JPH0661397A - リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 - Google Patents
リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法Info
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- JPH0661397A JPH0661397A JP4214432A JP21443292A JPH0661397A JP H0661397 A JPH0661397 A JP H0661397A JP 4214432 A JP4214432 A JP 4214432A JP 21443292 A JP21443292 A JP 21443292A JP H0661397 A JPH0661397 A JP H0661397A
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- JP
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- resin
- die pad
- lead frame
- semiconductor chip
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】ダイパッドの変形やボイドの発生を防ぎ、また
リードフレームの標準化をより進めることを目的とす
る。 【構成】ダイパッド１２を周辺枠１２Ａと半導体チップ
８の支持用リード１２Ｂとで構成し、両者間に溶融樹脂
９ａが流動できる大開口の複数の貫通孔１３を形成し、
このようなダイパッド１２に半導体チップ８ａを固定し
た後（図２）、成形時、注入した溶融樹脂９ａが、前記
複数の貫通孔１３を通じて、前記ダイパッド１２の表面
から裏面へ、またその逆に流動させて、半導体チップ８
ａを樹脂封止するようにした。 【効果】半導体チップの寸法によらず、溶融樹脂９ａの
流動先端ラインをダイパッドの上下で揃えることがで
き、またリードフレームの標準化を進めることができ
る。
リードフレームの標準化をより進めることを目的とす
る。 【構成】ダイパッド１２を周辺枠１２Ａと半導体チップ
８の支持用リード１２Ｂとで構成し、両者間に溶融樹脂
９ａが流動できる大開口の複数の貫通孔１３を形成し、
このようなダイパッド１２に半導体チップ８ａを固定し
た後（図２）、成形時、注入した溶融樹脂９ａが、前記
複数の貫通孔１３を通じて、前記ダイパッド１２の表面
から裏面へ、またその逆に流動させて、半導体チップ８
ａを樹脂封止するようにした。 【効果】半導体チップの寸法によらず、溶融樹脂９ａの
流動先端ラインをダイパッドの上下で揃えることがで
き、またリードフレームの標準化を進めることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂を用いて半導体チ
ップをトランスファーモールド法で封止される樹脂封止
型半導体装置用のリードフレーム及びそれを用いた半導
体チップの樹脂封止方法に関するものである。
ップをトランスファーモールド法で封止される樹脂封止
型半導体装置用のリードフレーム及びそれを用いた半導
体チップの樹脂封止方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のリードフレーム及びそれを用
いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法、図３乃至図
６を用いて説明する。図３は従来技術の、一般的なＳＯ
Ｐ型半導体装置に使用されている現用のリードフレーム
を示す斜視図であり、図４は図３に示したリードフレー
ムに載置した半導体チップを樹脂封止した、従来技術の
樹脂封止型半導体装置の一例をを説明するための断面図
であり、図５は図３に示したリードフレームに小面積の
半導体チップを搭載し、そのリードフレームを納めた状
態の上下成形金型の一部断面図であり、図６は図５に示
した状態の半導体チップを従来技術のトランスファーモ
ールド方法で樹脂封止を行った場合に生ずる現象を説明
するための断面図である。
いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法、図３乃至図
６を用いて説明する。図３は従来技術の、一般的なＳＯ
Ｐ型半導体装置に使用されている現用のリードフレーム
を示す斜視図であり、図４は図３に示したリードフレー
ムに載置した半導体チップを樹脂封止した、従来技術の
樹脂封止型半導体装置の一例をを説明するための断面図
であり、図５は図３に示したリードフレームに小面積の
半導体チップを搭載し、そのリードフレームを納めた状
態の上下成形金型の一部断面図であり、図６は図５に示
した状態の半導体チップを従来技術のトランスファーモ
