られたエピタキシャルウエハから作製された発光ダイ
オードは、そのｐ−ｎ接合においてｐ型層にＳｉによる
深いアクセプター準位をもつため、ＧａＡｓ基板結晶の
吸収端波長よりも長い波長の注入発光を生じる。Ｓｉを
ヘビードープしたｐ型ＧａＡｓ層の上に、更にＺｎをド
ープしたｐ型層を成長させることもできる。Ｚｎドープ
したｐ型層は、オーミック電極に対する接触抵抗を減少
させる上で有効である。また、エピタキシャルウエハか
ら切り出されたチップは、各層の厚みが高精度で制御さ
れているので、メサエッチング等によってｐ−ｎ接合が
分離された構造にするメサエッチング等の加工も容易に
なる。
融液として、それぞれ別個の融液を使用している。その
ため、各層の厚み制御を高い自由度で行えると共に、両
層の光屈折率が異なることから界面を光反射率が高い反
射面として利用することも可能となる。このようにして
得られたエピタキシャルウエハから作製された発光ダイ
オードは、そのｐ−ｎ接合においてｐ型層にＳｉによる
深いアクセプター準位をもつため、ＧａＡｓ基板結晶の
吸収端波長よりも長い波長の注入発光を生じる。Ｓｉを
ヘビードープしたｐ型ＧａＡｓ層の上に、更にＺｎをド
ープしたｐ型層を成長させることもできる。Ｚｎドープ
したｐ型層は、オーミック電極に対する接触抵抗を減少
させる上で有効である。また、エピタキシャルウエハか
ら切り出されたチップは、各層の厚みが高精度で制御さ
れているので、メサエッチング等によってｐ−ｎ接合が
分離された構造にするメサエッチング等の加工も容易に
なる。
【００１０】
【実施例】本実施例では、ｎ型の〔１００〕面ウエハを
ＧａＡｓ基板結晶として使用した。ＧａＡｓ基板結晶１
の上に、図１に示すようにＴｅをドープしたｎ型Ｇａ
1-xＡｌx Ａｓ層２を第１層として成長させている。Ａ
ｌを添加した８５０℃のＧａ−ＧａＡｓ系飽和溶液を、
ＧａＡｓ基板結晶１と接触させた状態で１．２℃／分の
冷却速度で徐冷し、約０．８μｍ／分の成長速度でＧａ
1-x Ａｌx Ａｓ層２をＧａＡｓ基板結晶１の上に晶出さ
せた。形成されたＧａ1-x Ａｌx Ａｓ層２は、混晶比ｘ
が約０．３，キャリアー濃度が約５×１０18個／ｃｍ
3 ，層厚が約４μｍであった。融液は、Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ層２の成長が終了した時点で温度が約８４４℃であ
った。この成長用融液をＧａＡｓ基板結晶１の成長面か
ら除去した。
ＧａＡｓ基板結晶として使用した。ＧａＡｓ基板結晶１
の上に、図１に示すようにＴｅをドープしたｎ型Ｇａ
1-xＡｌx Ａｓ層２を第１層として成長させている。Ａ
ｌを添加した８５０℃のＧａ−ＧａＡｓ系飽和溶液を、
ＧａＡｓ基板結晶１と接触させた状態で１．２℃／分の
冷却速度で徐冷し、約０．８μｍ／分の成長速度でＧａ
1-x Ａｌx Ａｓ層２をＧａＡｓ基板結晶１の上に晶出さ
せた。形成されたＧａ1-x Ａｌx Ａｓ層２は、混晶比ｘ
が約０．３，キャリアー濃度が約５×１０18個／ｃｍ
3 ，層厚が約４μｍであった。融液は、Ｇａ1-x Ａｌx
Ａｓ層２の成長が終了した時点で温度が約８４４℃であ
った。この成長用融液をＧａＡｓ基板結晶１の成長面か
ら除去した。
【００１１】次いで、Ａｌを含まずＧａＡｓを８４５℃
で飽和させた融液をＧａＡｓ基板結晶の成長面に接触さ
せた。このＧａ−ＧａＡｓ系飽和融液には、Ｇａに対し
て２．５原子％のＳｉを添加したものを使用した。この
条件下で、引き続き同じ１．２℃／分の冷却速度で徐冷
を継続した。これにより、ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ層２
の上に、Ｓｉがヘビードープされたｐ型ＧａＡｓ層３が
重畳して成長した。ｐ型ＧａＡｓ層３は、成長速度１．
０μｍ／分で融液から晶出し、８３８℃までの徐冷によ
り約５．５μｍの層厚まで成長した。このとき、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層３の層厚は、融液の温度及び冷却速度によって
高精度に調整することができた。ｐ型ＧａＡｓ層３が目
標層厚５．５μｍまで成長したとき、成長面から融液を
除去し、１５０℃以下の温度まで放冷した。そして、作
製されたエピタキシャルウエハを、成長炉から取り出し
た。
で飽和させた融液をＧａＡｓ基板結晶の成長面に接触さ
せた。このＧａ−ＧａＡｓ系飽和融液には、Ｇａに対し
て２．５原子％のＳｉを添加したものを使用した。この
条件下で、引き続き同じ１．２℃／分の冷却速度で徐冷
を継続した。これにより、ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ層２
