JPH0661280A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
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- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
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- Y10T156/17—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means
- Y10T156/1798—Surface bonding means and/or assemblymeans with work feeding or handling means with liquid adhesive or adhesive activator applying means
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- Coating Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、半導体素子に接着材料を非常に薄
く、且つ均一に塗布することにより、信頼性の高い薄型
化のパッケ−ジを形成する。 【構成】搬送レ−ル22の一方側にディスペンスユニット
24を設け、搬送レ−ル22の他方側にウェ−ハ25を設置し
ている。前記ディスペンスユニット24にチュ−ブ28の一
端を設け、このチュ−ブ28の他端にシリンジ27を設けて
いる。前記ディスペンスユニット24に第１および第２の
軸35,36 それぞれの基端を設け、これら第１および第２
の軸35,36 それぞれの先端にサテライトロ−ラ−31およ
び可動ロ−ラ−32を設けている。前記サテライトロ−ラ
−31および可動ロ−ラ−32を回転自在に形成し、前記可
動ロ−ラ−32は第２の矢印37の方向に移動自在となって
いる。前記ディスペンスユニット24に移動手段33を設け
ている。従って、半導体素子に接着材料を非常に薄く、
且つ均一に塗ることができる。
く、且つ均一に塗布することにより、信頼性の高い薄型
化のパッケ−ジを形成する。 【構成】搬送レ−ル22の一方側にディスペンスユニット
24を設け、搬送レ−ル22の他方側にウェ−ハ25を設置し
ている。前記ディスペンスユニット24にチュ−ブ28の一
端を設け、このチュ−ブ28の他端にシリンジ27を設けて
いる。前記ディスペンスユニット24に第１および第２の
軸35,36 それぞれの基端を設け、これら第１および第２
の軸35,36 それぞれの先端にサテライトロ−ラ−31およ
び可動ロ−ラ−32を設けている。前記サテライトロ−ラ
−31および可動ロ−ラ−32を回転自在に形成し、前記可
動ロ−ラ−32は第２の矢印37の方向に移動自在となって
いる。前記ディスペンスユニット24に移動手段33を設け
ている。従って、半導体素子に接着材料を非常に薄く、
且つ均一に塗ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置の製造装
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムの上に半導体素子を接
着材料により固定する半導体装置の製造装置に関する。
置に係わり、特にリ−ドフレ−ムの上に半導体素子を接
着材料により固定する半導体装置の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７、図８および図９（ａ）乃至図９
（ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法において半導体
素子をリ−ドフレ−ムの上に載置する工程を示すもので
ある。リ−ドフレ−ム１を搬送するための搬送レ−ル２
には接着材料塗布部１０が設けられている。前記搬送レ
−ル２の一方側にはディスペンスユニット３が設けられ
ており、前記搬送レ−ル２の他方側には複数の半導体素
子４ａを有するウェ−ハ４が設置されている。前記ディ
スペンスユニット３にはノズル１１を有するシリンジ５
が設けられており、このシリンジ５は第１の矢印７の方
向に移動自在に形成されている。また、前記ディスペン
スユニット３には移動手段８の基端が設けられており、
この移動手段８の先端は前記搬送レ−ル２の他方側に延
出している。前記移動手段８の先端にはピックアップヘ
ッド６が取り付けられている。
（ｃ）は、従来の半導体装置の製造方法において半導体
素子をリ−ドフレ−ムの上に載置する工程を示すもので
ある。リ−ドフレ−ム１を搬送するための搬送レ−ル２
には接着材料塗布部１０が設けられている。前記搬送レ
−ル２の一方側にはディスペンスユニット３が設けられ
ており、前記搬送レ−ル２の他方側には複数の半導体素
子４ａを有するウェ−ハ４が設置されている。前記ディ
スペンスユニット３にはノズル１１を有するシリンジ５
が設けられており、このシリンジ５は第１の矢印７の方
向に移動自在に形成されている。また、前記ディスペン
