JPS61295558A

JPS61295558A - アルコキシアミン電荷移送分子を含有する光導電性像形成部材

Info

Publication number: JPS61295558A
Application number: JP61141225A
Authority: JP
Inventors: ミラン　ストルカ; キャスリーン　エム　マックグレイン; エスファッシジョン
Original assignee: Xerox Corp
Current assignee: Xerox Corp
Priority date: 1985-06-24
Filing date: 1986-06-17
Publication date: 1986-12-26
Anticipated expiration: 2009-08-22
Also published as: US4588666A; JPH0664351B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】発明の背景本発明は一般に電荷移送（ｃｈａｒｇｅ　ｔｒａｎｓｐ
ｏｒｔ−４ｎｇ　）分子に関し、さらに詳しくは、本発
明は電荷移送層としである種のアリールアミン誘導体を
含む像形成部材に関する。一つの実施態様において、本
発明は光励起（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ　）層
および米国特許第４，２６５，９９０号に記載されたテ
トラフェニル　ビフェニル　ジアミンのアルコキシ誘導
体を含む電荷移送層とからなる多層型感光性像形成部材
を意図するものである。このアルコキシジアミン移送分
子を含む多層型像形成部材は静電写真像形成装置特に静
電複写像形成法において有用である。さらに、テトラフ
ェニル　ビフェニルジアミンのアルコキシ誘導体は元の
テ１−ラ　フェニル　ジアミンに対して望ましい改良さ
れた性質、例えば高電荷キャリヤー移動性および不活性
樹脂バインダー中での増大した熔解性を有する。

先行技術電荷移送分子を含む多層型像形成部材は米国特許第４　
、２６５　、９９０号を含む多くの洋上技術文献におい
て開示されている。これらの像形成部材は、一般に、支
持基層、光励起顔料を含む光導電性層、および電荷移送
層としてのアルキル、クロロ置換ビフェニルおよびクロ
ロ置換テトラ　フェニルジアミン移送分子を含むアリー
ルアミンとからなっている。従来技術において開示され
た１つの特定の電荷移送分子はＮ　、Ｎ’−ジフェニル
−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチル　フェニル）　−（４，
４′−ビフェニル）　−１，１’−ジアミンである。こ
れらアリールアミンの誘導体である本発明の電荷移送分
子は高電荷キャリヤー移動性および樹脂バインダ中での
増大した熔解性を示す。増大したキャリヤー移動性はア
ルコキシ　アミン移き分子の濃度または量の望ましい削
減をもたらすと同時に像形成部材中で必要な高移動性を
維持している。さらに、減少量のアルコキシ移送分子の
使用は得られる移送層の機械特性の改良をもたらす。本
発明のアルコキシ　アリールアミン分子の有するこれら
の特性および他の性質は多くの種々の樹脂バインダー使
用を可能にし、得られた像形成部材を高処理速度で多数
回の像形成サイクルで使用可能にし、さらに電荷移送層
中での高電荷移動性を維持する。

また、ポリシリレン正孔移送分子も公知である（′フォ
トレスポンシブ　イメージング　メンバーズ　ウィズ　
ホ０リシリレン　ホール　トランスボーティング　コン
ポジション（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｐｏｎｓｉｖｅ１ｔ＊ａ
ｇ＋ｎｇ　Ｍｅｍｂｅｒｓ　ｗｉｔｈ　　Ｐｏ１ｙｓｊ
ｌｙｌｅｎｅｓ　ＨｏｌｅＴｒａｎｓｐｏｒｔｔｎｇ　
　Ｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎｓ）　″なる名称の米国特許
第６９４，８６２号参照。

ほかに多くの特許が多層型感光性像形成部材を開示して
おり、例えば、米国特許第３，０４１，１６７号は導電
性基層１．光導電性層、および電気絶縁性高分子物質の
オーバーコーテイング層からなるオーバーコート型部材
を例示している。この部材は電子写真複写方法において
、例えば、最初第一極性の静電荷によって荷電し、像形
成的に露光して後で現像できる静電潜像を形成すること
によって使用できる。第二極性の十分量の追加電荷を通
用し、像形成部材に第二極性の網状電場を形成する。同
時に、第一極性のモービル電荷を光導電性ｆａ中に導電
性基層に電位を印加することによって形成する。現像し
て可視像を形成する像形成電位は光導電性層とオーバー
コーテイング層を横切って存在している。

さらに、ベルギー特許第７６３，５４０号には、少なく
とも２つの電気作動性（ｏｐｅｒａｔｉｖｅ　）層を有
する電子写真（ｅｌｅｃｔｒｏｇｒａｐｈｉｃ）部材が
開示されている。その第１層は使用するスペクトル領域
中で実質的に非吸収性である有機移送物質を含む連続活
性（ｃｏｎｔｉｎｅｏｕｓ　　ａｃｔｉｖｅ）　３に電
荷を注入する光励起物質からなっている。さらに、米国
特許第３．０４１，１１６号には、基層上のガラス質セ
ジン屓にオーバーコーテイングされた透明プラスチック
物質を含む光導電性物質が開示されている。

さらに、米国特許第４．２３２．１０２号および第４，
２３３，３８３号には、炭酸ナトリウム、亜セレン酸ナ
トリウムでドーピングされた三方晶セレン、および炭酸
バリウム、および亜セレン酸バリウムまたはこれらの混
合物でドーピングされた三方晶セレンからなる感光性像
形成部材が開示されている。

さらに、感光性１象形成部材でのスフアラ−イン顔料の
使用（米国特許第４，４１５，６３９号参照）または他
のスクアライン組成物の使用（米国特許第４，４７１，
０４１号参照）も公知である。また、光励起顔料として
、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニン、バナジ
ル　フタロシアニン、セレン、セレン合金、およびペリ
レン染料も使用できる（米国特許出願第５８７，４８３
号参照）。

米国特許第４，２６５．９９０号は本発明の正孔移送（
＋＋ｏｌｅ　　ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ）分子と同様
なアリールアミン正孔移送分子を開示しているが、１つ
の主な違いは本発明のアリールアミンにはアルコキシ置
換基が存在することである。

正孔移送分子、特に米国特許第４，２６５，９９０号に
記載のものと同じまたは類似の分子を開示している他の
特許には、米国特許第４，３４６，１５８号、第４．３
７８．４１５号、第４，３９７，９３１号、第４，４８
９．１４８号および特開昭５７−１４４５５７号がある
。

発明の解決し、ようとする間嶽悲上述の感光性像形成部材はいずれもその意図する目的に
は適しているけれども、新規な電荷移送分子を含む改良
された部材の開発が要求されている。さらに、望ましい
高電荷キャリヤー移動性を示す電荷移送分子を含む像形
成部材が要求されている。また、樹脂バインダー組成物
中での増大した溶解性を有する、新規な電荷移送分子を
含む像形成部材が要求されている。さらにまた、テトラ
フェニル　ビフェニル　ジアミンのある種の誘導体から
なる電荷移送分子を含み、得られた部材を機械環境また
は周囲条件からの劣下なしに多数回の像形成サイクルで
繰返し使用できる多層型像形成部材が要求されている。

さらに、各層に使用する材料が部材の使用者に実質的に
無害である改良された多層型像形成部材が要求されてい
る。また、低濃度の移送分子を使用できる電荷移送層が
要求されている。

発明の目的本発明の目的は正孔移送（ｈｏｌｅ　　ｔｒａｎｓｐｏ
ｒｔｉｎｇ）分子を提供することである。

本発明の別の目的は正孔移送分子としてテトラフェニル
　ビフェニル　ジアミンの誘導体を含む改良された感光
性像形成部材を提供することである。

本発明のさらに特定の目的は光導電性ｌｉｔ、および正
孔移送分子としてのテトラ　フェニル　ビフェニル　ジ
アミンのアルコキシ誘導体とからなる改良された多層型
感光性像形成部材を提供することである。

本発明のさらに別の目的はテトラ　フェニルビフェニル
　ジアミンのアルコキシ誘導体からなる正孔移送層と支
持基層との間にある光励起（ｐｈｏｔｏｇｅｎｅｒａｔ
ｉｎｇ　）　ｍからなる多層型感光性像形成部材を提供
することである。

本発明のさらに別の目的は正孔移送Ｉ→が光励起層と支
持基層との間にある改良された多層型感光性像形成部材
を提供することである。

また、本発明のさらに別の目的は上述の多層型感光性装
置を用いた像形成方法を提供することである。

本発明のさらに別の目的は増大した電荷キャリヤー移動
性と樹脂バインダー中ですぐれた溶解性とを同時に有す
る改良されたアルコキシ　テトラフェニル　ビフェニル
　ジアミン正孔移送分子を提供することである。

発明の横縁本発明の上記および他の目的は次式：（式中、Ｒ１は水素、オルソアルコキシ、メタアルコキ
シ、バラアルコキシ、オルソアルキル。

メタアルキル、バラアルキル、３．５−ジアルコキシ、
２．４−ジアルコキシ、および２．５−ジアルコキシか
らなる群より選ばれ、Ｒ２はオルソアルコキシ、メタア
ルコキシ、バラアルコキシ。

３．５−ジアルコキシ、２．４−ジアルコキシおよび２
，５−ジアルコキシからなる群より選ばれる）を有する
アルコキシ　テトラフェニル　ビフェニル　ジアミン正
孔移送分子を用いることによって達成される。アルキル
置換基は約１〜２ｏ（１Ｍの炭素原子を含むもの、例え
ば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ノニル。

ベタデシルおよびエイコシルを含む。好ましいアルキル
基は１〜約６個の炭素原子を含むもの例えばメチル、エ
チル、プロピルおよびブチルである。

同様に、アルコキシル基も約１〜約２０咽の炭素原子を
含むもの、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシ、ベン［・キシ、ヘキサオキシ。

ペンタオキシおよび他の同様なアルコキシ置換基を含む
。特に好ましいアルコキシ基は約１〜約６個の炭素原子
を含むもの、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ
およびブトキシである。これらのアルコキシアミン正孔
移送組成物は、例えば、“ジャーナル　オブ　オルガニ
ック　ケミストリー　（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｏｒｇ
ａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ）　＋　Ｖｏｌ　３７　
＋階２６．　　Ｐ４４４０．　　（１９７２）　、Ｓ、
Ｃ，クリージン。

Ｊ、ウィーシーおよびＲ，Ｆ、ネルジン”に記載された
ウルマン（Ｕ１１＋＊ａｎｎ　）反応によって調製でき
る。

本発明の範囲に属する電荷移送分子の具体例には次のも
のがある：Ｎ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（４−メト
キシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−１，１
′−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（４、−エ
トキシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−１，
１’−ジアミン。

Ｎ、Ｎ’−ジ、フェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（４−プロ
ポキシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−１，
１′−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’〜ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（４−ブト
キシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−１，１
’−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス〔４−ペン
トキシフヱニル）　−［４，４′−ビフェニル〕＝１．
１′−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’−ジフヱニルーＮ　、Ｎ’−ビス（３，５−
ジメトキシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−
１，１′−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（２，４−
ジメトキシフェニル’）　−（４，４′−ビフェニル〕
−１，１′−ジアミン。

Ｎ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（２，九−
ジメトキシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−
１，１′−ジアミン。

本発明のアルコキシ　テトラフェニル　ビフェニル　ジ
アミン正孔移送分子は米国特許第４　、２６５　、９９
０号に記載された近値の電荷移送分子に対しいくつかの
点で優れている。例えば、本発明のメトキシ　テトラ　
フェニル　ビフェニルジアミン正孔電荷移送分子は上記
米国特許第４．２６５，９９０号のジアミン正孔移送分
子よりも約５〜７倍大きい電荷キャリヤー移動性を有す
る。

さらに、本発明の電荷移送分子は米国特許第４．２６５
，９９０号の電荷移送分子よりも各種バインダー中で約
２倍可溶性である。

本発明のアルコキシ正孔移送分子の増大した電荷キャリ
ヤー移動性および高熔解性は高分子バインダー中に分散
させるのにこれら分子の低濃度の使用を可能にする。さ
らに、アルコキシ正孔移送分子の増大した溶解性により
、ポリカーボネート以外の種々の樹脂バインダー、例え
ば、ビスフェ・ノールＡ−ポリエステル　カーボネート
　コポリマー、エステル化ビスフェノールＡフェノキシ
樹脂、およびエポキシ樹脂の使用が可能になる。

本発明の改良された像形成部材は多くの公知方法によっ
て製造できるが、各層のコーティングのための諸プロセ
スパラメーターは所望する部材に依存する。例えば、本
発明の改良された感光性像形成部材は、任意構成成分と
しての正孔注入プロキング（ｂｌｏｃｋｉｎｇ）層と接
着層を有する導電性基層を調製し、この基層に溶液コー
ティング法、ラミホーティング法、または真空蒸着法に
よって光導電性層および正孔移送層を設けることによっ
て製造できる。他の方法としては熔解押出法、ディップ
コーティング法およびスプレー法がある。

好ましい実施態様以下、本発明およびその特徴をより良好に理解するため
に、各種の好ましい実施態様について詳細に説明する。

第１図は、本発明の改良された感光性像形成部材の一部
略断面図である。

第１図においては、支持基Ｍ３．必要に応じて不活性樹
脂バインダー組成物９中に分散させた光励起顔料７から
なる電荷キャリヤー励起層５．および不活性樹脂バイン
ダー１４中に分散させたＮ　、Ｎ−ジフェニル−Ｎ　、
Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）　−（４，４′−
ビフェニル）　−１，１’　−ジアミン１２からなる正
孔移送層１１とからなる本発明の負帯電型の改良された
感光性像形成部材が例示されている。

第２図は、本発明の第二の感光性像形成部材の一部略断
面図である。

第２図ではアルミニウム処理マイラー（Ｍｙｌａｒ　）
の導電性支持基Ｎ２１、ポリカーボネート樹脂バインダ
ー２７中に分散させたＮ　、Ｎ−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ
’−ビス（４−メトキシフェニル）−（４，４′−ビフ
ェニル）　−１，１’−ジアミン２５からなる電荷移送
層２３、および必要に応じて不活性樹脂バインダー３３
中に分散させた三方晶セレン３１からなる電荷キャリヤ
ー励起層２９とからなる本発明の正帯電型の感光性像形
成部材が例示されている。

第３図は、本発明の伯の感光性像形成部材の一部略断面
図である。

第３図には、アルミニウム処理マイラーの導電性支持基
Ｆｉ＃４　ｌ、任意構成成分の接着ブロッキング層４３
、樹脂バインダー４９中に分散させた三方晶セレン光励
起顔料または他の同様の無機顔料４７からなる電荷キャ
リヤー励起層４５、およびポリカーボネート樹脂バイン
ダー６１中に分散させたＮ、Ｎ−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ
’−ビス（４−メトキシフェニル）　−（４，４′−ビ
フェニル〕−ｉ、ｉ　’−ジアミンからなる正孔移送層
５１とからなる本発明の負帯電型感光性像形成部材が例
示されている。

基体層は不透明または実質的に透明でもよく必要な機械
的性質を有する任意の適当な材料からなり得る。即ち、
これらの基層は無機または有機高分子材料のような非導
電性材料の層、導電性表面層を有する有機または無機材
料の層または例えばアルミニウム２　クロム、ニッケル
、インジウム。

酸化錫、黄銅等の如き導電性材料の層からなり得る。ま
た、基層は可撓性でもまたは剛性のあるものでもよく、
任意の多くの異なる形状、例えば、プレート、　円Ｍ状
ドラム、スクロール、エンドレス可撓性ベルト等であり
得る。好ましいのはエンドレス可撓性ベルトの形である
。

基層の厚さは経済性を含む多くの要因により決められる
。即ち、基層は１００ミル（２，５ｉｎ）の実質的厚さ
あるいは本発明の目的が達成される最小の厚さを有し得
る。一つの好ましい実施態様においては基層の厚さは約
３ミル〜約１０ミル（０，０７６〜０．２５４ｍ）であ
る。

光励起顔料の例には、前述したように、無定形セレン、
　Ａｓ２Ｓｅ３のようなセレン合金、三方晶セレン、ペ
リレン、無金属（ｍｅｔａｌ　ｆｒｅｅ）フタロシアニ
ン、金属フタロシアニン、バナジル　フタロシアニン、
スクアライン等があり、好ましいのはＡ！＋２　Ｓｅ３
である。典型的には、電荷キャリヤー励起層は約０．０
５５ミフロン〜１０ミクロンまたはそれ以上の厚さを有
するが、５から１００容量％に変え得る光励起顔料の含
容量により、他の厚さであってもよい。好ましいのは、
光励起層は約０．１〜約３ミクロンの厚さを有する。一
般に、この層は像形成露光段階で層に照射される照射光
の約９０％以上を吸収するのに十分な厚さに調製するこ
とが望ましい。また、励起層の最大厚は機械的要因、例
えば、可撓性の感光性像形成部材が望まれるかどうか、
あるいは光励起体の本質即ち正孔または電子の範囲が制
限されるかどうかのような要因に主として依存している
。

光励起顔料用に用いられる任意成分としての樹脂バイン
ダーは例えば米国特許第３，１２１．００６号に記載さ
れているようなポリマー類であり、ポリエステル、ポリ
ビニル　ブチラール、ポリビニルカルバゾール、ポリカ
ーボネート樹脂、エポキシ樹脂、ポリヒドロキシエーテ
ル樹脂等である。

任意構成成分としての正孔ブロッキング層としては、酸
化アルミニウム等のような種々の公知金属酸化物が使用
できる。この層は約５０オングストローム（０，００５
ミクロン）以下の厚さを有し、像形成部材の荷電中また
は荷電後の基層からの正孔の注入を防止する。さらに、
本発明の像形成部材には、支持基層と光励起層との間に
接着物質を存在させることができ、そのような物質とし
てはポリエステル、ポリビニルブチラール、ポリビニル
ピロリドン、および加水分解γ−アミノプロピルトリエ
トキシシランがある（米国特許第４　、４６４　、４５
０号参照）。

本発明のアルコキシ　アミン正孔移送化合物は、例えば
、′ジャーナル　オブ　オルガニ、ツク　ケミストリー
（ｔｈｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　　ＯｒｇａｎｉｃＣ
ｈｅｍｉｓｔｒｙ）　、　ｖｏｌ　３７．　ｌ’ｈ２６
．　　　Ｐ４４４０゜（１９７２）　、　　Ｓ、Ｃ，ク
リージン、Ｊ、ウィーシー。

およびＲ，Ｆ、ネルジン”に記載されたウルマン反応に
より調製できる。

本発明の像形成部材において、電荷移送層は一般に約２
ミフロン〜約５０ミクロンの厚さ、好ましくは約５ミフ
ロン〜約３０ミクロンの厚さを有する。アルコキシ　ジ
アミン正孔移送分子の分散に用いることのできる樹脂バ
インダーには米国特許第３，１２１，００６号に記載さ
れたものがある。バインダーの特定の例としては、ポリ
ビニルカルバゾール、ポリカーボネート樹脂、エポキシ
樹脂、ポリビニル　ブチラール、ポリヒドロキシエーテ
ル樹脂等がある。

以下、本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説明
するが、これらの実施例は単に例示を目的とし、本発明
を実施例で示した材料、条件、またはプロセスパラメー
ターに限定するものでないことを理解されたい。すべて
の部およびパーセントは特に断わらない限り重量による
。

実施例　ＩＮ　、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ　、Ｎ’−ビス（４−メト
キシフェニル）　−（４，４′−ビフェニル〕−１，１
′−ジアミンを前出の“ジャーナル　オブオルガニソク
　ケミストリー、　Ｖｏｌ　３７．　Ｎ１１２６゜ｐ　
４４４０　（１９７２）　　”に記載された手順に従っ
て２０ｇのジフェニルベンジジンと６１．２ｇの４−イ
オドアニソールとのウルマン反応によって調製した。

得られた粗生成物を熱トルエンと混合し、その後トルエ
ンを減圧下に混合物から蒸発させた。その後、得られた
生成物をジエチルエーテル中に分散させ、結晶沈澱物を
形成させた。その間に残留不純物はジエチルエーテル溶
媒中に溶解して残った。

濾過後、２６ｇの生成物を得、これを４５５ｍ１のアセ
トンと　１００ｉ１のベンゼンとの熱？Ｍ合物中に溶解
した。−５℃への冷却したのち、結晶化生成物を得た。

約２５ｇのメトキシジアミン生成物をウォージン（Ｗｏ
ｈ　ｆｅｎ）中性アルミニウムとベンゼン−ヘキサン溶
媒（１：１比）とを合むカラムに通して不純物を除去し
た。Ｍｉ、過したのち、１９ｇのメトキシジアミン生成
物を得た。

前述した他のアルコキシ　ジアミン類も同様な方法で調
製できる。

実施例　２感光性像形成部材を、厚さ３ミル（７５ミクロン）のア
ルミニウム処理マイラー基層を用意し、この基層に、フ
ロリダのＰＣＲリサーチ　ケミカルズ社から入手でき、
先ず水中で１：５０容量比で２時間加水分解し、エタノ
ールで希釈して水／エタノール中ｏ、　ｌ　９Ａシラノ
ール溶液とした３−アミノプロピルトリエトキシ　シラ
ンの層を、０．５ミル（１３ミクロン）の湿潤厚さで、
マルチプルクリアランス　フィルム　アプリケーターで
もって通用することによって、調製した。次に、この屓
を室温で５分間、強制送風炉中で１１０’Ｃ１１０分間
乾燥させた。７５容量％のポリビニルカルバゾール中の
２５容量％の三方晶セレンからなり、厚さ０．４ミクロ
ンを有する電荷キャリヤー励起層をバーコーティング法
によって上記シラン層に適用した。その後、セレン層を
、６５重量％のポリカーボネート樹脂バインダー（モー
ベイケミカル社より入手できる）中に分散させた３５重
量％のＮ／、Ｎ　　−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−メトキシフェニル）−（４，４′−ビフェニル）−１
，１′−ジアミンからなる電荷移送層によってオーバー
コーテイングした。この電荷移送層は塩化メチレン溶液
からのスプレーによって通用した。

乾燥後、厚さ３０ミクロンの電荷移送層を得た。

次に、上記で調製した像形成部材上に、該部材を静電複
写像形成試験装置に組み込み、該部材を１０００ボルト
の負電圧に荷電したのち、静電像を形成させた。その後
、得られた像を、９２重量％のスチレン　ｎ−ブチル　
メタクリレート　コポリマー（５８／４２）　、８重量
％のカーボン　ブランク粒子、および２重量％の帯電促
進添加物セチル　ピリジニウム　クロライドからなるト
ナー組成物で現像した。１００，０００回の像形成サイ
クルにおいて優れた解像力と優れた品質を有し、何ら背
影付着物のない現像された像を得た。

実施例　３感光性像形成部材を実施例２の手順を繰返すことによっ
て調製した。ただし、７５重量％のポリカーボネート樹
脂バインダー中に分散さセたＮ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、Ｎ’−ビス（４−メトキシフェニル）−（４，４′−
ビフェニル）　−ｉ、ｉ　’−ジアミンを使用した。実
質的に同様な結果が、この像形成部材を実施例２の静電
複写像形成試験装置に組み込んだとき得られた。

実施例　４像形成部材を実施例２の手順を繰返すことによって調製
した。ただし、電荷キャリヤー励起層としてバインダー
中の三方晶セレンの代りに、真空蒸着したトリセレン化
ひ素Ａ３２　Ｓｅ３を用いた。得られた像形成部材を実
施例３の静電複写像形成試験装置に組み込んだとき、実
質的に同様な結果が得られた。

実施例　５感光性像形成部材を実施例２の手順を繰返すことによっ
て調製した。ただし、電荷移送分子用の樹脂バインダー
として、ポリカーボネートの代りに、ジェネラル　エレ
クトリック社より入手でき、ビスフェノールＡとジメチ
ルジクロロシランとの重縮合により得たビスフェノール
Ａ　ジメチルシロキサンを用いた。得られた像形成部材
を実施例２の静電複写像形成試験装置に組み込んだとき
、実質的に同様な結果を得ることができた。

実施例　６像形成部材を実施例２の手順を繰返すことによって調製
した。ただし、キャリヤー励起層として、バインダー中
の三方晶セレンの代りに、７０重量％のグツドイヤー（
Ｇｏｏｄｙｅａｒ）ポリエステル４　、９０００中に分
散させた３０重量％バナジルフタロシアニンのＯ０２ミ
クロン厚層を用いた。得られた像形成部材を実施例２の
静電複写試験装置に組み込んだとき、実質的に同様な結
果を得ることができた。

本発明を特定の好ましい実施態様に関連して説明したが
、本発明をこれらに限定するものではなく、むしろ当業
者ならば変形および修正が本発明の精神および特許請求
の範囲内においてなし得ることば理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の改良された感光性像形成部材の一部略
断面図である。第２図は本発明の第二の感光性像形成部材の一部略断面
図である。第３図は接着ブロッキング層を含む本発明の感光性像形
成部材の一部略断面図である。３・・・・・・支持基層、５・・・・・・電荷キャリヤ
ー励起層、７・・・・・・光励起顔料、９・・・・・・
不活性樹脂バインダー、１１・・・・・・正孔移送層、１２・・・・・・Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（４−メトキシフェニル）−（４，４′−ビフェニル
〕−１，１’−ジアミン、１４・・・・・・不活性樹脂バインダー、２１・・・・
・・支持基層、２３・・・・・・電荷移送層、２９・・
・・・・電荷キャリヤー励起層、４１・・・・・・支持
基層、４３・・・・・・接着ブロンキング層、４５・・
・・・・電荷キャリヤー励起層、５１・・・・・・正孔
移送層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は、それぞれ、水素、オルソアルコキシ
、メタアルコキシ、パラアルコキシオルソアルキル、メ
タアルキル、パラアルキル、３，５−ジアルコキシ、２
，４−ジアルコキシ、および２，５−ジアルコキシから
なる群より選ばれ、Ｒ＿２はオルソアルコキシ、メタア
ルコキシ、パラアルコキシ、３，５−ジアルコキシ、２
，４−ジアルコキシ、および２，５−ジアルコキシから
なる群より選ばれる）を有するテトラフェニルビフェニル　ジアミンのアルコ
キシ誘導体からなる感光性像形成部材用の正孔移送分子
。
（２）アルキル置換基が１〜約２０個の炭素原子を含む
特許請求の範囲第（１）項記載の正孔移送分子。
（３）アルコキシ置換基が１〜約２０個の炭素原子を含
む特許請求の範囲第（１）項記載の正孔移送分子。
（４）次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は、それぞれ、オルソメトキシ、メタメ
トキシ、パラメトキシ、オルソメチル、メタメチル、パ
ラメチル、３，５−ジメトキシ、２，４−ジメトキシお
よび２，５−ジメトキシからなる群より選ばれ、Ｒ＿２
はオルソメトキシ、メタメトキシ、パラメトキシ、３，
５−ジメトキシ、２，４−ジメトキシおよび２，５−ジ
メトキシからなる群より選ばれる）を有するテトラフェニル　ビフェニル　ジアミンのアル
コキシ誘導体からなる感光性像形成部材用の正孔移送分
子。
（５）正孔移送組成物Ｎ、Ｎ−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′−
ビス（４−メトキシフェニル）−〔４，４′−ビフェニ
ル〕−１，１′−ジアミン。
（６）正孔移送組成物Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ′
−ビス（３，５−ジメトキシフェニル）− 〔４，４′−ビフェニル〕−１，１′−ジアミン。
（７）支持基層、光励起層、および樹脂バインダー中に
分散させた次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は、それぞれ、水素、オルソアルコキシ
、メタアルコキシ、パラアルコキシ、オルソアルキル、
メタアルキル、パラアルキル、３，５−ジアルコキシ、
２，４−ジアルコキシおよび２，５−ジアルコキシから
なる群から選ばれ、Ｒ＿２はオルソアルコキシ、メタア
ルコキシ、パラアルコキシ、３，５−ジアルコキシ、２
，４−ジアルコキシ、および２，５−ジアルコキシから
なる群より選ばれる）の移送分子を含む電荷移送層とからなる改良された多層
型感光性像形成部材。
（８）アルキル置換基が１〜約２０個の炭素原子を含む
特許請求の範囲第（７）項記載の改良された多層型感光
性像形成部材。
（９）アルコキシ置換基が１〜約２０個の炭素原子を含
む特許請求の範囲第（７）項記載の改良された多層型感
光性像形成部材。
（１０）支持基層、光励起層、および樹脂バインダー中
に分散させた次式： ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中、Ｒ＿１は、それぞれ、オルソメトキシ、メタメ
トキシ、パラメトキシ、オルソメチル、メタメチル、パ
ラメチル、３，５−ジメトキシ、２，４−ジメトキシお
よび２，５−ジメトキシからなる群より選ばれ、Ｒ＿２
はオルソメトキシ、メタメトキシ、パラメトキシ、３，
５−ジメトキシ、２，４−ジメトキシおよび２，５−ジ
メトキシからなる群より選ばれる）の移送分子を含む電荷移送層とからなる改良された多層
型感光性像形成部材。
（１１）電荷移送分子が、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ
′−ビス（４−メトキシ　フェニル）−〔４，４′−ビ
フェニル〕−１，１−ジアミン、またはＮ、Ｎ′−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−ジメトキシ　フェニ
ル）−〔４，４′−ビフェニル〕−１，１′−ジアミン
である特許請求の範囲第（７）項記載の改良された像形
成部材。
（１２）光励起層が、金属フタロシアニン、無金属フタ
ロシアニン、ペリレン類およびバナジル　フタロシアニ
ンからなる群から選ばれた光励起顔料からなる特許請求
の範囲第（７）項記載の改良された像形成部材。
（１３）光励起層が、無定形セレン、三方晶セレンおよ
び無定形セレン合金からなる群より選ばれた無機光励起
顔料からなる特許請求の範囲第（７）項記載の改良され
た像形成部材。
（１４）光励起化合物が不活性樹脂バインダー中に分散
されている特許請求の範囲第（７）項記載の改良された
像形成部材。
（１５）光励起化合物が、ポリカーボネート、ポリエス
テルおよびポリヒドロキシエーテルからなる群から選ば
れた不活性樹脂バインダー中に分散されている特許請求
の範囲第（１４）項記載の改良された像形成部材。
（１６）電荷移送分子が、ポリカーボネート、ポリビニ
ルブチラールおよびビスフェノールＡジメチル　シロキ
サンからなる群より選ばれた不活性樹脂バインダー中に
分散されている特許請求の範囲第（７）項記載の改良さ
れた像形成部材。
（１７）支持基層がアルミニウムである特許請求の範囲
第（７）項記載の改良された像形成部材。
（１８）支持基層がアルミニウムである特許請求の範囲
第（１０）項記載の改良された像形成部材。
（１９）支持基層；セレン、セレン合金、三方晶セレン
およびバナジル　フタロシアニンからなる群より選ばれ
た光励起顔料からなる光励起層；および不活性樹脂バイ
ンダー中に分散させた特許請求の範囲第（１）項記載の
電荷移送分子からなる電荷移送層とから本質的になる改
良された多層型感光性像形成部材。
（２０）支持基層；セレン、セレン合金、三方晶セレン
およびバナジル　フタロシアニンからなる群より選ばれ
た光励起顔料よりなる光励起層；および不活性樹脂バイ
ンダー中に分散させた特許請求の範囲第（４）項記載の
電荷移送分子からなる電荷移送層とから本質的になる改
良された多層型感光性像形成部材。
（２１）電荷移送分子がＮ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（４−メトキシ　フェニル）−（４，４′−ビフ
ェニル〕−１，１−ジアミンおよびＮ，Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−−ジメトキシ　フェニル
〕−〔４，４′−ビスフェニル〕−１，１′−ジアミン
からなる群から選ばれる特許請求の範囲第（１９）項記
載の像形成部材。
（２２）電荷移送分子がＮ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（４−メトキシ　フェニル）−〔４，４′−ビフ
ェニル〕−１，１−ジアミンおよびＮ、Ｎ′−ジフェニ
ル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３，５−ジメトキシフェニル）−
〔４，４′−ビスフェニル〕−１，１′−ジアミンから
なる群より選ばれる特許請求の範囲第（２０）項記載の
像形成部材。
（２３）光励起顔料が三方晶セレンである特許請求の範
囲第（２１）項記載の像形成部材。
（２４）光励起顔料が三方晶セレンである特許請求の範
囲第（２２）項記載の像形成部材。