の上に、Ｓｉがヘビードープされたｐ型ＧａＡｓ層３が
重畳して成長した。ｐ型ＧａＡｓ層３は、成長速度１．
０μｍ／分で融液から晶出し、８３８℃までの徐冷によ
り約５．５μｍの層厚まで成長した。このとき、ｐ型Ｇ
ａＡｓ層３の層厚は、融液の温度及び冷却速度によって
高精度に調整することができた。ｐ型ＧａＡｓ層３が目
標層厚５．５μｍまで成長したとき、成長面から融液を
除去し、１５０℃以下の温度まで放冷した。そして、作
製されたエピタキシャルウエハを、成長炉から取り出し
た。
【００１２】フォトルミネッセンス，接合容量の温度依
存性を求めるスペクトル測定ＤＬＴＳ等の評価手段によ
って作製されたエピタキシャルウエハーを調査したとこ
ろ、ＧａＡｓ結晶格子中のＡｓ原子位置もＳｉで置換さ
れ、ｐ型ＧａＡｓ層３の内部におけるアクセプター準位
としてＳｉAsとＳｉGaとのペアリングによる深いアクセ
プターが多数を占めていることが確認された。作製され
たエピタキシャルウエハーから赤外線発光ダイオードの
チップを切り出した。チップのｐ型ＧａＡｓ層３の表面
に、Ａｕ−Ｓｂ系共晶組成の合金に５原子％のＺｎをド
ープした合金を厚さ約０．３μｍで蒸着し、次いで厚さ
約２μｍのＡｕを重畳的に蒸着することにより金属膜を
形成した。フォトリソグラフィーによって金属膜を直径
が約９０μｍの円形に成形し、図２に示すようにオーミ
ック電極４とした。オーミック電極４の表面に、プラス
側電流リードとしてＡｕワイヤ５をボンディングした。
存性を求めるスペクトル測定ＤＬＴＳ等の評価手段によ
って作製されたエピタキシャルウエハーを調査したとこ
ろ、ＧａＡｓ結晶格子中のＡｓ原子位置もＳｉで置換さ
れ、ｐ型ＧａＡｓ層３の内部におけるアクセプター準位
としてＳｉAsとＳｉGaとのペアリングによる深いアクセ
プターが多数を占めていることが確認された。作製され
たエピタキシャルウエハーから赤外線発光ダイオードの
チップを切り出した。チップのｐ型ＧａＡｓ層３の表面
に、Ａｕ−Ｓｂ系共晶組成の合金に５原子％のＺｎをド
ープした合金を厚さ約０．３μｍで蒸着し、次いで厚さ
約２μｍのＡｕを重畳的に蒸着することにより金属膜を
形成した。フォトリソグラフィーによって金属膜を直径
が約９０μｍの円形に成形し、図２に示すようにオーミ
ック電極４とした。オーミック電極４の表面に、プラス
側電流リードとしてＡｕワイヤ５をボンディングした。
【００１３】ＧａＡｓ基板結晶の裏面には、ｎ型層に対
応するオーミック電極６を設けた。オーミック電極６
は、Ａｕ−Ｇｅ系の共晶組成をもつ合金を第１層として
層厚０．３μｍで蒸着し、その上にＮｉ層及びＡｕ層を
それぞれ０．５μｍ及び２μｍの層厚で順次重畳的に蒸
着した後、４００℃に３分間加熱することにより、ｎ型
ＧａＡｓに対して十分低い接触抵抗を示す電極として形
成した。そして、オーミック電極６を介し、マイナスに
バイアスされたステム７上にチップをダイボンディング
した。組み立てられたチップに順方向電流を供給し、外
部発光効率を測定したところ８％であった。すなわち、
Ｓｉの両性不純物特性を利用してｐ−ｎ接合を形成した
従来の発光ダイオードの外部発光効率が４％であるのに
比較して、優れた発光効率が得られている。また、遮断
周波数が２．５メガヘルツと大きく、電流変調に対する
発光の応答速度も高いものであった。更に、発光のピー
ク波長９３０ｎｍに対し変動幅が±５ｎｍと、ピーク波
長の制御性も著しく向上していた。
応するオーミック電極６を設けた。オーミック電極６
は、Ａｕ−Ｇｅ系の共晶組成をもつ合金を第１層として
層厚０．３μｍで蒸着し、その上にＮｉ層及びＡｕ層を
それぞれ０．５μｍ及び２μｍの層厚で順次重畳的に蒸
着した後、４００℃に３分間加熱することにより、ｎ型
ＧａＡｓに対して十分低い接触抵抗を示す電極として形
成した。そして、オーミック電極６を介し、マイナスに
バイアスされたステム７上にチップをダイボンディング
した。組み立てられたチップに順方向電流を供給し、外
部発光効率を測定したところ８％であった。すなわち、
Ｓｉの両性不純物特性を利用してｐ−ｎ接合を形成した
従来の発光ダイオードの外部発光効率が４％であるのに
比較して、優れた発光効率が得られている。また、遮断
周波数が２．５メガヘルツと大きく、電流変調に対する
発光の応答速度も高いものであった。更に、発光のピー
ク波長９３０ｎｍに対し変動幅が±５ｎｍと、ピーク波
長の制御性も著しく向上していた。
【００１４】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明において
は、Ｓｉ以外のドナー不純物をドーピングしたｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓ層を第１層とし、この上にＳｉをヘビー
ドープしたｐ型ＧａＡｓ層を形成している。この層構造
によるとき、発光再結合領域がｐ−ｎ接合に近いｐ型領
域に限られ、エネルギー禁制帯幅が広くなり、しかもｎ
型層とｐ型層との界面を反射面として利用することがで
きるため、発光効率が大きく向上した発光ダイオードが
得られる。また、ｎ型層及びｐ型層をそれぞれ別個の融
液を使用して８５０℃以下の比較的低温で成長させてい
るため、ドーピングレベルの調整を高い自由度で行うこ
とができると共に、高精度で各層の厚みが制御される。
このエピタキシャルウエハから切り出されたチップで作
製された発光ダイオードは、優れた発光効率及び単色光
性を呈し、発光の応答速度も高いものとなる。また、各
層の厚みが高精度で制御されているので、後続する工程
でｐ−ｎ接合を分離するエッチング等の作業も容易にな
る。
は、Ｓｉ以外のドナー不純物をドーピングしたｎ型Ｇａ
1-x Ａｌx Ａｓ層を第１層とし、この上にＳｉをヘビー
ドープしたｐ型ＧａＡｓ層を形成している。この層構造
によるとき、発光再結合領域がｐ−ｎ接合に近いｐ型領
域に限られ、エネルギー禁制帯幅が広くなり、しかもｎ
型層とｐ型層との界面を反射面として利用することがで
きるため、発光効率が大きく向上した発光ダイオードが
得られる。また、ｎ型層及びｐ型層をそれぞれ別個の融
液を使用して８５０℃以下の比較的低温で成長させてい
るため、ドーピングレベルの調整を高い自由度で行うこ
とができると共に、高精度で各層の厚みが制御される。
このエピタキシャルウエハから切り出されたチップで作
製された発光ダイオードは、優れた発光効率及び単色光
性を呈し、発光の応答速度も高いものとなる。また、各
層の厚みが高精度で制御されているので、後続する工程
でｐ−ｎ接合を分離するエッチング等の作業も容易にな
る。
【図１】 本発明実施例で作製したエピタキシャルウエ
ハ
ハ
【図２】 同エピタキシャルウエハから切り出されたチ
ップを使用した発光ダイオード
ップを使用した発光ダイオード
１ ＧａＡｓ基板結晶 ２ ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ
層 ３ ｐ型ＧａＡｓ層 ４ オーミック電極
５ Ａｕワイヤ ６ オーミック電極 ７ ステム
層 ３ ｐ型ＧａＡｓ層 ４ オーミック電極
５ Ａｕワイヤ ６ オーミック電極 ７ ステム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年８月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の発光ダイオード
用エピタキシャルウエハは、その目的を達成するため、
ＧａＡｓ基板結晶と、該ＧａＡｓ基板結晶の上に晶出さ
れ、Ｓｉを除くＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパントを
ドナー不純物としてドープさせたｎ型Ｇａ1 - xＡｌx Ａ
ｓエピタキシャル成長層と、該ｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓ
エピタキシャル成長層の上に重畳され、Ｓｉをヘビード
ープしたｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層とを備え、
前記ｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層と前
記ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層との間にｐ−ｎ接
合が形成されていることを特徴とする。この発光ダイオ
ード用エピタキシャルウエハは、Ｓｉを除くＴｅ，Ｓ
ｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパント及び混晶成分としてのＡｌ
を含むＧａ融液を８５０℃以下の温度でＧａＡｓ基板結
晶に接触させ、前記ＧａＡｓ基板結晶上にｎ型Ｇａ1 - x
Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層を設けた後、前記Ｇａ
融液を成長面から除去し、次いで０．５原子％以上のＳ
ｉを含む融液を８５０℃以下の温度で前記ｎ型Ｇａ1 - x
Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層に接触させ、前記ｎ型
Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上にｐ型Ｇ
ａＡｓエピタキシャル成長層を成長させることにより製
造される。
