JPH0661048A - 多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド - Google Patents

多層磁気抵抗効果膜および磁気ヘッド

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JPH0661048A
JPH0661048A JP21396292A JP21396292A JPH0661048A JP H0661048 A JPH0661048 A JP H0661048A JP 21396292 A JP21396292 A JP 21396292A JP 21396292 A JP21396292 A JP 21396292A JP H0661048 A JPH0661048 A JP H0661048A
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magnetoresistive effect
film
magnetic
magnetic layer
layer
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JP21396292A
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Ryoichi Nakatani
亮一 中谷
Ken Sugita
愃 杉田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
    • H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
    • H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
    • H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は、Ｎｉ−Ｆｅ系合金を用いた
多層磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率を向上する方法を
提供することにある。 【構成】 多層磁気抵抗効果膜の磁気抵抗変化率を向上
するために、Ｎｉ−Ｆｅ系合金磁性層の結晶の（１０
０）面を基板に平行に配向させた。これにより、高い磁
気抵抗変化率を示す多層膜が得られた。また、上記Ｎｉ
−Ｆｅ合金層の厚さを２．５〜５．０ｎｍとした。ま
た、上記多層磁気抵抗効果膜を磁気抵抗効果素子、磁気
ヘッドおよび磁気記録再生装置に用いた。 【効果】 本発明の多層磁気抵抗効果膜は高い磁気抵抗
変化率を示す。また、上記多層磁気抵抗効果膜を使用し
た磁気ヘッドは、優れた再生特性を示した。また、上記
磁気ヘッドを磁気記録再生装置に用いることにより、高
性能磁気記録再生装置が得られた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高い磁気抵抗効果を有す
る多層磁気抵抗効果膜膜およびこれを用いた磁気抵抗効
果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気
ヘッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗
効果を示す材料が求められている。現在、使用されてい
るパーマロイの磁気抵抗変化率は約３％であり、新材料
はこれを上回る磁気抵抗変化率を有することが必要であ
る。
【０００３】最近、Baibichらによる、フィジカル・レ
ビュー・レターズ(Pysical ReviewLetters)、第61巻、
第21号、2472〜2475ページに記載の「(001)Fe/(001)Cr
磁性超格子の巨大磁気抵抗効果」（Giant Magnetoresis
tance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices）
のように、多層構造を持つ磁性膜（Ｆｅ／Ｃｒ多層膜）
において、約５０％の磁気抵抗変化率（４．２Ｋにおい
て）が観測されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記Ｆｅ／Ｃ
ｒ多層膜に十分な磁気抵抗変化を生じさせるためには、
８００ｋＡ／ｍもの高い磁界が必要であり、低い磁界で
動作する必要がある磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドに用
いることができないという問題がある。
【０００５】磁気記録の高密度化に伴い、再生用磁気ヘ
ッドに用いる磁気抵抗効果材料として、高い磁気抵抗効
果を示す材料が求められている。現在、使用されている
パーマロイの磁気抵抗変化率は３％であり、新材料はこ
れを上回る磁気抵抗変化率を有することが必要である。
最近、上述のような高磁気抵抗効果を示す多層膜が報告
されているが、軟磁気特性の優れたＮｉ−Ｆｅ系合金を
多層膜に用いても高い磁気抵抗変化率が得られないとい
う問題があった。
【０００６】本発明の目的は、上述の多層膜を用いた磁
