JPH066018A - プリント基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ソルダ−レジストの乾燥時におけるレジスト内
部でのライン部表面の酸化を防止し、無電解銅めっき処
理の条件下においても、ライン部とソルダ−レジストと
の密着力を劣化させず、信頼性の高い高密度配線を可能
とするプリント基板とその製造方法を得る。 【構成】銅張積層板１に、スル−ホ−ル２、ランド８ｂ
（４）からなる部品接続部と、導体回路（ライン部）８
ａと、外部接続端子とが配置されると共に、前記部品接
続部および外部接続端子を除く少なくとも前記導体回路
上をソルダ−レジスト５で被覆して成るプリント基板で
あって、前記ソルダ−レジストが被覆された導体回路８
ａ上に銅と錯体構造を形成した皮膜６を０．５〜３．０
μｍ形成した。錯体構造を形成した皮膜６を成膜する材
料としては、例えばアルキルイミダゾール系化合物を使
用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路配線パターン上に
ソルダーレジストが塗布されたプリント基板およびその
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に回路配線パターンの形成されたプ
リント基板上には、電子部品を接続するスルーホールや
ランド部、さらには外部端子となる接続領域を除いてソ
ルダーレジストが塗布されている。周知のように、この
ソルダーレジストは、電子部品を基板に搭載、はんだ接
続する際に、回路配線パターンを絶縁保護するために保
護膜として形成されるもので、はんだ等の接続時には加
熱下に晒されるため例えばエポキシ系の耐熱性樹脂で構
成され、しかもリソグラフィ技術でパターン化するため
感光性を有するものが好ましく、例えば紫外線露光で硬
化する所謂ＵＶ硬化型ソルダーレジストが使用されてい
る。

【０００３】プリント基板の製造時に、このＵＶ硬化型
ソルダーレジストをマスクとして、露出した回路構成部
に銅めっきをする場合、６０〜７０℃の高温で、しかも
ｐＨ１０〜１２という強アルカリの無電解銅めっき液の
過酷な条件下に晒されるため、めっき液に長時間（例え
ば１０時間以上）浸漬すると表層が侵食されて、経時的
に溶解する現象が起こる。したがって、プリント基板製
造メーカーの多くは、図２の（ｄ）工程〜（ｅ）工程に
例示するように無電解銅めっき４を形成した後にＵＶ硬
化型ソルダーレジスト５を塗布する工程を選択して、こ
の不良を回避していた。

【０００４】また、最近では耐めっき液性のＵＶ硬化型
ソルダーレジストも開発され、前述の問題が解消されつ
つあるが、新たな問題としてソルダーレジスト５とそれ
を被覆した回路パターン（ライン）の銅箔表面が点状に
剥離すると云う現象が起こった。この剥離の問題につき
種々実験、検討した結果、ソルダーレジスト成分である
エポキシ樹脂を硬化するときの熱処理により、ラインの
銅箔表面が酸化され、エポキシ樹脂と銅箔との結合が阻
害され、その個所の密着力が弱まることによることが分
かった。したがって、この酸化を防止するために、加熱
による樹脂の硬化処理は非酸化性の例えば窒素充填式の
乾燥炉を使用する方法がとられている。

【０００５】上記ソルダーレジストの塗布工程を有する
二つのプリント基板の製造方法につき、以下に図２の工
程図を用いてさらに具体的に説明する。 〈従来例の１〉 （ａ）工程：銅箔８を両面に張った銅張積層板１に穴明
けを行ない、スルーホール２を形成する。

【０００６】（ｂ）工程：触媒３を基板全面に吸着させ
る。

【０００７】（ｃ）工程：所定パターンの回路マスクを
用いてエッチングにより、回路パターン８ａ、ランド８
ｂを形成する。

【０００８】（ｄ）工程：無電解銅めっき４をスルーホ
ール２内および回路パターン８ａ、ランド８ｂ上に析出
させる。

【０００９】（ｅ）工程：ＵＶ硬化型ソルダーレジスト
５を全面に塗布し、露光、現像を行ないスルーホール２
およびランド部４ａ（８ｂ）上のＵＶ硬化型ソルダーレ
ジスト５を溶解除去した後、乾燥炉により熱硬化する。