用エピタキシャルウエハは、その目的を達成するため、
ＧａＡｓ基板結晶と、該ＧａＡｓ基板結晶の上に晶出さ
れ、Ｓｉを除くＴｅ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパントを
ドナー不純物としてドープさせたｎ型Ｇａ1 - xＡｌx Ａ
ｓエピタキシャル成長層と、該ｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓ
エピタキシャル成長層の上に重畳され、Ｓｉをヘビード
ープしたｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層とを備え、
前記ｎ型Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層と前
記ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成長層との間にｐ−ｎ接
合が形成されていることを特徴とする。この発光ダイオ
ード用エピタキシャルウエハは、Ｓｉを除くＴｅ，Ｓ
ｎ，Ｓ，Ｓｅ等のドーパント及び混晶成分としてのＡｌ
を含むＧａ融液を８５０℃以下の温度でＧａＡｓ基板結
晶に接触させ、前記ＧａＡｓ基板結晶上にｎ型Ｇａ1 - x
Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層を設けた後、前記Ｇａ
融液を成長面から除去し、次いで０．５原子％以上のＳ
ｉを含む融液を８５０℃以下の温度で前記ｎ型Ｇａ1 - x
Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層に接触させ、前記ｎ型
Ｇａ1 - x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上にｐ型Ｇ
ａＡｓエピタキシャル成長層を成長させることにより製
造される。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＧａＡｓ基板結晶と、該ＧａＡｓ基板結
晶の上に晶出され、Ｓｉを除くＴｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓ，
Ｓｅ等のドーパントをドナー不純物としてドープさせた
ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層と、該ｎ
型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上に重畳
され、Ｓｉをヘビードープしたｐ型ＧａＡｓエピタキシ
ャル成長層とを備え、前記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓエピ
タキシャル成長層と前記ｐ型ＧａＡｓエピタキシャル成
長層との間にｐ−ｎ接合が形成されていることを特徴と
する発光ダイオード用エピタキシャルウエハ。 - 【請求項２】 Ｓｉを除くＴｅ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｓ，Ｓｅ
等のドーパント及び混晶成分としてのＡｌを含むＧａ融
液を８５０℃以下の温度でＧａＡｓ基板結晶に接触さ
せ、前記ＧａＡｓ基板結晶上にｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ
エピタキシャル成長層を設けた後、前記Ｇａ融液を成長
面から除去し、次いで０．５原子％以上のＳｉを含む融
液を８５０℃以下の温度で前記ｎ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ
エピタキシャル成長層に接触させ、前記ｎ型Ｇａ1-x Ａ
ｌx Ａｓエピタキシャル成長層の上にｐ型ＧａＡｓエピ
タキシャル成長層を成長させることを特徴とする発光ダ
イオード用エピタキシャルウエハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475092A JPH065917A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18475092A JPH065917A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065917A true JPH065917A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16158692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18475092A Withdrawn JPH065917A (ja) | 1992-06-19 | 1992-06-19 | 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH065917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053025A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 |