スユニット３には移動手段８の基端が設けられており、
この移動手段８の先端は前記搬送レ−ル２の他方側に延
出している。前記移動手段８の先端にはピックアップヘ
ッド６が取り付けられている。
【０００３】上記構成において、図７に示すように、リ
−ドフレ−ム１は搬送レ−ル２により第２の矢印９の方
向に搬送され、接着材料塗布部１０に送られる。この
後、前記ディスペンスユニット３から接着材料１２がシ
リンジ５に供給され、この接着材料１２はノズル１１に
より図９（ａ）に示すリ−ドフレ−ム１の半導体素子載
置部１ａに図９（ｂ）に示すように数箇所滴下される。
−ドフレ−ム１は搬送レ−ル２により第２の矢印９の方
向に搬送され、接着材料塗布部１０に送られる。この
後、前記ディスペンスユニット３から接着材料１２がシ
リンジ５に供給され、この接着材料１２はノズル１１に
より図９（ａ）に示すリ−ドフレ−ム１の半導体素子載
置部１ａに図９（ｂ）に示すように数箇所滴下される。
【０００４】次に、図８に示すように、前記ウェ−ハ４
における半導体素子４ａはピックアップヘッド６の図示
せぬ吸着パッドにより吸着される。この後、この半導体
素子４ａを吸着しているピックアップヘッド６は、前記
移動手段８が回転軸８ａを中心として特定の角度で回転
されることにより前記塗布された接着材料１２の上に移
動される。次に、この接着材料１２が塗布されている半
導体素子載置部１ａに半導体素子４ａが押し付けられ、
図９（ｃ）に示すように、半導体素子４ａは前記接着材
料１２により半導体素子載置部１ａと接着される。この
後、ワイヤボンディング工程が行われる。次に、パッケ
−ジ成形工程が行われる。
における半導体素子４ａはピックアップヘッド６の図示
せぬ吸着パッドにより吸着される。この後、この半導体
素子４ａを吸着しているピックアップヘッド６は、前記
移動手段８が回転軸８ａを中心として特定の角度で回転
されることにより前記塗布された接着材料１２の上に移
動される。次に、この接着材料１２が塗布されている半
導体素子載置部１ａに半導体素子４ａが押し付けられ、
図９（ｃ）に示すように、半導体素子４ａは前記接着材
料１２により半導体素子載置部１ａと接着される。この
後、ワイヤボンディング工程が行われる。次に、パッケ
−ジ成形工程が行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
半導体装置の製造装置においては、半導体素子載置部１
ａの上に接着材料１２がノズル１１により塗布されてい
るため、この塗布された接着材料１２の厚さにばらつき
が生じる。この際、前記接着材料１２の厚さが厚くなる
ことがある。この結果、パッケ−ジを薄型化する場合、
前記接着材料１２の厚さがパッケ−ジの薄型化を妨げる
原因となる。
半導体装置の製造装置においては、半導体素子載置部１
ａの上に接着材料１２がノズル１１により塗布されてい
るため、この塗布された接着材料１２の厚さにばらつき
が生じる。この際、前記接着材料１２の厚さが厚くなる
ことがある。この結果、パッケ−ジを薄型化する場合、
前記接着材料１２の厚さがパッケ−ジの薄型化を妨げる
原因となる。
【０００６】また、上記従来の半導体装置の製造装置で
は、接着材料１２はノズル１１により数箇所滴下されて
いるため、前記接着材料１２は半導体素子載置部１ａの
全面には充分に行きわたらない。すなわち、半導体素子
載置部１ａにおける接着材料１２のぬれ性が悪い。この
結果、半導体素子載置部１ａに半導体素子４ａを接着材
料１２により接着すると、前記半導体素子載置部１ａと
半導体素子４ａとの間には空気層が生ずる。これによ
り、例えばＰＣＴ（Pressure Cooker Test）等の信頼性
試験の際、前記空気層に水分が溜まり、半導体装置の信
頼性が劣化する。
は、接着材料１２はノズル１１により数箇所滴下されて
いるため、前記接着材料１２は半導体素子載置部１ａの
全面には充分に行きわたらない。すなわち、半導体素子
載置部１ａにおける接着材料１２のぬれ性が悪い。この
結果、半導体素子載置部１ａに半導体素子４ａを接着材
料１２により接着すると、前記半導体素子載置部１ａと
半導体素子４ａとの間には空気層が生ずる。これによ
り、例えばＰＣＴ（Pressure Cooker Test）等の信頼性
試験の際、前記空気層に水分が溜まり、半導体装置の信
頼性が劣化する。
【０００７】また、前記接着材料１２が半導体素子４ａ
とリ−ドフレ−ム１との間を絶縁する絶縁層として設け
られている場合、前記空気層が形成されることにより、
前記半導体素子４ａとリ−ドフレ−ム１との間に電気的
なリ−クが起こることがある。
とリ−ドフレ−ム１との間を絶縁する絶縁層として設け
られている場合、前記空気層が形成されることにより、
前記半導体素子４ａとリ−ドフレ−ム１との間に電気的
なリ−クが起こることがある。
【０００８】この発明は上記のような事情を考慮してな
されたものであり、その目的は、半導体素子に接着材料
を非常に薄く、且つ均一に塗布することにより、信頼性
の高い薄型化のパッケ−ジを形成できる半導体装置の製
造装置を提供することにある。
されたものであり、その目的は、半導体素子に接着材料