【００１０】〈従来例の２〉（ａ）工程〜（ｃ）工程
は、従来例の１と同様。

【００１１】（ｄ）工程：ソルダーレジスト５を全面に
塗布し、露光、現像を行ないスルーホール２およびラン
ド部のソルダーレジストを溶解除去した後、窒素充填式
乾燥炉により熱硬化する。

【００１２】（ｅ）工程：ソルダーレジストを溶解除去
したスルーホール２およびランド部に無電解銅めっき４
を行なう。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例の１に示し
たように、無電解銅めっき４をＵＶ硬化型ソルダ−レジ
スト５の塗布形成前に行なう工程では、銅のめっき液に
ＵＶ硬化型ソルダ−レジスト５を晒さないので回路パタ
ーンの酸化の問題は解消されるが、（ｄ）工程に示すよ
うに回路パターン形成後の銅めっきであるため、スル−
ホ−ル２以外のライン部（回路パターン）８ａまで銅め
っきを析出してしまい、ライン部が太くなり高密度、高
細線パタ−ンを形成するときの障害となる。また、銅め
っきされる領域が、スルーホール２やランド部のみなら
ず回路パターン全体となるので、銅めっき液の消費量が
多くなり、材料費のコストが上昇するという問題もあ
る。

【００１４】また、従来例の２の場合は、銅めっき液に
対する耐性を改善したＵＶ硬化型ソルダ−レジストを使
用するため、銅めっきをＵＶ硬化型ソルダ−レジスト５
の塗布形成後に行なう工程とすることが可能であり、従
来例の１のようにライン部がめっき太りになると云う問
題は解消される。しかし、銅パターンの酸化防止をしな
がらＵＶ硬化型ソルダ−レジスト５を加熱硬化するため
に使用する窒素充填式乾燥炉は、大型のプリント基板
（600×600サイズ）の場合に、特別な仕様になるため設
備コストが高くなること、また、バッチ方式による処理
のため量産性に問題があった。

【００１５】したがって、本発明の目的は上記従来の問
題点を解決することにあり、その第１の目的は、ソルダ
−レジストの乾燥時におけるレジスト内部でのライン部
表面の酸化を防止し、無電解銅めっき処理の条件下にお
いても、ライン部とソルダ−レジストとの密着力を劣化
させず、信頼性の高い高密度配線を可能とする改良され
たプリント基板を、そして第２の目的は、その製造方法
をそれぞれ提供することにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記第１の目的は、銅張
積層板に、スル−ホ−ル、ランドからなる部品接続部
と、導体回路（ライン部）と、外部接続端子とが配置さ
れると共に、前記部品接続部および外部接続端子を除く
少なくとも前記導体回路上をソルダ−レジストで被覆し
て成るプリント基板であって、前記ソルダ−レジストが
被覆された導体回路上に銅と錯体構造を形成した皮膜を
０．５〜３．０μｍ形成して成るプリント基板により、
達成される。

【００１７】銅と錯体構造を形成した皮膜としては、銅
の酸化を防止することができ、かつソルダ−レジストと
の結合を劣化させない皮膜であれば良く、例えばアルキ
ルイミダゾールのごときイミダゾール系化合物を銅表面
で反応させた錯体構造の皮膜が好ましい。皮膜の厚みが
重要であるため、皮膜を形成せずに単に銅と錯塩を形成
する錯形成剤で処理したものでは効果が不十分であり、
目的を達成することができない。

【００１８】この皮膜の厚みがソルダ−レジストの密着
性に及ぼす影響について、図４により具体的に説明する
と、図示のように銅と錯体構造を形成した皮膜は薄すぎ
ても厚すぎても好ましくないことが分かる。前述の通り
０．５〜３μｍが好ましく、更に好ましくは、１．０〜
２．５μｍである。３．０μｍを超えると、レジストと
皮膜の層間で剥離の傾向が徐々に増大し、また、０．５
μｍよりも薄くなると皮膜が粗に形成されているため、
レジストとライン間に点々と剥離が生じ密着性に悪い影
響を及ぼすことが分かった。なお、この図の縦軸の剥離
幅は、ソルダ−レジストが塗布されたプリント基板を目
視による外観検査により剥離の程度を測定したもので、
レジストが配線から剥離していとその部分が配線回路の
パターン形状に沿ってライン状に白く観察され、その幅
を測定したものである。密着している場合には白い点あ
るいはラインが観測されない。

