JPH066250A - Ｆｍラジオ受信機 - Google Patents
Ｆｍラジオ受信機Info
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- JPH066250A JPH066250A JP18574892A JP18574892A JPH066250A JP H066250 A JPH066250 A JP H066250A JP 18574892 A JP18574892 A JP 18574892A JP 18574892 A JP18574892 A JP 18574892A JP H066250 A JPH066250 A JP H066250A
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- tuning
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- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 感度特性を高めるために、同調回路を増加し
たときに、周波数の高い方で生じる発振作用を制御す
る。 【構成】 デュアルゲートＦＥＴを高周波増幅素子とし
たＦＭラジオ受信機において、ゲートに選局電圧が接続
したＦＥＴ１２から成る駆動回路１３の駆動点Ｐ2 と、
分圧抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 から成る設定回路との間に、コレク
タが高周波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 に接続された
トランジスタ１１のベースとエミッタとを接続して成
る。
たときに、周波数の高い方で生じる発振作用を制御す
る。 【構成】 デュアルゲートＦＥＴを高周波増幅素子とし
たＦＭラジオ受信機において、ゲートに選局電圧が接続
したＦＥＴ１２から成る駆動回路１３の駆動点Ｐ2 と、
分圧抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 から成る設定回路との間に、コレク
タが高周波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 に接続された
トランジスタ１１のベースとエミッタとを接続して成
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願は、ＦＭラジオ受信機に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】一般にＦＭラジオ受信機において、その
総合の受信感度を高めるために、同調回路を増加する方
法がとられている。ところが、同調回路における可変素
子として可変容量ダイオードが用いられるので、特に同
調回路を多段に設けるときは、受信周波数の高い方で発
振現象を誘発する。そこで、従来受信周波数の高い方で
利得を低くして全受信周波数帯域において利得特性をほ
ぼ均一化するチューナの利得補償回路は例えば特開昭５
５−８３３５０号公報において公知である。即ち上記し
た公知のものは、信号伝送路にダイオードによる減衰回
路を接続し、このダイオードに選局電圧を印加して、受
信周波数が低いときに、順方向に流れる電流を少なくし
てダイオードをカットオフ状態として、受信周波数の高
いときに、ダイオードに電流を充分流してその内部イン
ピーダンスを略零としてチューナの総合利得をほぼ均一
化するものである。
総合の受信感度を高めるために、同調回路を増加する方
法がとられている。ところが、同調回路における可変素
子として可変容量ダイオードが用いられるので、特に同
調回路を多段に設けるときは、受信周波数の高い方で発
振現象を誘発する。そこで、従来受信周波数の高い方で
利得を低くして全受信周波数帯域において利得特性をほ
ぼ均一化するチューナの利得補償回路は例えば特開昭５
５−８３３５０号公報において公知である。即ち上記し
た公知のものは、信号伝送路にダイオードによる減衰回
路を接続し、このダイオードに選局電圧を印加して、受
信周波数が低いときに、順方向に流れる電流を少なくし
てダイオードをカットオフ状態として、受信周波数の高
いときに、ダイオードに電流を充分流してその内部イン
ピーダンスを略零としてチューナの総合利得をほぼ均一
化するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記した従来
の構成のものは、受信周波数の低い方でも利得が低下す
ると共に、選局電圧をダイオードの駆動源として用いる
ため、電圧降下により同調電圧が変動するという不都合
を有する。
の構成のものは、受信周波数の低い方でも利得が低下す
ると共に、選局電圧をダイオードの駆動源として用いる
ため、電圧降下により同調電圧が変動するという不都合
を有する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで本願は、受信周波
数の低い方で利得を低下することなく高感度を維持し、
受信周波数の高い方で高周波増幅段の増幅度を低下して
発振現象を解消すると共に、前記した増幅度の低下位置
を可変調整できるように構成したもので、その特徴とす
るところは、デュアルゲートＦＥＴを高周波増幅素子と
したＦＭラジオ受信機において、前記高周波増幅素子の
第２ゲートの動作電圧を調整する調整素子と、この調整
素子を選局電圧によって駆動する駆動回路と、前記調整
素子の調整開始点を設定する設定回路とを備えたことを
特徴とするものであり、上記において、設定回路を、調
整素子の入力端および／または調整素子の出力端に接続
して成る場合と、設定回路を、調整素子の入力端に接続
し、かつ、調整素子の出力端を、高周波増幅素子のソー
スに接続して成る場合とがあり、上記において、調整素
子の出力電流を制限する抵抗を接続する。
数の低い方で利得を低下することなく高感度を維持し、
受信周波数の高い方で高周波増幅段の増幅度を低下して
発振現象を解消すると共に、前記した増幅度の低下位置
を可変調整できるように構成したもので、その特徴とす
るところは、デュアルゲートＦＥＴを高周波増幅素子と
したＦＭラジオ受信機において、前記高周波増幅素子の
第２ゲートの動作電圧を調整する調整素子と、この調整
素子を選局電圧によって駆動する駆動回路と、前記調整
素子の調整開始点を設定する設定回路とを備えたことを
特徴とするものであり、上記において、設定回路を、調
整素子の入力端および／または調整素子の出力端に接続
して成る場合と、設定回路を、調整素子の入力端に接続
し、かつ、調整素子の出力端を、高周波増幅素子のソー
スに接続して成る場合とがあり、上記において、調整素
子の出力電流を制限する抵抗を接続する。
【０００５】
【作用】しかしてアンテナ入力端に入力した信号は、ア
ンテナ同調回路を経て高周波増幅回路に入力し増幅され
る。このとき高周波増幅素子の第２ゲートに接続された
調整素子により第２ゲートのバイアス電圧が受信周波数
に応じて調整される。即ち駆動回路の駆動点の電圧は、
印加される選局電圧に応じて設定回路により可変すると
共に、アース端においては、電源電圧の印加により設定
回路で定電圧に設定される。従って前記駆動点における
電圧とアース端において設定された電圧の差が調整素子
の動作電圧を越えたとき、調整素子のインピーダンスの
減少により高周波増幅回路の第２ゲートのバイアス電圧
の調整が行われる。従って設定回路の設定により、周波
数の高い方で高周波増幅回路の増幅度を減少して受信機
の発振現象を抑制することができる。
ンテナ同調回路を経て高周波増幅回路に入力し増幅され
る。このとき高周波増幅素子の第２ゲートに接続された
調整素子により第２ゲートのバイアス電圧が受信周波数
に応じて調整される。即ち駆動回路の駆動点の電圧は、
印加される選局電圧に応じて設定回路により可変すると
共に、アース端においては、電源電圧の印加により設定
回路で定電圧に設定される。従って前記駆動点における
電圧とアース端において設定された電圧の差が調整素子
の動作電圧を越えたとき、調整素子のインピーダンスの
減少により高周波増幅回路の第２ゲートのバイアス電圧
の調整が行われる。従って設定回路の設定により、周波
数の高い方で高周波増幅回路の増幅度を減少して受信機
の発振現象を抑制することができる。
【０００６】
【実施例】以下図面にもとづいて本願の実施例を詳述す
ると、アンテナ入力端１に入力コンデンサ２を介して一
対のピンダイオードより成る第１入力減衰回路３が、ま
たその接続点に結合コンデンサ４を介して前記一対のピ
ンダイオードと直列に接続された一対のピンダイオード
より成る第２入力減衰回路５が夫々接続してあり、前記
コンデンサ４と第２入力減衰回路５との接続点には選択
度特性を低下するダンピング用コンデンサ６を介して同
調コイル７と一対の可変容量ダイオード８ａ，８ｂとか
ら成るバンドパス型のアンテナ同調回路９が接続してあ
り、可変容量ダイオード８ａ，８ｂの接続点に、結合コ
ンデンサＣ1 を介して該同調回路９の出力を増幅するデ
ュアルゲートＭＯＳＦＥＴから成る高周波増幅素子１０
の第１ゲートｇ1 が接続してあり、この高周波増幅素子
１０の第２ゲートｇ2 には、そのバイアス電圧を調整す
る調整素子であるトランジスタ１１のコレクタが接続し
てある。該トランジスタ１１はベースが、選局電圧ＶＴ
によって該トランジスタ１１の駆動電圧を得る駆動回路
１３に、またエミッタが、電源電圧Ｖｃｃの端子とアー
スとの間に直列接続した設定回路１５を構成する分圧抵
抗Ｒ3 とＲ4 の接続点Ｐ1 に夫々接続されている。
ると、アンテナ入力端１に入力コンデンサ２を介して一
対のピンダイオードより成る第１入力減衰回路３が、ま
たその接続点に結合コンデンサ４を介して前記一対のピ
ンダイオードと直列に接続された一対のピンダイオード
より成る第２入力減衰回路５が夫々接続してあり、前記
コンデンサ４と第２入力減衰回路５との接続点には選択
度特性を低下するダンピング用コンデンサ６を介して同
調コイル７と一対の可変容量ダイオード８ａ，８ｂとか
ら成るバンドパス型のアンテナ同調回路９が接続してあ
り、可変容量ダイオード８ａ，８ｂの接続点に、結合コ
ンデンサＣ1 を介して該同調回路９の出力を増幅するデ
ュアルゲートＭＯＳＦＥＴから成る高周波増幅素子１０
の第１ゲートｇ1 が接続してあり、この高周波増幅素子
１０の第２ゲートｇ2 には、そのバイアス電圧を調整す
る調整素子であるトランジスタ１１のコレクタが接続し
てある。該トランジスタ１１はベースが、選局電圧ＶＴ
によって該トランジスタ１１の駆動電圧を得る駆動回路
１３に、またエミッタが、電源電圧Ｖｃｃの端子とアー
スとの間に直列接続した設定回路１５を構成する分圧抵
抗Ｒ3 とＲ4 の接続点Ｐ1 に夫々接続されている。
【０００７】前記駆動回路１３は、ドレンに電源電圧Ｖ
ｃｃが、ゲートに選局電圧ＶＴが夫々印加され、かつ、
ソースに設定回路１４を構成するバイアス抵抗Ｒ1 とＲ
2 を直列接続したＦＥＴの駆動素子１２から成り、前記
バイアス抵抗Ｒ1 とＲ2 との接続点Ｐ2 に前記トランジ
スタ１１のベースが接続してある。
ｃｃが、ゲートに選局電圧ＶＴが夫々印加され、かつ、
ソースに設定回路１４を構成するバイアス抵抗Ｒ1 とＲ
2 を直列接続したＦＥＴの駆動素子１２から成り、前記
バイアス抵抗Ｒ1 とＲ2 との接続点Ｐ2 に前記トランジ
スタ１１のベースが接続してある。
【０００８】前記高周波増幅素子１０のドレンｄは結合
コンデンサＣ2 を介して同調コイル１６と、一対の可変
容量ダイオード１７ａ，１７ｂとから成るπ型接続の高
周波同調回路１８に接続してあり、高周波同調回路１８
の後段にはドレン接地のＦＥＴから成るインピーダンス
変換素子１９のゲートが接続され、そのソースに結合コ
ンデンサＣ3 を介して同調コイル２０と、可変容量ダイ
オード２１ａ，２１ｂとから成るπ型接続された第２の
高周波同調回路２２が接続してある。さらに高周波同調
回路２２の出力端が結合コンデンサＣ4 を介して周波数
変換回路２３、中間周波増幅回路２４、利得制御回路２
５から成るＦＭフロントエンドＩＣ（例えば三洋電機製
ＬＡ１１７５）２６の周波数変換回路２３の入力端子で
ある第５端子に接続され、周波数変換回路２３の出力端
子である第８，第９端子が中間周波トランスＩＦＴの１
次側コイルに夫々接続され、その２次側コイルが抵抗Ｒ
5 とセラミックフィルタＣＦとの直列回路を介して中間
周波増幅回路２４の入力端子である第１２端子に接続さ
れ、前記回路２４を介してその出力端子である第１５端
子が検波段に接続されている。また中間周波トランスＩ
ＦＴの２次側コイルが抵抗Ｒ6 と直流阻止用コンデンサ
Ｃ5 との直列回路を介して利得制御回路２５の入力端子
である第１０端子に接続され、前記回路２５を介してそ
の出力端子である第６端子が前記第２入力減衰回路５に
接続されると共に、利得制御回路２５を介して接続され
たもう１つの出力端子である第１３端子が前記デュアル
ゲートＦＥＴ１０の第２ゲートに接続され、これにＬo
／Ｄx 端子２７が接続してある。
コンデンサＣ2 を介して同調コイル１６と、一対の可変
容量ダイオード１７ａ，１７ｂとから成るπ型接続の高
周波同調回路１８に接続してあり、高周波同調回路１８
の後段にはドレン接地のＦＥＴから成るインピーダンス
変換素子１９のゲートが接続され、そのソースに結合コ
ンデンサＣ3 を介して同調コイル２０と、可変容量ダイ
オード２１ａ，２１ｂとから成るπ型接続された第２の
高周波同調回路２２が接続してある。さらに高周波同調
回路２２の出力端が結合コンデンサＣ4 を介して周波数
変換回路２３、中間周波増幅回路２４、利得制御回路２
５から成るＦＭフロントエンドＩＣ（例えば三洋電機製
ＬＡ１１７５）２６の周波数変換回路２３の入力端子で
ある第５端子に接続され、周波数変換回路２３の出力端
子である第８，第９端子が中間周波トランスＩＦＴの１
次側コイルに夫々接続され、その２次側コイルが抵抗Ｒ
5 とセラミックフィルタＣＦとの直列回路を介して中間
周波増幅回路２４の入力端子である第１２端子に接続さ
れ、前記回路２４を介してその出力端子である第１５端
子が検波段に接続されている。また中間周波トランスＩ
ＦＴの２次側コイルが抵抗Ｒ6 と直流阻止用コンデンサ
Ｃ5 との直列回路を介して利得制御回路２５の入力端子
である第１０端子に接続され、前記回路２５を介してそ
の出力端子である第６端子が前記第２入力減衰回路５に
接続されると共に、利得制御回路２５を介して接続され
たもう１つの出力端子である第１３端子が前記デュアル
ゲートＦＥＴ１０の第２ゲートに接続され、これにＬo
／Ｄx 端子２７が接続してある。
【０００９】しかしてアンテナ入力端子１に入力した信
号はコンデンサ２，４および６を介してアンテナ同調回
路９で選択された後、結合コンデンサＣ1 を介して高周
波増幅素子１０の第１ゲートｇ1 に入力して増幅され
る。このとき該高周波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 に
接続される調整素子であるトランジスタ１１の動作によ
り第２ゲートｇ2 の前記ＦＭフロントエンドＩＣ２６の
第１３端子からのバイアス電圧が受信周波数に対応して
変化しその増幅度が制御される。即ち駆動回路１３の駆
動素子１２のゲートに選局電圧ＶＴが印加されるので、
その電圧に応じて電源電圧Ｖｃｃが印加されているドレ
ンからソース側に電流が流され、その電流によってバイ
アス抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 にバイアス電圧が発生し、該駆動回
路１３の駆動点である前記バイアス抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の直
列接続点Ｐ2 には、抵抗Ｒ1 ，Ｒ2で分圧された電圧が
生じ、これがトランジスタ１１のベースに印加される。
一方アース端であるトランジスタ１１のエミッタの接続
点Ｐ1 には電源電圧Ｖｃｃが分圧抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 により
設定された定電圧が印加されているので、この接続点Ｐ
1 とベースの接続点Ｐ2 との電圧差が、接続点Ｐ1 の電
圧にトランジスタ１１の動作閾値（約０、５Ｖ）を加え
た電圧を越えた時、トランジスタ１１が駆動を開始し、
該トランジスタ１１のインピーダンスの減少により高周
波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧が調整
される。
号はコンデンサ２，４および６を介してアンテナ同調回
路９で選択された後、結合コンデンサＣ1 を介して高周
波増幅素子１０の第１ゲートｇ1 に入力して増幅され
る。このとき該高周波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 に
接続される調整素子であるトランジスタ１１の動作によ
り第２ゲートｇ2 の前記ＦＭフロントエンドＩＣ２６の
第１３端子からのバイアス電圧が受信周波数に対応して
変化しその増幅度が制御される。即ち駆動回路１３の駆
動素子１２のゲートに選局電圧ＶＴが印加されるので、
その電圧に応じて電源電圧Ｖｃｃが印加されているドレ
ンからソース側に電流が流され、その電流によってバイ
アス抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 にバイアス電圧が発生し、該駆動回
路１３の駆動点である前記バイアス抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 の直
列接続点Ｐ2 には、抵抗Ｒ1 ，Ｒ2で分圧された電圧が
生じ、これがトランジスタ１１のベースに印加される。
一方アース端であるトランジスタ１１のエミッタの接続
点Ｐ1 には電源電圧Ｖｃｃが分圧抵抗Ｒ3 ，Ｒ4 により
設定された定電圧が印加されているので、この接続点Ｐ
1 とベースの接続点Ｐ2 との電圧差が、接続点Ｐ1 の電
圧にトランジスタ１１の動作閾値（約０、５Ｖ）を加え
た電圧を越えた時、トランジスタ１１が駆動を開始し、
該トランジスタ１１のインピーダンスの減少により高周
波増幅素子１０の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧が調整
される。
【００１０】しかして上記において、同調周波数の高い
側でトランジスタ１１が動作開始するように、例えば選
局電圧が２Ｖ〜７Ｖの範囲で変化するものとし、かつ、
選局電圧の高い範囲（５Ｖ〜７Ｖ）で動作するように駆
動素子１２のゲート電圧が５Ｖの時、そのソースの接続
点Ｐ2 の電圧が、定電圧に設定された接続点Ｐ1 の電圧
にトランジスタ１１の動作閾値０、５Ｖを加えた電圧値
を越えるように各抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 及びＲ3 ，Ｒ4 を夫
々設定することにより、選局周波数の高い方で高周波増
幅素子の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧は、トランジス
タ１１のインピーダンスの減少により低下して、該高周
波増幅素子の増幅度は減少し、選局周波数の低い方で、
トランジスタ１１は非動作状態となって高周波増幅素子
１０の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧は変化することは
ない。このようにして、高周波増幅素子１０の増幅度を
所要の選局周波数の位置で調整することができる。次い
で高周波増幅素子１０によって増幅された信号は、結合
コンデンサＣ2 を介してπ型接続された高周波同調回路
１８において再び選択され、ドレン接地のインピーダン
ス変換素子１９のゲートに入力し、高インピーダンスで
共振された信号は高い選択度を維持すると共にソースよ
り低出力インピーダンスに変換されて結合コンデンサＣ
3 を介して後段のπ型接続された高周波同調回路２２に
入力してさらに選択されたのち、結合コンデンサＣ4 を
介してＦＭフロントエンドＩＣ２６の周波数変換回路２
３に第５端子から入力し、該回路２３で図示しないが局
部発振回路の信号と混合されたのち、第８および第９端
子より夫々出力して中間周波トランスＩＦＴの１次側で
中間周波数が選択され、その出力は中間周波トランスＩ
ＦＴの２次側より抵抗Ｒ5 とセラミックフィルタＣＦと
の直列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路２
４に入力して増幅され、第１５端子から検波段に出力さ
れる。また中間周波トランスＩＦＴの２次側より出力さ
れた広帯域の中間周波信号の一部は、抵抗Ｒ6 と直流阻
止用コンデンサＣ5 の直列回路を介して第１０端子より
利得制御回路２５に入力し、該回路２５において、第
１，第２入力減衰回路３，５のピンダイオード駆動用の
ＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子１０の利得制御用のＡＧ
Ｃ電圧とが発生し、これらのＡＧＣ電圧は第６端子およ
び第１３端子より夫々出力する。上記において、アンテ
ナ入力信号の電界強度が強くなると、第６端子のＡＧＣ
電圧も高くなり、第１，第２入力減衰回路３，５が駆動
して該回路のインピーダンスが低下し入力コンデンサ２
と該第１入力減衰回路３とのインピーダンス比で入力信
号を減衰する。さらに結合コンデンサ４と第２入力減衰
回路５とのインピーダンス比で入力信号を減衰すると共
にアンテナ同調回路９が第２入力減衰回路５のインピー
ダンス低下によりこれと前記ダンピング用コンデンサ６
とのインピーダンス比でアンテナ同調回路９のＱが低下
する。次いでさらに電界強度が強くなると、前記第１，
第２減衰回路３，５による減衰作用に加え、ＦＭフロン
トエンドＩＣ２６の第１３端子から高周波増幅素子１０
の第２ゲートｇ2 に制御電圧が出力され該高周波増幅素
子１０の増幅率を制御する。なお、このときも調整素子
による作用は同様に行われる。
側でトランジスタ１１が動作開始するように、例えば選
局電圧が２Ｖ〜７Ｖの範囲で変化するものとし、かつ、
選局電圧の高い範囲（５Ｖ〜７Ｖ）で動作するように駆
動素子１２のゲート電圧が５Ｖの時、そのソースの接続
点Ｐ2 の電圧が、定電圧に設定された接続点Ｐ1 の電圧
にトランジスタ１１の動作閾値０、５Ｖを加えた電圧値
を越えるように各抵抗値Ｒ1 ，Ｒ2 及びＲ3 ，Ｒ4 を夫
々設定することにより、選局周波数の高い方で高周波増
幅素子の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧は、トランジス
タ１１のインピーダンスの減少により低下して、該高周
波増幅素子の増幅度は減少し、選局周波数の低い方で、
トランジスタ１１は非動作状態となって高周波増幅素子
１０の第２ゲートｇ2 のバイアス電圧は変化することは
ない。このようにして、高周波増幅素子１０の増幅度を
所要の選局周波数の位置で調整することができる。次い
で高周波増幅素子１０によって増幅された信号は、結合
コンデンサＣ2 を介してπ型接続された高周波同調回路
１８において再び選択され、ドレン接地のインピーダン
ス変換素子１９のゲートに入力し、高インピーダンスで
共振された信号は高い選択度を維持すると共にソースよ
り低出力インピーダンスに変換されて結合コンデンサＣ
3 を介して後段のπ型接続された高周波同調回路２２に
入力してさらに選択されたのち、結合コンデンサＣ4 を
介してＦＭフロントエンドＩＣ２６の周波数変換回路２
３に第５端子から入力し、該回路２３で図示しないが局
部発振回路の信号と混合されたのち、第８および第９端
子より夫々出力して中間周波トランスＩＦＴの１次側で
中間周波数が選択され、その出力は中間周波トランスＩ
ＦＴの２次側より抵抗Ｒ5 とセラミックフィルタＣＦと
の直列回路を介して第１２端子より中間周波増幅回路２
４に入力して増幅され、第１５端子から検波段に出力さ
れる。また中間周波トランスＩＦＴの２次側より出力さ
れた広帯域の中間周波信号の一部は、抵抗Ｒ6 と直流阻
止用コンデンサＣ5 の直列回路を介して第１０端子より
利得制御回路２５に入力し、該回路２５において、第
１，第２入力減衰回路３，５のピンダイオード駆動用の
ＡＧＣ電圧と、高周波増幅素子１０の利得制御用のＡＧ
Ｃ電圧とが発生し、これらのＡＧＣ電圧は第６端子およ
び第１３端子より夫々出力する。上記において、アンテ
ナ入力信号の電界強度が強くなると、第６端子のＡＧＣ
電圧も高くなり、第１，第２入力減衰回路３，５が駆動
して該回路のインピーダンスが低下し入力コンデンサ２
と該第１入力減衰回路３とのインピーダンス比で入力信
号を減衰する。さらに結合コンデンサ４と第２入力減衰
回路５とのインピーダンス比で入力信号を減衰すると共
にアンテナ同調回路９が第２入力減衰回路５のインピー
ダンス低下によりこれと前記ダンピング用コンデンサ６
とのインピーダンス比でアンテナ同調回路９のＱが低下
する。次いでさらに電界強度が強くなると、前記第１，
第２減衰回路３，５による減衰作用に加え、ＦＭフロン
トエンドＩＣ２６の第１３端子から高周波増幅素子１０
の第２ゲートｇ2 に制御電圧が出力され該高周波増幅素
子１０の増幅率を制御する。なお、このときも調整素子
による作用は同様に行われる。
【００１１】図２は本願の他の実施例を示しており、こ
の実施例は、図１における調整素子であるトランジスタ
１１のエミッタと定電圧である接続点Ｐ1 との間に抵抗
Ｒ7を接続してバイアス電圧の受信周波数に対する変化
を少なく制限した場合の他の実施例を示しており、高周
波増幅素子１０の増幅度の調整量を制限できその余の作
用は図１の場合と基本的に相違するところはない。
の実施例は、図１における調整素子であるトランジスタ
１１のエミッタと定電圧である接続点Ｐ1 との間に抵抗
Ｒ7を接続してバイアス電圧の受信周波数に対する変化
を少なく制限した場合の他の実施例を示しており、高周
波増幅素子１０の増幅度の調整量を制限できその余の作
用は図１の場合と基本的に相違するところはない。
【００１２】図３は、図２で示す実施例において、調整
素子であるトランジスタ１１の動作閾値を利用して抵抗
Ｒ3 ，Ｒ4 から成る設定回路１５を省略した他の実施例
を示しており、この実施例によるときは、駆動回路１３
における駆動点Ｐ2 の電圧がトランジスタ１１の動作閾
値電圧に達したとき、調整動作が開始する。
素子であるトランジスタ１１の動作閾値を利用して抵抗
Ｒ3 ，Ｒ4 から成る設定回路１５を省略した他の実施例
を示しており、この実施例によるときは、駆動回路１３
における駆動点Ｐ2 の電圧がトランジスタ１１の動作閾
値電圧に達したとき、調整動作が開始する。
【００１３】図４は、図２の実施例において、調整回路
１５を省略し調整素子であるトランジスタ１１のエミッ
タに接続した抵抗Ｒ7 を高周波増幅素子１０のソースに
接続して、トランジスタ１１のエミッタに加わる定電圧
を、高周波増幅素子１０のソース電圧を利用した場合の
他の実施例を示しており、この実施例によるときは、駆
動回路１３における駆動点Ｐ2 の電圧が、前記ソース電
圧にトランジスタ１１の動作閾値電圧も加えた電圧に達
したとき、調整動作が開始する。
１５を省略し調整素子であるトランジスタ１１のエミッ
タに接続した抵抗Ｒ7 を高周波増幅素子１０のソースに
接続して、トランジスタ１１のエミッタに加わる定電圧
を、高周波増幅素子１０のソース電圧を利用した場合の
他の実施例を示しており、この実施例によるときは、駆
動回路１３における駆動点Ｐ2 の電圧が、前記ソース電
圧にトランジスタ１１の動作閾値電圧も加えた電圧に達
したとき、調整動作が開始する。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、本願によれば受信周波数
の低い方で利得を低下することなく、感度特性を高く維
持し、受信周波数の高い任意の位置で利得を低下させ
て、受信周波数の高い方で発振現象を抑制することがで
き、このことは選択特性を向上するために、同調回路の
多段接続を可能とすることを意味すると共に、選局電圧
により作動する駆動回路によって調整素子を駆動制御す
る構成であるので、選局電圧に変動を与える惧れもな
く、安定した高感度特性をもつＦＭ受信機を提供するこ
とができる。
の低い方で利得を低下することなく、感度特性を高く維
持し、受信周波数の高い任意の位置で利得を低下させ
て、受信周波数の高い方で発振現象を抑制することがで
き、このことは選択特性を向上するために、同調回路の
多段接続を可能とすることを意味すると共に、選局電圧
により作動する駆動回路によって調整素子を駆動制御す
る構成であるので、選局電圧に変動を与える惧れもな
く、安定した高感度特性をもつＦＭ受信機を提供するこ
とができる。
【図１】回路図
【図２】他の実施例を示す回路図
【図３】さらに他の実施例を示す回路図
【図４】さらに他の実施例を示す要部の回路図
１ アンテナ入力端 ２ 入力コンデンサ ３ 第１入力減衰回路 ４ 結合コンデンサ ５ 第２入力減衰回路 ９ アンテナ同調回路 １０ 高周波増幅素子 １１ 調整素子 １２ 駆動素子 １３ 駆動回路 １４，１５ 設定回路 １６ 高周波同調回路
Claims (4)
- 【請求項１】 デュアルゲートＦＥＴを高周波増幅素子
としたＦＭラジオ受信機において、前記高周波増幅素子
の第２ゲートの動作電圧を調整する調整素子と、この調
整素子を選局電圧によって駆動する駆動回路と、前記調
整素子の調整開始点を設定する設定回路とを備えたこと
を特徴とするＦＭラジオ受信機。 - 【請求項２】 設定回路を、調整素子の入力端および／
または調整素子の出力端に接続して成る請求項１記載の
ＦＭラジオ受信機。 - 【請求項３】 設定回路を、調整素子の入力端に接続
し、かつ、調整素子の出力端を、高周波増幅素子のソー
スに接続して成る請求項１記載のＦＭラジオ受信機。 - 【請求項４】 調整素子の出力電流を制限する抵抗を接
続して成る請求項１，２または３記載のＦＭラジオ受信
機。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18574892A JPH066250A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｆｍラジオ受信機 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18574892A JPH066250A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｆｍラジオ受信機 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH066250A true JPH066250A (ja) | 1994-01-14 |
Family
ID=16176176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18574892A Pending JPH066250A (ja) | 1992-06-22 | 1992-06-22 | Ｆｍラジオ受信機 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102186205A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-09-14 | 中国联合网络通信集团有限公司 | 全球移动通信系统无线网络利用率的获取方法 |
-
1992
- 1992-06-22 JP JP18574892A patent/JPH066250A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102186205A (zh) * | 2011-04-28 | 2011-09-14 | 中国联合网络通信集团有限公司 | 全球移动通信系统无线网络利用率的获取方法 |
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