を非常に薄く、且つ均一に塗布することにより、信頼性
の高い薄型化のパッケ−ジを形成できる半導体装置の製
造装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第１のロ−ラ−と、前記第１のロ
−ラ−と近設され、回転自在に設けられた第２のロ−ラ
−と、前記第２のロ−ラ−の表面上に薄く均一に延ばさ
れた前記接着材料が裏面に薄く均一に塗布され、リ−ド
フレ−ム上に接着される半導体素子を移動させる移動手
段とを具備することを特徴としている。また、前記第１
のロ−ラ−は、複数の場合には互いに近設されているこ
とを特徴としている。
解決するため、接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第１のロ−ラ−と、前記第１のロ
−ラ−と近設され、回転自在に設けられた第２のロ−ラ
−と、前記第２のロ−ラ−の表面上に薄く均一に延ばさ
れた前記接着材料が裏面に薄く均一に塗布され、リ−ド
フレ−ム上に接着される半導体素子を移動させる移動手
段とを具備することを特徴としている。また、前記第１
のロ−ラ−は、複数の場合には互いに近設されているこ
とを特徴としている。
【００１０】
【作用】この発明は、回転自在の第１のロ−ラ−を設
け、この第１のロ−ラ−と近設された第２のロ−ラ−を
設けている。このため、前記第１のロ−ラ−に接着材料
を滴下させ、前記第１のロ−ラ−とともに第２のロ−ラ
−を回転させることにより、前記第１のロ−ラ−の表面
上の前記接着材料が前記第２のロ−ラ−の表面上につた
わり、前記接着材料を前記第２のロ−ラ−の表面上に薄
く均一に延ばすことができる。前記接着材料が表面上に
薄く均一に延ばされた第２のロ−ラ−を回転させて、半
導体素子の裏面全体に前記接着材料を薄く均一に塗布し
ている。この結果、前記半導体素子をリ−ドフレ−ム上
に接着すると、前記接着材料の厚さを薄くでき、且つ前
記半導体素子と前記リ−ドフレ−ムとの間に前記接着材
料が充分にいきわたっているため、パッケ−ジの厚さを
薄くすることができ、信頼性を向上させることができ
る。また、前記第１のロ−ラ−が複数の場合、前記第１
のロ−ラ−は互いに近設されているため、前記複数の第
１のロ−ラ−のうちの一つのロ−ラ−に前記接着材料が
滴下されると、前記第１のロ−ラ−の回転により隣りの
ロ−ラ−に順番に前記接着材料がつたわる。
け、この第１のロ−ラ−と近設された第２のロ−ラ−を
設けている。このため、前記第１のロ−ラ−に接着材料
を滴下させ、前記第１のロ−ラ−とともに第２のロ−ラ
−を回転させることにより、前記第１のロ−ラ−の表面
上の前記接着材料が前記第２のロ−ラ−の表面上につた
わり、前記接着材料を前記第２のロ−ラ−の表面上に薄
く均一に延ばすことができる。前記接着材料が表面上に
薄く均一に延ばされた第２のロ−ラ−を回転させて、半
導体素子の裏面全体に前記接着材料を薄く均一に塗布し
ている。この結果、前記半導体素子をリ−ドフレ−ム上
に接着すると、前記接着材料の厚さを薄くでき、且つ前
記半導体素子と前記リ−ドフレ−ムとの間に前記接着材
料が充分にいきわたっているため、パッケ−ジの厚さを
薄くすることができ、信頼性を向上させることができ
る。また、前記第１のロ−ラ−が複数の場合、前記第１
のロ−ラ−は互いに近設されているため、前記複数の第
１のロ−ラ−のうちの一つのロ−ラ−に前記接着材料が
滴下されると、前記第１のロ−ラ−の回転により隣りの
ロ−ラ−に順番に前記接着材料がつたわる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明を実施例によ
り説明する。
り説明する。
【００１２】図１乃至図４は、この発明の第１の実施例
による半導体装置の製造方法を示すものであり、図１お
よび図３は、半導体装置の製造装置を示す斜視図であ
り、図２および図４は、半導体装置の製造装置における
要部を示す斜視図である。図１および図３に示すよう
に、リ−ドフレ−ム２１を搬送するための搬送レ−ル２
２には接着材料塗布部２３が設けられている。前記搬送
レ−ル２２の一方側にはディスペンスユニット２４が設
けられており、前記搬送レ−ル２２の他方側には複数の
半導体素子２５ａを有するウェ−ハ２５が設置されてい
る。
による半導体装置の製造方法を示すものであり、図１お
よび図３は、半導体装置の製造装置を示す斜視図であ
り、図２および図４は、半導体装置の製造装置における
要部を示す斜視図である。図１および図３に示すよう
に、リ−ドフレ−ム２１を搬送するための搬送レ−ル２
２には接着材料塗布部２３が設けられている。前記搬送
レ−ル２２の一方側にはディスペンスユニット２４が設
けられており、前記搬送レ−ル２２の他方側には複数の
半導体素子２５ａを有するウェ−ハ２５が設置されてい
る。
【００１３】前記ディスペンスユニット２４には接着材
料３８を供給するためのチュ−ブ２８の一端が設けられ
ており、このチュ−ブ２８の他端にはノズル２６を有す
るシリンジ２７が設けられている。このシリンジ２７は
第１の矢印２９の方向に移動自在に形成されている。
料３８を供給するためのチュ−ブ２８の一端が設けられ
ており、このチュ−ブ２８の他端にはノズル２６を有す
るシリンジ２７が設けられている。このシリンジ２７は
第１の矢印２９の方向に移動自在に形成されている。
【００１４】前記ディスペンスユニット２４には第１お
よび第２の軸３５、３６それぞれの基端が設けられてお
り、これら第１および第２の軸３５、３６それぞれの先
端にはサテライトロ−ラ−３１および可動ロ−ラ−３２
が設けられている。前記可動ロ−ラ−３２はサテライト
ロ−ラ−３１と並設されている。前記サテライトロ−ラ
−３１および可動ロ−ラ−３２は回転自在に形成されて
おり、前記可動ロ−ラ−３２は第２の矢印３７の方向に
移動自在となっている。
よび第２の軸３５、３６それぞれの基端が設けられてお
り、これら第１および第２の軸３５、３６それぞれの先
端にはサテライトロ−ラ−３１および可動ロ−ラ−３２
が設けられている。前記可動ロ−ラ−３２はサテライト
ロ−ラ−３１と並設されている。前記サテライトロ−ラ
−３１および可動ロ−ラ−３２は回転自在に形成されて
おり、前記可動ロ−ラ−３２は第２の矢印３７の方向に
移動自在となっている。
【００１５】前記ディスペンスユニット２４には移動手
段３３の基端が設けられており、この移動手段３３の先
端は前記搬送レ−ル２２の他方側に延出している。前記
移動手段３３には搬送レ−ル２２の上方に位置する第３
の軸３３ａが設けられている。前記移動手段３３の先端
にはピックアップヘッド３４が取り付けられており、こ
のピックアップヘッド３４には図示せぬ吸着手段が設け
られている。
段３３の基端が設けられており、この移動手段３３の先
端は前記搬送レ−ル２２の他方側に延出している。前記
移動手段３３には搬送レ−ル２２の上方に位置する第３
の軸３３ａが設けられている。前記移動手段３３の先端
にはピックアップヘッド３４が取り付けられており、こ
のピックアップヘッド３４には図示せぬ吸着手段が設け
られている。
【００１６】上記構成において、図１に示すように、半
導体素子載置部２１ａを有するリ−ドフレ−ム２１は搬
送レ−ル２２により第３の矢印４０の方向に搬送され、
接着材料塗布部２３に送られる。次に、図示せぬモ−タ
によって第２の軸３６を回転させることにより可動ロ−
ラ−３２が第５の矢印４２の方向に回転される。これに
より、この可動ロ−ラ−３２と接しているサテライトロ
−ラ−３１は第４の矢印４１の方向に回転される。尚、
サテライトロ−ラ−３１が可動ロ−ラ−３２と接してい
るかは、前記サテライトロ−ラ−３１および前記可動ロ
−ラ−３２それぞれの表面の状態と接着材料３８の粘性
とにより決められるものであり、前記サテライトロ−ラ
−３１は前記可動ロ−ラ−３２と離れていても良い。
導体素子載置部２１ａを有するリ−ドフレ−ム２１は搬
送レ−ル２２により第３の矢印４０の方向に搬送され、
接着材料塗布部２３に送られる。次に、図示せぬモ−タ
によって第２の軸３６を回転させることにより可動ロ−
ラ−３２が第５の矢印４２の方向に回転される。これに
より、この可動ロ−ラ−３２と接しているサテライトロ
−ラ−３１は第４の矢印４１の方向に回転される。尚、
サテライトロ−ラ−３１が可動ロ−ラ−３２と接してい
るかは、前記サテライトロ−ラ−３１および前記可動ロ
−ラ−３２それぞれの表面の状態と接着材料３８の粘性
とにより決められるものであり、前記サテライトロ−ラ
−３１は前記可動ロ−ラ−３２と離れていても良い。
【００１７】この後、図２に示すように、前記ディスペ
ンスユニット２４から前記接着材料３８が供給されたシ
リンジ２７は下方に移動される。次に、前記接着材料３
８はノズル２６により第４の矢印４１の方向に回転して
いるサテライトロ−ラ−３１に滴下される。次に、この
滴下された図示せぬ接着材料は、サテライトロ−ラ−３
１および可動ロ−ラ−３２の回転により、可動ロ−ラ−
３２の表面に均一に延ばされる。前記ピックアップヘッ
ド３４には半導体素子２５ａを吸着するための吸着パッ
ド４３が設けられている。
ンスユニット２４から前記接着材料３８が供給されたシ
リンジ２７は下方に移動される。次に、前記接着材料３
８はノズル２６により第４の矢印４１の方向に回転して
いるサテライトロ−ラ−３１に滴下される。次に、この
滴下された図示せぬ接着材料は、サテライトロ−ラ−３
１および可動ロ−ラ−３２の回転により、可動ロ−ラ−
３２の表面に均一に延ばされる。前記ピックアップヘッ
ド３４には半導体素子２５ａを吸着するための吸着パッ
ド４３が設けられている。
【００１８】次に、図３に示すように、ウェ−ハ２５に
おける半導体素子２５ａはピックアップヘッド３４に設
けられた前記吸着パッド４３により吸着される。この
後、この半導体素子２５ａを吸着しているピックアップ
ヘッド３４は、移動手段３３が回転軸３３ａを中心とし
て特定の角度で回転されることによりリ−ドフレ−ム２
１の上方に移動される。次に、前記可動ロ−ラ−３２は
第２の矢印３７の方向に移動される。
おける半導体素子２５ａはピックアップヘッド３４に設
けられた前記吸着パッド４３により吸着される。この
後、この半導体素子２５ａを吸着しているピックアップ
ヘッド３４は、移動手段３３が回転軸３３ａを中心とし
て特定の角度で回転されることによりリ−ドフレ−ム２
１の上方に移動される。次に、前記可動ロ−ラ−３２は
第２の矢印３７の方向に移動される。
【００１９】この後、図４に示すように、可動ロ−ラ−
３２は前記吸着パッド４３に吸着されている半導体素子
２５ａの下に移動される。次に、この半導体素子２５ａ
の裏面には、前記可動ロ−ラ−３２が第５の矢印４２の
方向に回転することにより、可動ロ−ラ−３２の表面上
に延ばされた前記接着材料３８が均一に塗布される。こ
の後、可動ロ−ラ−３２は図１に示すサテライトロ−ラ
−３１と接する位置に移動される。次に、前記塗布され
た半導体素子２５ａは前記移動手段３３によりリ−ドフ
レ−ム２１の半導体素子載置部２１ａに押し付けられ
る。これにより、前記半導体素子２５ａは前記接着材料
３８により半導体素子載置部２１ａに接着される。
３２は前記吸着パッド４３に吸着されている半導体素子
２５ａの下に移動される。次に、この半導体素子２５ａ
の裏面には、前記可動ロ−ラ−３２が第５の矢印４２の
方向に回転することにより、可動ロ−ラ−３２の表面上
に延ばされた前記接着材料３８が均一に塗布される。こ
の後、可動ロ−ラ−３２は図１に示すサテライトロ−ラ
−３１と接する位置に移動される。次に、前記塗布され
た半導体素子２５ａは前記移動手段３３によりリ−ドフ
レ−ム２１の半導体素子載置部２１ａに押し付けられ
る。これにより、前記半導体素子２５ａは前記接着材料
３８により半導体素子載置部２１ａに接着される。
【００２０】上記第１の実施例によれば、ディスペンス
ユニット２４に第１および第２の軸３５、３６の基端を
設け、これら第１および第２の軸３５、３６の先端にサ
テライトロ−ラ−３１および可動ロ−ラ−３２を設けて
いる。このため、前記サテライトロ−ラ−３１に接着材
料３８を滴下し、前記サテライトロ−ラ−３１および可
動ロ−ラ−３２を回転させることにより、前記サテライ
トロ−ラ−３１の表面上の接着材料３８が可動ロ−ラ−
の表面上につたわり、前記可動ロ−ラ−３２の表面上に
前記接着材料３８を充分に薄く均一に延ばすことができ
る。この薄く均一に延ばされた接着材料３８が表面上に
形成された可動ロ−ラ−３２を回転させることによって
半導体素子２５ａの裏面に前記接着材料３８を塗布して
いる。この結果、前記半導体素子２５ａの裏面に前記接
着材料３８を非常に薄く、且つ前記裏面全体に均一にい
きわたるように、すなわちぬれ性が充分に良くなるよう
に塗布することができる。したがって、前記接着材料３
８の厚さにばらつきが発生することを防止でき、半導体
素子２５ａと半導体素子載置部２１ａとの間に空気層が
生ずることも防止することができる。このため、信頼性
の高い薄型化パッケ−ジを形成することができる。
ユニット２４に第１および第２の軸３５、３６の基端を
設け、これら第１および第２の軸３５、３６の先端にサ
テライトロ−ラ−３１および可動ロ−ラ−３２を設けて
いる。このため、前記サテライトロ−ラ−３１に接着材
料３８を滴下し、前記サテライトロ−ラ−３１および可
動ロ−ラ−３２を回転させることにより、前記サテライ
トロ−ラ−３１の表面上の接着材料３８が可動ロ−ラ−
の表面上につたわり、前記可動ロ−ラ−３２の表面上に
前記接着材料３８を充分に薄く均一に延ばすことができ
る。この薄く均一に延ばされた接着材料３８が表面上に
形成された可動ロ−ラ−３２を回転させることによって
半導体素子２５ａの裏面に前記接着材料３８を塗布して
いる。この結果、前記半導体素子２５ａの裏面に前記接
着材料３８を非常に薄く、且つ前記裏面全体に均一にい
きわたるように、すなわちぬれ性が充分に良くなるよう
に塗布することができる。したがって、前記接着材料３
８の厚さにばらつきが発生することを防止でき、半導体
素子２５ａと半導体素子載置部２１ａとの間に空気層が
生ずることも防止することができる。このため、信頼性
の高い薄型化パッケ−ジを形成することができる。
【００２１】図５は、この発明の第２の実施例による半
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
【００２２】図示せぬディスペンスユニットには図示せ
ぬ第１、第２および第３の軸それぞれの基端が設けられ
ており、これら第１、第２および第３の軸それぞれの先
端には第１、第２のサテライトロ−ラ−３１、４５およ
び可動ロ−ラ−３２が設けられている。
ぬ第１、第２および第３の軸それぞれの基端が設けられ
ており、これら第１、第２および第３の軸それぞれの先
端には第１、第２のサテライトロ−ラ−３１、４５およ
び可動ロ−ラ−３２が設けられている。
【００２３】上記第２の実施例においても第１の実施例
と同様の効果を得ることができ、しかも第１および第２
のサテライトロ−ラ−３１、４５を設けているため、さ
らに均一に接着材料を可動ロ−ラ−３２の表面上に延ば
すことができる。
と同様の効果を得ることができ、しかも第１および第２
のサテライトロ−ラ−３１、４５を設けているため、さ
らに均一に接着材料を可動ロ−ラ−３２の表面上に延ば
すことができる。
【００２４】図６は、この発明の第３の実施例による半
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
導体装置の製造装置における要部を示す斜視図であり、
図２と同一部分には同一符号を付し、異なる部分につい
てのみ説明する。
【００２５】図示せぬディスペンスユニットには図示せ
ぬ第１、第２、第３および第４の軸それぞれの基端が設
けられており、これら第１、第２、第３および第４の軸
それぞれの先端には第１、第２、第３のサテライトロ−
ラ−３１、４５、４６および可動ロ−ラ−３２が設けら
れている。上記第３の実施例においても第２の実施例と
同様の効果を得ることができる。尚、この発明の半導体
装置は上記の実施例に限定されることなく、サテライト
ロ−ラ−を四つ以上設けることも可能である。
ぬ第１、第２、第３および第４の軸それぞれの基端が設
けられており、これら第１、第２、第３および第４の軸
それぞれの先端には第１、第２、第３のサテライトロ−
ラ−３１、４５、４６および可動ロ−ラ−３２が設けら
れている。上記第３の実施例においても第２の実施例と
同様の効果を得ることができる。尚、この発明の半導体
装置は上記の実施例に限定されることなく、サテライト
ロ−ラ−を四つ以上設けることも可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したようにこの発明によれば、
回転自在の第１のロ−ラ−を設け、この第１のロ−ラ−
と近設された第２のロ−ラ−を設けている。したがっ
て、半導体素子に接着材料を非常に薄く、且つ均一に塗
布することができ、信頼性の高い薄型化のパッケ−ジを
形成することができる。
回転自在の第１のロ−ラ−を設け、この第１のロ−ラ−
と近設された第２のロ−ラ−を設けている。したがっ
て、半導体素子に接着材料を非常に薄く、且つ均一に塗
布することができ、信頼性の高い薄型化のパッケ−ジを
形成することができる。
【図１】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てサテライトロ−ラ−を回転させる工程を示す斜視図。
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てサテライトロ−ラ−を回転させる工程を示す斜視図。
【図２】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法においてサテライトロ−ラ−に接着材料を滴下す
る工程を示す斜視図。
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法においてサテライトロ−ラ−に接着材料を滴下す
る工程を示す斜視図。
【図３】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てピックアップヘッドにより半導体素子をピックアップ
する工程を示す斜視図。
造装置を示すものであり、半導体装置の製造方法におい
てピックアップヘッドにより半導体素子をピックアップ
する工程を示す斜視図。
【図４】この発明の第１の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法において半導体素子の裏面に接着材料を塗布する
工程を示す斜視図。
造装置における要部を示すものであり、半導体装置の製
造方法において半導体素子の裏面に接着材料を塗布する
工程を示す斜視図。
【図５】この発明の第２の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示す斜視図。
造装置における要部を示す斜視図。
【図６】この発明の第３の実施例による半導体装置の製
造装置における要部を示す斜視図。
造装置における要部を示す斜視図。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示すものであ
り、半導体素子載置部に接着材料を塗布する工程を示す
斜視図。
り、半導体素子載置部に接着材料を塗布する工程を示す
斜視図。
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示すものであ
り、半導体素子載置部の上に半導体素子を接着材料によ
って接着する工程を示す斜視図。
り、半導体素子載置部の上に半導体素子を接着材料によ
って接着する工程を示す斜視図。
【図９】図９（ａ）乃至図９（ｃ）は、従来の半導体装
置の製造方法を示すものであり、図９（ａ）は、リ−ド
フレ−ムを示す斜視図、図９（ｂ）は、半導体素子載置
部の上に接着材料を塗布する工程を示すリ−ドフレ−ム
の斜視図、図９（ｃ）は、半導体素子載置部の上に接着
材料により半導体素子を接着する工程を示すリ−ドフレ
−ムの斜視図。
置の製造方法を示すものであり、図９（ａ）は、リ−ド
フレ−ムを示す斜視図、図９（ｂ）は、半導体素子載置
部の上に接着材料を塗布する工程を示すリ−ドフレ−ム
の斜視図、図９（ｃ）は、半導体素子載置部の上に接着
材料により半導体素子を接着する工程を示すリ−ドフレ
−ムの斜視図。
21…リ−ドフレ−ム、21a …半導体素子載置部、22…搬
送レ−ル、23…接着材料塗布部、24…ディスペンスユニ
ット、25…ウェ−ハ、25a …半導体素子、26…ノズル、
27…シリンジ、28…チュ−ブ、29…第１の矢印、31…サ
テライトロ−ラ−（第１のサテライトロ−ラ−）、32…
可動ロ−ラ−、33…移動手段、33a …第３の軸、34…ピ
ックアップヘッド、35…第１の軸、36…第２の軸、37…
第２の矢印、38…接着材料、40…第３の矢印、41…第４
の矢印、42…第５の矢印、43…吸着パッド、45…第２の
サテライトロ−ラ−、46…第３のサテライトロ−ラ−
送レ−ル、23…接着材料塗布部、24…ディスペンスユニ
ット、25…ウェ−ハ、25a …半導体素子、26…ノズル、
27…シリンジ、28…チュ−ブ、29…第１の矢印、31…サ
テライトロ−ラ−（第１のサテライトロ−ラ−）、32…
可動ロ−ラ−、33…移動手段、33a …第３の軸、34…ピ
ックアップヘッド、35…第１の軸、36…第２の軸、37…
第２の矢印、38…接着材料、40…第３の矢印、41…第４
の矢印、42…第５の矢印、43…吸着パッド、45…第２の
サテライトロ−ラ−、46…第３のサテライトロ−ラ−
Claims (2)
- 【請求項１】 接着材料が滴下される回転自在に設けら
れた少なくとも一つの第１のロ−ラ−と、 前記第１のロ−ラ−と近設され、回転自在に設けられた
第２のロ−ラ−と、 前記第２のロ−ラ−の表面上に薄く均一に延ばされた前
記接着材料が裏面に薄く均一に塗布され、リ−ドフレ−
ム上に接着される半導体素子を移動させる移動手段と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。 - 【請求項２】 前記第１のロ−ラ−は、複数の場合には
互いに近設されていることを特徴とする請求項１記載の
半導体装置の製造装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214992A JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
| US08/102,758 US5362354A (en) | 1992-08-12 | 1993-08-06 | Apparatus for manufacturing a semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214992A JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661280A true JPH0661280A (ja) | 1994-03-04 |
| JP2647309B2 JP2647309B2 (ja) | 1997-08-27 |
Family
ID=16664911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4214992A Expired - Fee Related JP2647309B2 (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362354A (ja) |
| JP (1) | JP2647309B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5846851A (en) * | 1995-10-31 | 1998-12-08 | Hitachi Cable, Ltd. | Method of applying adhesive to lead of lead frame and method of making semiconductor device using the same |
| CN107159513A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-15 | 贵州海悦通石业有限公司 | 一种大理石板的涂胶装置 |
| US10121897B2 (en) | 2005-02-23 | 2018-11-06 | Intel Corporation | Field effect transistor with narrow bandgap source and drain regions and method of fabrication |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0736225A1 (en) * | 1994-10-20 | 1996-10-09 | National Semiconductor Corporation | Method of attaching integrated circuit dies by rolling adhesives onto semiconductor wafers |
| US5553376A (en) * | 1995-02-15 | 1996-09-10 | Motorola, Inc. | Method of and apparatus for changing a production setup |
| US5817957A (en) * | 1996-01-29 | 1998-10-06 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Electronic parts loading device |
| US6132798A (en) * | 1998-08-13 | 2000-10-17 | Micron Technology, Inc. | Method for applying atomized adhesive to a leadframe for chip bonding |
| US6030857A (en) * | 1996-03-11 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Method for application of spray adhesive to a leadframe for chip bonding |
| US5810926A (en) * | 1996-03-11 | 1998-09-22 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for applying atomized adhesive to a leadframe for chip bonding |
| JP3697315B2 (ja) * | 1996-05-13 | 2005-09-21 | 松下電器産業株式会社 | 接着剤塗布装置 |
| US6379484B2 (en) | 1996-07-30 | 2002-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing a semiconductor package |
| JPH1050769A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Toshiba Corp | 半導体パッケージの製造装置および製造方法 |
| KR100204171B1 (ko) * | 1997-02-17 | 1999-06-15 | 윤종용 | 자동 적층 및 솔더링 장치 및 3차원 적층형 패키지 소자 제조 방법 |
| CN103170428B (zh) * | 2013-03-06 | 2015-09-30 | 莆田市涵江永德兴电子石英有限公司 | 自动滚胶机 |
| CN111482323B (zh) * | 2020-05-12 | 2020-12-22 | 嘉兴市油车港贵华织造厂 | 一种墙布流动式甲醛去除设备 |
| CN111686991A (zh) * | 2020-06-19 | 2020-09-22 | 安徽可尔海思塑业有限公司 | 一种防水地板的胶水涂抹装置及其实施方法 |
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| JPH0438042U (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-31 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3958740A (en) * | 1974-07-08 | 1976-05-25 | Dixon Automation, Inc. | Automatic component assembly machine and method relating thereto |
| US4569864A (en) * | 1983-06-30 | 1986-02-11 | Acumeter Laboratories, Inc. | Roll coating applicator and adhesive coatings and the like and process of coating |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP4214992A patent/JP2647309B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-08-06 US US08/102,758 patent/US5362354A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH0438042U (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-31 |
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| CN107159513A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-09-15 | 贵州海悦通石业有限公司 | 一种大理石板的涂胶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5362354A (en) | 1994-11-08 |
| JP2647309B2 (ja) | 1997-08-27 |
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