JPH0664935B2 - 透明導電膜およびその形成方法 - Google Patents
透明導電膜およびその形成方法Info
- Publication number
- JPH0664935B2 JPH0664935B2 JP60231061A JP23106185A JPH0664935B2 JP H0664935 B2 JPH0664935 B2 JP H0664935B2 JP 60231061 A JP60231061 A JP 60231061A JP 23106185 A JP23106185 A JP 23106185A JP H0664935 B2 JPH0664935 B2 JP H0664935B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- sno
- transparent conductive
- conductive film
- ito
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、例えば太陽電池に用いられる透明導電膜およ
びその形成方法に関するものである。
びその形成方法に関するものである。
（従来の技術） 例えば太陽電池の受光側電極としては従来より透明導電
膜が、用いられている。すなわち、ガラス基板上にスパ
ッタリング法や真空蒸着法等によってITO(Indium Tin O
xide)層を形成し、さらにその上にSnO2層を形成して透
明電極を構成している。ITO層は比抵抗は低いともに透
過率が高いので透明導電膜として優れた特性を有してい
るが、化学的安定性に欠けるため、その上に半導体層を
直接形成することはできない。そこでITO層の上に化学
的に安定なSnO2層を堆積して透明導電膜を構成してい
る。
膜が、用いられている。すなわち、ガラス基板上にスパ
ッタリング法や真空蒸着法等によってITO(Indium Tin O
xide)層を形成し、さらにその上にSnO2層を形成して透
明電極を構成している。ITO層は比抵抗は低いともに透
過率が高いので透明導電膜として優れた特性を有してい
るが、化学的安定性に欠けるため、その上に半導体層を
直接形成することはできない。そこでITO層の上に化学
的に安定なSnO2層を堆積して透明導電膜を構成してい
る。
（発明が解決しようとする問題点） 上述した従来の透明導電膜においてはITO層上にSnO2層
を形成しているが、このSnO2層の形成過程においてITO
層の比抵抗が高くなるとともに透過率が低くなる欠点が
ある。これはITO層を構成するIn2O3：SnO2の内のIn2O3
の組成が過剰の酸素の存在下で変性し、比抵抗が高くな
り、透過率が低くなるためである。したがって、従来比
抵抗が低く、透過率が高い透明導電膜を形成することは
きわめて困難であり、特にSnO2層形成時の酸化条件の制
御が非常に難かしいという欠点があつた。
を形成しているが、このSnO2層の形成過程においてITO
層の比抵抗が高くなるとともに透過率が低くなる欠点が
ある。これはITO層を構成するIn2O3：SnO2の内のIn2O3
の組成が過剰の酸素の存在下で変性し、比抵抗が高くな
り、透過率が低くなるためである。したがって、従来比
抵抗が低く、透過率が高い透明導電膜を形成することは
きわめて困難であり、特にSnO2層形成時の酸化条件の制
御が非常に難かしいという欠点があつた。
本発明の目的は上述した欠点を除去し、比抵抗が低く、
透過率の高い透明導電膜を提供することともにこのよう
な透明導電膜を簡単に製造することができる方法を提供
しようとするものである。
透過率の高い透明導電膜を提供することともにこのよう
な透明導電膜を簡単に製造することができる方法を提供
しようとするものである。
（問題点を解決するための手段） 本発明は、基板と、その上に形成した金属酸化物の透明
導電層と、その上に形成したSnO2層とを具える透明導電
膜において、前記透明導電層とSnO2層との間に、０＜ｘ
＜１とするSnO2-x層を設けたことを特徴とするものであ
る。
導電層と、その上に形成したSnO2層とを具える透明導電
膜において、前記透明導電層とSnO2層との間に、０＜ｘ
＜１とするSnO2-x層を設けたことを特徴とするものであ
る。
さらに本発明は、上述した透明導電膜を形成するに当た
り、基板上に金属酸化物より成る透明導電層を形成する
工程と、この透明導電層上に、酸化条件を変えながら、
０＜ｘ＜１とするSnO2-x層とSnO2層とを順次に形成する
工程とを具えることを特徴とするものである。
り、基板上に金属酸化物より成る透明導電層を形成する
工程と、この透明導電層上に、酸化条件を変えながら、
０＜ｘ＜１とするSnO2-x層とSnO2層とを順次に形成する
工程とを具えることを特徴とするものである。
（作用） 上述した本発明の透明導電膜によれば、ITOのような金