気抵抗効果素子の問題の解決方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々の材
料および膜厚を有する磁性層、非磁性層を積層した多層
磁性膜を用いた磁気抵抗効果素子について鋭意研究を重
ねた結果、磁性層として面心立方格子構造を有するＮｉ
−Ｆｅ系合金を用い、上記磁性層の結晶の（１００）面
が基板と平行になるように配向させることにより、磁気
抵抗変化率が高くなることを見出し、本発明を完成する
に至った。
【０００８】すなわち、非磁性層を積層した多層膜を用
いた磁気抵抗効果素子において、磁性層として面心立方
格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金を用い、上記磁性層
の結晶の（１００）面が基板と平行になるように配向さ
せることにより高い磁気抵抗変化率が得られる。また、
上記磁性層の結晶の（１００）面配向は完全である必要
はなく、上記磁性層の結晶の（２００）面によるＸ線回
折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面によるＸ線回折強度
Ｉ111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）≧０．
４であれば、高い磁気抵抗効果が得られる。
【０００９】また、上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金層の一層当り
の膜厚を２．５〜５ｎｍとすることにより、低い飽和磁
界と高い磁気抵抗効果を同時に得ることができる。
【００１０】また、上記多層磁気抵抗効果膜は、磁気抵
抗効果素子、磁界センサ、磁気ヘッドなどに好適であ
る。また、上記磁気ヘッドを用いることにより、高性能
磁気記録再生装置を得ることができる。
【００１１】
【作用】上述のように、非磁性層を積層した多層膜を用
いた磁気抵抗効果素子において、磁性層として面心立方
格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金を用い、上記磁性層
の結晶の（１００）面が基板と平行になるように配向さ
せることにより、（１１１）面が基板と平行になるよう
に配向した多層膜より高い磁気抵抗変化率が得られる。
また、上記磁性層の結晶の（１００）面配向は完全であ
る必要はなく、上記磁性層の結晶の（２００）面による
Ｘ線回折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面によるＸ線回
折強度Ｉ111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）
≧０．４であれば、高い磁気抵抗効果が得られる。ま
た、上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金層の一層当りの膜厚を２．５
〜５ｎｍとすることにより、低い飽和磁界と高い磁気抵
抗効果を同時に得ることができる。また、上記多層磁気
抵抗効果膜は、磁気抵抗効果素子、磁界センサ、磁気ヘ
ッドなどに好適である。また、上記磁気ヘッドを用いる
ことにより、高性能磁気記録再生装置を得ることができ
る。
【００１２】
【実施例】以下に本発明の一実施例を挙げ、図表を参照
しながらさらに具体的に説明する。〔実施例１〕 多層膜の作製にはイオンビームスパッタリング法を用い
た。到達真空度は、３／１０5Ｐａ、スパッタリング時
のＡｒ圧力は２／１０2Ｐａである。また、膜形成速度
は、０．１〜０．２ｎｍ／ｓである。基板にはＳｉ（１
００）単結晶を用いた。形成した多層膜の断面構造を図
２に示す。本実施例では、この図の磁性層１１として、
膜厚１．０ｎｍのＮｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。
また、非磁性層としてはＣｕを用いた。積層数は２０周
期である。また、バッファ層１３は膜厚５ｎｍのＦｅで
ある。Ｆｅは基板面に対し、結晶の（１１０）面が平行
になるように配向していた。
【００１３】Ｃｕ膜厚と磁気抵抗変化率との関係を図３
に示す。同図のように、Ｃｕ膜厚により磁気抵抗変化率
が振動する。この振動における磁気抵抗変化率の高い試
料および磁気抵抗変化率の低い試料のＸ線回折プロファ
イルを図４に示す。図３及び図４のように、Ｎｉ−Ｆｅ
系合金およびＣｕ層の結晶の（１１１）面が基板と平行
に配向している多層膜は磁気抵抗変化率が低い。また、
Ｎｉ−Ｆｅ系合金およびＣｕ層の結晶の（２００）回折
強度が強く、（１００）面が基板と平行に配向している
多層膜は磁気抵抗変化率が高くなる。
【００１４】このことから、配向性の違いにより磁気抵
抗変化率が異なり、Ｎｉ−Ｆｅ系合金およびＣｕ層の結
晶の（１００）面を基板と平行に配向させることによ
り、磁気抵抗変化率が増加することが明らかになった。
【００１５】Ｃｏ／Ｃｕ多層膜において、Egelhoff, J
r.らによる、1992年国際磁気学会予原集(Digests of th
e Intermag Conference,1992)FB-02ページに記載の「Cu
(111)及びCu(100)上に形成したFe/Cu/Fe及びCo/Cu/Co多
層膜における反強磁性的結合」（Antiferromagnetic Co
upling in Fe/Cu/Fe and Co/Cu/Co Multilayers on Cu
(111) and Cu(100)）のように、Cu(100)面上にＣｏ／Ｃ
ｕ多層膜を形成すると高い磁気抵抗変化率が得られるこ
とが明らかになっている。しかし、Ｃｏ層は軟磁性材料
ではなく、磁気ヘッド等に用いるには好ましくない。
【００１６】さらに、本実施例の多層膜の結晶の（２０
０）面によるＸ線回折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面
によるＸ線回折強度Ｉ111の強度の関係について調べ
た。結果を図１に示す。この図のように、Ｉ200／（Ｉ
111＋Ｉ200）の値が０．４以上の時に、磁気抵抗変化率
が５％以上になる。従って、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）
の値は０．４以上が好ましい。また、Ｉ200／（Ｉ111＋
Ｉ200）の値を０．８以上にすると、１０％以上の磁気
抵抗変化率を得ることができる。
【００１７】また、Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金以外のＮ
ｉ−Ｆｅ系合金を磁性層として用いた多層膜において
も、上記と同様に、（１００）面配向させることによ
り、（１１１）面配向の多層膜よりも高い磁気抵抗変化
率が得られた。また、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）の値が
０．４以上の時に、比較的高い磁気抵抗変化率が得られ
た。より、好ましくは、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）の値
は０．８以上が良い。また、Ｎｉ−Ｆｅ系合金のＦｅの
濃度は、結晶磁気異方性および薄膜磁歪の値を零近傍に
するために、１０〜３０ａｔ％が好ましい。
【００１８】また、本実施例では、非磁性層としてＣｕ
を用いた場合について述べたが、非磁性層として他の材
料を用いても、磁性層を（１００）面配向させることに
より、高い磁気抵抗変化率を示す多層膜を得ることがで
きる。
【００１９】また、本実施例では、バッファ層としてＦ
ｅを用いたが、Ｎｉ−Ｆｅ層が（１００）配向できれ
ば、どのような材料でも良い。
【００２０】また、磁気抵抗効果曲線が左右対称である
場合には、あらかじめ、多層磁気抵抗効果膜の磁界検出
方向ににバイアス磁界を印加する機構を備えておけば、
磁界の正負を判断できる磁気抵抗効果素子を得ることが
できる。
【００２１】また、磁気抵抗効果曲線にバルクハウゼン
ノイズが生じる場合は、多層磁気抵抗効果膜の磁界検出
方向と直角の方向にバイアス磁界を印加する機構を設け
ることが、バルクハウゼンノイズの抑止に効果がある。
多層膜では、各磁性層に均一にバイアス磁界を印加する
ことが好ましいため、バイアス磁界印加には永久磁石層
を用いることが好ましい。
【００２２】〔実施例２〕実施例１と同様の方法で多層
膜を形成した。本実施例では、図２の非磁性層１２とし
て膜厚１．０ｎｍのＣｕを用いた。磁性層１１としては
Ｎｉ−２０ａｔ％Ｆｅ合金を用いた。バッファ層１３に
は膜厚５ｎｍのＦｅを、基板１４にはＳｉ（１００）単
結晶を用いた。
【００２３】得られた試料について、Ｘ線回折プロファ
イルを測定したところ、Ｎｉ−Ｆｅ磁性層は（１００）
配向していた。
【００２４】図５にＮｉ−Ｆｅ膜厚による磁気抵抗変化
率４１および飽和磁界４２の変化を示す。この図のよう
に、Ｎｉ−Ｆｅ膜厚を０．８〜５ｎｍにすることによ
り、１０％以上の磁気抵抗変化率が得られる。また、Ｎ
ｉ−Ｆｅ膜厚を２．５ｎｍ以上にすることにより、６４
ｋＡ／ｍ（８００Ｏｅ）以下の飽和磁界が得られる。従
って、１０％以上の磁気抵抗変化率および６４ｋＡ／ｍ
（８００Ｏｅ）以下の飽和磁界を同時に得るためには、
Ｎｉ−Ｆｅ膜厚を２．５〜５ｎｍにすることが好まし
い。
【００２５】Ｎｉ−Ｆｅ系合金のＦｅの濃度は、結晶磁
気異方性および薄膜磁歪の値を零近傍にするために、１
０〜３０ａｔ％が好ましい。
【００２６】また、本実施例では、非磁性層としてＣｕ
を用いた場合について述べたが、非磁性層として他の材
料を用いても、磁性層を（１００）面配向させることに
より、本実施例と同様の結果を得ることができる。
【００２７】また、本実施例では、バッファ層としてＦ
ｅを用いたが、Ｎｉ−Ｆｅ層が（１００）配向できれ
ば、どのような材料でも良い。
【００２８】〔実施例３〕（１１１）配向した多層膜お
よび（１００）配向した多層膜を用いた磁気抵抗効果素
子を形成した。多層磁気抵抗効果膜の組成及び構造は実
施例１と同様である。図６に磁気抵抗効果素子の構造を
示す。磁気抵抗効果素子は、多層磁気抵抗効果膜２３お
よび電極２４をシールド層２１、２２で挟んだ構造を有
する。上記磁気抵抗効果素子に磁界を印加し、磁気抵抗
効果素子の電気抵抗率の変化を測定したところ、（１１
１）配向した多層磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗効果
素子ほとんど磁気抵抗変化率を示さなかった。また、
（１００）配向した多層磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵
抗効果素子は高い磁気抵抗変化率を示した。
【００２９】〔実施例４〕実施例３で述べた磁気抵抗効
果素子を用い、磁気ヘッドを作製した。磁気ヘッドの構
造を以下に示す。図７は、記録再生分離型ヘッドの一部
分を切断した場合の斜視図である。多層磁気抵抗効果膜
３１をシールド層３２、３３で挾んだ部分が再生ヘッド
として働き、コイル３４を挾む下部磁極３５、上部磁極
３６の部分が記録ヘッドとして働く。多層磁気抵抗効果
膜３１は実施例１に記載の多層膜からなる。Ｎｉ−Ｆｅ
磁性層の膜厚は４．０ｎｍ、Ｃｕ層の膜厚は１．０ｎｍ
とした。また、磁界検出方向のバイアス磁界印加のた
め、多層膜上にＴａからなる導体層３８を形成した。ま
た、電極３９には、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒという多層構造の
材料を用いた。
【００３０】以下にこのヘッドの作製方法を示す。
【００３１】Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣを主成分とする焼結体を
スライダ用の基板３７とした。シールド層、記録磁極に
はスパッタリング法で形成したＮｉ−Ｆｅ合金を用い
た。各磁性膜の膜厚は、以下のようにした。上下のシー
ルド層３２、３３は１．０μｍ、下部磁極３５、上部３
６は３．０μｍ、多層磁気抵抗効果膜全体の膜厚は約３
８ｎｍである。各層間のギャップ材としてはスパッタリ
ングで形成したＡｌ2Ｏ3を用いた。ギャップ層の膜厚
は、シールド層と磁気抵抗効果素子間で０．２μｍ、記
録磁極間では０．４μｍとした。さらに再生ヘッドと記
録ヘッドの間隔は約４μｍとし、このギャップもＡｌ2
Ｏ3で形成した。コイル３４には膜厚３μｍのＣｕを使
用した。
【００３２】以上述べた構造の磁気ヘッドで記録再生を
行ったところ、高い再生出力を得た。これは、本発明の
磁気ヘッドに高磁気抵抗効果を示す多層膜を用い、適切
なバイアス磁界を印加したためと考えられる。
【００３３】上記実施例ではバイアス法としてはシャン
トバイアス法を用いた場合を示したが、電流バイアス
法、永久磁石法、ソフトバイアス法、相互バイアス法な
ど別のバイアス法を使用しても同様な効果が得られる。
【００３４】ところで、磁気ヘッドが記録および再生能
力を同時に有している場合、基板に近い部分に記録用の
素子を形成すると、記録用素子の上部では、コイル、磁
極などの形成のために、大きな段差が生じる。この上
に、多層磁気抵抗効果膜を形成すると、段差の影響で多
層構造が乱れ、好ましくない。これに対し、図７のよう
に、基板に近い部分に再生用の磁気抵抗効果素子を形成
すると、比較的段差の少ない部分に磁気抵抗効果素子が
形成されるため、多層構造の乱れが生じにくい。これ
は、パーマロイ単層膜を用いた磁気抵抗効果素子とは本
質的に異なる現象である。
【００３５】以上の観点から、磁気ヘッドが記録および
再生能力を同時に有している場合、基板に近い部分に再
生用の磁気抵抗効果素子を形成することが好ましい。
【００３６】また、同じ観点から、記録用の素子と、再
生用の磁気抵抗効果素子を同じ基板における他の場所に
形成すると、段差の少ない部分に磁気抵抗効果素子を形
成できる。
【００３７】また、本発明の磁気抵抗効果素子は、磁気
ヘッド以外の磁界検出器にも用いることができる。
【００３８】また、さらに、上記磁気ヘッドを磁気記録
再生装置に用いることにより、高性能磁気記録再生装置
が得られる。
【００３９】
【発明の効果】上述のように、非磁性層を積層した多層
膜を用いた磁気抵抗効果素子において、磁性層として面
心立方格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金を用い、上記
磁性層の結晶の（１００）面が基板と平行になるように
配向させることにより、高い磁気抵抗変化率が得られ
る。さらに、上記多層磁気抵抗効果膜は、磁気抵抗効果
素子、磁界センサ、磁気ヘッドなどに好適である。ま
た、上記磁気ヘッドを用いることにより、高性能磁気記
録再生装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の多層磁気抵抗効果膜のＸ線回折強度比
と磁気抵抗変化率との関係を示すグラフである。
【図２】本発明の多層磁気抵抗効果膜の構造を示す断面
図である。
【図３】本発明の多層磁気抵抗効果膜におけるＣｕ膜厚
による磁気抵抗変化率の振動を示すグラフである。
【図４】本発明の多層磁気抵抗効果膜のＸ線回折プロフ
ァイルを示すグラフである。
【図５】本発明の（１００）面配向した多層膜のＮｉ−
Ｆｅ膜厚と磁気抵抗変化率および飽和磁界との関係を示
すグラフである。
【図６】本発明の多層磁気抵抗効果膜を用いた磁気抵抗
効果素子の構造を示す斜視図である。
【図７】本発明の磁気ヘッドの構造を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
１１…磁性層、１２…非磁性層、１３…バッファ層、１
４…基板、２１，２２…シールド層、２３…多層磁気抵
抗効果膜、２４…電極、３１…多層磁気抵抗効果膜、３
２，３３…シールド層、３４…コイル、３５…下部磁
極、３６…上部磁極、３７…基体、３８…導体層、３９
…電極、４１…磁気抵抗変化率、４２…飽和磁界。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を用い
    た多層磁気抵抗効果膜において、上記磁性層が面心立方
    格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金であり、上記磁性層
    の結晶の（１００）面が基板と平行になるように配向し
    ていることを特徴とする多層磁気抵抗効果膜。
  2. 【請求項２】上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金層の一層当りの膜厚
    が２．５〜５ｎｍであることを特徴とする請求項１記載
    の多層磁気抵抗効果膜。
  3. 【請求項３】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を用い
    た多層磁気抵抗効果膜において、上記磁性層が面心立方
    格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金であり、上記磁性層
    の結晶の（２００）面によるＸ線回折強度Ｉ200と結晶
    の（１１１）面によるＸ線回折強度Ｉ111の強度の関係
    が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）≧０．４であることを特
    徴とする多層磁気抵抗効果膜。
  4. 【請求項４】上記Ｎｉ−Ｆｅ系合金層の一層当りの膜厚
    が２．５〜５ｎｍであることを特徴とする請求項３記載
    の多層磁気抵抗効果膜。
  5. 【請求項５】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有す
    る磁気抵抗効果素子において、上記磁性層が面心立方格
    子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の
    結晶の（１００）面が基板と平行になるように配向して
    いる多層磁気抵抗効果膜を少なくとも一部に用いたこと
    を特徴とする磁気抵抗効果素子。
  6. 【請求項６】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有す
    る磁気抵抗効果素子において、上記磁性層が面心立方格
    子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の
    結晶の（２００）面によるＸ線回折強度Ｉ200と結晶の
    （１１１）面によるＸ線回折強度Ｉ111の強度の関係
    が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）≧０．４である多層磁気
    抵抗効果膜を少なくとも一部に用いたことを特徴とする
    磁気抵抗効果素子。
  7. 【請求項７】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有す
    る磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、上記
    磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金で
    あり、上記磁性層の結晶の（１００）面が基板と平行に
    なるように配向している多層磁気抵抗効果膜を少なくと
    も一部に用いた磁気抵抗効果素子を少なくとも一部に用
    いたことを特徴とする磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有す
    る磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、上記
    磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金で
    あり、上記磁性層の結晶の（２００）面によるＸ線回折
    強度Ｉ200と結晶の（１１１）面によるＸ線回折強度Ｉ
    111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）≧０．４
    である多層磁気抵抗効果膜を少なくとも一部に用いた磁
    気抵抗効果素子を少なくとも一部に用いたことを特徴と
    する磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有す
    る磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、上記
    磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金で
    あり、上記磁性層の結晶の（１００）面が基板と平行に
    なるように配向していることを特徴とする多層磁気抵抗
    効果膜を少なくとも一部に用いた磁気抵抗効果素子と誘
    導型磁気ヘッドを組み合わせたことを特徴とする複合型
    磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有
    する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドにおいて、上
    記磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ−Ｆｅ系合金
    であり、上記磁性層の結晶の（２００）面によるＸ線回
    折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面によるＸ線回折強度
    Ｉ111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋Ｉ200）≧０．
    ４である多層磁気抵抗効果膜を少なくとも一部に用いた
    磁気抵抗効果素子と誘導型磁気ヘッドを組み合わせたこ
    とを特徴とする複合型磁気ヘッド。
  11. 【請求項１１】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有
    する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを備えた装置
    において、上記磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ
    −Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の結晶の（１００）面
    が基板と平行になるように配向している多層磁気抵抗効
    果膜を少なくとも一部に用いた磁気抵抗効果素子を少な
    くとも一部に用いた磁気ヘッドを用いたことを特徴とす
    る磁気記録再生装置。
  12. 【請求項１２】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有
    する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを備えた装置
    において、上記磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ
    −Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の結晶の（２００）面
    によるＸ線回折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面による
    Ｘ線回折強度Ｉ111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋
    Ｉ200）≧０．４である多層磁気抵抗効果膜を少なくと
    も一部に用いた磁気抵抗効果素子を少なくとも一部に用
    いた磁気ヘッドを用いたことを特徴とする磁気記録再生
    装置。
  13. 【請求項１３】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有
    する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを備えた装置
    において、上記磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ
    −Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の結晶の（１００）面
    が基板と平行になるように配向していることを特徴とす
    る多層磁気抵抗効果膜を少なくとも一部に用いた磁気抵
    抗効果素子と誘導型磁気ヘッドを組み合わせた複合型磁
    気ヘッドを用いたことを特徴とする磁気記録再生装置。
  14. 【請求項１４】磁性層と非磁性層を積層した多層膜を有
    する磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを備えた装置
    において、上記磁性層が面心立方格子構造を有するＮｉ
    −Ｆｅ系合金であり、上記磁性層の結晶の（２００）面
    によるＸ線回折強度Ｉ200と結晶の（１１１）面による
    Ｘ線回折強度Ｉ111の強度の関係が、Ｉ200／（Ｉ111＋
    Ｉ200）≧０．４である多層磁気抵抗効果膜を少なくと
    も一部に用いた磁気抵抗効果素子と誘導型磁気ヘッドを
    組み合わせた複合型磁気ヘッドを用いたことを特徴とす
    る磁気記録再生装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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