JPS5978537A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5978537A JPS5978537A JP57189659A JP18965982A JPS5978537A JP S5978537 A JPS5978537 A JP S5978537A JP 57189659 A JP57189659 A JP 57189659A JP 18965982 A JP18965982 A JP 18965982A JP S5978537 A JPS5978537 A JP S5978537A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- semiconductor element
- resin
- semiconductor device
- mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
- H10W74/016—Manufacture or treatment using moulds
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に関するもの
である。
である。
（ロ）従来技術
出θ用樹脂封止型半導体装置は第１図に示す如く、ボル
ト挿入用丸孔（１）、半導体素子取付部（２）および折
り曲げられたリード（３）が一体に形成されたリードフ
レーム（４）を準備する。この取付部（２）に半導体素
子（５）を固着し且つ所望のリード（３）とボンディン
グ接続する。その後リードフレーム（４）の下面を下金
型（６）に密着させ、リードフレーム（４）の上面には
半導体素子（５）を封止する空間部（７）を有する上金
型（８）を当接し、上金型（８）と同一体の固定用ピン
（９）を丸孔（１）に挿入してリードフレーム（４）を
下金型（６）に押し付けた状態で空間部（７）に樹脂（
１０）を注入して半導体素子（５）を封止していた。
ト挿入用丸孔（１）、半導体素子取付部（２）および折
り曲げられたリード（３）が一体に形成されたリードフ
レーム（４）を準備する。この取付部（２）に半導体素
子（５）を固着し且つ所望のリード（３）とボンディン
グ接続する。その後リードフレーム（４）の下面を下金
型（６）に密着させ、リードフレーム（４）の上面には
半導体素子（５）を封止する空間部（７）を有する上金
型（８）を当接し、上金型（８）と同一体の固定用ピン
（９）を丸孔（１）に挿入してリードフレーム（４）を
下金型（６）に押し付けた状態で空間部（７）に樹脂（
１０）を注入して半導体素子（５）を封止していた。
しかしながら斯る方法ではリードフレーム（４）に組み
込む半導体素子（５）の消費電力に応じて第２図に示す
如く、リードフレーム（４）の厚みｔを異ならしめて放
熱特性を改善した場合、固定用ピン（９）がリードフレ
ーム（４）の厚みにより同一寸法でなくなるためリード
フレーム（４）の厚みに応じて樹脂封止用の金型を準備
する必要があった。
込む半導体素子（５）の消費電力に応じて第２図に示す
如く、リードフレーム（４）の厚みｔを異ならしめて放
熱特性を改善した場合、固定用ピン（９）がリードフレ
ーム（４）の厚みにより同一寸法でなくなるためリード
フレーム（４）の厚みに応じて樹脂封止用の金型を準備
する必要があった。
（ハ） 目的
本発明は押上した従来の欠点に鑑みてなされ、従来の欠
点を除去した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
点を除去した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供す
るものである。
に）構成
本発明は複数のリード、半導体素子取付部及び取付用の
丸孔を一体に形成したリードフレームの取付部の厚みの
みを固着する半導体素子の消費電力に応じて異ならしめ
て、同一の樹脂封止金型で生産する様に構成している。
丸孔を一体に形成したリードフレームの取付部の厚みの
みを固着する半導体素子の消費電力に応じて異ならしめ
て、同一の樹脂封止金型で生産する様に構成している。
（ホ）実施例
本発明に依れば、金属板を打抜き加工してボルト挿入用
孔（１１）、半導体素子取付部０２）および複数のリー
ド（１３１を一体に形成したリードフレーム（１４）を
準備する。この取付部０２は消費電力に応じてその厚み
を異ならしめて第３図の如く他の部分より凸状にする。
孔（１１）、半導体素子取付部０２）および複数のリー
ド（１３１を一体に形成したリードフレーム（１４）を
準備する。この取付部０２は消費電力に応じてその厚み
を異ならしめて第３図の如く他の部分より凸状にする。
リードフレーム０４）の取付部（１２１には半導体素子
（１５）を固着し、素子α粉の各電極とり一ド０りとを
ボンデインクワイヤーにより接続−［る。
（１５）を固着し、素子α粉の各電極とり一ド０りとを
ボンデインクワイヤーにより接続−［る。
斯るリードフレーム（１４）はその下面を下金型０〔ｉ
）に密着して固定し、リードフレーム（１４）の上面は
上金型０８）によって空間部（１７）を設けて覆い、旧
つ上金型（Ｉ８１と一体の固定用ピン０鵠の先端を丸孔
（１１）に挿入し固定用ピンａ９の中間に設けた段部（
１９Ｊ、）でリードフレーム（１イ）を下金型（Ｉ６）
に押し付ける。ｌ’ｆお空間部０７）には半導体素子（
１■が含まれている。
）に密着して固定し、リードフレーム（１４）の上面は
上金型０８）によって空間部（１７）を設けて覆い、旧
つ上金型（Ｉ８１と一体の固定用ピン０鵠の先端を丸孔
（１１）に挿入し固定用ピンａ９の中間に設けた段部（
１９Ｊ、）でリードフレーム（１イ）を下金型（Ｉ６）
に押し付ける。ｌ’ｆお空間部０７）には半導体素子（
１■が含まれている。
斯」ニした状態で空間部０７）には液状のエポキシ樹脂
（イ）を注入し硬化する。然る後金型より取り出して不
要のリードフレーム部分を切断除去して樹脂封止型半導
体装置を完成する。
（イ）を注入し硬化する。然る後金型より取り出して不
要のリードフレーム部分を切断除去して樹脂封止型半導
体装置を完成する。
（へ）効果
本発明に依ればリードフレーム（１４）の素子取伺部０
２１のみの厚みを半導体素子（＋５＋の消費電力に応じ
て厚さを異ならしめたリードフレーム（１４）を準備す
ることにより、同一の樹脂封止金型で消費電力の異なる
トランジスタを生産することが可能となる。
２１のみの厚みを半導体素子（＋５＋の消費電力に応じ
て厚さを異ならしめたリードフレーム（１４）を準備す
ることにより、同一の樹脂封止金型で消費電力の異なる
トランジスタを生産することが可能となる。
この結果大巾に生産コストの低減を図れる利点を有する
。
。
第１図および第２図は従来例を説明する断面図、第３図
は本発明を説明する断面図である。 主な図ｍの説明 （１１）は丸孔、 ０本ま半導体素子取付部、 ０りは
リード、 （１４）はリードフレーム、 （１５）は半
導体素子、θ６）は上金型、 （国は下金型、 （Ｉ９
は固定用ピンである。 第１図
は本発明を説明する断面図である。 主な図ｍの説明 （１１）は丸孔、 ０本ま半導体素子取付部、 ０りは
リード、 （１４）はリードフレーム、 （１５）は半
導体素子、θ６）は上金型、 （国は下金型、 （Ｉ９
は固定用ピンである。 第１図
Claims (1)
- １、複数のリード、半導体素子取付部及び取付用の丸孔
を一体に形成したリードフレームに半導体素子をｌ′ｉ
！Ｉ′ＩＮシた後、該リードフレームの下面を下金型に
密着させ、前記リードフレームの上面に前記半導体素子
を含む空間部を有する」二金型を当接し、該止金型と一
体の固定用ピンな前記丸孔に挿入し且つ前記リードフレ
ームを前記下金型に押し付け、前記空間部に樹脂を注入
して前記半導体素子を封止する樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、前記リードフレームの半導体素子取
付部を前記半導体素子の消費電力に応じて厚さを異なら
しめて同一の上下金型で樹脂封止をすることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189659A JPS5978537A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57189659A JPS5978537A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5978537A true JPS5978537A (ja) | 1984-05-07 |
Family
ID=16245016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57189659A Pending JPS5978537A (ja) | 1982-10-27 | 1982-10-27 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5978537A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288347A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2010129868A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
| DE102015112450B3 (de) * | 2015-07-30 | 2016-12-29 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungshalbleiterbaugruppe und Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls und der Leistungshalbleiterbaugruppe |
-
1982
- 1982-10-27 JP JP57189659A patent/JPS5978537A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6288347A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-22 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JP2010129868A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体モジュール及びその製造方法 |
| US8299601B2 (en) | 2008-11-28 | 2012-10-30 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module and manufacturing method thereof |
| DE102015112450B3 (de) * | 2015-07-30 | 2016-12-29 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Leistungshalbleiterbaugruppe und Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls und der Leistungshalbleiterbaugruppe |
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