属酸化物より成る透明導電層とSnO2層との間にSnO
2-x（０＜ｘ＜１）層を設けたため、このSnO2-x層はSnO
2層を形成する際にはパツシベーシヨン層としての機能
を果たし、ITO層の比抵抗が増大したり、透過率が低下
したりすることはなくなる。また、本発明の形成方法に
よれば、SnO2-x層とSnO2層とを、単に酸化条件を変える
だけで順次に形成するため、形成工程そのものが簡単と
なる。
属酸化物より成る透明導電層とSnO2層との間にSnO
2-x（０＜ｘ＜１）層を設けたため、このSnO2-x層はSnO
2層を形成する際にはパツシベーシヨン層としての機能
を果たし、ITO層の比抵抗が増大したり、透過率が低下
したりすることはなくなる。また、本発明の形成方法に
よれば、SnO2-x層とSnO2層とを、単に酸化条件を変える
だけで順次に形成するため、形成工程そのものが簡単と
なる。
（実施例） 第１図は本発明の透明導電膜の一実施例の構成を示す断
面図である。透明なガラス基板１の上に厚さ約２０００
ÅのITO層２を形成し、その上に厚さ約２００ÅのSnO
2-x（０＜ｘ＜１）層３を形成し、さらにその上に厚さ
約２００ÅのSnO2層４を形成したものである。中間のSn
O2-x層３は、０＜ｘ＜0.5、特に０＜ｘ＜0.2の組成とす
ることが好適である。
面図である。透明なガラス基板１の上に厚さ約２０００
ÅのITO層２を形成し、その上に厚さ約２００ÅのSnO
2-x（０＜ｘ＜１）層３を形成し、さらにその上に厚さ
約２００ÅのSnO2層４を形成したものである。中間のSn
O2-x層３は、０＜ｘ＜0.5、特に０＜ｘ＜0.2の組成とす
ることが好適である。
次に、このような透明導電膜の形成方法について説明す
る。先ずソーダガラス基板１の表面を清浄とした後、ス
パツタリング法や真空蒸着法等によつてITO層２を所望
の厚さに形成する。次にこのようにITO層２を形成した
ガラス基板１を真空蒸着装置内に設置し、真空引きした
後加熱装置により基板１を所望の温度に加熱する、その
後、真空蒸着装置内に酸素ガスを導入する。この場合、
真空槽内は１×10-3Torr以下の一定の圧力に保持される
ようにする。また、真空槽内には予じめSnO2またはSnO2
とSn2O3，Sb2O5，SnF2，SnF4等との混合物の焼結体を蒸
発源として設置しておき、この蒸発源を電子ビーム加
熱、抵抗加熱、高周波誘導加熱等によつて加熱する。Sn
O2は加熱されると、SnO2→SnO＋Ｏと分解される。加熱
されたITO層２上に達したSnOは、酸素圧力、加熱温度、
蒸着速度、また蒸発源とガラス基板との間にイオン化機
構がある場合にはそのイオン化電力等の酸化条件を制御
することにより再び酸化されてSnO2-x（０＜ｘ＜１）と
なり、SnO2-x層３がITO層２上に堆積形成される。この
場合、ｘの値は、真空槽内の酸素分圧、導入酸素の流量
等を測定し、これらのパラメータを経験的に決めること
により所望の値とすることができる。SnO2-x層３が所望
の厚さに形成されたら再び酸化条件を制御し、SnO2-x層
３の上にSnO2層４を形成する。このSnO2層４の厚さが所
望の厚さとなつたら、蒸着を終了する。このように、本
発明の形成方法によればITO層２を形成したガラス基板
１を真空蒸着装置に設置したまま、酸化条件を制御する
だけでSnO2-x層３とSnO2層４とを順次に連続して形成す
ることができるため、工程は簡単になるとともに酸化条
件の制御も容易となる。
る。先ずソーダガラス基板１の表面を清浄とした後、ス
パツタリング法や真空蒸着法等によつてITO層２を所望
の厚さに形成する。次にこのようにITO層２を形成した
ガラス基板１を真空蒸着装置内に設置し、真空引きした
後加熱装置により基板１を所望の温度に加熱する、その
後、真空蒸着装置内に酸素ガスを導入する。この場合、
真空槽内は１×10-3Torr以下の一定の圧力に保持される
ようにする。また、真空槽内には予じめSnO2またはSnO2
とSn2O3，Sb2O5，SnF2，SnF4等との混合物の焼結体を蒸
発源として設置しておき、この蒸発源を電子ビーム加
熱、抵抗加熱、高周波誘導加熱等によつて加熱する。Sn
O2は加熱されると、SnO2→SnO＋Ｏと分解される。加熱
されたITO層２上に達したSnOは、酸素圧力、加熱温度、
蒸着速度、また蒸発源とガラス基板との間にイオン化機
構がある場合にはそのイオン化電力等の酸化条件を制御
することにより再び酸化されてSnO2-x（０＜ｘ＜１）と
なり、SnO2-x層３がITO層２上に堆積形成される。この
場合、ｘの値は、真空槽内の酸素分圧、導入酸素の流量
等を測定し、これらのパラメータを経験的に決めること
により所望の値とすることができる。SnO2-x層３が所望
の厚さに形成されたら再び酸化条件を制御し、SnO2-x層
