JPH0660326A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0660326A JPH0660326A JP23155092A JP23155092A JPH0660326A JP H0660326 A JPH0660326 A JP H0660326A JP 23155092 A JP23155092 A JP 23155092A JP 23155092 A JP23155092 A JP 23155092A JP H0660326 A JPH0660326 A JP H0660326A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 シールド層間の間隔を小さくした場合にも良
好な絶縁性を維持することのできる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３５と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２とＭＲ膜３１とこのＭ
Ｒ膜３１の保護絶縁体３４とリード２６と上部ギャップ
絶縁層３３とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドであ
って、保護絶縁体３４の上面とリード２６の上面とがほ
ぼ同一の平面内に位置するように平坦化されている。下
部シールド層３０上に下部ギャップ絶縁層３２を介して
ＭＲ膜３１を形成し、このＭＲ膜３１上の所定部分にＭ
Ｒ膜３１をエッチングから保護する絶縁体３４を形成
し、絶縁体３４上及びＭＲ膜３１上にリード２６を形成
し、リード２６と絶縁体３４との上面を平坦化し、平坦
化したこれらの上面上に上部ギャップ絶縁層３３を介し
て上部シールド層３５を形成する。
好な絶縁性を維持することのできる薄膜磁気ヘッド及び
その製造方法を提供する。 【構成】 下部シールド層３０と上部シールド層３５と
の間に、下部ギャップ絶縁層３２とＭＲ膜３１とこのＭ
Ｒ膜３１の保護絶縁体３４とリード２６と上部ギャップ
絶縁層３３とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドであ
って、保護絶縁体３４の上面とリード２６の上面とがほ
ぼ同一の平面内に位置するように平坦化されている。下
部シールド層３０上に下部ギャップ絶縁層３２を介して
ＭＲ膜３１を形成し、このＭＲ膜３１上の所定部分にＭ
Ｒ膜３１をエッチングから保護する絶縁体３４を形成
し、絶縁体３４上及びＭＲ膜３１上にリード２６を形成
し、リード２６と絶縁体３４との上面を平坦化し、平坦
化したこれらの上面上に上部ギャップ絶縁層３３を介し
て上部シールド層３５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
媒体からの再生を行う磁気抵抗ヘッド（Ｍａｇｎｅｔｏ
Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｈｅａｄ、以下ＭＲヘッドと称
する）を少なくとも有する薄膜磁気ヘッド及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してＭＲ素子及びＭＲリー
ドを設けることにより構成されている。
膜磁気ヘッドとして、ＭＲヘッドが実用化され始めてい
る。ＭＲヘッドは、磁化に依存して電気抵抗が変化する
という磁気抵抗効果を利用しているおり、その性質上、
不要な磁界を遮断するためのシールド層を両側に設け、
その間にギャップ絶縁層を介してＭＲ素子及びＭＲリー
ドを設けることにより構成されている。
【０００３】図５は、再生用のＭＲヘッドと記録用のイ
ンダクティブヘッドとを組み合わせて構成される従来の
薄膜磁気ヘッドの一部を、磁気媒体に対向する底面側か
ら概略的に表したものである。
ンダクティブヘッドとを組み合わせて構成される従来の
薄膜磁気ヘッドの一部を、磁気媒体に対向する底面側か
ら概略的に表したものである。
【０００４】同図において、５０は浮上用のスライダの
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層５０と
上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５
２、ＭＲ素子のＭＲ膜５１、このＭＲ膜５１をエッチン
グ等から保護するための絶縁体５４、リード５６、及び
上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。このよ
うにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、その
コアとして下部磁性層６６及び上部磁性層６９を具備す
る記録用のインダクティブヘッドが積層されている。
後端面側に、図示しない絶縁性の下地膜を介して形成さ
れた下部シールド層であり、この下部シールド層５０と
上部シールド層５５との間には、下部ギャップ絶縁層５
２、ＭＲ素子のＭＲ膜５１、このＭＲ膜５１をエッチン
グ等から保護するための絶縁体５４、リード５６、及び
上部ギャップ絶縁層５３が順次積層されている。このよ
うにして形成された再生用のＭＲヘッドの上には、その
コアとして下部磁性層６６及び上部磁性層６９を具備す
る記録用のインダクティブヘッドが積層されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種のＭＲヘ
ッドでは、ＭＲ膜５１上の読み取りトラック幅に相当す
る部分に保護用の絶縁体５４が形成され、その上にリー
ド５６が形成されるため、図５に示されているように、
リード５６と絶縁体５４との間に段差が生じてしまう。
そしてこの上に上部ギャップ絶縁層５３が積層されるた
め、段差部分で絶縁が不完全となり、上部ギャップ絶縁
層５３の膜厚を薄くした場合に、リード５６と上部シー
ルド層５５とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッ
ド特性が大幅に悪化するという問題が生じる。
ッドでは、ＭＲ膜５１上の読み取りトラック幅に相当す
る部分に保護用の絶縁体５４が形成され、その上にリー
ド５６が形成されるため、図５に示されているように、
リード５６と絶縁体５４との間に段差が生じてしまう。
そしてこの上に上部ギャップ絶縁層５３が積層されるた
め、段差部分で絶縁が不完全となり、上部ギャップ絶縁
層５３の膜厚を薄くした場合に、リード５６と上部シー
ルド層５５とが短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッ
ド特性が大幅に悪化するという問題が生じる。
【０００６】特に、ＭＲヘッドの分解能を高めるために
は、下部シールド層５０と上部シールド層５５との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁化反転距離）
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
ＭＲ膜５１を含むＭＲ素子の膜厚が約２０００Å程度で
あるとすると、上部ギャップ絶縁層５３の膜厚は０．１
μｍ程度であることが要求されるからより深刻な問題と
なる。
は、下部シールド層５０と上部シールド層５５との間隔
を磁気媒体上の記録磁化のビット間隔（磁化反転距離）
よりやや小さい値以下に保つことが必要であり、高密度
記録においてはこの磁化反転距離が数千Åとなるので、
ＭＲ膜５１を含むＭＲ素子の膜厚が約２０００Å程度で
あるとすると、上部ギャップ絶縁層５３の膜厚は０．１
μｍ程度であることが要求されるからより深刻な問題と
なる。
【０００７】従って本発明は、シールド層間の間隔を小
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
さくした場合にも良好な絶縁性を維持することのできる
薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供するものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、下部シ
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ膜とこのＭＲ膜の保護絶縁体とリードと上部ギ
ャップ絶縁層とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドで
あって、保護絶縁体の上面とリードの上面とがほぼ同一
の平面内に位置するように平坦化されている薄膜磁気ヘ
ッドが提供される。
ールド層と上部シールド層との間に、下部ギャップ絶縁
層とＭＲ膜とこのＭＲ膜の保護絶縁体とリードと上部ギ
ャップ絶縁層とが順次積層されている薄膜磁気ヘッドで
あって、保護絶縁体の上面とリードの上面とがほぼ同一
の平面内に位置するように平坦化されている薄膜磁気ヘ
ッドが提供される。
【０００９】上述の上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されているかもしれない。
ヘッドが積層形成されているかもしれない。
【００１０】また、本発明によれば、下部シールド層上
に下部ギャップ絶縁層を介してＭＲ膜を形成し、このＭ
Ｒ膜上の所定部分にＭＲ膜をエッチングから保護する絶
縁体を形成し、絶縁体上及びＭＲ膜上にリードを形成
し、リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこ
れらの上面上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シール
ド層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
に下部ギャップ絶縁層を介してＭＲ膜を形成し、このＭ
Ｒ膜上の所定部分にＭＲ膜をエッチングから保護する絶
縁体を形成し、絶縁体上及びＭＲ膜上にリードを形成
し、リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこ
れらの上面上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シール
ド層を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供され
る。
【００１１】上述の平坦化がエッチバック法によって行
われることが好ましい。
われることが好ましい。
【００１２】上述の上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されるかもしれない。
ヘッドが積層形成されるかもしれない。
【００１３】
【作用】絶縁体上及びＭＲ膜上にリードを形成した後、
リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれら
の上面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたの
で、上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さ
くしても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その
上方に形成されるインダクティブヘッドの磁性層（コ
ア）の形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上す
る。
リードと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれら
の上面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたの
で、上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さ
くしても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その
上方に形成されるインダクティブヘッドの磁性層（コ
ア）の形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上す
る。
【００１４】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１５】図２は、本発明の一実施例として、複合型
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
の薄膜磁気ヘッドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを
示す斜視図である。
【００１６】同図に示すように、本実施例の浮上型磁気
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
ヘッドユニットは、スライダ２０とその（磁気媒体に対
するヘッドユニットの相対的走行方向に関して）後端面
上に設けられた２つの薄膜磁気ヘッド２１とその保護膜
２２とから主として構成されている。スライダ２０は、
例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック材料によるセ
ラミック構造体２３とそのセラミック構造体２３の後端
面にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の電気絶縁材料をスパッ
タして形成される下地膜２４とから構成されている。
【００１７】薄膜磁気ヘッド２１は下地膜２４上に形成
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
される薄膜素子であり、これらヘッド２１には保護膜２
２の表面に露出するように形成された４つの電極２５が
４つのリード２６をそれぞれ介して接続されている。
【００１８】保護膜２２はＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等を
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
スパッタして形成されており、薄膜磁気ヘッド２１、下
地膜２４、及びリード２６の全面を覆うように形成され
ている。
【００１９】図３は、薄膜磁気ヘッド２１の構造をより
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
詳細に示すために図２のＡＡ線で切断した部分断面図で
ある。
【００２０】上述したセラミック構造体２３の後端面上
に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が
形成されており、この下部シールド層３０上には、下部
ギャップ絶縁層３２が形成されており、その上にパーマ
ロイ等によるＭＲ膜３１が形成されている。ＭＲ膜３１
上には、エッチング等からこの膜を保護するための絶縁
体３４が形成される。その上に、リード２６（図２）が
形成されている。絶縁体３４及びリード２６の上面が、
後述するごとく平坦化された後、上部ギャップ絶縁層３
３が形成される。上部ギャップ絶縁層３３の上には、上
部シールド層３５が形成されている。
に形成された下地膜２４上には、下部シールド層３０が
形成されており、この下部シールド層３０上には、下部
ギャップ絶縁層３２が形成されており、その上にパーマ
ロイ等によるＭＲ膜３１が形成されている。ＭＲ膜３１
上には、エッチング等からこの膜を保護するための絶縁
体３４が形成される。その上に、リード２６（図２）が
形成されている。絶縁体３４及びリード２６の上面が、
後述するごとく平坦化された後、上部ギャップ絶縁層３
３が形成される。上部ギャップ絶縁層３３の上には、上
部シールド層３５が形成されている。
【００２１】これら下部シールド層３０、下部ギャップ
絶縁層３２、ＭＲ膜３１、絶縁体３４、リード２６、上
部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再生
用のＭＲヘッド部を構成している。上部シールド層３５
上には、Ａｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより絶縁膜
３７が形成されている。
絶縁層３２、ＭＲ膜３１、絶縁体３４、リード２６、上
部ギャップ絶縁層３３、及び上部シールド層３５が再生
用のＭＲヘッド部を構成している。上部シールド層３５
上には、Ａｌ2 Ｏ3 等をスパッタすることにより絶縁膜
３７が形成されている。
【００２２】絶縁膜３７上には、パーマロイ等の軟磁性
膜をめっき等することにより下部磁性層４６が形成され
ており、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜４
７に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体４８が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっき等することにより上部磁性層４９が形成されて
いる。
膜をめっき等することにより下部磁性層４６が形成され
ており、その上にＡｌ2 Ｏ3 又はＳｉＯ2 等の絶縁膜４
７に挟まれてＣｕ又はＡｕ等によるコイル導体４８が設
けられており、さらにその上にパーマロイ等の軟磁性膜
をめっき等することにより上部磁性層４９が形成されて
いる。
【００２３】下部磁性層４６及び上部磁性層４９は、磁
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分４９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体４８は、下部
磁性層４６及び上部磁性層４９の結合部４９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
気媒体に対向する面Ｂとは反対側の部分４９ａで互いに
結合されており、これにより記録用のインダクティブヘ
ッド部のコアを構成している。コイル導体４８は、下部
磁性層４６及び上部磁性層４９の結合部４９ａの回りを
うず巻き状に巻回するように形成されている。
【００２４】上部磁性層４９の上には、前述した保護膜
２２が形成されている。
２２が形成されている。
【００２５】なお、下部磁性層４６が上部シールド層３
５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３７は省略される。
５の機能をも果たすように兼用する構成としてもよいこ
とは明らかである。この場合、当然のことながら絶縁膜
３７は省略される。
【００２６】図１は、本実施例における薄膜磁気ヘッド
２１を磁気媒体に対向する底面側（図３の面Ｂ側）から
概略的に表したものであり、図４はその製造工程を表し
ている。
２１を磁気媒体に対向する底面側（図３の面Ｂ側）から
概略的に表したものであり、図４はその製造工程を表し
ている。
【００２７】まず図４（Ａ）を参照すると、下地膜２４
（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層３０が形成される。この下部シ
