JPH0662554U - Ｍｏｓ・ｆｅｔ並列接続装置 - Google Patents

Ｍｏｓ・ｆｅｔ並列接続装置

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Publication number
JPH0662554U
JPH0662554U JP891693U JP891693U JPH0662554U JP H0662554 U JPH0662554 U JP H0662554U JP 891693 U JP891693 U JP 891693U JP 891693 U JP891693 U JP 891693U JP H0662554 U JPH0662554 U JP H0662554U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mos
fet
fets
parallel
parallel connection
Prior art date
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Pending
Application number
JP891693U
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English (en)
Inventor
長弘 上瀬
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Takaoka Toko Co Ltd
Original Assignee
Takaoka Electric Mfg Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 パワーＭＯＳ・ＦＥＴを並列接続して電流を
流すと、特定の素子に多くの電流が流れたり、素子自体
が寄生発振を起こしたりして、素子が破壊するのをなく
す。 【構成】 アルミ角棒２の両側面に取り付けたパワーＭ
ＯＳ・ＦＥＴ１ａ、１ｂと、そのパワーＭＯＳ・ＦＥＴ
１ａ、１ｂを絶縁した３枚のブスバー４ａ、４ｂ、４ｃ
で接続して大容量ＭＯＳ・ＦＥＴを構成する。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、ＭＯＳ・ＦＥＴ、特にパワーＭＯＳ・ＦＥＴを並列接続した装置に 関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般にＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続は、電線またはプリント基板を使って数個の 三端子形ＭＯＳ・ＦＥＴの端子を並列に接続している。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】
しかしながら、ＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続においては部品の配置や配線により 、各素子への電流が均等に流れなく特定の素子に多くの電流が流れたり、素子自 体が寄生発振を起こしたりする。これにより素子が破壊する恐れがあった。
【０００４】 そこで、本考案は、ＭＯＳ・ＦＥＴを並列接続した装置において、各ＭＯＳ・ ＦＥＴに均等に電流が流れるようにしたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本考案のＭＯＳ・ＦＥＴ並列接続装置は、複数のＭＯＳ・ＦＥＴと、前記複数 のＭＯＳ・ＦＥＴを支持台に固定配置し、絶縁された複数のブスバーを使い前記 複数のＭＯＳ・ＦＥＴの各端子を並列かつ直列に接続し、前記複数のＭＯＳ・Ｆ ＥＴを駆動しかつ制御する基板を取り付けて一体化し、一対の大容量ＭＯＳ・Ｆ ＥＴを構成する。
【０００６】
【作用】
ＭＯＳ・ＦＥＴを複数個並列に接続してＭＯＳ・ＦＥＴ群を形成することによ り、ひとつのモジュール化した大容量ＭＯＳ・ＦＥＴが形成でき、各ＭＯＳ・Ｆ ＥＴへの電流が均等に流れるようにできる。
【０００７】
【実施例】
以下、本考案のＭＯＳ・ＦＥＴ並列接続装置の一例を、その製造方法とともに 説明する。 まず、図１に示すように、アルミ角棒２の両側面に絶縁紙３を並べる。その上 にパワーＭＯＳ・ＦＥＴ１を置き、３ミリのビス９でパワーＭＯＳ・ＦＥＴ１を アルミ角棒２に固定する。この時、パワーＭＯＳ・ＦＥＴ１の非絶縁部がアルミ 角棒２と接触していたり、ビス９を締めすぎたりしないようにする。
【０００８】 つぎに、スペーサー７をアルミ角棒２の上に置き、上からブスバー４ａを置く 。この時、ブスバー４ａ、４ｂ、４ｃの端には何カ所か丸穴を形成しており、そ こにパワーＭＯＳ・ＦＥＴ１のリード端子を通す。 そして絶縁紙６を上に置き、また、別のブスバー４ｂ、絶縁紙６、ブスバー４ ｃといった順に重ね合わせる。３枚のブスバーが重なったら、その上にスペーサ ー８を置く。
【０００９】 つぎに、上よりパワーＭＯＳ・ＦＥＴ１の駆動回路となるプリント基板５を置 く。 そして、４ミリのビス１０で上からしっかりとプリント基板５、スペーサ ー８、ブスバー４ａ，４ｂ，４ｃ、絶縁紙６、スペーサー７をアルミ角棒２に固 定する。 次に、プリント基板５、およびブスバー４ａ，４ｂ，４ｃそれぞれにパワーＭ ＯＳ・ＦＥＴ１のリード端子の必要箇所を半田付けする。
【００１０】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によって、パワーＭＯＳ・ＦＥＴを並列接続した時 に発生する各素子への電流が不均等になるのを、解決することになる。 これによりパワーＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続数が変わっても、これを応用して おこなえば良いこととなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】パワーＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続における組立
分解図である。
【図２】パワーＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続における組立
完成図である。
【図３】パワーＭＯＳ・ＦＥＴの並列接続における等価
回路図である。
【符号の説明】
１ａ，１ｂ パワーＭＯＳ・ＦＥＴ ２ アルミ角棒 ３ａ，３ｂ 絶縁紙 ４ａ，４ｂ，４ｃ ブスバー ５ プリント基板 ６ 絶縁紙 ７ スペーサー ８ スペーサー ９ ３ミリのビス １０ ４ミリのビス

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のＭＯＳ・ＦＥＴと、前記複数のＭＯ
    Ｓ・ＦＥＴを支持台に固定配置し、絶縁された複数のブ
    スバーを使い前記複数のＭＯＳ・ＦＥＴの各端子を並列
    かつ直列に接続し、前記複数のＭＯＳ・ＦＥＴを駆動し
    かつ制御する基板を取り付けて一体化し、一対の大容量
    ＭＯＳ・ＦＥＴを構成するＭＯＳ・ＦＥＴ並列接続装
    置。
JP891693U 1993-02-10 1993-02-10 Ｍｏｓ・ｆｅｔ並列接続装置 Pending JPH0662554U (ja)

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JPH0662554U true JPH0662554U (ja) 1994-09-02

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