JPH0663024B2 - 真空加熱装置 - Google Patents

真空加熱装置

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JPH0663024B2
JPH0663024B2 JP2174181A JP17418190A JPH0663024B2 JP H0663024 B2 JPH0663024 B2 JP H0663024B2 JP 2174181 A JP2174181 A JP 2174181A JP 17418190 A JP17418190 A JP 17418190A JP H0663024 B2 JPH0663024 B2 JP H0663024B2
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JP
Japan
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chamber
heating
vacuum
heated
heat
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JP2174181A
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文夫 渡辺
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Sukegawa Electric Co Ltd
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Sukegawa Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】
本発明は、真空中で加熱物を加熱して熱処理する真空加
熱装置に関する。
【従来の技術】
従来の真空加熱装置は、真空ポンプを備えるチェンバー
の中に加熱物を収納し、その周囲に配置された抵抗加熱
ヒーターや高周波加熱ヒーターにより、加熱物を加熱す
る構造を有する。通常、ヒーターの周りには反射板が配
置され、ヒーターから発生した熱が効率よく加熱物に照
射されるよう設計されている。 従来の真空加熱装置の中で、現在最も優れている装置
は、加熱物を最高1200℃まで加熱した状態で得られ
る真空度は最高10−6Torrである。 今日における半導体技術や薄膜形成技術の進展に伴い、
材料を超高真空中において高い温度で熱処理する技術が
要求されている。このような技術を生産ラインに適用す
る場合、処理サイクルの時間ができるだけ短いことが要
求される。そのためには例えば、(a)チェンバーを必
要な真空度にまで到達させる時間、(b)加熱物を必要
な温度まで加熱する時間、(c)加熱された加熱物を常
温まで戻す時間等ができるだけ短いことが必要である。
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前記従来の形式の真空加熱装置の場合、
チェンバーの中にヒーターや反射板が配置されるため、
チェンバー内にガス分子を放出する壁面々積が増大する
うえ、チェンバーが総体的に大型化し、必要な真空度に
到達する迄に長い時間がかかる。さらに、ヒーターによ
って、加熱物のみならず、反射板やチェンバーの壁面が
加熱されることから、加熱物を加熱するまでに長い時間
を要すると同時に、加熱されたこれら反射板やチェンバ
ーの壁面から熱によってガス分子が放出されるため、加
熱状態下での高真空の達成はきわめて困難である。ま
た、加熱せずに常温で減圧を開始した後、ヒーターを発
熱させて加熱物の加熱を開始すると、その時点から前記
反射板やチェンバーの壁面からガス分子が急に放出され
るため、真空度が低下し、その後必要な真空度が得られ
ない。 第3図は、排気開始後の時間とチェンバーの真空到達度
の関係の一例を示すグラフである。壁面のガス分子の放
出が少ない理想的なチェンバーでは、時間の経過と共に
その中の真空度は直線的に高くなる。しかし実際には、
予め充分ベーキングされたチェンバーの壁面であって
も、真空度の低下に伴い、チェンバー壁面等からのガス
分子の放出が起こるため、常温においてもグラフ(15
℃)のように、真空度が高くなるに従って、真空度の勾
配は次第に鈍る。さらに、チェンバーの壁面を加熱した
場合は、真空度が高くなると、それだけチェンバーの壁
面等からのガス分子の放出が相対的に大となるため、排
気しても真空度の勾配が相当鈍くなり、排気手段の能力
が充分でないときは、加熱開始前より真空度が相当悪く
なる。 このため、従来のように、加熱物を1000℃以上の温
度に加熱する場合、チェンバーの到達真空度は、せいぜ
い10−6Torrが限界であった。 さらに、従来の装置では、加熱物を抵抗加熱方式のヒー
ターにより直接加熱しているため、その加熱熱量を大き
くとるために、ヒーターに大電流を流す必要がある。こ
のため、配線の抵抗による加熱を考慮して、チェンバー
の内外を通す電源配線や端子類を大型化しなければなら
ない。この点でもチェンバーの容積の大型化を招き、到
達真空度が低くなる原因となっていた。 これに加え、前記従来の形式の真空加熱装置の場合、加
熱物を加熱した後、これを室温まで冷却するのに、自然
放冷による冷却が行なわれていたため、1000℃以上
の温度に加熱された加熱物を室温まで冷却するのに、数
十時間という長い時間がかかっていた。これは、真空状
態に維持されたチェンバーの中では、放熱が輻射による
ものにのみ得られるのに加え、その周囲に設置された反
射鏡がこの熱輻射を阻むため、単位時間当りの放熱量が
極端に小さいことによる。 そこで、加熱物の加熱後、チェンバーに冷却ガスを導入
し、このガスで加熱物の熱を吸収することも行なわれて
いる。しかしがこの場合は、その都度チェンバーの真空
状態を破って、チェンバーを大気圧に戻さなければなら
ず、再減圧に長い時間を要してしまうという課題があっ
た。 本発明は、前記従来の課題を解消して、加熱物を100
0℃以上の温度に加熱しながら、なおかつチェンバーを
高真空に維持することができ、しかも加熱物の加熱後
は、加熱物を速やかに冷却して取り出しが可能なる真空
加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
すなわち、前記目的を達成するため、本発明では、加熱
物aが収納されるチェンバー1と、該チェンバー1を減
圧する排気手段と、前記加熱物aを加熱する手段とを備
える真空加熱装置において、耐熱性を有し、加熱物aを
保持する保持部3と、該保持部3を介して前記加熱物a
を加熱すると共に、同保持部3により前記チェンバー1
と気密に仕切られた空間側に配置された加熱手段と、前
記チャンバ1内にあって、保持部3上の加熱物aに接
近、離間する吸熱ブロック23と、該吸熱ブロック23
を冷却すると共に、前記チェンバー1と気密に仕切られ
た空間側に配置された冷却手段とを有することを特徴と
する真空加熱装置を提供する。
【作用】
前記本発明による真空加熱装置では、加熱物aを加熱す
るとき、この加熱物aから吸熱ブロック23を離した状
態で、加熱手段により、保持部3を介して加熱物a加熱
する。このとき、加熱手段は、加熱物aが配置されたチ
ェンバー1とは保持部3により気密に仕切られているた
め、保持部3からの熱放射以外は、加熱物aが配置され
たチェンバー1に熱的な影響が殆ど及ばない。しかも、
吸熱ブロック23により、チャンバー1内が冷却される
ため、チャンバー1の壁面からのガス放出が抑えられ、
その中を容易に高真空に維持することができる。 そして、加熱終了後この吸熱ブロック23を保持部3上
の加熱物aに接近させる。すると、保持部3の熱が吸熱
ブロック23に吸収され、さらにこの熱が吸熱ブロック
23を介して冷却手段に奪われる。このため、加熱物a
が保有する熱が吸熱ブロック23を介して放熱され、チ
ェンバーの真空状態を維持したまま短時間で加熱物aを
冷却することができる。 また、加熱手段へ電力を供給するための配線を、保持部
3で分離されたチェンバー1の外側で配線することがで
きるので、配線も大型にならない。
【実施例】
次に、図面を参照しながら、本発明の実施例について詳
細に説明する。 第1図で示すように、図示の実施例では、加熱物aが配
置される第一のチェンバー1と、これに隣接する第二の
チェンバー2とを備える。第一のチェンバー1は、フラ
ンジ6を介して排気手段であるところのターボ分子ポン
プ等の真空ポンプ18に接続され、この真空ポンプ18
での排気により、同第一のチャンバー1の中が減圧され
る。また、第二のチェンバー2は、円筒形の第一の隔壁
19とこれに連続する第二の隔壁20及び前記第一の隔
壁19の上端を塞ぐように取り付けられた円板状の保持
部3とにより、前記第一のチェンバー1と気密に区画さ
れている。 前記第一のチェンバー1の隔壁及び第二のチェンバー2
の第二の隔壁20は、比較的熱伝導良好な例えばアルミ
ニウム等で形成されており、第二のチェンバー2の第一
の隔壁19は、これより熱伝導の悪い例えばチタンやス
テンレス等で形成されている。第1図と第2図で示され
た保持部3は、モリブデン等の導電性高融点材料からな
る円板状のもので、円筒形の隔壁19の上端面を閉じる
ように取り付けられている。 前記第第一のチェンバー1の保持部3の真上に立ち上が
った円筒部の上面にフランジ7が形成され、このフラン
ジ7にガスケットを介して別のフランジ22が取り付け
られ、これにスクリューシャフト10が螺合されてい
る。同スクリューシャフト10の上端には、これを手動
回転させるためのハンドル11が取り付けられ、同シャ
フト10の下端には、吸熱ブロック23が取り付けら
れ、これが保持部3の真上に配置されている。この吸熱
ブロック23は、アルミニウムや銅等の熱伝導良好な金
属で形成され、スクリューシャフト10を最も下げたと
き、その下面の周囲から下方に突出された先端部分が、
保持部3の周辺部に接触する。スクリューシャフト10
を囲むようにしてベローズ9が設けられ、その上端と下
端とがフランジ22と吸熱ブロック23に各々固着され
ている。これにより、ベローズ9の中は、チェンバー1
に対して気密に仕切られている。前記フランジ22に冷
却水の導入パイプ8aと排出パイプ8bとが取り付けら
れ、これらがベローズ9の中に導入されている。さら
に、これらパイプ8a、8bは、冷却器21に接続され
ている。チェンバー1の前記保持部3の側方には、ビュ
ーイングポート12が設けられ、ここで保持部3の状態
を監視することができる。 他方、第二のチェンバー2側には、電源15で与えられ
る電流により、熱電子を放出する電子銃4が配置されて
おり、電源15と電子銃4との接続は、チェンバー2の
下端に設けた端子13、13′を介して行なわれてい
る。この電子銃4の下には、負電圧に印加された反射板
5が配置されていると共に、前記保持部3は正電圧に維
持され、前記電子銃4との間に加速電圧24が印加され
る。これにより前記電子銃4から発射された熱電子は、
保持部3側にのみ放出される。電子銃4から放出された
熱電子が保持部3の下面に入射すると、熱電子の衝撃エ
ネルギーにより、保持部3が加熱される。その時の熱量
は、電子銃4に与えられる電流と電子銃4に対して保持
部3に加えられる加速電圧との積に比例する。 この装置を使用して加熱物aを加熱する場合は、まず保
持部3の上に加熱物aを載せ、真空ポンプ17、18を
作動させて第一と第二のチェンバー1、2を各々排気、
減圧する。そして、各々のチェンバー1、2が適当な真
空度に達したとき、電子銃4に電流を流すと共に、保持
部3と電子銃4との間に加速電圧を印加することによ
り、保持部3を電子衝撃により加熱し、その上の加熱物
aを加熱する。 このとき、吸熱ブロック23は、第1図及び第2図で示
すように、保持部3から離しておく。また、ベローズ9
の中にパイプ8a、8bを通して冷却器21から冷却水
を循環させて、吸熱ブロック23を予め冷却しておく。 前記加熱物aの加熱処理を終わり、これを冷却するとき
は、まず電子銃4への電流の供給を停止し、さらにスク
リューシャフト11を回転して吸熱ブロック23を下
げ、これを保持部3に接触させる。すると、加熱物a及
び保持部3の熱が吸熱ブロック23に吸収され、これが
ベローズ9の中に循環する冷却水に吸収されて、チェン
バー1の外の冷却器21側に送られる。このため、加熱
物a及び保持部3の温度が急激に低下し、これらを室温
まで短時間に冷却できる。 第1図に示す装置において、最大径φ70、厚さ10m
mのモリブデン製保持部3の上に、60φ、厚さ5mm
のシリコン製加熱物aを載せて加熱処理する場合におい
て、第一のチェンバー1を予め10−10Torrまで減圧
した状態で保持部3の加熱を開始すると、保持部3の温
度が1200℃に達するまでに第一のチェンバー1の真
空度は、約10−7Torrまで低下する。しかし、そのま
ま加熱を続けながら、第一のチェンバー1を減圧する
と、3分程で再び10−9Torrの真空度に戻る。さら
に、加熱物aの加熱終了後、吸熱ブロック23を保持部
3に接触させると、加熱物aを1200℃から常温まで
約5分で冷却することができる。 これは、実際の処理サイクルの一例であるが、前記装置
を用いた場合、保持部3を1500℃まで加熱した状態
で、第一のチェンバー1を、10−8Torrの真空度とす
ることが可能である。この場合、第二のチェンバー2
は、電子衝撃により、保持部3を加熱できる程度の10
−6Torr以上の真空度に維持されていればよい。 第4図に、本発明の他の実施例を示す。ここでは、保持
部3′はセラミクスからなる凹形の容器状となってお
り、この中に加熱物が収納される。また、熱源として
は、前述のような電子銃の代わりに、主として輻射によ
る熱伝導手段を用いる場合で、フィラメントは、前記保
持部3′の外側を囲むように形成されている。 本発明は、以上説明した実施例に限られず、例えば、第
二のチェンバー2は、真空ポンプ17等の排気手段を備
えるものに限られず、電子衝撃により、保持部3を加熱
できる真空状態が得られれば、例えばガラス等に真空状
態を封じ込めた真空管であってもよい。さらに、加熱手
段は、電子銃の他、抵抗加熱や高周波加熱手段を採用す
ることもできる。この場合は、第二のチェンバー2は必
ずしも必要ではなく、加熱手段を大気圧中に置くことも
可能である。吸熱ブロック23を冷却する手段も、ベロ
ーズ9を用いた冷却水の循環系を用いているが、例え
ば、ヒートパイプをチェンバー1の中に導入して冷却す
る等、他の冷却手段を採用しても差し支えない。また、
図示の実施例では、手動操作を前提とする装置に具体化
されているが、当然のことながら、一連の操作が自動化
された装置にも適用できる。
【発明の効果】
以上説明した通り、本発明によれば、加熱物aを高温に
加熱しながら、同加熱物aが配置されたチェンバー1を
10−9Torrという高真空に維持することが可能であ
る。さらに、加熱終了後は、加熱物を速やかに冷却して
取り出すことが可能であるため、加熱物aの加熱処理が
能率よく行える。また、チェンバー1の小型化が可能と
なり、必要な真空度まで減圧する時間を短縮することが
可能な真空加熱装置を提供することができるようにな
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を示す要部断面図、第2図
は、同実施例の要部拡大断面図、第3図は、真空加熱装
置における排気時間と到達真空度の関係の例を示すグラ
フ、第4図は、本発明の他の実施例を示す要部拡大断面
図である。 1…第一のチェンバー、2…第二のチェンバー、3、
3′…保持部、4…電子銃、21…冷却器、23…吸熱
ブロック

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】加熱物aが収納されるチェンバー1と、該
    チェンバー1を減圧する排気手段と、前記加熱物aを加
    熱する手段とを備える真空加熱装置において、耐熱性を
    有し、加熱物aを保持する保持部3と、該保持部3を介
    して前記加熱物aを加熱すると共に、同保持部3により
    前記チェンバー1と気密に仕切られた空間側に配置され
    た加熱手段と、前記チャンバ1内にあって、保持部3上
    の加熱物aに接近、離間する吸熱ブロック23と、該吸
    熱ブロック23を冷却すると共に、前記チェンバー1と
    気密に仕切られた空間側に配置された冷却手段とを有す
    ることを特徴とする真空加熱装置。
JP2174181A 1990-06-30 1990-06-30 真空加熱装置 Expired - Lifetime JPH0663024B2 (ja)

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JP2174181A JPH0663024B2 (ja) 1990-06-30 1990-06-30 真空加熱装置

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JP2174181A JPH0663024B2 (ja) 1990-06-30 1990-06-30 真空加熱装置

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JPH0463224A JPH0463224A (ja) 1992-02-28
JPH0663024B2 true JPH0663024B2 (ja) 1994-08-17

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ID=15974133

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JP2174181A Expired - Lifetime JPH0663024B2 (ja) 1990-06-30 1990-06-30 真空加熱装置

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CN114544420B (zh) * 2022-02-24 2023-10-10 北京卫星环境工程研究所 一种用于超高真空环境下材料释气特性测试装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH07109031B2 (ja) * 1988-10-06 1995-11-22 富士通株式会社 基板加熱装置

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JPH0463224A (ja) 1992-02-28

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