３の上にSnO2層４を形成する。このSnO2層４の厚さが所
望の厚さとなつたら、蒸着を終了する。このように、本
発明の形成方法によればITO層２を形成したガラス基板
１を真空蒸着装置に設置したまま、酸化条件を制御する
だけでSnO2-x層３とSnO2層４とを順次に連続して形成す
ることができるため、工程は簡単になるとともに酸化条
件の制御も容易となる。
上述したようにして形成した本発明の透明導電膜の比抵
抗の平均値を、ITO層だけを形成した透明導電膜およびI
TO層およびSnO2層を形成した透明導電膜の比抵抗の平均
値と対比して次表に示す。
抗の平均値を、ITO層だけを形成した透明導電膜およびI
TO層およびSnO2層を形成した透明導電膜の比抵抗の平均
値と対比して次表に示す。
上表から明らかなように本発明の透明導電膜の比抵抗は
ITO層のみを有する透明導電膜の比抵抗よりも若干高い
が、ITO層の上にSnO2層を形成した従来の透明導電膜と
比較した場合半分以下となつている。
ITO層のみを有する透明導電膜の比抵抗よりも若干高い
が、ITO層の上にSnO2層を形成した従来の透明導電膜と
比較した場合半分以下となつている。
第２図は上述した３つの透明導電膜の分光透過率を示す
ものであり、本発明のITO/SnO2-x/SnO2構造を有する透
明導電膜の分光透過率は、ITO層のみを有する導電膜
と、ITO/SnO2構造を有する従来の導電膜とのほぼ中間の
値を示すことがわかる。
ものであり、本発明のITO/SnO2-x/SnO2構造を有する透
明導電膜の分光透過率は、ITO層のみを有する導電膜
と、ITO/SnO2構造を有する従来の導電膜とのほぼ中間の
値を示すことがわかる。
第３図は上述した３種類の透明導電膜を用いて製作した
水素化アモルフアスシリコンの太陽電池の、AM(Air Mas
s)1.5(100mv/cm2)の照射条件での光電変換特性を示すも
のである。このグラフから明らかなように、ITO/SnO2-x
/SnO2構造を有する本発明の透明導電膜を用いた太陽電
池では、透明導電膜の比抵抗が低く、透過率が高いため
きわめて優れた光電変換特性を示し、大きな光電変換効
率が得られることがわかる。一方、ITO層のみより成る
透明導電膜を用いた太陽電池では、ITO層そのものの比
抵抗は低く、透過率は高かつたにも拘らず、化学的安定
性に乏しいため、その上に水素化アモルフアスシリコン
を堆積させた太陽電池の光電変換特性は、ITO/SnO2構造
を有する透明導電膜を用いた太陽電池の光電変換特性よ
りも劣るものであつた。
水素化アモルフアスシリコンの太陽電池の、AM(Air Mas
s)1.5(100mv/cm2)の照射条件での光電変換特性を示すも
のである。このグラフから明らかなように、ITO/SnO2-x
/SnO2構造を有する本発明の透明導電膜を用いた太陽電
池では、透明導電膜の比抵抗が低く、透過率が高いため
きわめて優れた光電変換特性を示し、大きな光電変換効
率が得られることがわかる。一方、ITO層のみより成る
透明導電膜を用いた太陽電池では、ITO層そのものの比
抵抗は低く、透過率は高かつたにも拘らず、化学的安定
性に乏しいため、その上に水素化アモルフアスシリコン
を堆積させた太陽電池の光電変換特性は、ITO/SnO2構造
を有する透明導電膜を用いた太陽電池の光電変換特性よ
りも劣るものであつた。
本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、種
々の変更や変形を加えることができる。例えばSnO2-x層
やSnO2層にはSb,F,P等の比抵抗を低下させる元素を添加
することができる。また、本発明の透明導電膜は太陽電
池に用いるだけでなく、例えば自動車のデフロストガラ
スの透光性ヒータとして用いることもできる。さらに基
板に被着する透明導電層はITO層とする必要はなく、他
の透明導電層とすることもできる。また、SnO2-x層は均
一な組成のものとする必要はなく、例えばITO層からSnO
2層にかけてｘの値が１から０まで連続的に変化するよ
うなものでもよい。
々の変更や変形を加えることができる。例えばSnO2-x層
やSnO2層にはSb,F,P等の比抵抗を低下させる元素を添加
することができる。また、本発明の透明導電膜は太陽電
池に用いるだけでなく、例えば自動車のデフロストガラ
スの透光性ヒータとして用いることもできる。さらに基
板に被着する透明導電層はITO層とする必要はなく、他
の透明導電層とすることもできる。また、SnO2-x層は均
一な組成のものとする必要はなく、例えばITO層からSnO
2層にかけてｘの値が１から０まで連続的に変化するよ
うなものでもよい。
（発明の効果） 上述した本発明の透明導電膜によればSnO2-x層をITO層
とSnO2層との間に介在させたため、比抵抗を低くするこ
とができるとともに透過率を高くすることができる。ま
た、SnO2層は化学的に安定であるため、本発明の透明導
電膜を用いた太陽電池の光電変換特性はきわめて優れた
ものとなるとともに経時変化も少ないなめ良好な光電変
換特性を長期間に亘つて維持することができる。さら
に、熱的安定性も高く、加熱による抵抗値の変化も小さ
い。
とSnO2層との間に介在させたため、比抵抗を低くするこ
とができるとともに透過率を高くすることができる。ま
た、SnO2層は化学的に安定であるため、本発明の透明導
電膜を用いた太陽電池の光電変換特性はきわめて優れた
ものとなるとともに経時変化も少ないなめ良好な光電変
換特性を長期間に亘つて維持することができる。さら
に、熱的安定性も高く、加熱による抵抗値の変化も小さ
い。
また、本発明の形成方法によれば、ITO層を形成した基
板を真空槽内に入れたままで、酸化条件を制御すること
によりSnO2-x層とSnO2層を順次に形成することができる
ので工程が簡単となるとともに特性も優れたものとな
る。
板を真空槽内に入れたままで、酸化条件を制御すること
によりSnO2-x層とSnO2層を順次に形成することができる
ので工程が簡単となるとともに特性も優れたものとな
る。
第１図は本発明の透明導電膜の構成を示す断面図、 第２図は本発明の透明導電膜の分光透過率を、従来の透
明導電膜と対比して示すグラフ、 第３図は本発明の透明導電膜を用いて製作した太陽電池
の光電変換特性を、従来の透明導電膜を用いて製作した
太陽電池と対比して示すグラフである。 １…ガラス基板、２…ITO層 ３…SnO2-x層、４…SnO2層
明導電膜と対比して示すグラフ、 第３図は本発明の透明導電膜を用いて製作した太陽電池
の光電変換特性を、従来の透明導電膜を用いて製作した
太陽電池と対比して示すグラフである。 １…ガラス基板、２…ITO層 ３…SnO2-x層、４…SnO2層
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、その上に形成した金属酸化物の透
明導電層と、その上に形成したSnO2層とを具える透明導
電膜において、前記透明導電層とSnO2層との間に、０＜
ｘ＜１とするSnO2-x層を設けたことを特徴とする透明導
電膜。 - 【請求項２】前記SnO2層およびSnO2-x層のいずれか一方
または双方にSb，Ｆ，Ｐ等の、比抵抗を低減する元素を
添加したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
透明導電膜。 - 【請求項３】基板上に金属酸化物より成る透明導電層を
形成する工程と、 この透明導電層上に、酸化条件を変えながら、０＜ｘ＜
１とするSnO2-x層とSnO2層とを順次に形成する工程とを
具えることを特徴とする透明導電膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231061A JPH0664935B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60231061A JPH0664935B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6293804A JPS6293804A (ja) | 1987-04-30 |
| JPH0664935B2 true JPH0664935B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=16917671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60231061A Expired - Fee Related JPH0664935B2 (ja) | 1985-10-18 | 1985-10-18 | 透明導電膜およびその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664935B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07112076B2 (ja) * | 1987-05-07 | 1995-11-29 | 日本板硝子株式会社 | 二層構造を有する透明導電膜体 |
| JPH0751745B2 (ja) * | 1988-08-11 | 1995-06-05 | 日本真空技術株式会社 | 透明導電膜の製造方法 |
| GB2252332A (en) * | 1991-01-31 | 1992-08-05 | Glaverbel | Glass coated with two tin oxide coatings |
| JP4844014B2 (ja) * | 2005-05-31 | 2011-12-21 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ素子、表示装置、及び有機ｅｌ素子の製造方法 |
| US20120028011A1 (en) * | 2010-07-27 | 2012-02-02 | Chong Pyung An | Self-passivating mechanically stable hermetic thin film |
| WO2019146120A1 (ja) | 2018-01-29 | 2019-08-01 | 株式会社 東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
| EP3748697A4 (en) * | 2018-01-29 | 2021-09-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SOLAR CELL, MULTI-JUNCTION SOLAR CELL, SOLAR CELL MODULE AND SOLAR ENERGY SYSTEM |
-
1985
- 1985-10-18 JP JP60231061A patent/JPH0664935B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6293804A (ja) | 1987-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4196438A (en) | Article and device having an amorphous silicon containing a halogen and method of fabrication | |
| EP0538840B1 (en) | Photovoltaic device | |
| US4142195A (en) | Schottky barrier semiconductor device and method of making same | |
| US5668050A (en) | Solar cell manufacturing method | |
| WO2007100488A2 (en) | Indium zinc oxide based front contact for photovoltaic device and method of making same | |
| WO2002043079A1 (en) | Conductive film, production method therefor, substrate provided with it and photoelectric conversion device | |
| JPS6252478B2 (ja) | ||
| JPS6325515B2 (ja) | ||
| JPH02503615A (ja) | 太陽電池用基板 | |
| EP0115645B1 (en) | Process for forming passivation film on photoelectric conversion device and the device produced thereby | |
| JPH0664935B2 (ja) | 透明導電膜およびその形成方法 | |
| JP2000138384A (ja) | 非晶質半導体素子及びその製造方法 | |
| JP2001135149A (ja) | 酸化亜鉛系透明電極 | |
| JPH0473305B2 (ja) | ||
| JP2928016B2 (ja) | 透明導電膜の成膜方法 | |
| JPH10226598A (ja) | 透明導電性酸化チタン膜及びその製造方法 | |
| JPH0733301Y2 (ja) | 光電変換装置 | |
| US4375644A (en) | Photoelectric element, picture-reading device including the same, and process for production thereof | |
| JP2975751B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0734329B2 (ja) | 透明導電体 | |
| JP2941086B2 (ja) | 透明電極 | |
| JPH07112076B2 (ja) | 二層構造を有する透明導電膜体 | |
| JPH0575153A (ja) | 光電変換素子用透明導電膜及びその製造方法 | |
| JPH1131830A (ja) | 金属酸化膜の製造方法および化合物半導体太陽電池 | |
| JP2815688B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |