JPH0661196A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0661196A JPH0661196A JP21153792A JP21153792A JPH0661196A JP H0661196 A JPH0661196 A JP H0661196A JP 21153792 A JP21153792 A JP 21153792A JP 21153792 A JP21153792 A JP 21153792A JP H0661196 A JPH0661196 A JP H0661196A
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- Japan
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- film layer
- interlayer insulating
- insulating film
- titanium nitride
- photoresist
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- Pending
Links
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 コンタクトのテーパーエッチングを行う際
に、フォトレジストの剥がれ、変形が生じてもパターニ
ング不良とならないようにする。 【構成】 層間絶縁膜層４とフォトレジスト６の間に窒
化チタン膜層５を設ける。フォトレジスト６をパターニ
ングした後、窒化チタン膜層５にコンタクト孔７１を開
け、その孔を利用して層間絶縁膜層４をウェットエッチ
ングして、コンタクトのテーパー部７２を形成する。
に、フォトレジストの剥がれ、変形が生じてもパターニ
ング不良とならないようにする。 【構成】 層間絶縁膜層４とフォトレジスト６の間に窒
化チタン膜層５を設ける。フォトレジスト６をパターニ
ングした後、窒化チタン膜層５にコンタクト孔７１を開
け、その孔を利用して層間絶縁膜層４をウェットエッチ
ングして、コンタクトのテーパー部７２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンタクト部のテーパ化を行うには、様
々な方法が考えられている。図１０は、従来の技術の実
施例であるが、まず、層間絶縁膜４上に、フォトレジス
ト６を塗布し、レジストパターニングを行い、ウェット
エッチングにより、コンタクトのテーパエッチングを行
い、ドライエッチングによりコンタクト孔を開けてい
た。
々な方法が考えられている。図１０は、従来の技術の実
施例であるが、まず、層間絶縁膜４上に、フォトレジス
ト６を塗布し、レジストパターニングを行い、ウェット
エッチングにより、コンタクトのテーパエッチングを行
い、ドライエッチングによりコンタクト孔を開けてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】コンタクト部のテーパ
エッチングにおいて、レジストパターニング後にウェッ
トエッチングを行うとエッチング液により、コンタクト
孔を中心として、レジストが剥がれたり、変形したりす
ることがあり、パターニング不良となる。このパターニ
ング不良は、半導体集積回路の歩留りを落とす原因とな
るため、ウェットエッチングの際のレジスト剥がれ、変
形によるパターニング不良を防がなければならない。
エッチングにおいて、レジストパターニング後にウェッ
トエッチングを行うとエッチング液により、コンタクト
孔を中心として、レジストが剥がれたり、変形したりす
ることがあり、パターニング不良となる。このパターニ
ング不良は、半導体集積回路の歩留りを落とす原因とな
るため、ウェットエッチングの際のレジスト剥がれ、変
形によるパターニング不良を防がなければならない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明が採用した半導体装置の製造方法に関する主
たる手段は、層間絶縁膜層の上に、直接レジストを塗布
するのでなく、層間絶縁膜層の上に、まず窒化チタンの
層を設け、その後、フォトレジストを塗布する。次に、
レジストパターニングを行い、その後、ウェットエッチ
ング法により層間絶縁膜層のテーパエッチングを行う。
そして、ドライエッチング法により、コンタクト孔を開
ける。最後に、レジストと窒化チタン層を除去する。
に、本発明が採用した半導体装置の製造方法に関する主
たる手段は、層間絶縁膜層の上に、直接レジストを塗布
するのでなく、層間絶縁膜層の上に、まず窒化チタンの
層を設け、その後、フォトレジストを塗布する。次に、
レジストパターニングを行い、その後、ウェットエッチ