-
1992
- 1992-06-19 JP JP18475092A patent/JPH065917A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001053025A (ja) * | 1999-08-11 | 2001-02-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ｐ型化合物半導体のオーミック電極構造およびその形成方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| USRE29845E (en) | GaAs1-x Px electroluminescent device doped with isoelectronic impurities | |
| US3931631A (en) | Gallium phosphide light-emitting diodes | |
| JPH0770755B2 (ja) | 高輝度ｌｅｄ用エピタキシャル基板及びその製造方法 | |
| US4001056A (en) | Epitaxial deposition of iii-v compounds containing isoelectronic impurities | |
| KR101317979B1 (ko) | 발광 다이오드용 에피택셜 웨이퍼 | |
| US5856208A (en) | Epitaxial wafer and its fabrication method | |
| KR0151137B1 (ko) | 이중 헤테로형 에픽택셜 웨이퍼 | |
| US4606780A (en) | Method for the manufacture of A3 B5 light-emitting diodes | |
| JP2579326B2 (ja) | エピタキシャル・ウエハ及び発光ダイオード | |
| JPH065917A (ja) | 発光ダイオード用エピタキシャルウエハ及びその製造方法 | |
| JP2001274454A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JPH08139358A (ja) | エピタキシャルウエーハ | |
| JPH0645646A (ja) | ｐ−ｎヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP2666525B2 (ja) | ＧａＡ１Ａｓ発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP3633806B2 (ja) | エピタキシャルウエハ及び、これを用いて製造される発光ダイオード | |
| USRE29648E (en) | Process for the preparation of electroluminescent III-V materials containing isoelectronic impurities | |
| US6433365B1 (en) | Epitaxial wafer and light emitting diode | |
| JP2650436B2 (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP4156873B2 (ja) | エピタキシャルウエハの製造方法 | |
| JPH0766450A (ja) | 発光ダイオード素子とその製造方法 | |
| JPH0242771A (ja) | 発光半導体素子基板及びその製造方法 | |
| JPH0351674B2 (ja) | ||
| JPH0473638B2 (ja) | ||
| JPH0658976B2 (ja) | 化合物半導体装置の製造方法 | |
| JP2001244501A (ja) | 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハおよびこれを用いた発光ダイオード |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |