JPH0664351B2 - アルコキシアミン電荷移送分子を含有する光導電性像形成部材 - Google Patents

アルコキシアミン電荷移送分子を含有する光導電性像形成部材

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JPH0664351B2
JPH0664351B2 JP61141225A JP14122586A JPH0664351B2 JP H0664351 B2 JPH0664351 B2 JP H0664351B2 JP 61141225 A JP61141225 A JP 61141225A JP 14122586 A JP14122586 A JP 14122586A JP H0664351 B2 JPH0664351 B2 JP H0664351B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は一般に電荷移送(charge tansporting)分子に
関し、さらに詳しくは、本発明は電荷移送層としてある
種のアリールアミン誘導体を含む像形成部材に関する。
一つの実施態様において、本発明は光励起(photogener
ating)層および米国特許第4,265,990号に記載されたテ
トラフェニル ビフェニル ジアミンのアルコキシ誘導
体を含む電荷移送層とからなる多層型感光性像形成部材
を意図するものである。このアルコキシジアミン移送分
子を含む多層型像形成部材は静電写真像形成装置特に静
電複写像形成法において有用である。さらにテトラフェ
ニル ビフェニルジアミンのアルコキシ誘導体は元のテ
トラ フェニル ジアミンに対して望ましい改良された
性質、例えば高電荷キヤリヤー移動性および不活性樹脂
バインダー中での増大した溶解性を有する。
先行技術 電荷移送分子を含む多層型像形成部材は米国特許第4,26
5,990号を含む多くの従来技術文献において開示されて
いる。これらの像形成部材は、一般に、支持基層、光励
起顔料を含む光導電性層、および電荷移送層としてのア
ルキル、クロロ置換ビフェニルおよびクロロ置換テトラ
フェニル ジアミン移送分子を含むアリールアミンと
からなっている。従来技術において開示された1つの特
定の電荷移送分子はN,N′−ジフェニル−N,N′−ビス
(3−メチル フェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−
1,1′−ジアミンである。これらアリールアミンの誘導
体である本発明の電荷移送分子は高電荷キヤリヤー移動
性および樹脂バインダ中での増大した溶解性を示す。増
大したキヤリヤー移動性はアルコキシ アミン移送分子
の濃度または量の望ましい削減をもたらすと同時に像形
成部材中で必要な高移動性を維持している。さらに、減
少量のアルコキシ移送分子の使用は得られる移送層の機
械特性の改良をもたらす。本発明のアルコキシ アリー
ルアミン分子の有するこれらの特性および他の性質は多
くの種々の樹脂バインダー使用を可能にし、得られた像
形成部材を高処理速度で多数回の像形成サイクルで使用
可能にし、さらに電荷移送層中での高電荷移動性を維持
する。
また、ポリシリレン正孔移送分子も公知である〔“フォ
トレスポンシブ イメージング メンバーズ ウィズ
ポリシリレン ホール トランスポーテイング コンポ
ジション(Photoresponive Imaging Members with Poly
silylenes Hole Transporting Compositions)”なる名
称の米国特許第694,862号参照。
ほかに多くの特許が多層型感光性像形成部材を開示して
おり、例えば、米国特許第3,041,167号は導電性基層、
光導電性層、および電気絶縁性高分子物質のオーバーコ
ーテイング層からなるオーバーコート型部材を例示して
いる。この部材は電子写真複写方法において、例えば、
最初第一極性の静電荷によって荷電し、像形成的に露光
して後で現像できる静電潜像を形成することによって使
用できる。第二極性の十分量の追加電荷を適用し、像形
成部材に第二極性の網状電場を形成する。同時に、第一
極性のモービル電荷を光導電性層中に導電性基層に電位
を印加することによって形成する。現像して可視像を形
成する像形成電位は光導電性層とオーバーコーテイング
層を横切って存在している。
さらに、ベルギー特許第763,540号には、少なくとも2
つの電気作動性(operative)層を有する電子写真(ele
ctrographic)部材が開示されている。その第1層は使
用するスペクトル領域中で実質的に非吸収性である有機
移送物質を含む連続活性(contineous active)層に電
荷を注入する光励起物質からなっている。さらに、米国
特許第3,041,116号には、基層上のガラス質セレン層に
オーバーコーテイングされた透明プラスチック物質を含
む光導電性物質が開示されている。
さらに、米国特許第4,232,102号および第4,233,383号に
は、炭酸ナトリウム、亜セレン酸ナトリウムでドーピン
グされた三方晶セレン、および炭酸バリウム、および亜
セレン酸バリウムまたはこれらの混合物でドーピングさ
れた三方晶セレンからなる感光性像形成部材が開示され
ている。
さらに、感光性像形成部材でのスクアライン顔料の使用
(米国特許第4,415,639号参照)または他のスクアライ
ン組成物の使用(米国特許第4,471,041号参照)も公知
である。また、光励起顔料として、金属フタロシアニ
ン、無金属フタロシアニン、バナジル、フタロシアニ
ン、セレン、セレン合金、およびペリレン染料も使用で
きる(米国特許出願第587,483号参照)。
米国特許第4,265,990号は本発明の正孔移送(hole tran
sporting)分子と同様なアリールアミン正孔移送分子を
開示しているが、1つの主な違いは本発明のアリールア
ミンにはアルコキシ置換基が存在することである。
正孔移送分子、特に米国特許第4,265,990号に記載のも
のと同じまたは類似の分子を開示している他の特許に
は、米国特許第4,346,158号、第4,378,415号、第4,397,
931号、第4,489,148号および特開昭57−144557号があ
る。
発明の解決しようとする問題点 上述の感光性像形成部材はいずれもその意図する目的に
は適しているけれども、新規な電荷移送分子を含む改良
された部材の開発が要求されている。さらに、望ましい
高電荷キヤリヤー移動性を示す電荷移送分子を含む像形
成部材が要求されている。また、樹脂バインダー組成物
中での増大した溶解性を有する、新規な電荷移送分子を
含む像形成部材が要求されている。さらにまた、テトラ
フェニル ビフェニル ジアミンのある種の誘導体から
なる電荷移送分子を含み、得られた部材を機械環境また
は周囲条件からの劣下なしに多数回の像形成サイクルで
繰返し使用できる多層型像形成部材が要求されている。
さらに、各層に使用する材料が部材の使用者に実質的に
無害である改良された多層型像形成部材が要求されてい
る。また、低濃度の移送分子を使用できる電荷移送層が
要求されている。
発明の目的 本発明の目的は正孔移送(hole transporting)分子を
提供することである。
本発明の別の目的は正孔移送分子としてテトラフェニル
ビフェニル ジアミンの誘導体を含む改良された感光
性像形成部材を提供することである。
本発明のさらに特定の目的は光導電性層、および正孔移
送分子としてのテトラ フェニル ビフェニル ジアミ
ンのアルコキシ誘導体とからなる改良された多層型感光
性像形成部材を提供することである。
本発明のさらに別の目的はテトラ フェニル ビフェニ
ル ジアミンのアルコキシ誘導体からなる正孔移送層と
支持基層との間にある光励起(photogenerating)層か
らなる多層型感光性像形成部材を提供することである。
本発明のさらに別の目的は正孔移送層が光励起層と支持
基層との間にある改良された多層型感光性像形成部材を
提供することである。
また、本発明のさらに別の目的は上述の多層型感光性装
置を用いた像形成方法を提供することである。
本発明のさらに別の目的は増大した電荷キヤリヤー移動
性と樹脂バインダー中ですぐれた溶解性とを同時に有す
る改良されたアルコキシ テトラフェニル ビフェニル
ジアミン正孔移送分子を提供することである。
発明の構成 本発明の上記および他の目的は次式: (式中、R1は水素,オルソアルコキシ,メタアルコキ
シ、パラアルコキシ、オルソアルキル,メタアルキル,
パラアルキル,3,5−ジアルコキシ,2,4−ジアルコキシ,
および2,5−ジアルコキシからなる群より選ばれ、R2
オルソアルコキシ,メタアルコキシ,パラアルコキシ,
3,5−ジアルコキシ,2,4−ジアルコキシおよび2,5−ジア
ルコキシからなる群より選ばれる) を有するアルコキシ テトラフェニル ビフェニル ジ
アミン正孔移送分子を用いることによって達成される。
アルキル置換基は約1〜20個の炭素原子を含むもの、例
えば、メチル,エチル,プロピル,ブチル,ペンチル,
ヘキシル,ノニル,ペタデシルおよびエイコシルを含
む。好ましいアルキル基は1〜約6個の炭素原子を含む
もの例えばメチル,エチル,プロピルおよびブチルであ
る。同様に、アルコキシル基も約1〜約20個の炭素原子
を含むもの、例えば、メトキシ,エトキシ,プロポキ
シ,ブトキシ,ペントキシ,ヘキサオキシ,ペンタオキ
シおよび他の同様なアルコキシ置換基を含む。特に好ま
しいアルコキシは約1〜約6個の炭素原子を含むもの、
例えば、メトキシ,エトキシ,プロポキシおよびブトキ
シである。これらのアルコキシアミン正孔移送組成物
は、例えば、“ジヤーナル オブ オルガニック ケミ
ストリー(Journal of Organic Chemistry),Vol37,No.
26,P4440,(1972)、S.C.クリーソン,J.ウィーレーおよ
びR.F.ネルソン”に記載されたウルマン(Ullmann)反
応によって調製できる。
本発明の範囲に属する電荷移送分子の具体例には次のも
のがある: N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4−メトキシフェニ
ル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4、−エトキシフェ
ニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4−プロポキシフェ
ニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4−ブトキシフェニ
ル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4−ペントキシフェ
ニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(3,5−ジメトキシフ
ェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(2,4−ジメトキシフ
ェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン, N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(2,5−ジメトキシフ
ェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミン。
本発明のアルコキシ テトラフェニル ビフェニル ジ
アミン正孔移送分子は米国特許第4,265,990号に記載さ
れた近似の電荷移送分子に対しいくつかの点で優れてい
る。例えば、本発明のメトキシ テトラ フェニル ビ
フェニル ジアミン正孔電荷移送分子は上記米国特許第
4,265,990号のジアミン正孔移送分子よりも約5〜7倍
大きい電荷キヤリヤー移動性を有する。さらに、本発明
の電荷移送分子は米国特許第4,265,990号の電荷移送分
子よりも各種バインダー中で約2倍可溶性である。
本発明のアルコキシ正孔移送分子の増大した電荷キヤリ
ヤー移動性および高溶解性は高分子バインダー中に分散
させるのにこれら分子の低濃度の使用を可能にする。さ
らに、アルコキシ正孔移送分子の増大した溶解性によ
り、ポリカーボネート以外の種々の樹脂バインダー、例
えば、ビスフェノールA−ポリエステル カーボネート
コポリマー、エステル化ビスフェノールAフェノキシ
樹脂、およびエポキシ樹脂の使用が可能になる。
本発明の改良された像形成部材は多くの公知方法によっ
て製造できるが、各層のコーティングのための諸プロセ
スパラメーターは所望する部材に依存する。例えば、本
発明の改良された感光性像形成部材は、任意構成成分と
しての正孔注入ブロキング(blocking)層と接着層を有
する導電性基層を調製し、この基層に溶液コーティング
法,ラミネーティング法,または真空蒸着法によって光
導電性層および正孔移送層を設けることによって製造で
きる。他の方法としては溶解押出法,ディップコーティ
ング法およびスプレー法がある。
好ましい実施態様 以下、本発明およびその特徴をより良好に理解するため
に、各種の好ましい実施態様について詳細に説明する。
第1図は、本発明の改良された感光性像形成部材の一部
略断面図である。
第1図においては、支持基層3,必要に応じて不活性樹脂
バインダー組成物9中に分散させた光励起顔料7からな
る電荷キヤリヤー励起層5,および不活性樹脂バインダー
14中に分散させたN,N−ジフェニル−N,N′−ビス(4−
メトキシフェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−
ジアミン12からなる正孔移送層11とからなる本発明の負
帯電型の改良された感光性像形成部材が例示されてい
る。
第2図は、本発明の第二の感光性像形成部材の一部略断
面図である。
第2図ではアルミニウム処理マイラー(Mylar)の導電
性支持基層21、ポリカーボネート樹脂バインダー27中に
分散させたN,N−ジフェニル−N,N′−ビス(4−メトキ
シフェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミ
ン25からなる電荷移送層23、および必要に応じて不活性
樹脂バインダー33中に分散させた三方晶セレン31からな
る電荷キヤリヤー励起層29とからなる本発明の正帯電型
の感光性像形成部材が例示されている。
第3図は、本発明の他の感光性像形成部材の一部略断面
図である。
第3図には、アルミニウム処理マイラーの導電性支持基
層41、任意構成成分の接着ブロッキング層43、樹脂バイ
ンダー49中に分散させた三方晶セレン光励起顔料または
他の同様の無機顔料47からなる電荷キヤリヤー励起層4
5、およびポリカーボネート樹脂バインダー60中に分散
させたN,N−ジフェニル−N,N′−ビス(4−メトキシフ
ェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミンか
らなる正孔移送層51とからなる本発明の負帯電型感光性
像形成部材が例示されている。
基体層は不透明または実質的に透明でもよく必要な機械
的性質を有する任意の適当な材料からなり得る。即ち、
これらの基層は無機または有機高分子材料のような非導
電性材料の層、導電性表面層を有する有機または無機材
料の層または例えばアルミニウム,クロム,ニッケル,
インジウム,酸化錫,黄銅等の如き導電性材料の層から
なり得る。また、基層は可撓性でもまたは剛性のあるも
のでもよく、任意の多くの異なる形状、例えば、プレー
ト,円筒状ドラム,スクロール,エンドレス可撓性ベル
ト等であり得る。好ましいのはエンドレス可撓性ベルト
の形である。
基層の厚さは経済性を含む多くの要因により決められ
る。即ち、基層は100ミル(2.5mm)の実質的厚さあるい
は本発明の目的が達成される最小の厚さを有し得る。一
つの好ましい実施態様においては基層の厚さは約3ミル
〜約10ミル(0.076〜0.254mm)である。
光励起顔料の例には、前述したように、無定形セレン,A
s2Se3のようなセレン合金,三方晶セレン,ペリレン,
無金属(metal free)フタロシアニン,金属フタロシア
ニン,バナジル,フタロシアニン,スクアライン等があ
り、好ましいのはAs2Se3である。典型的には、電荷キヤ
リヤー励起層は約0.05ミクロン〜約10ミクロンまたはそ
れ以上の厚さを有するが、5から100容量%に変え得る
光励起顔料の含容量により、他の厚さであってもよい。
好ましいのは、光励起層は約0.1〜約3ミクロンの厚さ
を有する。一般に、この層は像形成露光段階で層に照射
される照射光の約90%以上を吸収するのに十分な厚さに
調製することが望ましい。また、励起層の最大厚は機械
的要因、例えば、可撓性の感光性像形成部材が望まれる
かどうか、あるいは光励起体の本質即ち正孔または電子
の範囲が制限されるかどうかのような要因に主として依
存している。
光励起顔料用に用いられる任意成分としての樹脂バイン
ダーは例えば米国特許第3,121,006号に記載されている
ようなポリマー類であり、ポリエステル,ポリビニル
ブチラール,ポリビニル カルバゾール,ポリカーボネ
ート樹脂,エポキシ樹脂,ポリヒドロキシエーテル樹脂
等である。
任意構成成分としての正孔ブロッキング層としては、酸
化アルミニウム等のような種々の公知金属酸化物が使用
できる。この層は約50オングストローム(0.005ミクロ
ン)以下の厚さを有し、像形成部材の荷電中または荷電
後の基層からの正孔の注入を防止する。さらに、本発明
の像形成部材には、支持基層と光励起層との間に接着物
質を存在させることができ、そのような物質としてはポ
リエステル,ポリビニルブチラール,ポリビニルピロリ
ドン,および加水分解γ−アミノプロピルトリエトキシ
シランがある(米国特許第4,464,450号参照)。
本発明のアルコキシ アミン正孔移送化合物は、例え
ば、“ジヤーナル オブ オルガニック ケミストリー
(the Journal of Organic Chemistry),vol37,No.26,P
4440,(1972),S.C.クリーソン,J.ウィーレー,および
R.F.ネルソン”に記載されたウルマン反応により調製で
きる。
本発明の像形成部材において、電荷移送層は一般に約2
ミクロン〜約50ミクロンの厚さ、好ましくは約5ミクロ
ン〜約30ミクロンの厚さを有する。アルコキシ ジアミ
ン正孔移送分子の分散に用いることのできる樹脂バイン
ダーには米国特許第3,121,006号に記載されたものがあ
る。バインダーの特定の例としては、ポリビニルカルバ
ゾール,ポリカーボネート樹脂,エポキシ樹脂,ポリビ
ニル ブチラール,ポリヒドロキシエーテル樹脂等があ
る。
以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説明
するが、これらの実施例は単に例示を目的とし、本発明
を実施例で示した材料、条件、またはプロセスパラメー
ターに限定するものでないことを理解されたい。すべて
の部およびパーセントは特に断わらない限り重量によ
る。
実施例 1 N,N−ジフェニル−N,N′−ビス(4−メトキシフェニ
ル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミンを前出
の“ジヤーナル オブ オルガニック ケミストリー,v
ol37,No.26,P4440,(1972)”に記載された手順に従っ
て20gのジフェニルベンジジンと61.2gの4−イオドアニ
ソールとのウルマン反応によって調製した。得られた粗
生成物を熱トルエンと混合し、その後トルエンを減圧下
に混合物から蒸発させた。その後、得られた生成物をジ
エチルエーテル中に分散させ、結晶沈澱物を形成させ
た。その間に残留不純物はジエチルエーテル溶媒中に溶
解して残った。濾過後、26gの生成物を得、これを455ml
のアセトンと100mlのベンゼンとの熱混合物中に溶解し
た。−5℃への冷却したのち、結晶化生成物を得た。約
25gのメトキシジアミン生成物をウォーレン(Wohlen)
中性アルミニウムとベンゼン−ヘキサン溶媒(1:1比)
とを含むカラムに通して不純物を除去した。濾過したの
ち、19gのメトキシジアミン生成物を得た。
前述した他のアルコキシ ジアミン類も同様な方法で調
製できる。
実施例 2 感光性像形成部材を、厚さ3ミル(75ミクロン)のアル
ミニウム処理マイラー基層を用意し、この基層に、フロ
リダのPCPリサート ケミカルズ社から入手でき、先ず
水中で1:50容量比で2時間加水分解し、エタノールで希
釈して水/エタノール中0.1%シラノール溶液とした3
−アミノプロピルトリエトキシ シランの層を、0.5ミ
ル(13ミクロン)の湿潤厚さで、マルチプルクリアラン
ス フイルム アプリケーターでもって適用することに
よって、調製した。次に、この層を室温で5分間、強制
送風炉中で110℃、10分間乾燥させた。75容量%のポリ
ビニルカルバゾール中の25容量%の三方晶セレンからな
り、厚さ0.4ミクロンを有する電荷キヤリヤー励起層を
バーコーティング法によって上記シラン層に適用した。
その後、セレン層を、65重量%のポリカーボネート樹脂
バインダー(モーベイケミカル社より入手できる)中に
分散させた35重量%のN′,N−ジフェニル−N,N′−ビ
ス(4−メトキシフェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕
−1,1′−ジアミンからなる電荷移送層によってオーバ
ーコーテイングした。この電荷移送層は塩化メチレン溶
液からのスプレーによって適用した。乾燥後、厚さ30ミ
クロンの電荷移送層を得た。
次に、上記で調製した像形成部材上に、該部材を静電複
写像形成試験装置に組み込み、該部材を1000ボルトの負
電圧に荷電したのち、静電像を形成させた。その後、得
られた像を、92重量%のスチレン n−ブチル メタク
リレート コポリマー(58/42)、8重量%のカーボン
ブラック粒子、および2重量%の帯電促進添加物セチ
ル ピリジニウム クロライドからなるトナー組成物で
現像した。100,000回の像形成サイクルにおいて優れた
解像力と優れた品質を有し、何ら背影付着物のない現像
された像を得た。
実施例 3 感光性像形成部材を実施例2の手順を繰返すことによっ
て調製した。ただし、75重量%のポリカーボネート樹脂
バインダー中に分散させたN,N′−ジフェニル−N,N′−
ビス(4−メトキシフェニル)−〔4,4′−ビフェニ
ル〕−1,1′−ジアミンを使用した。実質的に同様な結
果が、この像形成部材を実施例2の静電複写像形成試験
装置に組み込んだとき得られた。
実施例 4 像形成部材を実施例2の手順を繰返すことによって調製
した。ただし、電荷キヤリヤー励起層としてバインダー
中の三方晶セレンの代りに、真空蒸着したトリセレン化
ひ素As2Se3を用いた。得られた像形成部材を実施例3の
静電複写像形成試験装置に組み込んだとき、実質的に同
様な結果が得られた。
実施例 5 感光性像形成部材を実施例2の手順を繰返すことによっ
て調製した。ただし、電荷移送分子用の樹脂バインダー
として、ポリカーボネートの代りに、ジェネラル エレ
クトリック社より入手でき、ビスフェノールAとジメチ
ルジクロロシランとの重縮合により得たビスフェノール
A ジメチル シロキサンを用いた。得られた像形成部
材を実施例2の静電複写像形成試験装置に組み込んだと
き、実質的に同様な結果を得ることができた。
実施例 6 像形成部材を実施例2の手順を繰返すことによって調製
した。ただし、キヤリヤー励起層として、バインダー中
の三方晶セレンの代りに、70重量%のグッドイャー(Go
odyear)ポリエステル4,9000中に分散させた30重量%バ
ナジルフタロシアニンの0.2ミクロン厚層を用いた。得
られた像形成部材を実施例2の静電複写試験装置に組み
込んだとき、実質的に同様な結果を得ることができた。
本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説明した
が、本発明をこれらに限定するものではなく、むしろ当
業者ならば変形および修正が本発明の精神および特許請
求する範囲内においてなし得ることは理解されるであろ
う。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の改良された感光性像形成部材の一部略
断面図である。 第2図は本発明の第二の感光性像形成部材の一部略断面
図である。 第3図は接着ブロッキング層を含む本発明の感光性像形
成部材の一部略断面図である。 3……支持基層、5……電荷キヤリヤー励起層、 7……光励起顔料、9……不活性樹脂バインダー、 11……正孔移送層、 12……N,N′−ジフェニル−N,N′−ビス(4−メトキシ
フェニル)−〔4,4′−ビフェニル〕−1,1′−ジアミ
ン、 14……不活性樹脂バインダー、 21……支持基層、23……電荷移送層、 29……電荷キヤリヤー励起層、 41……支持基層、43……接着ブロッキング層、 45……電荷キヤリヤー励起層、 51……正孔移送層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジョン エス ファッシ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 14580 ウェブスター カントリー マナー ウ ェイナンバー 20−176 (56)参考文献 特開 昭54−83435(JP,A) 特開 昭61−132955(JP,A) 特開 昭58−203446(JP,A) 特公 昭39−11546(JP,B1)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】次式: (式中、R1は、それぞれ、水素,オルソアルコキシ,メ
    タアルコキシ、パラアルコキシ,オルソアルキル,メタ
    アルキル,パラアルキル,3,5−ジアルコキシ,2,4−ジア
    ルコキシ,および2,5−ジアルコキシからなる群より選
    ばれ、R2はオルソアルコキシ,メタアルコキシ,パラア
    ルコキシ,3,5−ジアルコキシ,2-4−ジアルコキシ,およ
    び2,5−ジアルコキシからなる群より選ばれる) を有するテトラフェニルビフェニル ジアミンのアルキ
    コシ誘導体からなる感光性像形成部材用の正孔移送分
    子。
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