ールド方法で樹脂封止を行った場合に生ずる現象を説明
するための断面図である。
【０００３】先ず、図３に一般的なＳＯＰ型半導体装置
に使用されている現用のリードフレーム１を一単位だけ
で示した。このリードフレーム１は一枚の平な四辺形の
ダイパッド２と、このダイパッド２の各辺に沿って、所
定のピッチで配列された複数のインナーリード３と、こ
れらのインナーリード３に対応して配列されたアウター
リード５と、前記両リード３、５を接続したタイバー４
と、前記ダイパッド２の相対する二辺をフレーム７に接
続する吊りリード６などから構成されている。そして各
吊りリード６は折り曲げ部６ａの部分で下方に折り曲げ
られているので、前記ダイパッド２はディプレスされた
状態になっている。
に使用されている現用のリードフレーム１を一単位だけ
で示した。このリードフレーム１は一枚の平な四辺形の
ダイパッド２と、このダイパッド２の各辺に沿って、所
定のピッチで配列された複数のインナーリード３と、こ
れらのインナーリード３に対応して配列されたアウター
リード５と、前記両リード３、５を接続したタイバー４
と、前記ダイパッド２の相対する二辺をフレーム７に接
続する吊りリード６などから構成されている。そして各
吊りリード６は折り曲げ部６ａの部分で下方に折り曲げ
られているので、前記ダイパッド２はディプレスされた
状態になっている。
【０００４】このように構成されたリードフレーム１
の、前記ダイパッド２に半導体チップ８（図４）を銀ペ
ーストなどを用いて接着、固定し、この半導体チップ８
の各電極と前記各インナーリード３の内端部とをワイヤ
ボンドした後（図示していない）、このような半導体チ
ップ８をトランスファーモールド法により樹脂９で封止
すると、ＳＯＰ型の樹脂封止型半導体装置（以下、単に
「半導体装置」と記す）１０が得られる。
の、前記ダイパッド２に半導体チップ８（図４）を銀ペ
ーストなどを用いて接着、固定し、この半導体チップ８
の各電極と前記各インナーリード３の内端部とをワイヤ
ボンドした後（図示していない）、このような半導体チ
ップ８をトランスファーモールド法により樹脂９で封止
すると、ＳＯＰ型の樹脂封止型半導体装置（以下、単に
「半導体装置」と記す）１０が得られる。
【０００５】この場合、例えば、特開平２−２７１６４
８に開示されているように、半導体チップ８上面から封
止樹脂９上面までの厚さＴａとダイパッド２下面から封
止樹脂９下面までの厚さＴｂを等しくし、また吊りリー
ド６上面から封止樹脂９上面までの厚さＴｃと吊りリー
ド６下面から封止樹脂９下面までの厚さＴｄを等しくし
くすると、溶融樹脂の流動性を良好にできる。
８に開示されているように、半導体チップ８上面から封
止樹脂９上面までの厚さＴａとダイパッド２下面から封
止樹脂９下面までの厚さＴｂを等しくし、また吊りリー
ド６上面から封止樹脂９上面までの厚さＴｃと吊りリー
ド６下面から封止樹脂９下面までの厚さＴｄを等しくし
くすると、溶融樹脂の流動性を良好にできる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図５に示し
たように、小面積の半導体チップ８ａを広い面積の前記
ダイパッド２に載置し、樹脂封止しようとすると、可成
りの面積のダイパッド２の部分を溶融樹脂が流動するこ
とになる。従って、ダイパッド２上面から成形金型の上
金型２０の内面までの深さＴｅがダイパッド２下面から
下金型３０の内面までの深さＴｆより大きくなる。
たように、小面積の半導体チップ８ａを広い面積の前記
ダイパッド２に載置し、樹脂封止しようとすると、可成
りの面積のダイパッド２の部分を溶融樹脂が流動するこ
とになる。従って、ダイパッド２上面から成形金型の上
金型２０の内面までの深さＴｅがダイパッド２下面から
下金型３０の内面までの深さＴｆより大きくなる。
【０００７】この深さの差が原因になって、図６に示し
たように、前記下金型３０の注入口３１から供給された
溶融樹脂９ａの流れがダイパッド１２の上下の通路で差
が生じ、その上方を流れる溶融樹脂９ａの速度がダイパ
ッド２の下方を流れる溶融樹脂９ａの速度より速くな
る。つまり、ダイパッド２の下方を流れる溶融樹脂９ａ
の流動が妨げられ、その速度が半導体チップ８ａの上方
を流れる溶融樹脂９ａの速度より遅くなる。その結果、
広い面状のダイパッド２を押し下げ、変形させてしま
い、また上方の溶融樹脂９ａが下方に回り込んで、成形
金型内のガスを閉じ込め、ボイドを発生させるようにな
る。
たように、前記下金型３０の注入口３１から供給された
溶融樹脂９ａの流れがダイパッド１２の上下の通路で差
が生じ、その上方を流れる溶融樹脂９ａの速度がダイパ
ッド２の下方を流れる溶融樹脂９ａの速度より速くな
る。つまり、ダイパッド２の下方を流れる溶融樹脂９ａ
の流動が妨げられ、その速度が半導体チップ８ａの上方
を流れる溶融樹脂９ａの速度より遅くなる。その結果、
広い面状のダイパッド２を押し下げ、変形させてしま
い、また上方の溶融樹脂９ａが下方に回り込んで、成形
金型内のガスを閉じ込め、ボイドを発生させるようにな
る。
【０００８】従って、半導体チップの寸法に合わせた面
積のダイパッドを備えたリードフレームを用いると、前
記のような不都合を防ぐことができるが、半導体チップ
の大きさは数多くあり、各寸法に合ったリードフレーム
を用意しておくことは、リードフレームの管理を複雑な
ものにし、また標準化に当たっても問題点が多いもので
ある。この発明はこのような不都合をなくすことを課題
とするものである。
積のダイパッドを備えたリードフレームを用いると、前
記のような不都合を防ぐことができるが、半導体チップ
の大きさは数多くあり、各寸法に合ったリードフレーム
を用意しておくことは、リードフレームの管理を複雑な
ものにし、また標準化に当たっても問題点が多いもので
ある。この発明はこのような不都合をなくすことを課題
とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
前記ダイパッドを周辺枠と支持用リードで構成し、両者
間に溶融樹脂が流動できる大開口の複数の貫通孔を形成
し、溶融樹脂をこの貫通孔を通じて、前記ダイパッドの
表面から裏面へ、またその逆に流動させることにより、
半導体チップを樹脂封止するようにした。
前記ダイパッドを周辺枠と支持用リードで構成し、両者
間に溶融樹脂が流動できる大開口の複数の貫通孔を形成
し、溶融樹脂をこの貫通孔を通じて、前記ダイパッドの
表面から裏面へ、またその逆に流動させることにより、
半導体チップを樹脂封止するようにした。
【００１０】
【作用】従って、半導体チップの寸法によらず、成形時
の溶融樹脂の流動先端ラインをダイパッドの上下で容易
に揃えることができ、またリードフレームの標準化をよ
り進めることができる。
の溶融樹脂の流動先端ラインをダイパッドの上下で容易
に揃えることができ、またリードフレームの標準化をよ
り進めることができる。
【００１１】
【実施例】この発明の実施例を図１及び図２を用いて説
明する。図１はこの発明のリードフレームの実施例でそ
の一単位のリードフレームを示す斜視図であり、図２は
図１のリードフレームに半導体チップを載置して、トラ
ンスファーモールドするところを示す、図１のＡーＡ線
上における断面図である。なお、図３乃至図６と同一部
分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
明する。図１はこの発明のリードフレームの実施例でそ
の一単位のリードフレームを示す斜視図であり、図２は
図１のリードフレームに半導体チップを載置して、トラ
ンスファーモールドするところを示す、図１のＡーＡ線
上における断面図である。なお、図３乃至図６と同一部
分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１２】図１に示したように、この発明のリードフ
レーム１１のダイパッド１２は、その四辺形の周辺枠１
２Ａとその一対の対角線上に掛け渡した筋交い状の半導
体チップの支持用リード１２Ｂとから構成されている。
即ち、この発明は、図３に示した従来技術のリードフレ
ーム１のダイパッド２の大半の面積にわたって、溶融樹
脂が流動できる貫通孔１３を形成した構造になってい
る。前記支持用リード１２Ｂはこのダイパッド１２を補
強する機能の他に、半導体チップ８ａの面積が小さくて
も、その交差部１２Ｃ付近でそのような小面積の半導体
チップ８ａを支えることができる機能を備えている。
レーム１１のダイパッド１２は、その四辺形の周辺枠１
２Ａとその一対の対角線上に掛け渡した筋交い状の半導
体チップの支持用リード１２Ｂとから構成されている。
即ち、この発明は、図３に示した従来技術のリードフレ
ーム１のダイパッド２の大半の面積にわたって、溶融樹
脂が流動できる貫通孔１３を形成した構造になってい
る。前記支持用リード１２Ｂはこのダイパッド１２を補
強する機能の他に、半導体チップ８ａの面積が小さくて
も、その交差部１２Ｃ付近でそのような小面積の半導体
チップ８ａを支えることができる機能を備えている。
【００１３】このようなリードフレーム１１は、従来技
術のリードフレーム１と同様に、金属板、例えば、厚さ
０．１〜０．３ｍｍの４２％Ｎｉ／Ｆｅ合金を打ち抜
き、或いはエッチングで製作することができる。
術のリードフレーム１と同様に、金属板、例えば、厚さ
０．１〜０．３ｍｍの４２％Ｎｉ／Ｆｅ合金を打ち抜
き、或いはエッチングで製作することができる。
【００１４】このような構成のリードフレーム１１の前
記ダイパッド１２に、例えば、小面積の半導体チップ８
ａを固定し、この半導体チップ８ａの各電極を前記イン
ナーリード３の内端部に電気的に接続した後（図示して
いない）、図２に示したように、このリードフレーム１
１を、その半導体チップ８ａが上金型２０及び下金型３
０のキャビティ内に収まるように成形金型で締結し、ト
ランスファーモールド法で前記下金型３０の注入口３１
から溶融樹脂９ａを注入する。
記ダイパッド１２に、例えば、小面積の半導体チップ８
ａを固定し、この半導体チップ８ａの各電極を前記イン
ナーリード３の内端部に電気的に接続した後（図示して
いない）、図２に示したように、このリードフレーム１
１を、その半導体チップ８ａが上金型２０及び下金型３
０のキャビティ内に収まるように成形金型で締結し、ト
ランスファーモールド法で前記下金型３０の注入口３１
から溶融樹脂９ａを注入する。
【００１５】このような小面積の半導体チップ８ａを載
置したダイパッド１２には、従来技術と同様に、ダイパ
ッド１２の上下面から上金型２０及び下金型３０の各内
面までの距離Ｔｅ及びＴｆは、Ｔｅ＞Ｔｆの状態になっ
ているが、注入された溶融樹脂９ａは、前記ダイパッド
１２の貫通孔１３を通じて、前記ダイパッド１２の表面
から裏面へ、またその逆に流動させることができ、溶融
樹脂９ａの流動先端ラインを容易に揃えることができ
る。
置したダイパッド１２には、従来技術と同様に、ダイパ
ッド１２の上下面から上金型２０及び下金型３０の各内
面までの距離Ｔｅ及びＴｆは、Ｔｅ＞Ｔｆの状態になっ
ているが、注入された溶融樹脂９ａは、前記ダイパッド
１２の貫通孔１３を通じて、前記ダイパッド１２の表面
から裏面へ、またその逆に流動させることができ、溶融
樹脂９ａの流動先端ラインを容易に揃えることができ
る。
【００１６】また、大面積の半導体チップ８の樹脂封止
の場合は、その半導体チップ８を前記ダイパッド１２の
支持用リード１２Ｂのみならず、周辺枠１２Ａでも支え
ることができ、前記Ｔｅ＞Ｔｆの状態が殆どなくなり、
つまりＴａ＝Ｔｂ（図４）の状態になり、従来技術と同
様に良好な樹脂封止ができる。
の場合は、その半導体チップ８を前記ダイパッド１２の
支持用リード１２Ｂのみならず、周辺枠１２Ａでも支え
ることができ、前記Ｔｅ＞Ｔｆの状態が殆どなくなり、
つまりＴａ＝Ｔｂ（図４）の状態になり、従来技術と同
様に良好な樹脂封止ができる。
【００１７】また、ディプレスされたダイパッド１２の
面積を予め広く取っておくことにより、１種類のリード
フレームで数種の面積の半導体チップに対応させること
ができる。
面積を予め広く取っておくことにより、１種類のリード
フレームで数種の面積の半導体チップに対応させること
ができる。
【００１８】前記実施例では、ダイパッド１２の一構成
要素である支持用リード１２Ｂを筋交い状のリードで構
成した例を挙げたが、これを非常に目の粗い網のような
もので構成してもよい。また、前記実施例では、ＳＯＰ
型半導体装置に用いられるリードフレームを例示して説
明したが、この発明はＳＯＰ型に限定されるものではな
く、ＱＦＰ型半導体装置などに用いられるリードフレー
ムにも適用することができることは言うまでもない。
要素である支持用リード１２Ｂを筋交い状のリードで構
成した例を挙げたが、これを非常に目の粗い網のような
もので構成してもよい。また、前記実施例では、ＳＯＰ
型半導体装置に用いられるリードフレームを例示して説
明したが、この発明はＳＯＰ型に限定されるものではな
く、ＱＦＰ型半導体装置などに用いられるリードフレー
ムにも適用することができることは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明のリードフレーム及びこのリードフレームを用いた半
導体装置の樹脂封止方法によれば、半導体チップの成形
時に容易に溶融樹脂の先端ラインを揃えることができ、
従って、ボイドの発生やダイパッドなどの変形の発生が
生じない高品質の半導体装置を得ることができる。そし
てまた、リードフレームの標準化をより一層進めること
ができ、生産性の向上に寄与できる。
明のリードフレーム及びこのリードフレームを用いた半
導体装置の樹脂封止方法によれば、半導体チップの成形
時に容易に溶融樹脂の先端ラインを揃えることができ、
従って、ボイドの発生やダイパッドなどの変形の発生が
生じない高品質の半導体装置を得ることができる。そし
てまた、リードフレームの標準化をより一層進めること
ができ、生産性の向上に寄与できる。
【図１】この発明のリードフレームの実施例でその一単
位のリードフレームを示す斜視図である。
位のリードフレームを示す斜視図である。
【図２】図１のリードフレームに半導体チップを載置し
て、トランスファーモールドするところを示す、図１の
ＡーＡ線上における断面図である。
て、トランスファーモールドするところを示す、図１の
ＡーＡ線上における断面図である。
【図３】従来技術の、一般的なＳＯＰ型半導体装置に使
用されている現用のリードフレームを示す斜視図であ
る。
用されている現用のリードフレームを示す斜視図であ
る。
【図４】図３に示したリードフレームに載置した半導体
チップを樹脂封止した、従来技術の樹脂封止型半導体装
置の一例をを説明するための断面図である。
チップを樹脂封止した、従来技術の樹脂封止型半導体装
置の一例をを説明するための断面図である。
【図５】図３に示したリードフレームに小面積の半導体
チップを搭載し、そのリードフレームを納めた状態の上
下成形金型の一部断面図である。
チップを搭載し、そのリードフレームを納めた状態の上
下成形金型の一部断面図である。
【図６】図５に示した状態の半導体チップを従来技術の
トランスファーモールド方法で樹脂封止を行った場合に
生ずる現象を説明するための断面図である。
トランスファーモールド方法で樹脂封止を行った場合に
生ずる現象を説明するための断面図である。
３ インナーリード ４ タイバー ５ アウターリード ６ 吊りリード ６ａ 折り曲げ部 ７ 連結フレーム ８ 半導体チップ ８ａ 小面積の半導体チップ ９ 封止樹脂 ９ａ 溶融樹脂 １０ 樹脂封止型半導体装置 １１ リードフレーム １２ ダイパッド １２Ａ 周辺枠 １２Ｂ 支持用リード １２Ｃ 交差部 １３ 貫通孔 ２０ 上金型 ３０ 下金型 ３１ 注入口
Claims (2)
- 【請求項１】ダイパッド、インナーリード、アウターリ
ードなどから構成されたリードフレームにおいて、前記
ダイパッドを周辺枠と支持用リードで構成し、両者間に
溶融樹脂が流動できる大開口の複数の貫通孔を形成した
ことを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】請求項１に記載のリードフレームの前記ダ
イパッドに半導体チップを固定し、この半導体チップの
各電極を前記インナーリードの内端部に電気的に接続し
た後、このような半導体チップを成形金型を用い、トラ
ンスファーモールド法で樹脂封止するに際し、溶融樹脂
を前記ダイパッドの貫通孔を通じて、前記ダイパッドの
表面から裏面へ、またその逆に流動させることにより、
前記半導体チップを樹脂封止することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の樹脂封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214432A JPH0661397A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4214432A JPH0661397A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0661397A true JPH0661397A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16655690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4214432A Pending JPH0661397A (ja) | 1992-08-12 | 1992-08-12 | リードフレーム及びそれを用いた樹脂封止型半導体装置の樹脂封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0661397A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236685A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-09-13 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージのリードフレーム構造 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
-
1992
- 1992-08-12 JP JP4214432A patent/JPH0661397A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08236685A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-09-13 | Anam Ind Co Inc | 半導体パッケージのリードフレーム構造 |
| US7964942B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-06-21 | Yamaha Corporation | Lead frame having a die stage smaller than a semiconductor device and a semiconductor device using the same |
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