ング法により層間絶縁膜層のテーパエッチングを行う。
そして、ドライエッチング法により、コンタクト孔を開
ける。最後に、レジストと窒化チタン層を除去する。
【０００５】
【作用】上記のような方法によれば、コンタクト部のテ
ーパエッチング時のウェットエッチングで、レジストが
剥がれたり、変形しても、窒化チタンの層は変形するこ
とはないので、パターニング不良はなくなる。
ーパエッチング時のウェットエッチングで、レジストが
剥がれたり、変形しても、窒化チタンの層は変形するこ
とはないので、パターニング不良はなくなる。
【０００６】
【実施例】以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説
明する。図１〜図９は、本発明による半導体装置の製造
方法の工程順断面図である。最初に、図１に示すように
半導体基板１には、ゲート２、ソース・ドレイン拡散層
３等が形成されている。また、それらは層間絶縁膜層４
で覆われている。ここで層間絶縁膜層４の成分として
は、ＰＳＧ (Phospho Silicate Glass) 、ＢＰＳＧ (Bo
ron Phospho Silicate Glass) 、ＳＯＧ(Spin On Glas
s) 等の酸化膜、あるいはシリコン窒化膜などが考えら
れる。
明する。図１〜図９は、本発明による半導体装置の製造
方法の工程順断面図である。最初に、図１に示すように
半導体基板１には、ゲート２、ソース・ドレイン拡散層
３等が形成されている。また、それらは層間絶縁膜層４
で覆われている。ここで層間絶縁膜層４の成分として
は、ＰＳＧ (Phospho Silicate Glass) 、ＢＰＳＧ (Bo
ron Phospho Silicate Glass) 、ＳＯＧ(Spin On Glas
s) 等の酸化膜、あるいはシリコン窒化膜などが考えら
れる。
【０００７】次に、図２に示すように層間絶縁膜４の上
に窒化チタン（ＴｉＮｘ）膜層５を形成する。ここで窒
化チタンの形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）
法あるいはスパッタリング法を用いる。次に、図３に示
すように窒化チタン膜層５の上にフォトレジスト６を塗
布する。
に窒化チタン（ＴｉＮｘ）膜層５を形成する。ここで窒
化チタンの形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）
法あるいはスパッタリング法を用いる。次に、図３に示
すように窒化チタン膜層５の上にフォトレジスト６を塗
布する。
【０００８】次に、図４に示すように層間絶縁膜層４に
コンタクト孔７１を形成するために、フォトレジスト６
をパターニングする。次に、図５に示すようにＣＦ4 等
を用いたドライエッチング法により、窒化チタン膜層５
にコンタクト孔７１を形成する。この時、エッチングの
ストッパーとして層間絶縁膜層４を利用する。なお、層
間絶縁膜層４は、多少オーバーエッチングされてもかま
わない。
コンタクト孔７１を形成するために、フォトレジスト６
をパターニングする。次に、図５に示すようにＣＦ4 等
を用いたドライエッチング法により、窒化チタン膜層５
にコンタクト孔７１を形成する。この時、エッチングの
ストッパーとして層間絶縁膜層４を利用する。なお、層
間絶縁膜層４は、多少オーバーエッチングされてもかま
わない。
【０００９】次に、図６に示すようにコンタクトのテー
パ部７２を形成するために、層間絶縁膜層４をウェット
エッチングする。エッチング液としては、フォトレジス
ト６及び窒化チタン５がエッチングされず、かつ、層間
絶縁膜層５だけがエッチングされる液を用いる。
パ部７２を形成するために、層間絶縁膜層４をウェット
エッチングする。エッチング液としては、フォトレジス
ト６及び窒化チタン５がエッチングされず、かつ、層間
絶縁膜層５だけがエッチングされる液を用いる。
【００１０】次に、図７に示すようにドライエッチング
により、層間絶縁膜層４にコンタクト孔７１を開ける。
この時、コンタクト孔７１は拡散層３まで達するものと
し、また、拡散層３を多少オーバーエッチングしてもか
まわない。次に、図８に示すようにレジスト６を剥離す
る。この時、レジスト６の剥離方法としては、Ｏ2 プラ
ズマ中で灰化する方法（アッシング法）や、酸性水溶液
で溶かす方法や、有機溶剤で溶かす方法などがあるが、
その方法については本発明では問わない。
により、層間絶縁膜層４にコンタクト孔７１を開ける。
この時、コンタクト孔７１は拡散層３まで達するものと
し、また、拡散層３を多少オーバーエッチングしてもか
まわない。次に、図８に示すようにレジスト６を剥離す
る。この時、レジスト６の剥離方法としては、Ｏ2 プラ
ズマ中で灰化する方法（アッシング法）や、酸性水溶液
で溶かす方法や、有機溶剤で溶かす方法などがあるが、
その方法については本発明では問わない。
【００１１】次に、図９に示すように窒化チタン膜層５
を除去する。窒化チタン膜層５を除去する方法として
は、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法
で除去する。ドライエッチングのエッチングガスとして
は、ＣＦ4 などが考えられる。また、ウェットエッチン
グのエッチング液としては、以下の液が考えられる。
を除去する。窒化チタン膜層５を除去する方法として
は、ドライエッチング法あるいはウェットエッチング法
で除去する。ドライエッチングのエッチングガスとして
は、ＣＦ4 などが考えられる。また、ウェットエッチン
グのエッチング液としては、以下の液が考えられる。
【００１２】１）Ｈ2 Ｏ2 ＋ＥＤＴＡ（エチレンジアミ
ン四酢酸） ２）Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋ＮＨ4 ＯＨ＋ＥＤＴＡ ４Ｎａ
塩 ３）ＨＣｌ＋ＨＮＯ3 ＋ＨＦ ４）ＨＮＯ3 ＋ＣＨ3 ＣＯＯＨ＋ＨＦ
ン四酢酸） ２）Ｈ2 Ｏ2 ＋Ｈ2 Ｏ＋ＮＨ4 ＯＨ＋ＥＤＴＡ ４Ｎａ
塩 ３）ＨＣｌ＋ＨＮＯ3 ＋ＨＦ ４）ＨＮＯ3 ＋ＣＨ3 ＣＯＯＨ＋ＨＦ
【００１３】
【発明の効果】上記のような方法によれば、コンタクト
部のテーパエッチングを行う時の、ウェットエッチング
によってレジストが剥がれたり変形しても、窒化チタン
膜層が変形しないので、パターニング不良を防ぐことが
できる。
部のテーパエッチングを行う時の、ウェットエッチング
によってレジストが剥がれたり変形しても、窒化チタン
膜層が変形しないので、パターニング不良を防ぐことが
できる。
【図１】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図９】本発明の半導体装置の製造工程断面図である。
【図１０】従来の技術による半導体装置の断面図であ
る。
る。
１ 半導体基板 ２ ゲート ３ ソース・ドレイン拡散層 ４ 層間絶縁膜（層） ５ 窒化チタン膜（層） ６ フォトレジスト ７１ コンタクト孔 ７２ コンタクトのテーパ部
Claims (1)
- 【請求項１】 シリコンデバイスの要素であるゲート及
びソース・ドレイン拡散層が形成され、それらが層間絶
縁膜で覆われている半導体基板上に窒化チタン膜層を形
成する工程と、前記窒化チタン膜層の上にフォトレジス
トを塗布する工程と、前記フォトレジストをパターニン
グする工程と、パターニングされた前記フォトレジスト
を利用して、窒化チタン膜層をドライエッチングする工
程と、前記層間絶縁膜層をウェットエッチングし、さら
にドライエッチングする工程と、前記フォトレジストと
窒化チタン膜層を除去する工程とを含むことを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21153792A JPH0661196A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21153792A JPH0661196A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661196A true JPH0661196A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16607499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21153792A Pending JPH0661196A (ja) | 1992-08-07 | 1992-08-07 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661196A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010273A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 窒化チタン除去液、窒化チタン被膜の除去方法、及び窒化チタン除去液の製造方法 |
-
1992
- 1992-08-07 JP JP21153792A patent/JPH0661196A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010010273A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 窒化チタン除去液、窒化チタン被膜の除去方法、及び窒化チタン除去液の製造方法 |
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