ールド層３０は少なくともＭＲ膜３１の素子領域を覆う
ように設けられており、１〜２μｍ程度の膜厚で形成さ
れる。
（図３）上にパーマロイ等の軟磁性膜をめっき等するこ
とにより下部シールド層３０が形成される。この下部シ
ールド層３０は少なくともＭＲ膜３１の素子領域を覆う
ように設けられており、１〜２μｍ程度の膜厚で形成さ
れる。
【００２８】この下部シールド層３０上には、Ａｌ2 Ｏ
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２
が積層形成される。
3 をスパッタすること等により下部ギャップ絶縁層３２
が積層形成される。
【００２９】下部ギャップ絶縁層３２上には、パーマロ
イ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜厚のＭ
Ｒ膜３１を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを
与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてＭＲ素子が形
成される。シャント層の代わりにソフト・フィルム・バ
イアス層等を形成してもよい。また、成膜順序はこれと
逆であってもよい。
イ等をスパッタして約３００〜６００Å程度の膜厚のＭ
Ｒ膜３１を形成しさらにＴｉをスパッタしてバイアスを
与えるための約５００〜１５００Åの膜厚のシャント層
を形成した後、これらをパターニングしてＭＲ素子が形
成される。シャント層の代わりにソフト・フィルム・バ
イアス層等を形成してもよい。また、成膜順序はこれと
逆であってもよい。
【００３０】ＭＲ素子上の読取り幅を決定する所定範囲
には、後に実行されるリード及び上部ギャップ絶縁層形
成時のエッチング（イオンミリング等）からＭＲ膜３１
を保護するための絶縁体３４′が形成される。この絶縁
体３４′は、Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタすることによって約
０．１μｍ程度の膜厚に形成される。
には、後に実行されるリード及び上部ギャップ絶縁層形
成時のエッチング（イオンミリング等）からＭＲ膜３１
を保護するための絶縁体３４′が形成される。この絶縁
体３４′は、Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタすることによって約
０．１μｍ程度の膜厚に形成される。
【００３１】次いで図４（Ｂ）に示すように、絶縁体３
４′、ＭＲ膜３１、及び下部ギャップ絶縁層３２上に、
リード２６′が形成される。このリード２６′は、Ｃｕ
等を約０．３μｍ程度の膜厚にめっきしてパターニング
することによって形成される。
４′、ＭＲ膜３１、及び下部ギャップ絶縁層３２上に、
リード２６′が形成される。このリード２６′は、Ｃｕ
等を約０．３μｍ程度の膜厚にめっきしてパターニング
することによって形成される。
【００３２】ＭＲリード２６′の形成後、例えばレジス
トを塗布して凸部をレジストのエッチングと共に除去す
るエッチバック法等の平坦化技術を用いてリード２６′
及び絶縁体３４′の上面がほぼ同一平面内に位置するよ
うに平坦化処理する。平坦化処理されて、リード２６の
高さと絶縁体３４の高さがほぼ等しくなった状態が図４
（Ｃ）に示されている。
トを塗布して凸部をレジストのエッチングと共に除去す
るエッチバック法等の平坦化技術を用いてリード２６′
及び絶縁体３４′の上面がほぼ同一平面内に位置するよ
うに平坦化処理する。平坦化処理されて、リード２６の
高さと絶縁体３４の高さがほぼ等しくなった状態が図４
（Ｃ）に示されている。
【００３３】次いで図４（Ｄ）に示すように、その上に
Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタすること等により上部ギャップ絶
縁層３３が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶
縁層３３上の少なくともＭＲ素子を覆う領域には、パー
マロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより１．５〜
３μｍ程度の膜厚の上部シールド層３５が形成される。
Ａｌ2 Ｏ3 をスパッタすること等により上部ギャップ絶
縁層３３が積層形成され、さらに、この上部ギャップ絶
縁層３３上の少なくともＭＲ素子を覆う領域には、パー
マロイ等の軟磁性膜をめっき等することにより１．５〜
３μｍ程度の膜厚の上部シールド層３５が形成される。
【００３４】図１に示すように、上部シールド層３５の
上には、前述した絶縁膜３７（図３）を介して下部磁性
層４６が形成されており、その上に絶縁膜４７（図３）
及びコイル導体４８（図３）を挟んで上部磁性層４９が
形成される。
上には、前述した絶縁膜３７（図３）を介して下部磁性
層４６が形成されており、その上に絶縁膜４７（図３）
及びコイル導体４８（図３）を挟んで上部磁性層４９が
形成される。
【００３５】このように本実施例によれば、ＭＲリード
２６′の形成後、平坦化処理が行われて絶縁体３４′部
分の段差を小さくしたりほぼ除去しているため、換言す
れば、リード２６及び絶縁体３４の上面がほぼ同一平面
内に位置するようにしているため、その上に形成される
上部ギャップ絶縁層３３の膜厚を約０．１μｍ程度に薄
くしても良好な絶縁性を保つことができる。その結果、
より優れた分解能を有しつつ耐圧の高いＭＲヘッドを提
供することができる。さらに、このように平坦化される
ことによりＭＲヘッドの上に形成されるインダクティブ
ヘッドのコアを構成する下部磁性層４６及び上部磁性層
４９の形状が歪みのない良好な平坦形状となるため、書
き込み効率の良好なインダクティブヘッドが得られる。
２６′の形成後、平坦化処理が行われて絶縁体３４′部
分の段差を小さくしたりほぼ除去しているため、換言す
れば、リード２６及び絶縁体３４の上面がほぼ同一平面
内に位置するようにしているため、その上に形成される
上部ギャップ絶縁層３３の膜厚を約０．１μｍ程度に薄
くしても良好な絶縁性を保つことができる。その結果、
より優れた分解能を有しつつ耐圧の高いＭＲヘッドを提
供することができる。さらに、このように平坦化される
ことによりＭＲヘッドの上に形成されるインダクティブ
ヘッドのコアを構成する下部磁性層４６及び上部磁性層
４９の形状が歪みのない良好な平坦形状となるため、書
き込み効率の良好なインダクティブヘッドが得られる。
【００３６】なお、平坦化技術としては、上述したエッ
チバック法の他に公知の種々の方法が適用可能である。
チバック法の他に公知の種々の方法が適用可能である。
【００３７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、絶縁体上及びＭＲ膜上にリードを形成した後、リー
ドと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれらの上
面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたので、
上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さくし
ても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その上方
に形成されるインダクティブヘッドの磁性層（コア）の
形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上する。その
結果、耐圧の高い優れた分解能を有すると共に書き込み
特性の優れた薄膜磁気ヘッド得ることができる。
ば、絶縁体上及びＭＲ膜上にリードを形成した後、リー
ドと絶縁体との上面を平坦化し、平坦化したこれらの上
面上に上部ギャップ絶縁層を形成するようにしたので、
上部ギャップ絶縁層が平坦になり、その膜厚を小さくし
ても絶縁性が充分保たれることとなる。また、その上方
に形成されるインダクティブヘッドの磁性層（コア）の
形状に歪みがなくなり、書き込み効率が向上する。その
結果、耐圧の高い優れた分解能を有すると共に書き込み
特性の優れた薄膜磁気ヘッド得ることができる。
【図１】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの一部構
成を磁気媒体に対向する底面側から概略的に示す底面図
である。
成を磁気媒体に対向する底面側から概略的に示す底面図
である。
【図２】本発明の一実施例として、複合型薄膜磁気ヘッ
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
ドを備えた浮上型磁気ヘッドユニットを示す斜視図であ
る。
【図３】図２のＡＡ線による部分断面図である。
【図４】図２の実施例における薄膜磁気ヘッドの製造工
程の一部を表す図である。
程の一部を表す図である。
【図５】従来の薄膜磁気ヘッドの一部構成を磁気媒体に
対向する底面側から概略的に示す底面図である。
対向する底面側から概略的に示す底面図である。
２３ セラミック構造体 ２６、２６′ リード ３０ 下部シールド層 ３１ ＭＲ膜 ３２ 下部ギャップ絶縁層 ３３ 上部ギャップ絶縁層 ３４、３４′ 絶縁体 ３５ 上部シールド層 ４６ 下部磁性層 ４９ 上部磁性層
Claims (5)
- 【請求項１】 下部シールド層と上部シールド層との間
に、下部ギャップ絶縁層と磁気抵抗膜と該磁気抵抗膜の
保護絶縁体とリードと上部ギャップ絶縁層とが順次積層
されている薄膜磁気ヘッドであって、前記保護絶縁体の
上面と前記リードの上面とがほぼ同一平面内に位置する
ように平坦化されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項２】 前記上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドが積層形成されていることを特徴とする請求項１
に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層
を介して磁気抵抗膜を形成し、該磁気抵抗膜上の所定部
分に該磁気抵抗膜をエッチングから保護する絶縁体を形
成し、該絶縁体上及び該磁気抵抗膜上にリードを形成
し、前記リードと前記絶縁体との上面を平坦化し、平坦
化した該上面上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シー
ルド層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項４】 前記平坦化がエッチバック法によって行
われることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項５】 前記上部シールド層上にインダクティブ
ヘッドを積層形成することを特徴とする請求項３又は４
に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155092A JPH0660326A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23155092A JPH0660326A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660326A true JPH0660326A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16925256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23155092A Pending JPH0660326A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660326A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP23155092A patent/JPH0660326A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7548400B2 (en) | 2004-03-02 | 2009-06-16 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head comprising bias layers having a large length in track width direction |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20001031 |