【００１９】ソルダ−レジストとしては、ＵＶ硬化型ソ
ルダ−レジストが好ましいが、これに限らず、その他周
知の熱硬化型ソルダ−レジスト、光硬化型ソルダ−レジ
スト等の耐熱性（半田処理に耐えれば良い）とレジスト
としてのパターン化が可能な絶縁材料であれば何れのも
のでも使用できる。ただし、製造方法の項で後述するよ
うに、ソルダ−レジストは無電解銅めっき液（一般に強
アルカリ）に溶解しない耐めっき液性のソルダ−レジス
トを適用することが必要となる。その理由は、無電解銅
めっきは、一般に析出速度が遅いため（例えば１〜４μ
ｍ／ｈ）、数十μｍのスル−ホ−ルめっきを必要とする
場合、高ｐＨで、しかも高温の環境下に長時間浸漬しな
ければならないからである。

【００２０】なお、スルーホール内には無電解銅めっき
の下地として、無電解Ｎｉめっき、無電解銅めっきの如
き導体を形成しておくこともできる。

【００２１】上記第２の目的は、銅張積層板に（ａ）例
えばドリルやパンチでスル−ホ−ルの穴あけを行なう工
程と、（ｂ）少なくともスルーホール内へ触媒を付与す
る工程と、（ｃ）所定のレジストマスクパターンを用い
てランドと外部接続端子を含む導体回路（ライン部）パ
ターンとをエッチングにより形成する工程と、（ｄ）基
板表面に皮膜形成用錯形成剤を塗布し、ランド及び導体
回路表面の銅と反応させて厚さ０．５〜３μｍの錯体構
造皮膜を形成する工程と、（ｅ）耐めっき液性のソルダ
−レジストを全面に塗布し、スル−ホ−ル、ランド部及
び外部接続端子上のソルダ−レジストを選択的に除去
し、熱硬化する工程と、（ｆ）ソルダ−レジストの除去
された領域（スル−ホ−ル、ランド部及び外部接続端
子）に前処理として錯体構造皮膜を溶解除去してから、
無電解銅めっきを施す工程とを有して成るプリント基板
の製造方法により、達成される（第１の製造方法）。

【００２２】好ましい製造方法として、上記耐めっき液
性のソルダ−レジストを感光性を有するＵＶ硬化型ソル
ダ−レジストとした場合には、スル−ホ−ル、ランド部
及び外部接続端子がマスキングされたマスクを介してＵ
Ｖ露光し、マスキング部分以外を光硬化させる。その
後、未露光部を有機溶剤の現像液で溶解除去し、乾燥炉
にいれてＵＶ硬化型ソルダ−レジストを熱硬化させ、無
電解銅めっきを施す工程とすればよい。

【００２３】また、基板表面に錯形成剤を塗布する方法
としては種々の塗布方法が用いられるが、例えば浸漬、
シルクスクリーン、スプレー、ローラー方式等によって
塗布することができる。

【００２４】なお、（ｄ）工程の皮膜形成用錯形成剤と
しては、銅の酸化を防止する防錆剤としての作用とソル
ダーレジストとの良好な結合性とを有するものが使用さ
れ、アルキルイミダゾールの如きイミダゾール化合物、
ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール等の不対電子を
有する含窒素有機化合物が好ましい。また、錯体構造皮
膜の形成時の反応条件としては、皮膜形成用錯形剤を塗
布して常温〜６０℃で反応させる。膜厚調整は、基板を
溶液に接触させる時間を制御することにより容易に行な
うことができ、時間を長くすれば膜厚は厚くなる。

【００２５】また、（ｆ）工程の無電解銅めっきを施す
工程において、銅箔上に形成された銅と錯体構造になる
皮膜は銅めっきの前処理で容易に溶解可能でなければな
らない。これが残渣していると、ボイド不良などの銅め
っき品質を悪化させる原因となる。溶解処理液として
は、塩酸、硫酸、硝酸の如き無機酸、もしくは例えば過
硫酸ソーダの如き過酸化物の２〜３重量％溶液が用いら
れる。

【００２６】また、上記第２の目的は、次の第２の製造
方法によっても、達成される。すなわち、銅張積層板に
例えばドリルやパンチによりスル−ホ−ルを形成した
後、触媒を基板全面に吸着させ、無電解Ｎｉめっきを
０．５〜１．０μｍ析出させる。さらに、基板表面を研
磨してＮｉめっきを除去した後（Ｎｉめっきはスルーホ
ール内にのみ残す）、電着型ＵＶレジストによりランド
と外部接続端子を含む導体回路（ライン部）以外がマス
キングされたマスクを用いＵＶ露光機により露光する。
さらに、現像により回路パターンを描きエッチングによ
りランド及び導体回路パターンを形成する。

【００２７】この後の工程は、前述した第１の製造方法
における（ｄ）工程の基板表面に皮膜形成用錯形成剤を
塗布し、ランド及び導体回路表面の銅と反応させて厚さ
０．５〜３μｍの錯体構造皮膜を形成する工程に続き、
以下同様の工程にしたがって行なう。この方法はスルー
ホールの銅めっきの下地としてＮｉめっきを行なうもの
であり、銅めっき時の電蝕対策として下地導体を形成し
ておくものであることから、Ｎｉめっきの代わりにその
他のめっき容易な導体金属を形成してもよい。なお、無
電解Ｎｉめっきの厚さは０．５μｍ以上が好ましい。さ
らに、好ましくは０．５〜１．０μｍがよい。０．５μ
ｍより薄いと、粗いめっきになるため電着型ＵＶレジス
トでスル−ホ−ル内を完全に皮膜することが出来ない。
したがって、触媒が露出した箇所は、エッチング液によ
り溶解除去されてしまいスル−ホ−ルボイドの原因とな
る。また、Ｎｉめっき液は高価なため、必要以上に厚く
せず長寿命化による原価低減の点からも０．５〜１．０
μｍが好ましい。

【００２８】さらにまた、上記第２の目的は、次の第３
の製造方法によっても、達成される。 すなわち、上記
第１の製造方法における（ｂ）工程の少なくともスルー
ホール内へ触媒を付与する工程の後に、無電解銅めっき
を２．５〜１０．０μｍ形成する工程を付加する。これ
により少なくともスルーホール内に予め第１の銅めっき
を形成しておく。以降、上記第１の製造方法と同様な工
程を行なう。この製造法によればスルーホール内は第
１、第２〔第１の製造方法における（ｆ）工程の銅めっ
き〕の二重の銅めっきが行なわれる。

【００２９】この場合の第１の無電解銅めっき膜厚は、
２．５μｍ以上が好ましい。また、好ましくは３．０〜
１０．０μｍである。膜厚が２．５μｍよりも薄い場
合、第２の無電解銅めっきの前処理であるソフトエッチ
ング液（第２の銅めっき前の表面清浄化処理）で銅めっ
きが全て溶解され、そのときに触媒も一緒に一部脱落し
て、局所的にスル−ホ−ルボイドが発生することがあ
り、厚みについては注意を要する。

【００３０】

【作用】ソルダ−レジストが被覆された導通回路パタ−
ン上に、表面処理膜として設けた銅と錯体構造を形成す
る皮膜は、図４に示したように０．５〜３．０μｍの厚
さで、ソルダ−レジストの剥離を充分に防止することが
でき、密着性の良好なソルダ−レジストの形成を容易と
する。それによって、レジスト内部でのライン銅箔表面
の酸化を防止することができるので、無電解銅めっき条
件下において、ソルダ−レジストとライン銅箔表面が剥
離せず、信頼性の高いプリント基板を実現することがで
きる。

【００３１】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。 〈実施例１〉図１は、本発明のプリント基板の製造方法
の一例を説明する工程図であり、以下、図示の（ａ）工
程〜（ｆ）工程に従い、その内容を順次説明する。 （ａ）工程：両面に銅箔８を張り合わせた銅張積層板１
に、ドリル又はパンチにより穴あけを行ないスルーホー
ル２を形成する。 （ｂ）工程：基板１をパラジウムとスズを含むコロイド
溶液に浸漬し、基板全面に触媒３を吸着、付与する。

【００３２】（ｃ）工程：導通回路パタ−ン８ａを形成
する。パターン形成方法としては、まず、基板表面をブ
ラシで整面後、ＵＶ硬化型ドライフィルムを熱圧着し、
ランド及び外部接続端子を含む回路パターン（ライン
部）８ａ以外がマスキングされたマスクを両面に密着さ
せ、超高圧水銀灯を用いた高真空露光機により、４０〜
８００ｍｊ／ｃｍ²の露光量で焼付けを行なう。その
後、アルカリ型現像液により未露光部を溶解除去し、ド
ライフィルムのマスクパターンを形成し、アルカリエッ
チング液により、露出した銅箔を溶解する。そして、不
要なＵＶ硬化型ドライフィルムをＮａＯＨを含有した剥
離液で除去する。

【００３３】（ｄ）工程：銅箔と錯体構造を形成する皮
膜６を銅箔パターン上に形成する。錯体構造の皮膜形成
方法としては、基板全面に皮膜形成用錯形成剤を噴射、
塗布し、常温で成膜した。皮膜形成用錯形成剤としては
市販のアルキルイミダゾール系化合物を使用した。皮膜
の厚さと成膜時間との関係は図５に示すとおりであり、
約１５分の噴射で、１．５μｍ形成した。

【００３４】（ｅ）工程：ＵＶ硬化型ソルダ−レジスト
５を全面に塗布し仮乾燥を行なう。そして、スル−ホ−
ル２、ランド部分８ｂ及び図示されていない外部電極接
続端子がマスキングされたマスクを用いて基板に密着さ
せ、高真空露光機により８０〜８００ｍｊ／ｃｍ²照射
して、マスクから露出した領域を光硬化させる。さら
に、現像液として1，1，1−トリクロロエタンを用いて
未露光部を溶解除去し、通常の乾燥炉に入れて１４０〜
１６０℃でＵＶ硬化型ソルダ−レジスト５を熱硬化す
る。

【００３５】（ｆ）工程：過硫酸ソ−ダを含有したソフ
トエッチング溶液を用いて、露出した導体上の銅と錯体
構造を成す皮膜６を溶解除去した後、無電解銅めっき４
を行なう。

【００３６】〈実施例２〉実施例１の（ｂ）工程と
（ｃ）工程との間に、無電解Ｎｉめっき工程を付加し、
めっき液中に基板を浸漬してＮｉめっきを０．５〜１．
０μｍ析出させる。めっき終了後、基板表面を研磨し、
銅箔８上のＮｉめっきを除去し、スルーホール２内にの
みＮｉめっきを残した。次いで、実施例１の（ｃ）工程
におけるＵＶ硬化型ドライフィルムの代わりに、電着型
ＵＶレジストを用いて基板に塗布し、ランド及び外部接
続端子を含む回路パターン（ライン部）８ａ以外がマス
キングされたマスクを両面に密着させ、超高圧水銀灯を
用いた高真空露光機により露光する。さらに、現像によ
り回路パターンを描きマスクを形成する。このマスクを
用いて銅箔８を選択的にエッチングすることにより回路
パターン８ａを形成する。これ以降の工程は、実施例１
の（ｄ）〜（ｆ）工程にしたがって実施した。このよう
にして得られたプリント基板の要部断面図を図３に示し
た。図示のように、スルーホール２内は、下地膜として
のＮｉめっき７と銅めっき４の二層構造となる。

【００３７】〈実施例３〉この実施例は、実施例２の変
形例で、図３に示したスルーホール２内の下地めっきと
してのＮｉめっき７の代わりに、銅めっきを施すもので
ある。したがってスルーホール２内は、下地膜として形
成した第１の銅めっき（Ｎｉめっき７に相当するもの）
と第２の銅めっき４（実施例１及び２の銅めっき４と同
一）の二層構造となる。

【００３８】すなわち、この実施例について具体的に説
明すると、実施例１の（ｂ）工程と（ｃ）工程との間
に、第１の銅めっき工程としての無電解銅めっき工程を
付加し、めっき液中に基板を浸漬して銅めっきを３．０
〜１０．０μｍ析出させる。これ以降の工程は、実施例
１の（ｃ）〜（ｆ）工程にしたがって実施した。

【００３９】〈実施例４〉実施例１の（ａ）〜（ｄ）工
程まで同一工程を実施し、（ｅ）工程として実施例１で
使用したＵＶ硬化型ソルダ−レジスト５の代わりに熱硬
化型ソルダ−レジストを、スル−ホ−ル２、ランド部分
８ｂ及び図示されていない外部電極接続端子がマスキン
グされたシルクスクリーン版を用いて全面に塗布し、こ
の後、基板を通常の乾燥炉に入れて１４０〜１６０℃で
熱硬化型ソルダ−レジストを硬化する。次いで、実施例
１と同様に（ｆ）工程を実施した。すなわち、過硫酸ソ
−ダを含有したソフトエッチング溶液を用いて、露出し
た導体上の銅と錯体構造を成す皮膜６を溶解除去した
後、無電解銅めっき４を行った。

【００４０】

【発明の効果】上述したように、本発明により所期の目
的を達成することができた。すなわち、プリント基板
は、ソルダ−レジストを塗布した後の乾燥時に発生する
レジストとライン銅箔表面の酸化を防止することができ
るため、無電解銅めっき条件下においてもレジストとラ
イン銅箔表面の剥離が生じない。従って、工程を付加す
るだけで従来の工程を変更する必要がないため、導通回
路パタ−ンを細線化することができる。即ち、より高密
度なプリント基板が製造できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例となるプリント基板の製造工
程を示す工程概略図。

【図２】従来のプリント基板の製造工程を示す工程概略
図。

【図３】本発明の他の実施例となるプリント基板の要部
断面図。

【図４】同じく本発明の一実施例となるもので、銅と錯
体構造になる皮膜の厚さが、ソルダ−レジストとライン
銅箔表面との剥離幅に及ぼす影響について計測した特性
曲線図。

【図５】同じく本発明の一実施例となるもので、銅と錯
体構造になる皮膜の厚さと成膜時間との関係を示した特
性曲線図。

【符号の説明】

１…銅張積層板、 ２…スル−ホ
−ル、３…触媒、 ４…無
電解銅めっき、５…ＵＶ硬化型ソルダ−レジスト、
６…銅と錯体構造になる皮膜、７…無電解Ｎｉめっ
き、 ８…銅箔、８ａ…回路パターン、
８ｂ（４ａ）…ランド。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 浜岡 伸夫 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地株式 会社日立製作所情報通信事業部内

Claims (17)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】銅張積層板に、スル−ホ−ル及びランドか
   らなる部品接続部と、外部接続端子を含む導体回路とが
   配置されると共に、前記部品接続部及び外部接続端子を
   除く少なくとも前記導体回路上をソルダ−レジストで被
   覆して成るプリント基板であって、前記ソルダ−レジス
   トが被覆された導体回路上に銅と錯体構造を形成した皮
   膜を０．５〜３．０μｍ形成して成るプリント基板。
2. 【請求項２】上記銅と錯体構造を形成した皮膜が、銅の
   酸化を防止することができ、かつソルダ−レジストとの
   結合を劣化させない不対電子を有する含窒素有機化合物
   の錯体構造皮膜から成る請求項１記載のプリント基板。
3. 【請求項３】上記不対電子を有する含窒素有機化合物が
   イミダゾール系化合物から成る請求項２記載のプリント
   基板。
4. 【請求項４】上記ソルダ−レジストを、ＵＶ硬化型ソル
   ダ−レジスト、熱硬化型ソルダ−レジスト及び光硬化型
   ソルダ−レジストの何れかから選択される耐熱性と耐銅
   めっき液性とを有するレジストで構成して成る請求項１
   乃至３何れか記載のプリント基板。
5. 【請求項５】上記スルーホール内の無電解銅めっきの下
   地膜として、導体膜を形成して成る請求項１乃至４何れ
   か記載のプリント基板。
6. 【請求項６】上記導体膜を、膜厚０．５〜１．０μｍの
   無電解Ｎｉめっきとするか、膜厚２．５〜１０．０μｍ
   の無電解銅めっきとして成る請求項５記載のプリント基
   板。
7. 【請求項７】銅張積層板に、（ａ）スルーホールを形成
   する穴あけを行なう工程と、（ｂ）少なくともスルーホ
   ール内へ触媒を付与する工程と、（ｃ）所定のレジスト
   マスクパターンを用いてランドと外部接続端子を含む導
   体回路パターンとをエッチングにより形成する工程と、
   （ｄ）基板表面に皮膜形成用錯形成剤を塗布し、ランド
   及び導体回路表面の銅と反応させて厚さ０．５〜３μｍ
   の錯体構造皮膜を形成する工程と、（ｅ）耐めっき液性
   のソルダ−レジストを全面に塗布し、スル−ホ−ル、ラ
   ンド部及び外部接続端子上のソルダ−レジストを選択的
   に除去し、熱硬化する工程と、（ｆ）ソルダ−レジスト
   が選択的に除去された領域に前処理として錯体構造皮膜
   を溶解除去してから、無電解銅めっきを施す工程とを有
   して成るプリント基板の製造方法。
8. 【請求項８】上記耐めっき液性のソルダ−レジストを感
   光性を有するＵＶ硬化型ソルダ−レジストとし、スル−
   ホ−ル、ランド部及び外部接続端子がマスキングされた
   マスクを介してＵＶ露光し、マスキング部分以外を光硬
   化させて未露光部を現像液で溶解除去し、ＵＶ硬化型ソ
   ルダ−レジストを熱硬化させ、無電解銅めっきを施す工
   程として成る請求項７記載のプリント基板の製造方法。
9. 【請求項９】上記（ｄ）工程の皮膜形成用錯形成剤とし
   て、銅の酸化を防止する防錆効果とソルダーレジストと
   の結合性とを有し、しかも銅と錯体を形成する不対電子
   を有する含窒素有機化合物を用いると共に、錯体構造皮
   膜の膜厚を、基板を皮膜形成用錯形成剤溶液に接触させ
   る時間を制御して調整する成膜工程として成る請求項７
   記載のプリント基板の製造方法。
10. 【請求項１０】上記皮膜形成用錯形成剤をイミダゾール
    化合物、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾールの何れ
    かの含窒素有機化合物で構成して成る請求項７乃至９何
    れか記載のプリント基板の製造方法。
11. 【請求項１１】上記イミダゾール化合物をアルキルベン
    ゼンイミダゾール化合物として成る請求項１０記載のプ
    リント基板の製造方法。
12. 【請求項１２】上記（ｆ）工程の無電解銅めっきを施す
    工程において、銅箔上に形成された銅との錯体構造皮膜
    を溶解除去する処理液を、無機強酸もしくは過過酸化物
    の稀釈溶液として成る請求項７乃至１１何れか記載のプ
    リント基板の製造方法。
13. 【請求項１３】上記無機強酸を塩酸、硫酸、硝酸の何れ
    かとするか、過過酸化物を硫酸ソーダとし、何れも２〜
    ３重量％の稀釈溶液として成る請求項１２記載のプリン
    ト基板の製造方法。
14. 【請求項１４】上記（ｂ）工程と（ｃ）工程との間に、
    無電解Ｎｉめっきを０．５〜１．０μｍ析出させ、さら
    に基板表面を研磨してＮｉめっきを基板表面から除去
    し、スルーホール内にのみ残す工程を付加し、最終工程
    でスルーホール内にＮｉめっきと銅めっきから成る二重
    のめっき膜を形成して成る請求項７記載のプリント基板
    の製造方法。
15. 【請求項１５】上記（ｃ）工程において、レジストマス
    クパターンを、電着型ＵＶレジストによりランドと外部
    接続端子を含む導体回路以外がマスキングされたマスク
    を用いＵＶ露光機により露光し、現像により回路パター
    ンを描き、これをマスクとして銅箔をエッチングし、ラ
    ンド及び導体回路パターンを形成する工程として成る請
    求項７もしくは１４記載のプリント基板の製造方法。
16. 【請求項１６】上記（ｂ）工程と（ｃ）工程との間に、
    無電解銅めっきを２．５〜１０．０μｍ形成する工程を
    付加し、これにより少なくともスルーホール内に予め第
    １の銅めっきを形成した後、上記（ｃ）工程〜（ｆ）工
    程を施し、スルーホール内に二重の銅めっきを形成して
    成る請求項７記載のプリント基板の製造方法。
17. 【請求項１７】上記（ｄ）工程において、基板表面に皮
    膜形成用錯形成剤を塗布する方法として、浸漬、シルク
    スクリーン、スプレー、ローラーの何れかの方式を選択
    して成る請求項７記載のプリント基板の製造方法。